Hallo,
ich möchte mit einem DRV8350 einen BLDC mit Hallsensoren und asynchronen
PWM Modus betreiben. Das ganze an 18 Volt. Nun fällt mir auf, dass es
mit einem CSD18511 (MOSFET für 40V) geht, mit einem CSD19536 (MOSFET für
100V) bei ca. 25% Last bereits ein Überstromschutz greift. Als würden
die MOSFET nicht mehr schließen?
Gibt es für MOSFET eine mindest Spannung? Also sollte man bei 18 Volt
Nennspannung dann MOSFET für 25V oder 30V Einsätzen oder wie ist das?
Grüße
Peter
Peter schrieb:> Als würden> die MOSFET nicht mehr schließen?
Das kann schon sein. Aber nicht wegen der Spannungsfestigkeit der
Mosfets, sondern wegen ihrer Gate-Kapazität. Je höher diese Kapazität,
desto länger dauert der Umladevorgang beim Schalten. Zumal die
Gate-Treiber im DRV8350 nicht gerade viel Strom liefern.
Die Treiber liefern zum Einschalten bis 1A und zum Ausschalten bis 2A.
Leider lässt sich da aber kaum ein Unterschied erkennen.
Wird die Kapazität mit höherem Strom auch höher?
Bla schrieb:> Der Fehler muss woanders liegen.
Wo sollte man da Suchen? Wenn die Schaltung mit dem "kleineren" MOSFET
geht jedoch nicht mit dem "stärkeren"?
Bla schrieb:> Der RDSon des 100V-Typ ist eventuell größer ( Habe ds Datenblatt nicht> gecheckt)> Schlägt eventuell die VDS-Überstromerkennung des Treibers zu ?
Der RDSon ist vom 100V MOSFET kleiner. Es löst auch eher der
Überstromschaltkreis (Extern) aus und zeigt an, dass 100% Last da war,
jedoch waren nur 25% der Last da. Also eher wie ein Kurzschluss.
Bla schrieb:> Meldet der Treiber den Überstrom?> Dann mal die VDS-Überstromerkennung passend programmieren. Könnte mir> vorstellen das es das ist.
Nein der Treiber meldet diesen nicht.
Hi.
Auf den ersten Blick kann ich nichts Auffälliges finden.
Die Miller-Kapazität des 100V-Typ ist größer.
Das könnte zum Aufreissen des unteren FET führen wenn der obere zu
schnell schaltet. = Halbbrückenkurzschluß.
Versuchsweise mal die Totzeit deutlich erhöhen, die Treiber sehr viel
langsamer machen.
Eventuell hält der Treiber das Gate nicht korrekt auf Low wenn der FET
aus ist. ( Mal die Gatespannung auf dem Scope anschauen)
Die NextFet von TI sind viel zu schnell für eine Halbbrücke. ( Meine
Erfahrung mit den Dingern.) Die sind mehr für SMPS optimiert.
Peter schrieb:> Der RDSon ist vom 100V MOSFET kleiner.
Wo siehst du denn das? Im Datenblatt was ich finde zumindest hat der
100V 2.3mOhm und der 40V 1.9mOhm angegeben (bei 10V am Gate).
Der 100V hat ca. die doppelte total Gate charge (ohne das Datenblatt
genau gelesen zu haben), eventuell dead time anpassen?
Peter schrieb:> Nein der Treiber meldet diesen nicht.
Meldet das der current sensor? und wenn ja ab wieviel Ampere und wie
groß ist der Freilauf und der Anlaufstrom vom Motor?
Habe die Totzeit auf 400ns gestellt, das ist Zeitgleich das Maximum. Der
DRV hat jedoch einen Handshake wo die 400ns erst laufen ab einer
Gatespannung kleiner 2,5 Volt.
Wie könnte ich das ganze sonst langsamer machen?
Welche MOSFET könntest du empfehlen?
K. S. schrieb:> Wo siehst du denn das? Im Datenblatt was ich finde zumindest hat der> 100V 2.3mOhm und der 40V 1.9mOhm angegeben (bei 10V am Gate).>> Der 100V hat ca. die doppelte total Gate charge (ohne das Datenblatt> genau gelesen zu haben), eventuell dead time anpassen?>> Peter schrieb:>> Nein der Treiber meldet diesen nicht.> Meldet das der current sensor? und wenn ja ab wieviel Ampere und wie> groß ist der Freilauf und der Anlaufstrom vom Motor?
ich finde im Datenblatt bei dem 40V Typ 2.1 mOhm, bei 100V 2.0 mOhm. Mit
der TotalGateCharge hast du Recht. Die ist doppelt so hoch. Leider kann
ich die Totzeit nicht mehr erhöhen. Gibt es sonst eine Möglichkeit das
zu testen?
K. S. schrieb:> Meldet das der current sensor? und wenn ja ab wieviel Ampere und wie> groß ist der Freilauf und der Anlaufstrom vom Motor?
Ja der Externe Current Sensor meldet den Überstrom und schaltet ab. der
Freilaufstrom ist ca 5 Ampere, der Anlaufstrom ca 10 Ampere. Belastet
wird bis 70 Ampere eigentlich.
Peter schrieb:> Habe die Totzeit auf 400ns gestellt, das ist Zeitgleich das Maximum. Der> DRV hat jedoch einen Handshake wo die 400ns erst laufen ab einer> Gatespannung kleiner 2,5 Volt.>> Wie könnte ich das ganze sonst langsamer machen?>> Welche MOSFET könntest du empfehlen?
Hi.
Da ich die restlichen Randbedingungen nicht kenne ( Taktfrequenz, Strom
etc) ist das schon etwas schwierig.
Wichtig ist mal die Gatespannungen gleichzeitig ( High- und Low-Side)
auf dem Scope anzuschauen. Dann siehst du ob die ineinander laufen.
Infineon und ST sowie Fairchild haben sehr gute Mosfets ( z.B.
IPB027N10)
Aktuell verwenden wir auch die Mosftes von On-Semi.
Ich müsst mehr über das Projekt wissen um gezielt zu empfehlen.
Aber erst einmal messen !
Das gleichzeitig Messen ist etwas schwierig, da mein Oszi nicht zwei
getrennte Kanäle hat. Aber wenn ich Highside und Lowside gegen Masse
messe läuft da nichts ineinander.
Komisch ist auch, wenn ich den "Ausschaltstrom" erhöhe um ja die
Kapazität schneller umzuladen (richtig?) löst die Überstromabschaltung
noch eher aus.
Der Einsatz ist geplant mit 20 kHz und maximal 100 Ampere (maximal 4
Sekunden) bei 18 Volt aus einem Akku.
Hi.
Kannst du das Scope-Bild zeigen?
Bei meinem Umrichter, als ich versuchte die Infineon durch die TI zu
ersetzen , habe ich mir , sobald die Endstufe an war, den daneben
stehenden Laptop "abgeschossen" . Stichwort EMV.
Die Schaltung hat mit den FETs von TI so viele Störungen verursacht das
nichts mehr ging.
TI hat mir dann auch schriftlich bestätigt das diese FETs nicht für
meine nEinsatz ( 48V-Umrichter , 750A Ausgangsstrom, 8kHz, 12 Mosfets
parallel, für batteriegetrieben Gabelstapler)
Das sind natürlich nur Vermutungen, aber diesen möglich Effekt sollte
man sich auch mal anschauen. Eventuell brauchst du Snubber über den
Mosfets.
Anbei mal das Oszibild als Jpg. Gelb ist Highste Gate gegen GND und
unten Loswinde Gate gegen GND. Als Pdf noch weitere Messungen. Auffällig
ist auch, dass die Akkuspannung bei höherem Strom auch bei dem 40V
MOSFET extrem einbricht. Das ist doch auch nicht normal oder?
Wenn das deine Gate-Spannung ist hast du aber ein massives Problem.
Das kann nicht sein !
Bitte mal am Low-Side-Fet messen. Gate gegen Source und dann viel weiter
reinzoomen ( 1us/DIV)
Bla schrieb:> Mmmmh.>> Wie sieht denn die Ausgangsspannung des Stromsensors bei Betrieb aus ?> Also kurz vor der Fehlerschwelle.
Der Strommsensor zeigt bei dem 100V Typen dann eine Sprungantwort.
??? Sprungantwort ?
Das ist doch ein linearer Hall-Sensor. Seine Ausgangsspannung ist doch
proportional zum fließenden Strom ( plus 2,5V Offset)
Scope-Bild?
Der Sensor hat 1,65 Volt bei 0 Ampere. Der Strom steigt langsam an, dann
gibt es einen Sprung auf den maximal Wert und der Treiber wird
abgeschaltet. Also wie ein Kurzschluss.
Hi.
Ach, ist ein 3V3-Sensor, dann natürlich 1,65V Offset.
Aber den Rest verstehe ich nicht....
Wer schaltet ab? Die Software?
Bitte mal den Ausgang des Stromsensors aufs Scope und dann reinzoomen
bis ca. 200us/DIV.
Das ganze läuft an einem ATXmega. der Sensor wird da am ADC ausgelesen
und wenn ein Sollwert überschritten ist wird die PWM für den DRV8350
abgeschaltet. Beim 40V MOSFET steigt der Strom langsam ab und der
Abschaltung werd passt zur last, beim 100 Volt typen steigt der Strom
langsam bis es dann einen Sprung gibt und es zum Abschalten kommt.
Scopebild habe ich leider gerade nicht da, da ich nicht simulieren kann.
Wenn ich das jetzt alles richtig deute kann es ja fast nur an einer zu
kurzen Totzeit liegen. Nur wie kann kann ich die weiter Verlängern? Der
Treiber lässt da nichts mehr zu!!
Könnten diese Kurzschlüsse auch Schuld daran sein, dass die
Batteriespannung so sehr einknickt?
Hi.
Totzeit ist auf jeden Fall ein Kanditat . Die sollte man am Anfang sehr
groß wählen und dann , wenn alles okay ist, reduzieren.
Schaltzeiten etc. sind auch temperaturabhängig !
Du kannst eine Totzeit in der SW implementieren. Also die Inputs des
Treibers von den uC Pins einzeln steuern. Der DRV hat ja verschiedene
Modi.
Eine Ferndiagnose ohne mal die Nase ins Objekt zu stecken ist schwierig.
Wichtig wären bessere Scope-Bilder.
Das Ausgangssignal des Stromsensors muss unbedingt mal genauer
betrachtet werden.
Meine persönliche Empfehlung: Solltest du häufiger in diesen Themen
unterwegs sein solltest du dir besseres Meßequipment anschaffen.
Halbbrücken-KS können sich 100ns-Bereich abspielen. Das siehst du u.U.
nicht mehr auf dem Scope.
Eine Strommesszange gibt es für wenig Geld. Ein Scope ( 100MHz) kostet
auch nicht die Welt. Ein differentieller Tastkopf ist fast schon ein
Muß.( Kann man für wenig Geld selber bauen. Es gibt genug Anleitungen im
Netz.)
Habe leider ein Testboard wo ich auf das 1xPWM des DRV setze. Leider
gibt es da nur maximal 400ns Totzeit. Da der Tipp mit dem Gatecharge ein
Hinweis sein könnte, habe ich nun CSD19532 bestellt. Diese haben 48nc
Gate Charge total, das ist 1/3 vom csd19536 (der 100V Typ welcher nicht
geht) und immerhin noch 20nc weniger als beim 40V typen welcher
funktioniert. Sollte doch dann durch die nicht zu ändernde Totzeit
besser funktionieren?
Hi.
Der CSD19532 hat 4mOhm bei 25°C. Der klettert auf locker 8mOhm bei
Temperatur. ( Verlustleistung beachten)
Der kann auch keine 100A eff ( Figure 12 im Datenblatt)
Zum ersten Testen okay, aber später brauchst du bessere.
Ich glaube allerdings das du mit NextFet von TI nicht glücklich wirst (
persönliche Meinung/ Erfahrung)
Für Halbbrücken braucht man robuste , langsame Mosfets und nicht die auf
Geschwindigkeit gezüchteten Teile.
Es gibt von Onsemi neue Mosfets mit 60V und 0,7mOhm (NVMTS0D7N06CL).
Gehäuse ähnlich SO8.
Recht große Gate-Charge. Faktor 10 langsamer als die TI.
Die benutzen wir in einer Baugruppe mit dem DRV8320 Treiber.
Damit konnte ich 200 Aeff für 5min mit zwei Transistoren parallel
fahren.
Also ein funktionierendes Konzept.
Hi.
Wenn du die TDRIVE-Funktion des Treiber korrekt verwendest sollte es
trotzdem klappen. Denn dafür ist sie ja gedacht.
By the way, unter uns: Ich liebe die DRV83xx. :)
Selten einen so durchdachten Chip gesehen.
Einziger Nachteil ist die Enable-Leitung. Ein Deaktivieren derselben
sperrt nicht nur die Treiber sondern schaltet das ganze IC aus. (
Standby)
P.S. Das Thema EMV sollte man ebenfalls nicht aus den Augen lassen.
Mich hat die Art auch begeistert aber jetzt will es nicht mehr damit es
perfekt wird. TDrive habe ich auf 4000us gestellt. Das müsste doch
passen oder?
Auf meiner Testplatine habe ich auf das FET footprint d2pak gesetzt da
ich dachte da mehr Strom drüber zu bekommen. Kannst du mir da eine
langsamere Alternative empfehlen die mit dem festen werten trotzdem
funktionieren sollte?
Hi.
Ohne es jetzt genau gerechnet zu haben würde ich im ersten Ansatz
IDrive-Source auf 200mA , IDrive-Sink auf 400mA und TDRIVE auf 1000ns
setzen.
Damit kann man sich rantasten ( Wichtig : Scope-Bilder)
Fet im D²Pak : IPB027N10N3 von Infineon, STH315N10 von ST, TK160F10 von
Toshiba. Alles von mir getestete 100V-Typen.
Die Toshibas sind meine Favoriten.
P.S. Die Bezeichnung ...N3 ist beim Infineon wichtig. Das sind die
Optimos3-Mosfets. Die schalten wesentlich humaner als die Optimos5.
Ok, werde den Infineon bestellen, den bekomme ich am schnellsten ran.
Zum Verständnis, ich dachte TDrive aus Maximum zu stellen wäre das
beste, zu mal ja das Umschalten immer länger dauert? Warum nun 1000us.
Möchte es gerne verstehen.
Reines Bauchgefühl. Klang für mich sinnvoll.
Kannst du aber natürlich auch größer wählen.
Wichtig ist sich sehr genau die Gate-Flanken anzuschauen. Die
Anstiegszeit /Abfallzeit liegt geschätzt im Bereich ~200-400ns.
Schneller sollte es im ersten Ansatz nicht sein ( wg. Störungen und
induktiven Überspannungen)
Später kannst du immer noch schneller werden um weniger Verlustlstg zu
erzeugen.
Du musst immer den Kompromiss zwischen schnellem Schalten und Störungen
finden.
Kann dein Scope das noch sauber darstellen ?
Ich versteh nur nicht, wenn die Gate charge des CSD19536 zu hoch ist, da
das umladen zu lang dauert, wie ein langsamerer Mosfet da besser sein
soll? Zumal ich die Totzeit nicht ändern kann?
Schau dir doch bitte noch einmal die Beschreibung des TDRIVE im
Datenblatt an.
Wie du selber geschrieben hast fangen die 400ns Totzeit erst dann an zu
laufen wenn die Gate-Spannung des gegenüber liegenden FET ausreichend
tief gefallen ist
Gate-Flanken in allen vier Quadranten ! Einschalt und Ausschalt.
High-Side und Low-Side immer auf einem Bild. ( höchstens 5us / DIV)
Analoge Ausgangspannung des Stromsensors (50us/Div)
Wenn das Scope schnell genug ist sollte man da Halbbrücken-KS sehen
können.
Der Sensor sollte das noch abbilden können.
Zwischenkreisspannung wäre auch nicht schlecht.
UDS am Low-Side-Mosfet zeitgleich mit der Gate-Spannung.
Das basiert natürlich alles auf der Vermutung das du
Halbbrückenkurzschluesse in der Schaltung hast.
Das sollte man aber erstmal untersuchen und gegebenenfalls abstellen.
Bla schrieb:> Gate-Flanken in allen vier Quadranten ! Einschalt und Ausschalt.> High-Side und Low-Side immer auf einem Bild. ( höchstens 5us / DIV)
Wie bekomm ich das mit den Quadranten hin? Habe ein Zweikanal Oszi mit
gemeinsamen ground.
Das reicht aber überhaupt nicht !
Ich vermute einen Mega-Ripple auf der Zwischenkreisspannung.
Die Kapazität ist nicht so super relevant, aber der ESR muss weit
runter.
Bei 100Aeff Motorstrom würde ich im Bereich von 5 Elkos mit je 1000uf
nehmen. (Parallelschaltung wegen ESR) Oder dickere Folienkondensatoren
parallel. Je mehr um so besser. Kann man sich später ran(runter)tasten
Die Motorphasenspannung kann positiv wie negativ sein, und der Stromfluß
durch die Phase kann positiv wie negativ sein.
Das sind unterschiedliche Schaltbedingungen. Die gilt es einzel zu
bewerten.
Das Umkommutieren des High-Side auf die Bodydiode (während Totzeit) und
das Einschalten des gegenüber liegenden FET sind zu betrachten. Bei
positivem wie negativem Strom.
Peter schrieb:> Ein Test mit einem Baumarkt Akkuschrauber mit BLDC zeigte top Werte an> dem BC Akkusnschluss. Der hat einen 820uF am Zwischenkreis.
Motorstrom = 100Aeff ? Lebensdauer des Akkus / Elkos?
Du willst doch weder Akkus noch Elko kochen, oder ?
Ich schrieb ja, man muss sich rantasten.
Bla schrieb:> s reicht aber überhaupt nicht !> Ich vermute einen Mega-Ripple auf der Zwischenkreisspannung.
Definitiv ist da ein Ripple aber so viel Kapazität? Wie gesagt, im
Baumarkt sehe ich einen 820uF. Eventuell in der Vergussmasse noch was
kleineres.
Peter schrieb:> Definitiv ist da ein Ripple aber so viel Kapazität? Wie gesagt, im> Baumarkt sehe ich einen 820uF. Eventuell in der Vergussmasse noch was> kleineres.
Was kostet es zu Anfang mehr vorzusehen ?
Willst du Baumarktschrott nachbauen oder etwas Vernünftiges aufbauen?
Das ist einzig deine Entscheidung.
Ich gebe nur Empfehlungen!
Bin sehr gespannt auf deine Messungen und den Fehler zu finden ( Da
treibt mich etwas die Berufsehre :)
Peter schrieb:> Hier ein Bild von der Akkuspannung unter Last mit dem 40V Mosfet wo ich> die Leistung schaffe.
Hui, fast 30% Ripple....
Kannst du mal viel weiter reinzoomen? Vielleicht sieht man da schon
etwas.
Peter schrieb:> Probier ich gerne aus. Welche ELKOs mit kleinem ESR sollte ich> probieren?
Die EKY Serie von United Chemi Con und die UHE-Serie von Nichicon haben
bei uns immer treue Dienste geleistet.
Peter schrieb:> Fakt ist dass der Baumarkt Schrott diesen Ripple nicht hat. Siehe Bild,> gelber Graph. Das ist die Akkuspannung bei gleicher Leistung.
Genau, und da gilt es jetzt zu suchen .....
Was machen die anders als bei deiner Schaltung.
Ich bin jetzt weg. Bis eventuell morgen.
Bla schrieb:> Ich bin jetzt weg. Bis eventuell morgen.
Habe jetzt 5000uF (5x 1000uF) standard Elkos eingelötet über die MOSFET
und der Rippel ist fast weg. Keine Ahnung wie die das aus dem Baumarkt
machen, wo nur 1 Stück 820uF zu sehen ist.
Das ist wohl wahr. Leider kann ich nicht wirklich mit dem Oszi
brauchbare Flanken darstellen vom Gate der MOSFET. Es sieht jedoch nicht
danach aus, dass bei den 40V Typen dein Kurzschluss entsteht.
"Mein" Kurzschluß ? :)
Tip: Rigol DS1074Z ( 4 Kanal 70MHz Oszi).
Mitnichten ein professionelles Gerät aber bzgl. Preis/Leistung
unschlagbar.
Das habe ich auch zuhause stehen und bin recht zufrieden damit.
Danke für den Tipp mit dem Oszi und natürlich "ein" Kurschluss :)
Gibt es jedoch eine Mölichkeit jetzt etwas zu prüfen? Ich mein bei den
100V MOsfET kann ich locker noch den Stromsensor sowie Highside und
LowSide Gate gegen GND messen. Da sollte man einen Kurzschluss schon
sehen.
Die 40V MOSFET funktionieren bis 100% Last, mit den Kondensatoren ist
auch der Rippel fast weg. Trotzdem sieht es nicht so aus wie beim Gerät
aus dem Baumarkt, Da sieht man eine kleine Spannungsspitze aber dann
bleibt es linear.
Daher meine Frage, was verändert ein langsamerer MOSFET?
Peter schrieb:> Daher meine Frage, was verändert ein langsamerer MOSFET?
Prüfen kannst du alles gestern besprochene.
Ich vermute noch einen Fehler in der Baugruppe der durch den Einsatz der
40V-Typen nur "verschleiert" wird.
Die ausführliche Beschreibung warum an der Stelle langsamere Bauteile
von Vorteil sind würde dieses Forum sprengen. Da kann ich dir mal ein
3-Tages-Seminar anbieten :)
Ich werde hier auch nicht mein mühsam erworbenes Fachwissen der letzten
15 Jahre Umrichterbau einfach offenlegen :)
Kurz gesagt, das Schaltverhalten der FET ist kontrollierbarer. Schnelles
Schalten verursacht erhebliche Probleme die nur durch ein sehr gutes
Layout und viel externe Beschaltung behoben werden können. Das langsame
Schalten erzeugt mehr Verlustleistung im FET , spart dir aber sehr viel
Ärger mit der Schaltung außenrum.
Anbei Oszibilder mit der 100V MOSFET Variante. Bei kleineren Zeiten ist
dann oft nichts mehr zu sehen.
MAP001 - Blau ist das Signal vom Stromsensor. Muss eigentlich linear
langsam steigen, hier sind aber die Spitzen drauf. Gelb ist Gate-Source
von der Low-Side.
MAP002 - Blau wie oben, Gelb Gate-GND der Highside.
MAP003 - Gelb zeigt Gate-Source der Highside.
MAP004- Gelb Gate-GND der Highside, Blau Gate-Source(GND) der Lowside.
Wenn die große, negative Nadel im ersten Bild echt ist, dann hast du
min. 70A Stromspitze in deinem Kreis. Dem musst du nachgehen.
Sehen die Bilder bei allen 3 Halbbrücken gleich aus ?
Das ist mal die Stromsensor vom 40V Typ. Ich lag mit meiner Vermutung
des linearen Ansteigs falsch, linear ist es erst nach dem Tiefpass.
Komisch ist, dass es hier viel wilder aussieht jedoch bis 100% Leistung
kommt.
Das mit dem ineinander Laufen ist etwas blöd. Die Highside zeigt Gate zu
GND, Nicht zur Source. Somit täuscht das mit dem ineinander laufen beim
roten Kreis Links. Beim zweiten Kreis rechts könnte es jedoch sein, dort
darf der MOSFET aber gar nicht schalten.
Peter schrieb:> Beim zweiten Kreis rechts könnte es jedoch sein, dort> darf der MOSFET aber gar nicht schalten.
Macht er wahrscheinlich auch nicht. Die Spannung steigt weil Low-Side
öffnet. Muss aber trotzdem genau angeschaut werden.
Dafür muss aber viel weiter rein gezoomt werden.
Das Gezappel auf dem Bild MAP005 ist nicht ungewöhnlich.
Sehen alle FET gleich aus ?
Ich muss nun aber auch wieder etwas arbeiten. Melde mich heute
Nachmittag.
Bin am Überlegen, ob der 6x PWM Modus, also jede Brücke selbst steuern
um die Totzeit zu verlängern Sinn machen würde. Jedoch bietet der
Treiber an sich laut Datenblatt die passenden Features um es nicht zu
müssen.
Wie macht ihr das beim DRV8320? Habt ihr da mal 6x PWM und 1x PWM
verglichen?
Habe jetzt mal die IPB027N10N3 MOSFET eingelötet und wollte mich langsam
mit dem Strom rantasten. Aber der Motor dreht nicht. Je nach
Rotorposition ist ein kurzes zucken zu sehen und laut Oszi ein kurzes
Signal al MOSFET doch dann regt sich nichts mehr.
Also muss doch richtig was im argen sein oder? Habe den Strom bis zum
Maximum gestellt aber keine Änderung.
Am Gate sehe ich nur ein kurzen Puls, dann springt der Rotor kurz weiter
aber mehr passiert nicht. Wenn ich diesen dann zurück drehe wiederholt
sich der kleine Sprung.
Meldet der Treiber einen Fehler ?( internes Register auslesen )
Verdrahtung und Lötungen noch einmal gecheckt ?
Eventuell mal die Motorphasen abklemmen und nur den Hall-Sensor dran
lassen. Motor per Hand drehen und Spannungen beobachten.
Treiber meldet keinen Fehler. Die Verdrahtung auf der Platine habe ich
vom Treiber zum jeweiligen Gate geprüft, das ist in Ordnung.
Hallsensoren sind auch in Ordnung.
Irgendwie passt das aber zusammen, CSD18511 läuft (auch wenn nur
Zufall), CSD19536 mit mehr Kapazität läuft bis ca. 50% Leistungs,
Infineon MOSFET mit noch mehr Kapazität läuft gar nicht.
Messungen der Gate-Spannung ! 1us/DIV !
By the way : C11 sollte mit verdoppelt werden (siehe Datenblatt, da
steht min 10u. Dein Kerko hat aber nur bei 0V 10uF. Bei 18V sind es
deutlich weniger) Mir ist auf diese Weise ein DRV8320 gestorben.
Wie gesagt, ich sehe nur einen ganz kurzen Impuls, kann den leider nicht
einfangen, der ist aber von Gate auf Source bei 10V (wenn ich schnell
gucke). Der Motor zuckt ja auch kurz.
C11 merk ich mir, sollte aber mit dem Bild nichts zu tun haben?
Hi.
Ich befürchte so kommen wir nicht weiter.
Mehrere Möglichkeiten :
1) Du suchst alleine weiter
2) Du suchst dir einen Kundigen vor Ort der dir hilft.
3) Wenn 1) und 2) nicht möglich sind schickst du mir die LP her und ich
schaue drauf.
Sonst wird das hier eine Endlosdiskussion.
