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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Bipolar Transisor maximale Basis-Spannung in Durchlassrichtung ?


Autor: Robert (Gast)
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hallo,
Ich habe eine grundsätzliche Frage zu Strom, Spannung und Widerstand an 
einem Transistor und hoffe das mir jemand eine grundlegende, einfach 
verständliche Erklärung schreiben könnte.
Anbei ein sehr vereinfachter Schaltkreis, der mittels Taster eine Lampe 
über einen N-Transistor schaltet. Pullups uä. habe ich weggelassen, da 
für meine Frage nicht notwendig.
Welche maximale DC Spannung kann man in Betriebsrichtung an der Basis 
anlegen?
zB Transistor Bc337 als reiner Schalter, also entweder voll 
durchgeschaltet oder ganz zu. Vce=45V, Ib=100mA P=0,65W. V-EB 
(Sperrrichtung) =6V . Die andere Richtung also V-BE wird nicht 
angegeben.
In diversen einfachsten Schaltungen wird die Basis von derselben 
Spannungsquelle mit derselben Spannung (plus Basiswiderstand) geschaltet 
die auch zwischen Kollektor und Emitter liegt. Mal sind das 5V, dann 9V 
dann 12 oder 24V. Eine Obergrenze für die Basisspannung kann ich jedoch 
nirgendwo finden. Der Strom wird über den Widerstand eingestellt. 100mA 
Strom an Collector ergibt im Ohmbereich des Transistors (nicht oder 
nicht ganz durchgeschalten) automatisch V-CE-max., aber kann ich 
(theoretisch) mit entsprechendem Vorwiderstand jede beliebige Spannung 
V-BE an der Basis anlegen? Würde eine zu hohe Spannung den Transistor 
nicht trotzdem sofort zerstören?
Bipolare  Transistoren sind Stromgesteuert.  Die Sperrspannung ist mir 
klar.
Am Transistor zwischen Basis und Emitter fallen rund 0.7V ab und am 
Vorwiderstand R muss so viel Spannung abfallen, dass der benötigte Strom 
konstant fließt um voll durchzuschalten.
Heißt das, dass ich theoretisch jede Spannung anlegen könnte, solange 
durch den Vorwiderstand der maximale Strom nicht überschritten wird?
Ein Bc337 geht laut Datenblatt bis 45V. Für (theoretisch) 45V an der 
Basis und Ib-const. = 100mA brauche ich demnach einen 450 Ohm 5W 
Basisvorwiderstand.
Laut Datenblatt sind am Transistor 0.650W und 100mA erlaubt. Das wären 
nach U=P/I rund 6V zwischen Collector und Emitter. Was sagen mir diese 
6V über die Base-Emitter Spannungen?   Ist das die maximale Spannung in 
Schaltrichtung die an der Basis bei 100mA anliegen darf? Im Datenblatt 
steht Emitter-Basis Strecke VEBO =6V, also in Sperrrichtung, jedoch 
nicht Basis-Emitter VBEO  in Durchlassrichtung. Ich suche also die 
maximale Base-Emitter Spannung, (VBEO ), kann diese Angebe jedoch nicht 
finden und eine Erklärung dazu!
Kann ich mir Vorwiderstand und Transistor sehr vereinfacht als 
Reihenschaltung vorstellen? Sobald der Transistor durchgeschaltet und er 
quasi keinen Widerstand mehr hat, ist es keine Reihenschaltung mehr und 
die Teil-Spannung am Widerstand entspräche der Gesamtspannung.
Oder muss ich für den Widerstand des Transistors den Spannungsabfall von 
rund 0,7V am Transistor nehmen? Aber bedeutet das, dass man, wenn auch 
praktisch nicht relevant, theoretisch mit Hochspannung in die 
Transistorbasis gehen könnte, solange der Vorwiderstand entsprechend 
gewählt wurde.
Auch wenn man die Basisspannung wahrscheinlich so gering wie möglich und 
hoch wie nötig ansetzen wird, würde ich gerne wissen, wie hoch man 
theoretisch die BasisSpannung drehen darf, bis der Transistor durch zu 
hohe Spannung beschädigt werden würde.
Die basis-Emitter Strecke ist doch mit einer einfachen Widerstand-Dioden 
Schaltung vergleichbar. Bei LEDs wird Betriebsstrom und Spaunng 
angeeben. Dadurch kann ich alles berechnen. Bei Transistoren fehlen 
(mir) diese Angaben, wodurch ich anstehe.

Wäre toll wenn mir jemand die Strom,Spannungsverhältnisse und Grenzen am 
transistor nochmals erklären könnte. In Foren habe ich keine Beiträge zu 
maximalen Basis-emitter Spannung gefunden

: Verschoben durch Moderator
Autor: M.A. S. (mse2)
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Robert schrieb:
> Welche maximale DC Spannung kann man in Betriebsrichtung an der Basis
> anlegen?

Robert schrieb:
> V-EB
> (Sperrrichtung) =6V . Die andere Richtung also V-BE wird nicht
> angegeben.


Die BE-Strecke eines Bipolartransistors verhält sich wie eine Diode. 
D.h. in Sperrrichtung läßt sie keinen Strom durch (zumindestt so gut 
wie).
Dies gilt natürlich nur, solange diese Spannung nicht zu groß wird, 
sonst bricht die Streck durch, daher wird hier eine Grenze angegeben.

Stark vereinfacht gesagt fließt in Flussrichtung kein Strom, solange die 
Spannung unter ca. 0,7V liegt.
Ab 0,7V fließt Strom, die Spannung bleibt bei diesem Wert.
Der Strom muss daher durch einen Widerstand begrenzt werden, sonst würde 
dieser, wenn man auch nur etwas mehr als 0,7V direkt zwischen B und E 
legt, so hoch, dass der Transistor abraucht.


Übrigens ist das ein NPN-Transistor, die Bezeichnung N-Transistor gibt 
es nicht.



PS: Um die Frage nocheinmal im Kern zu beantworten: es macht keinen 
Sinn, eine Spannungsgrenze für BE in Flussrichtung anzugeben, die 
Spannung stellt sich bei gegebenem Basisstrom von selber ein (um 0,7V 
herum).
Dafür wird sinnvollerweise ein maximal zulässiger Basisstrom angegeben, 
der nicht überschritten werden darf.

: Bearbeitet durch User
Autor: Matthias S. (matzes)
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Sie dir doch mal das Ersatzschaltbild eines NPN Transistors an.
Die Strecke Basis Emitter ist darin eine Diode.

Das dort bei "eingeschaltenen" Transistor ca 0.7V abfallen,
hast du in deinem Beitrag selbst geschrieben.
Ganz unabhängig vom Basisvorwiderstand wird das auch nicht viel mehr 
werden. Lediglich der Strom I_be würde steigen.
Im Zweifel halt bis das Bauteil stirbt.

Autor: Hans M. (Gast)
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Robert schrieb:
> Der Strom wird über den Widerstand eingestellt.

Da die Basis-Emitterstrecke (Ube~0,7V )und der Vorwiderstand (U-Ube) 
einen Spannungsteiler bilden ;-)

MfG Hans

Autor: Ottkar (Gast)
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Robert schrieb:
> Am Transistor zwischen Basis und Emitter fallen rund 0.7V ab und am
> Vorwiderstand R muss so viel Spannung abfallen, dass der benötigte Strom
> konstant fließt um voll durchzuschalten.
> Heißt das, dass ich theoretisch jede Spannung anlegen könnte, solange
> durch den Vorwiderstand der maximale Strom nicht überschritten wird?

Ganz einfach gesagt: Ja

Autor: Robert (Gast)
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Ok, danke.
Das die Base Emitter Strecke einer Diode gleicht, war mir klar.
Also wenn ich als Spannungsabfall 0.7V annehmen kann und die Leistung 
sowie Strom im Datenblatt gegeben ist, kann ich mir den Rest berechnen.
Ich werde nicht in die Verlegenheit kommen hohe Spannungen einzusetzen.
In einem Beispiel möchte ich an 24v ein MOSFET mittels Transistor 
schalten und fragte mich ob ich jeden Transistor aus meiner kiste nehmen 
kann. Nachdem es funktionierte, fragte ich mich nach der maximalen 
Spannung.
Mit den 0.7V ist das nun geklärt.
Danke

Autor: batman (Gast)
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FET und BJT (man beachte jeweils das T) sind beide Transistoren, 
funktionieren aber sehr unterschiedlich.

Autor: Robert (Gast)
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Ja, beide sind Transistoren. Wird nicht üblicherweise ein BJT als 
"normaler" Transistor bezeichnet?

Autor: Wolfgang (Gast)
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Robert schrieb:
> Die andere Richtung also V-BE wird nicht angegeben.

Guckst du unter "On Characteristics" bei "Base−Emitter On Voltage"

Autor: Robert (Gast)
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Wolfgang schrieb:
> Guckst du unter "On Characteristics" bei "Base−Emitter On Voltage"

Dort steht: Base−Emitter On Voltage
(IC = 300 mA, VCE = 1.0 V)..........1.2V MAX.

Was sagt mir das?
Wie soll ich diesen Wert interpretieren?

Autor: Georg M. (g_m)
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Robert schrieb:
> Was sagt mir das?
> Wie soll ich diesen Wert interpretieren?

Mehr kann nicht sen. Physikalisch. Solange der Transistor nicht 
beschädigt ist.

Autor: M.A. S. (mse2)
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Georg M. schrieb:
> Robert schrieb:
>> Was sagt mir das?
>> Wie soll ich diesen Wert interpretieren?
>
> Mehr kann nicht sen. Physikalisch. Solange der Transistor nicht
> beschädigt ist.

...und es sagt, dass die BE-Strecke eben nicht nur einfach eine Diode 
ist. Das ist sie nur, solange der Kollektor nicht angeschlossen ist, im 
normalen Transistorbetrieb hängt Ube eben auch von Ic ab.

Trotzdem gilt immer noch, dass Ube sich in sehr engen Grenzen aufhält.

Autor: Amateur (Gast)
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Ich denke dass die Diode, das so ziemlich einfachste, elektronische, 
Halbleiterbauelement ist.
Wenn es bei deren Verständnis hakt, sollte man die Finger vom Transistor 
lassen. Der, auf primitiver Ebene, zwei Dioden mit sich herum schleppt.

Also wie von mehreren gesagt: Betrachte die Basis-Emitterstrecke als 
Diode. Auf einfacher Ebene ist damit alles gesagt.

Autor: Robert (Gast)
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Wenn ich immer gleich die Finger von allem lasse, das mich interessiert, 
würde ich nie etwas dazulernen.
Da ich hauptsächlich mit Arduinos spiele und maximal einen 12v Kreis 
schalte, war ich noch nie in der Verlegenheit mir Gedanken zu machen, 
wieviel V ein Transistor tatsächlich an der Basis maximal verträgt.

Zusammengefasst würde ich jetzt sagen, dass ich die Basis Emitter 
Strecke mit Vorwiderstand als einfachen Spannungsteiler aus Widerstand 
und Dioden sehen kann und der Spannungsabfall von 0.7V an der Diode 
quasi als Richtwert für den Spannungsteiler angenommen werden kann. Laut 
Datenblatt sogar bis 1.2V.
Demnach kann ich theoretisch jede Spannung anlegen, solange an dem 
Vor(last)Widerstand die überschüssige Spannung abfällt, sodass am 
Transistor nur noch 0.7 bis Max 1.2V abfallen können.

Demnach kann ich auch zb 10kV DC anlegen, solange ein ausreichend 
gekühler "Monsterlastwiderstand" alles bis auf 0.7 bis 1.2V verbrät. 
Vielleicht "nicht besonders" sinnvoll aber theoretisch machbar.

Autor: Dieter (Gast)
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Der maximale Basisstrom liegt bei 1/10 des maximalen Collektorstromes.

Es ist dabei zwischen Peak und Dauerwerten zu unterscheiden.

In Sperrichtung haelt die BE Strecke nur ca. 6V aus.
Das ist der Grund weshalb manche Blinkerschaltungen mit 9V Block 
betrieben sich bereits verabschieden koennen.

Autor: M.A. S. (mse2)
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Dieter schrieb:
> In Sperrichtung haelt die BE Strecke nur ca. 6V aus.
> Das ist der Grund weshalb manche Blinkerschaltungen mit 9V Block
> betrieben sich bereits verabschieden koennen.

Du hast natürlich völlig recht und ich würde diesen Umstand heute auf 
jeden Fall beachten.



Aber: als ich noch ein junger Bastler war, laß ich keine Datenblätter 
(und wenn, dann hätte ich nicht nach Ueb0 geschaut oder es hätte mir 
nichts gesagt).
Trotzdem baute ich zahlreichen Blink- und Tut-Schaltungen, ohne darauf 
zu achten und betrieb diese mit 9V oder 12V, ohne, dass ich Ausfälle 
beobachtet hätte.



Wie gesagt: das soll keine Werbung für die Mißachtung von Datenblättern 
sein!

: Bearbeitet durch User
Autor: Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite
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M.A. S. schrieb:
> Trotzdem baute ich zahlreichen Blink- und Tut-Schaltungen, ohne darauf
> zu achten und betrieb diese mit 9V oder 12V, ohne, dass ich Ausfälle
> beobachtet hätte.

Weil die B-E-Diode in Sperrrichtung in aller Regel einen „gemütlichen“ 
Durchbruch vollzieht, ähnlich einer Z-Diode (konnte man auch als 
primitiven Ersatz für eine Z-Diode nehmen). Natürlich nur, solange du da 
nicht zu viel Energie injizierst.

Trotzdem hatten bessere Bastelbücher auch damals schon in derartigen 
Einfach-Schaltungen eine zweite Diode vor der Basis, mit dem Hinweis, 
dass man sie bei Betrieb mit 6 V oder weniger weglassen kann.

: Bearbeitet durch Moderator
Autor: M.A. S. (mse2)
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Jörg W. schrieb:
> Trotzdem hatten bessere Bastelbücher auch damals schon in derartigen
> Einfach-Schaltungen eine zweite Diode vor der Basis, mit dem Hinweis,
> dass man sie bei Betrieb mit 6 V oder weniger weglassen kann.

Damals war ich ziemlich ignorant und habe gerne alles weggelassen, 
dessen Sinn ich nicht verstand.

Deswegen stürzte mein Schneider-CPC464, betrieben mit selbstgebautem 
5V-Netzteil, bei dem ich - selbstverständlich - jegliche Netzfilter 
wegließ, auch jedesmal ab, wenn ich meine Leuchtstoffröhre 
einschaltete...
nun ja!


Was den Betrieb der BE-Strecke in Sperrrichtung angeht:
es gab Bastelanleitungen zum Bau von Rauschgeneratoren, bei denen ein 
die BE-Strecke über einen relativ hohen vorwiderstand in Sperrrichtung 
betrieben wurde. Der Basisstrom rauscht in dem Falle ziemlich, dies 
nutze man dabei aus.

Autor: Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite
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M.A. S. schrieb:
> Der Basisstrom rauscht in dem Falle ziemlich, dies nutze man dabei aus.

Schrotrauschen, wenn ich mich recht erinnere. Müsste mit einer Z-Diode 
auch gehen, aber B-E-Strecke war natürlich bastlermäßig einfacher, sowas 
hat man ja praktisch immer zur Hand. ;-)

Autor: Harald W. (wilhelms)
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Robert schrieb:

> Da ich maximal einen 12v Kreis
> schalte, war ich noch nie in der Verlegenheit mir Gedanken zu machen,
> wieviel V ein Transistor tatsächlich an der Basis maximal verträgt.

Nun, wenn Du diese 12V ohne Vorwiderstand an der Basis anschliesst,
würde der Transistor unweigerlich durchbrennen.

> Demnach kann ich theoretisch jede Spannung anlegen, solange an dem
> Vor(last)Widerstand die überschüssige Spannung abfällt, sodass am
> Transistor nur noch 0.7 bis Max 1.2V abfallen können.
> Demnach kann ich auch zb 10kV DC anlegen, solange ein ausreichend
> gekühler "Monsterlastwiderstand" alles bis auf 0.7 bis 1.2V verbrät.

So ist es. Du brauchst da auch garnicht unbedingt einen "Monster-
lastwiderstand", da Transistoren an der Basis eher mit µA oder
nur wenigen mA angesteuert werden. Die oben angegebenen Werte
von 100mA 0der 1,2V sind Maximalwerte, die man normalerweise
nicht ausschöpft.

> Vielleicht "nicht besonders" sinnvoll aber theoretisch machbar.

Nun, manchmal will man z.B. das Vorhandensein einer Hochspannung
mit einer LED anzeigen...

: Bearbeitet durch User
Autor: M.A. S. (mse2)
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Harald W. schrieb:
> Du brauchst da auch garnicht unbedingt einen "Monster-
> lastwiderstand", da Transistoren an der Basis eher mit µA oder
> nur wenigen mA angesteuert werden.

Nun, wenn man einen sehr kleinen Strom mit 10kV multipliziert, kommt 
doch manchmal schon recht viel Leitung heraus.
Und entsprechend Spannungsfest sein müßte er auch, der Widerstand.

Autor: Harald W. (wilhelms)
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M.A. S. schrieb:

> Nun, wenn man einen sehr kleinen Strom mit 10kV multipliziert, kommt
> doch manchmal schon recht viel Leitung heraus.

10µA mal 10kV sind 100mW. das reicht schon, um mit dem BC337 eine
deutlich sichtbare LED anzusteuern.

> Und entsprechend Spannungsfest sein müßte er auch, der Widerstand.

Naja, so einige cm ist so ein 10kV-Widerstand schon lang.
Also ein "Mini-Monster". :-)

Autor: HildeK (Gast)
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Ich hab den Eindruck, dass bisher niemand dem TO deutlich gemacht hat, 
dass er keine Spannung an BE legen soll, sondern zwischen Basis und 
Emitter einen Strom fließen lassen muss.
Die Spannung U_BE stellt sich dann schon richtig ein - wie bei einer 
LED.

Autor: Egon D. (egon_d)
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Robert schrieb:

> Ja, beide sind Transistoren. Wird nicht üblicherweise
> ein BJT als "normaler" Transistor bezeichnet?

Naja. Man muss ja nicht jeden Mist nachmachen...


Viele reden auch von "Stromspannung", obwohl man
einfach und korrekt "elektrische Spannung" sagen
könnte.
(Sprechen diese Leute eigentlich auch von
"Kraftleistung"? Egal.)


Bipolartransistoren sind Bipolartransistoren, und
Unipolartransistoren sind FETs.

Autor: igfetjfetbjt (Gast)
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Egon D. schrieb:
>> Ja, beide sind Transistoren. Wird nicht üblicherweise
>> ein BJT als "normaler" Transistor bezeichnet?
>
> Naja. Man muss ja nicht jeden Mist nachmachen...

Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.
Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.
JFETs sind sogar FETs mit PN-Übergang...

Die (richtigen) Kürzel sind völlig in Ordnung, aber das
weglassen des genauen Typs bei "Transistor" ist einfach
nur Bequemlichkeit - die auch ins Auge gehen kann.

Autor: M.A. S. (mse2)
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HildeK schrieb:
> Ich hab den Eindruck, dass bisher niemand dem TO deutlich gemacht hat,
> dass er keine Spannung an BE legen soll, sondern zwischen Basis und
> Emitter einen Strom fließen lassen muss.
> Die Spannung U_BE stellt sich dann schon richtig ein - wie bei einer
> LED.

Das ist in mehreren Beiträgen geschehen und:
Der TO hat das inzwischen auch verstanden.

Autor: michael_ (Gast)
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igfetjfetbjt schrieb:
> Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.
> Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.

Nein!
Transistor ist Transistor. FET/Mosfet ist FET/Mosfet.
Den Mischmasch gibt es erst seit ein paar Jahren.
Auch der Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings aus dem 
Englischen eingewandert.

> JFETs sind sogar FETs mit PN-Übergang...

Nein.
Richtig ist:

JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...

Übrigens, der JFET war eher da.

Autor: Jörg W. (dl8dtl) (Moderator) Benutzerseite
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michael_ schrieb:
> Transistor ist Transistor. FET/Mosfet ist FET/Mosfet.

Und wofür genau steht das "T" in "FET"?

Autor: Egon D. (egon_d)
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michael_ schrieb:

> igfetjfetbjt schrieb:
>> Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.
>> Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.
>
> Nein!

Doch, natürlich.


Da die Konzentration an Unsinn in Deinem weiteren
Beitrag auffällig hoch ist, gehe ich davon aus,
dass Du trollst. So unwissend kann niemand sein.

Autor: Dieter (Gast)
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FeldEffektTransistor.
JunktionFET

Autor: igfetjfetbjt (Gast)
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Auf alles zugleich kann man nicht eingehen - also ein Auszug:

michael_ schrieb:
> igfetjfetbjt schrieb:
>> Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.
>> Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.
>
> Nein!

Doch. Und zwar ganz sicher. Da helfen auch keine Pillen...(oder
verschwenderisch angewandte Platzierung von Ausrufungszeichen).

> Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings
> aus dem Englischen eingewandert.

Natürlich - zum Glück. Im Deutschen gibt es kein solches Kürzel.
Paßt ideal zu den restlichen (beidsprachigen) Abkürzungen, toll.

> JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...

Wenn JFET=MOSFET, also DS-Kanal + Metall-Oxid-Gateisolation ---
wo genau würde man den PN-Übergang hinsiedeln? Denkt mal nach...

https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:Jfet-070325_(v...


Ich glaube ja ehrlich gesagt auch nicht, daß Du das ernst meinst.
Also: Was erzählst Du hier bloß? Denn witzig ist das nicht.


Die Wahrheit ist: Alle Transistoren sind "echte" Transistoren.
Die ganze Welt liegt doch nicht falsch, sie so zu nennen...(!)

Zugegeben benutz(t)en viele das Wörtchen Transistor sozusagen
ausschließlich in der Bedeutung "Bipolar-" ... u. a., weil es
just dafür lange kein Kürzel wie z.B. FET gab in Deutschland.
Dies an sich ist verständlich, und auch kein Grund für Vorwürfe.
(Obwohl man natürlich höflich auf die Nachteile hinweisen darf.)

Aber - und zwar ein großes aber - :

Diese Untugend, gegen das (Dland potentiell aus jenem Dilemma
[dem vorher fehlende Kürzel] rettende) BJT zu rebellieren,
nur weil einem jede Art Veränderung Angst macht, und man alles
noch mit "Schützt D / die deutsche Sprache" kombinieren kann im
Geiste - ist mir wohlbekannt, ich werkle frohgemut dagegen!  ;)

Autor: Wolfgang (Gast)
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michael_ schrieb:
> JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...

Was für ein Unfug.
Was meinst du wohl, wofür "J" steht und wofür "MOS" steht?
Welcher JFET hat eine Sandschicht als Gate-Isolation?

Autor: MaWin (Gast)
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Robert schrieb:
> Was sagt mir das? Wie soll ich diesen Wert interpretieren

Dass du, bei der Berechnung des Basisvorwiderstandes um aus einer 
Spannung von z.B. 5V einen Strom von z.B. 5mA machen zu wollen, mit 
nicht mehr Spannung am Basisanschluss rechnen musst, also 3.8k tuns.

Die real benötigte Spannung ist vor allem temperaturabhängig, wie bei 
einer Diode von unter 0.4V bis über 1V.

HildeK schrieb:
> Ich hab den Eindruck, dass bisher niemand dem TO deutlich gemacht
> hat, dass er keine Spannung an BE legen soll, sondern zwischen Basis und
> Emitter einen Strom fließen lassen muss. Die Spannung U_BE stellt sich
> dann schon richtig ein - wie bei einer LED.

Richtig. Er hat sicher auch Probleme, eine LED zu verstehen. Viele Leute 
verstehen das Konzrpt der Stromszeuerung nicht, sondern glauben es geht 
nur um die Spannung, weil sie nicht in der Lage sind, gedanklich mal 
Spannung und Strom zu vertauschen. Die Leute haben auch Probleme, Spulen 
zu verstehen, und bsuen alles mit Kondensatoren.

Autor: michael_ (Gast)
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Wolfgang schrieb:
> michael_ schrieb:
>> JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...

Ist das besser?

MOS-FETs sind JFETs ohne PN-Übergang.

igfetjfetbjt schrieb:
>> Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings
>> aus dem Englischen eingewandert.
>
> Natürlich - zum Glück. Im Deutschen gibt es kein solches Kürzel.
> Paßt ideal zu den restlichen (beidsprachigen) Abkürzungen, toll.

Doch: Transi oder Transe

Autor: batman (Gast)
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Oder auch Hansi oder Hansel, je nach Region und Dialekt.

Autor: MaWin (Gast)
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batman schrieb:
> Oder auch Hansi oder Hansel, je nach Region und Dialekt.

Eher: je nach Denkniveau. Und manche hier unterbieten gar noch 
Regenwürmer.

Autor: Wolfgang (Gast)
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michael_ schrieb:
> MOS-FETs sind JFETs ohne PN-Übergang.

Fahrräder sind wie Autos, nur ganz anders.

Autor: Karl B. (gustav)
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Hi,
warum macht man das wohl?

ciao
gustav

: Bearbeitet durch User
Autor: Harald W. (wilhelms)
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Wolfgang schrieb:
> michael_ schrieb:
>> MOS-FETs sind JFETs ohne PN-Übergang.
>
> Fahrräder sind wie Autos, nur ganz anders.

Nein, es gibt Rennwagen und Wagen ohne Renn.
Allerdings habe ich noch nie einen Wagen
rennen gesehen. :-)
Der deutsche Ausdruck für sog. "normale
Transistoren wäre "bipolarer Transistor".
Eine Abkürzung dafür hat sich im Deutschen
aber noch nicht eingebürgert.

Autor: Dieter (Gast)
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Vermutlich ist der TO (Robert) schon weg, da er sich nicht mehr 
rückfrägt.

Autor: Stefanus F. (stefanus)
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Diese Begriffe Transistor versus MOSFET muss man genau so im Kontext der 
Zeit sehen, wie viele andere Begriffe. Nehmen wir zum Beispiel die 
Lampe.

Heute denkt dabei jedes Kind an LED Leuchten, aber die Großeltern denken 
zuerst an Glühbirnen. In so einer Sitation sind wir heute bei den 
Transistoren.

Vor 100 Jahren gab es Lampen mit Kerzen, Gas, Öl und Strom.

Wenn ich meinen Opa aus dem Grab holen würde damit er mir eine analoge 
Schaltung skizziert, würde er davon ausgehen, dass die Transistoren eine 
BE Spannung zwischen 0,1 und 0,4V hätten. Denn für ihn war der gemeine 
Transistor eben einer aus Germanium. Das musste ich schon damals zu 
seinen Lebzeiten stets berücksichtigen, wenn ich mit ihm sprach. Sicher 
kannte er auf FET, aber dass ich diese nur selten benutzen würde, das 
war ihm durchaus klar.

Der erste Transistor war jedenfalls ein FET, von Julius Edgar Lilienfeld 
im Jahr 1925 als Patent angemeldet. Wirklich gebaut wurden sie erst 20 
Jahre später. Bipolare Transistoren kamen erst weitere 2 Jahre später im 
Labor erst um 1950 im Handel.

Interessanterweise hatten die Bipolaren Transistoren das Rennen gegen 
die Röhren gewonnen, nicht die FET. Also waren schon damals bipolare 
Transistoren die normalen.

Alle Leute, die hier mit diskutieren sind je nach Alter entweder mit 
bipolaren Transistoren oder mit beiden (BJT+MOSFET) groß geworden. Wobei 
die MOSFET den bipolaren Silizium Transistor nicht abgelöst, sondern 
ergänzt haben. Das alle anderen Transistor-Typen Sonderfälle sind, steht 
außer Frage.

Insofern gehe ich davon aus, dass der gemeine Transistor immer noch der 
bipolare Silizium-Transistor ist. Ich bin sicher, dass das auch jeder 
Verkäufer an der Halbleitertheke so verstehen wird, wenn der um einen 
Kleinleistungs-Transistor zum Schalten einer 100mA Glühlampe fragt.

: Bearbeitet durch User
Autor: batman (Gast)
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Und dann holt er irgendeinen BJT aus dem Regal? So ein Käse. Es kommt 
nur auf die Schaltung an, was da reingehört und nicht auf irgendwelche 
historische Dialektik und das kann genauso ein FET wie ein BJT sein.

Autor: Stefanus F. (stefanus)
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batman schrieb:
> Und dann holt er irgendeinen BJT aus dem Regal?

Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß 
welcher dass dann sein soll. Einige Verlage hatte diese Transistoren in 
ihren Bauplänen den 70er bis 80er Jahren so genannt:

TUN = Transistor Universal NPN
TUP = Transistor Universal PNP

Da gab es dann wirklich keine konkreten Modellbezeichnungen. Für mich 
war der TUN lange Zeit ein BC-107, dann ein BC-547 und heute ein BC-337.

Analog dazu gab es auch die

DUS = Diode Universal Silizium

Das ist für mich bis heute die 1N4148.

Quelle: Mein Gedächtnis.
Kannst du auch bei 
https://de.wikipedia.org/wiki/Universaltransistore... 
nachlesen.

: Bearbeitet durch User
Autor: batman (Gast)
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Stefanus F. schrieb:
> Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß
> welcher dass dann sein soll.

Aber auch nur aufgrund der Anwendung, die ihm beschrieben wird. In einer 
anderen würde er (hoffentlich) einen MOSFET holen. Das ist nämlich auch 
ein Transistor, wenn auch kein "normaler" oder "universaler".

Autor: Stefanus F. (stefanus)
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batman schrieb:
>> Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß
>> welcher dass dann sein soll.
> Aber auch nur aufgrund der Anwendung, die ihm beschrieben wird.

Natürlich.

Autor: michael_ (Gast)
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Stefanus F. schrieb:
> batman schrieb:
>> Und dann holt er irgendeinen BJT aus dem Regal?
>
> Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß
> welcher dass dann sein soll. Einige Verlage hatte diese Transistoren in
> ihren Bauplänen den 70er bis 80er Jahren so genannt:
>
> TUN = Transistor Universal NPN
> TUP = Transistor Universal PNP
>
> Da gab es dann wirklich keine konkreten Modellbezeichnungen. Für mich
> war der TUN lange Zeit ein BC-107, dann ein BC-547 und heute ein BC-337.

Richtig.
Im Osten gab es die Bastlerbeutel.
Nur heute wird da eine wissenschaftliche Betrachtung gemacht.

Stefanus F. schrieb:
> Analog dazu gab es auch die
>
> DUS = Diode Universal Silizium
>
> Das ist für mich bis heute die 1N4148.

Damals gab es noch verschiedene Dioden, welche die Parameter nicht 
vollkommen erreichten.

Im Osten war es die SAY32, die 95% der Anwendungen abdecken konnte.

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