Worin liegen die Leistungs Limitierungen bezüglich der Verwendung eines
IGBT Moduls als Linearregler/Class A/AB Verstärkers etc.?
Kann direkt der Rth J-Case und max Temp als Leistungslimitierung
verwedet werden? Oder falls nicht (wegen negativ Temp Koeffizienten
o.Ä.), welcher Korrekturfaktor muss zu dieser so berechneten Leistung
genommen werden?
Es gibt leider nicht DAS IGBT-Modul
Ich habe die Erfahrung gemacht, dass manchmal mehrere Dies parallel
geschaltet sind. Dann empfiehlt es sich sich an der Verlustleistung
eines Die zu orientieren.
Beispielsweise habe ich einem BSM150GT120 von Infineon mit 500W eines
von zwei Dies(einer Phase) geschrottet. Und das obwohl beide zusammen im
Schaltbetrieb mit bis zu 1250W angegeben sind. Hat wohl das nachher
kaputte die meiste Leistung auf sich vereint.
Armin X. schrieb:> Es gibt leider nicht DAS IGBT-Modul> Ich habe die Erfahrung gemacht, dass manchmal mehrere Dies parallel> geschaltet sind. Dann empfiehlt es sich sich an der Verlustleistung> eines Die zu orientieren.> Beispielsweise habe ich einem BSM150GT120 von Infineon mit 500W eines> von zwei Dies(einer Phase) geschrottet. Und das obwohl beide zusammen im> Schaltbetrieb mit bis zu 1250W angegeben sind. Hat wohl das nachher> kaputte die meiste Leistung auf sich vereint.
Nun habe etliche 50A 1200V GB (BSM50GB120) und 150A 1200V GB
(MG150Q2YS51) Module, meines wissens jeweils ein Die pro IGBT mit je
einem Diodendie paralell. (vermutlich Standartausführung mit
herkömlicher planarer Technologie)
Anyway die Toshibas sind interessant mit 0.1K/W
IGBTs haben einen negativen TK, daher ist parallelisieren nicht so
einfach möglich, wie mit MOSFETs. Dazu kommt der Umstand, dass in einem
Gehäuse sehr oft mehrere Dies parallel geschaltet sind, was im
Schalterbetriebn unkritisch ist, im Linearbetrieb aber zu lokalen
Überlastungen kommt.
PSU schrieb:> Worin liegen die Leistungs Limitierungen bezüglich der Verwendung eines> IGBT Moduls als Linearregler/Class A/AB Verstärkers etc.?
Und wozu der Spaß
> Kann direkt der Rth J-Case und max Temp als Leistungslimitierung> verwedet werden?
Nicht mal ansatzweise! Die allermeisten IGBTs sind auch SCHALTbetrieb
ausgelegt und können im Linearbetrieb nur einen Bruchteil ihrer
Nennleistung umsetzen. Die ist auch vom Arbeitspunkt abhängig. Bei
höheren Spannungen geht der zulässige Strom in Linearbetrieb
überproportional nach unten.
https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Linearbetrieb_von_MOSFETs
Das gilt im Wesentlichen auch für IGBTs.
> Oder falls nicht (wegen negativ Temp Koeffizienten> o.Ä.), welcher Korrekturfaktor muss zu dieser so berechneten Leistung> genommen werden?
Das kann dir keiner sagen, nicht mal der Hersteller. Das kann man
bestenfalls selber testen.
Mal wegwerfen schrieb:> Verstaerker denn koennen> ? Audio ?
Nein soll eine elektronische Last werden. Auf meinen Kühlkörper würden
von der Grösse her 8 50A Module oder 5 von den 150A draufpassen.
Geplant ist eine totale Verlustleistung von 2-2.2 kW, wenn möglich alles
über jeweils 1 IGBT pro Modul (oder falls einfach möglich ist ebenfalls
eine Schlatung anzudenken welche die Spannung über die beiden GB IGBTs
aufteilt und so 2 Dies nutzt).
Der Kühlkörper wird mit 2.2kW 85C warm.
Ingo Less schrieb:> IGBTs haben einen negativen TK,
Welchen TK meinst du denn? Den der Schwellenspannung U_GE_thr oder den
der Sättigungsspannung U_CE?
> daher ist parallelisieren nicht so> einfach möglich, wie mit MOSFETs.
Falsch. NPT IGBTs kann man im Schaltbetrieb PROBLEMLOS parallel
schalten.
> Dazu kommt der Umstand, dass in einem> Gehäuse sehr oft mehrere Dies parallel geschaltet sind, was im> Schalterbetriebn unkritisch ist,
Ja, weil es NPT-Typen sind. Sonst wäre es reichlich sinnlos.
PSU schrieb:> Mal wegwerfen schrieb:>> Verstaerker denn koennen>> ? Audio ?>> Nein soll eine elektronische Last werden. Auf meinen Kühlkörper würden> von der Grösse her 8 50A Module oder 5 von den 150A draufpassen.
Vergiss es.
> Geplant ist eine totale Verlustleistung von 2-2.2 kW,
Bei welcher Spannung?
> wenn möglich alles> über jeweils 1 IGBT pro Modul (oder falls einfach möglich ist ebenfalls> eine Schlatung anzudenken welche die Spannung über die beiden GB IGBTs> aufteilt und so 2 Dies nutzt).
Dort kommt man nicht ran, vergiss es.
> Der Kühlkörper wird mit 2.2kW 85C warm.
Naja. Bau dir lieber eine Last aus geschalteten Widerständen. Die
verkraften die Verlustleistung besser und sind auch robuster. Außerdem
hat das den Vorteil, daß beim Test von Netzteilen nicht 2 Regler
gegeneinander arbeiten (Netzteil und elektronische Last). Das kann
instabil werden, je nach Frequenzgang der beiden Regler.
Nimm Widerstände im Metallgehäuse zum Aufschrauben, die sind robust und
preiswert.
Falk B. schrieb:> Dort kommt man nicht ran, vergiss es.
Doch kommt man sehr gut ran. Das Modul hat entsprechende Anschlüsse :P.
GB = Phase legs = 2 IGBTs in Serie. Die Idee war die beiden
Seriegeschalteten IGBTs zu nutzen (falls dies nötig ist um die gewünste
Verlustleistung zu erreichen)
Falk B. schrieb:> Bei welcher Spannung?
Max 400V
Falk B. schrieb:> Naja. Bau dir lieber eine Last aus geschalteten Widerständen.
Hat für mich schon einige Nachteile, insbesondere bez flexibilität.
Weiter hätte ich die IGBT Module, Kühlkörper zur Hand. Die elektronische
Last sollte ebenfalls Konstantstrom sowie Ohmisch arbeiten können.
Bandbreitenanforderungen an die Regelung sind zum Glück nicht besonders
hoch. Dies hilft bei der Treiberung der IGBTs, OP-Amps drehen
bekanntlich gerne mal durch wenn sie kapatzitive Lasten sehen.
Geplant ist auch für jeden IGBT eine eigene Regelung und einen eigenen
Emitterwiderstand. (Da ich bedenken habe, dass die kleinen
Emitterwiderstände nicht ausreichen um die Gates zusammenzuschalten zu
können)
PSU schrieb:> Worin liegen die Leistungs Limitierungen bezüglich der Verwendung eines> IGBT Moduls als Linearregler/Class A/AB Verstärkers etc.?>> Kann direkt der Rth J-Case und max Temp als Leistungslimitierung> verwedet werden? Oder falls nicht (wegen negativ Temp Koeffizienten> o.Ä.), welcher Korrekturfaktor muss zu dieser so berechneten Leistung> genommen werden?
Du hast den "Second Breakdown" vergessen. Wenn da keine
entsprechenden Kurven im Datenblatt sind, gibts auch
keine Korrekturfaktoren bezüglich der Leistung.
Ich habe in vielen Laser- Hochstromnetzteilen dicke IGBT ? Module als
vermutliche Längsregler hinter dicken Open-Frame Netzteilen gesehen.
Einsatzfall : Strombegenzung und keine Spannungsspitzen aus der
Regelung. Eckdaten 40-60A bei 10-30V Uout.
Wenn mich mal schlimme Langeweile plagt - kann ich so ein Dingen mal
aufschrauben.
PSU schrieb:> Falk B. schrieb:>> Dort kommt man nicht ran, vergiss es.>> Doch kommt man sehr gut ran. Das Modul hat entsprechende Anschlüsse :P.> GB = Phase legs = 2 IGBTs in Serie.
Wir sprachen von 2 Dies (Chips), welche als ein IGBT verdrahtet sind.
>> Naja. Bau dir lieber eine Last aus geschalteten Widerständen.>> Hat für mich schon einige Nachteile, insbesondere bez flexibilität.
Nö. Wenn man die in binär gewichteten Stufen aufbaut, kann man einen
sehr großen Bereich abdecken. Bestenfalls als kleinste Stufe kann man
dann eine echte Konstantstromquelle aufbauen, die hat dann aber minimale
Leistung.
> Weiter hätte ich die IGBT Module, Kühlkörper zur Hand.
Wie war das mit dem Hammer und den Nägeln?
> Die elektronische> Last sollte ebenfalls Konstantstrom sowie Ohmisch arbeiten können.
Das können geschaltete Widerstände auch, wenn gleich vielleicht mit
kurzen Umschaltmomenten.
> Geplant ist auch für jeden IGBT eine eigene Regelung und einen eigenen> Emitterwiderstand. (Da ich bedenken habe, dass die kleinen> Emitterwiderstände nicht ausreichen um die Gates zusammenzuschalten zu> können)
Alles schön und gut, aber du wirst deine IGBTs nicht mordsmäßig im
Linearbetrieb belasten können. Ich würde vermuten, 10-50% der
Nennverlustleistung.
Whatever. Bau EINEN IGBT als Konstantstromquelle auf und erhöhe
schrittweise die Verlustleitung. Prüfe den GESAMTEN Arbeitsbereich
(kleine Spannung, großer Strom und umgekehrt). Wenn das stabil läuft und
der IGBT das dauerhaft mitmacht, kannst du alles aufbauen.
Viel Erfolg.
Mal wegwerfen schrieb:> Was fuer einen Schwache Idee ist es mit einem IGBT einen> Linearverstaerker bauen zu wollen. Was soll der Verstaerker denn koennen> ? Audio ?
Ach ja, Schwachsinn? Es gibt z.B. von Toshiba komplementäre Audio-IGBTs,
natürlich auch mit DC-Linie im Datenblatt. Und es gibt z.B. von Analog
Devices eine App-Note mit einem kompletten Audio-Power-Amp mit IGBT.
Alles Schwachköpfe, klar.
Falk B. schrieb:>> Alles schön und gut, aber du wirst deine IGBTs nicht mordsmäßig im> Linearbetrieb belasten können. Ich würde vermuten, 10-50% der> Nennverlustleistung.> Whatever. Bau EINEN IGBT als Konstantstromquelle auf und erhöhe> schrittweise die Verlustleitung. Prüfe den GESAMTEN Arbeitsbereich> (kleine Spannung, großer Strom und umgekehrt). Wenn das stabil läuft und> der IGBT das dauerhaft mitmacht, kannst du alles aufbauen.>> Viel Erfolg.
Ich würde nicht bis 50% gehen. eher nur bis 30.
Schaue das Ergebnis aber auf jeden Fall auch mit dem Oszi an.
Ich hatte streckenweise einen Mittelwellensender vor mir liegen.
Ein Problem mit so leistungsfähigen Transistoren sind auch die
Emitterwiderstände. Die wirst Du, um mit der Leistung im Rahmen bleiben
zu können in der Größenordnung von 10mOhm anvisieren müssen.
PSU schrieb:> Nun habe etliche 50A 1200V GB (BSM50GB120) und 150A 1200V GB> (MG150Q2YS51) Module,
Das MG150Q2YS51 Modul ist lt. Dabla nur bis ca. 100V VCE bei DC-Betrieb
zulässig und die max. Verlustleistung von 1250W nur bis 10V VCE.
Das BSM50GB120 Modul hat kein DC Kurve, also ungewiss bei DC Betrieb.
Ich würde nicht E-Last mit diesen beiden aufbauen.
PSU schrieb:> Max 400V
Das ist schon sehr gefährlich.
Armin X. schrieb:> Ich würde nicht bis 50% gehen. eher nur bis 30.
Das wird man anhand Dabla ausrechnen können/müssen.
Danke für die Infos.
Anscheinend ist die max Verlustleistung extrem Spannungsabhängig. Hätte
noch einige SKM400GB17E4 rumliegen, hilft das 1700V rating für
verlustleistung bei 400V?
Kennt jemand eine einfache Möglichkeit der Serieschaltung? also dass man
8 IGBTs in Serie mit je bis zu 50V hätte.
PSU schrieb:> Kennt jemand eine einfache Möglichkeit der Serieschaltung? also dass man> 8 IGBTs in Serie mit je bis zu 50V hätte.
warum willst du seriell schalten und warum unbedingt mit IGBT?
IGBT ist nicht viel besser als normal BJT bezüglich der Verlustleistung.
MOSFET wäre die bessere Wahl.
Es gibt aber genug MOSFET für 400V.
Und wenn du ganz sicher willst, nimmt welche lineare MOSFTs von IXYS.
PSU schrieb:> Nein soll eine elektronische Last werden.
Hab für diesen Zweck ein Toshiba MG400Q1US1 vergewaltigt :-)
Poti an BCE, Last an CE und fertig. Reicht locker, um 30V/5A Netzteile
ne Weile zu testen :-)
Irgendwann sollte das mal ne ordentliche, µC gesteuerte Last werden,
leider bin ich nie dazu gekommen ...
Tany schrieb:
> Und wenn du ganz sicher willst, nimmt welche lineare MOSFTs von IXYS.
Nicht ganz billig: Falls den Typ irgendwo herkriegst kostet er schon
40..50 EUR/Stk.
Mike schrieb:> Tany schrieb:>> Und wenn du ganz sicher willst, nimmt welche lineare MOSFTs von IXYS.>> Nicht ganz billig: Falls den Typ irgendwo herkriegst....
Bei mouser.de passende ca. um 25,-- a.L.
Tany schrieb:> warum willst du seriell schalten
Darum:
PSU schrieb:> Anscheinend ist die max Verlustleistung extrem Spannungsabhängig.Tany schrieb:> warum unbedingt mit IGBT?
Da ich etliche Module rumliegen habe und daher für mich Kostenneutral
sind.
PSU schrieb:> Tany schrieb:>> warum willst du seriell schalten>> Darum:
Der ursprüngliche Grund war, dass beide IGBTs pro IGBT-Modul genutzt
werden können.
Die Idee mit gar mehreren Modulen in Serie ist neu, und evtl auch nicht
so einfach realisierbar.
ArnoR schrieb:> Ach ja, Schwachsinn? Es gibt z.B. von Toshiba komplementäre Audio-IGBTs,> natürlich auch mit DC-Linie im Datenblatt. Und es gibt z.B. von Analog> Devices eine App-Note mit einem kompletten Audio-Power-Amp mit IGBT.
Zumindest unter den "Audio-Freaks" ist bekannt, dass es die sogenannten
Audio-IGBTs nicht mehr gibt. Toshiba hatte da ein paar gute Teile, aber
gar nicht lange. Könnte man bei Ebay manchmal noch kriegen, falls man
sich traut und die stolzen Preise bezahlen möchte. Und selbst wenn ein
Sack voll mit "normalen" IGBT's herumliegt, kommst du gerade auch bei
massiver Parallelschaltung nur in Teufels Küche. Nimm lieber den Sack
voller Hochlastwiderstände und einen fetten Alublock oder häng die
Widerstände gleich in einen Wassereimer.
Gruß Rainer
Random .. schrieb:> PSU schrieb:>> Nein soll eine elektronische Last werden.>> Hab für diesen Zweck ein Toshiba MG400Q1US1 vergewaltigt :-)> Poti an BCE, Last an CE und fertig. Reicht locker, um 30V/5A Netzteile> ne Weile zu testen :-)> Irgendwann sollte das mal ne ordentliche, µC gesteuerte Last werden,> leider bin ich nie dazu gekommen ...
Nenne doch mal die Bedingungen für die angedachte Last.
150W gehen mit den genannten IGBTs locker. Zumindest mit den von mir
genannten.
PSU (Gast) schrieb:
>Anscheinend ist die max Verlustleistung extrem Spannungsabhängig. Hätte>noch einige SKM400GB17E4 rumliegen, hilft das 1700V rating für>verlustleistung bei 400V?
Wenn Du ins Datenblatt gucken würdest, dann würdest Du sehen, daß da
keinerlei Angabe für den Linearbetrieb enthalten ist.
Also klare Antwort: unbekannt.
Armin X. (werweiswas)
>Nenne doch mal die Bedingungen für die angedachte Last.>150W gehen mit den genannten IGBTs locker. Zumindest mit den von mir>genannten.
Reichlich 2kW will er verheizen ...
PSU schrieb:> Da ich etliche Module rumliegen habe und daher für mich Kostenneutral> sind.
Verkaufe dein IGBTs. Die sind absolut nicht geeignet für E-Last.
Ich habe IRFP250 über 100W verheizt. Der hält aus, kostet nicht die
halbe Welt.
Armin X. schrieb:> Nenne doch mal die Bedingungen für die angedachte Last.> 150W gehen mit den genannten IGBTs locker. Zumindest mit den von mir> genannten.
Gerne:
Betriebsbereich:
12-400V Leistung max. 2kW (bevorzugt kurzzeitig 2.2kW)
Der jeweilige Strom ergiebt sich aus den oberen angaben.
8 stk vom typ BSM50GB120 würden auf den Kühlkörper passen. Von den
anderen entsprechend weniger da sie Breiter sind.
Vom massiven SKM400GB17E4 wärens dann noch ca. 4. (ist aber gemäss der
angegebenen Verlustleistung ca 20mal höher als der BSM50)
Den vorliegenden Aussagen entsprechend kann man vermuten, dass die Last
nur im DC-Betrieb arbeiten soll; definitiv gesagt hast du es bis jetzt
nicht.
Ist evtl. auch AC-Betrieb angedacht oder NUR DC?
Wozu muss der Spannungsbereich bis 400V gehen? Beispiel?
Michael M. schrieb:> Den vorliegenden Aussagen entsprechend kann man vermuten, dass die> Last> nur im DC-Betrieb arbeiten soll; definitiv gesagt hast du es bis jetzt> nicht.> Ist evtl. auch AC-Betrieb angedacht oder NUR DC?>> Wozu muss der Spannungsbereich bis 400V gehen? Beispiel?
Ja nur DC. Für AC Betrieb habe ich einen vorgeschalteten
Brückengleichrichter vorgesehen. (Harmonische wegen Spannungen unterhalb
12V können ignoriert werden.)
Es sollen ebenfalls PFCs Schaltungen getestet werden können, welche
normalerweise auf 360-380V hochboosten. Die 20V zur 400V Spezifikation
sind Sicherheitsmarge. Die PFC Ausgangsspannung ist eigentlich die max.
Betriebsspannung der Last.
Im unteren Spannungsbereich soll 12V DC belastet werden können,
bevorzugt bis ca. 180A.
Ich hatte gerade noch die Idee einer "switched capacitor" Lösung. So
könnten die Linearverluste in Schaltverluste (eigentlich ebenfalls
Linearverluste) umgewandelt werden.
Zur Präzisierung: Am Phaseleg ein 400V Kondensator an Masse. Dann
abwechselnd Top/Bot IGBT schalten. Mit der Frequenz kann die Leistung
reguliert werden.
Die Idee: Die kurzen hohen Stompeaks verteilen sich gleichmässiger über
den DIE als kleine Ströme im Linearbetrieb.
Anyway einen Kondensator zu finden den den enormen Rippelstrom bei 400V
max Spannung abkann ist dann das nächste Problem.
Armin X. schrieb:> eines von zwei DiesIngo Less schrieb:> mehrere Dies parallelPSU schrieb:> 2 DiesFalk B. schrieb:> 2 Dies (Chips)
Die Mehrzahl von "Die" ist nicht "Dies", sondern "Dice". Den Plural
"Dies" gibt es im Englischen auch, der bedeutet aber etwas ganz anderes,
nämlich "Gußformen".
https://www.google.com/search?&q=dice%20vs.%20dies
Entschuldigt, wenn ich hier den Sprachnazi raushängen lasse, aber bei
sowas rollen sich mir die Fußnägel hoch. Schlimmer als Deppenapostroph.
Axel S. schrieb:> Entschuldigt, wenn ich hier den Sprachnazi raushängen lasse, aber bei> sowas rollen sich mir die Fußnägel hoch.
Geht mir auch so, aber bei "Dies" hätt' ich mich dran gewöhnt.
Wird überall bzw sehr oft so verwendet.
Oder wer schreibt hierzulande schon englisch korrekt "Handies"?
Ein Kampf gegen Windmühlen .....
PSU schrieb:> Es sollen ebenfalls PFCs Schaltungen getestet werden können, welche> normalerweise auf 360-380V hochboosten. Die 20V zur 400V Spezifikation> sind Sicherheitsmarge. Die PFC Ausgangsspannung ist eigentlich die max.> Betriebsspannung der Last.
Eine PFC-Schaltung regelt prinzipbedingt etwas träge. Das führt zu
netten Überschwingern bei plötzlichen Lastwechseln. 400 Volt
Spannungsfestigkeit werden nicht reichen.
PSU schrieb:> Im unteren Spannungsbereich soll 12V DC belastet werden können,> bevorzugt bis ca. 180A.
Du willst Dir eine elektronische Last für 400V/180A basteln.
Kostenneutral.
Zeigst Du es her, wenn Du fertig bist?
Verwirrt schrieb:>> Standartausführung>> Was ist eine Stanartausführung?
Das frage ich mich auch gerade. Hat das was mit Kunst (art) zu tun?
(Merke, wer im Glashaus sitzt, sollte nicht mit Steinen werfen.)
Ober Leera schrieb:> wer schreibt hierzulande schon englisch korrekt "Handies"?
Niemand. Und zwar schon deswegen, weil es im Englischen kein Substantiv
"handy" (für Mobiltelefon) gibt. "handy" existiert da nur als Adjektiv,
mit der Bedeutung "praktisch", "nützlich".
PS: angeblich ist "Handy" ja schwäbisch. Als ein Schwabe so ein Ding das
erste mal sah, fragte er verwundert "Hän die koi Schnua?" :D
Sven S. schrieb:> Du willst Dir eine elektronische Last für 400V/180A basteln.
Nö, aber er glaubt, mit
Axel S. schrieb:> Armin X. schrieb:>> eines von zwei Dies>> Ingo Less schrieb:>> mehrere Dies parallel>> PSU schrieb:>> 2 Dies>> Falk B. schrieb:>> 2 Dies (Chips)>> Die Mehrzahl von "Die" ist nicht "Dies", sondern "Dice".
Sicher? Sind das nicht eher Würfel?
"The singular of dice—a plural noun referring to the small cubes used in
games of chance—is die. Because the irregular plural is more common than
the singular, many writers forget to use the singular at all"
> Den Plural> "Dies" gibt es im Englischen auch, der bedeutet aber etwas ganz anderes,> nämlich "Gußformen".>> https://www.google.com/search?&q=dice%20vs.%20dies
Ähm, ich meine das ist auch im weitesten, abgewandelten Sinne der Die
bzw. die Dies in der Halbleiterindustrie (Homonym).
https://dict.leo.org/englisch-deutsch/die
"die [ING.] das Plättchen Pl.: die Plättchen - aus
Halbleitermaterial"
Da gibt es verdammt viele "die" mit deutlich unterschiedlichen
Bedeutungen (haben die Angelsachsen zu wenige Wörter?)
Und da wäre ich auch bei der Pluralbildung vorsichtig. Wo ist der Beleg,
daß der "Halbleiter"-Die in der Mehrzahl dice heißt?
> Entschuldigt, wenn ich hier den Sprachnazi raushängen lasse,
Könnte wir mal versuchen, die unsäglichen Rückgriffe auf das dunkelste
Kapitel der deutschen Geschichte einfach mal sein zu lassen? Es ist
schon schlimm genug, daß dieser Unsinn in nahezu allen Lebenslagen von
diversen Medien und Ideologen betrieben wird!
> aber bei> sowas rollen sich mir die Fußnägel hoch. Schlimmer als Deppenapostroph.
Bälle flach halten. Und auch die Würfel, welche bei dieser Frage noch
nicht gefallen sind ;-)
Falk B. schrieb:> https://dict.leo.org/englisch-deutsch/die>> "die [ING.] das Plättchen Pl.: die Plättchen - aus> Halbleitermaterial">> Da gibt es verdammt viele "die" mit deutlich unterschiedlichen> Bedeutungen
Wohl wahr. Das ist im Englischen aber der Normalfall, daß Wörter mehrere
Bedeutungen haben. Noch gewöhnungsbedürftiger sind die Phrasal Verbs,
wo ein Allerwelts-Verb wie "get" in Verbindungen mit einer z.B.
Präposition ganz verschiedene Bedeutungen bekommt.
> Und da wäre ich auch bei der Pluralbildung vorsichtig. Wo ist der Beleg,> daß der "Halbleiter"-Die in der Mehrzahl dice heißt?
Das Wort "Die" für das Halbleiterplättchen wurde wegen der Form eines
Quaders gewählt. Für kleine Bauteile wie Dioden ist das Die sogar nahezu
ein Würfel. Das macht es logisch, den gleichen Plural zu verwenden.
Ungeachtet dessen ist "dies" ja schon für die Gußformen vergeben.
PSU schrieb:> Geplant ist auch für jeden IGBT eine eigene Regelung und einen eigenen> Emitterwiderstand.
Ohne das ginge es gar nicht.
Beim 50A Typ sei angemerkt:
Die 450W gelten fuer den Schaltbetrieb. Die Verlustleistungen fallen auf
dem Chip in unterschiedlichen Zonen an.
Fuer Deinen Betrieb liegt die Grenze bei 50A mal 2.5...3.0V. Dh
120...150W. Beim parallelen Betreiben 20...30% zur oberen Grenze sind
als Abstand notwendig. Fuer Deine 2.2kW sind daher 20 Stueck parallel
notwendig.
Sven S. schrieb:> u willst Dir eine elektronische Last für 400V/180A basteln.
Mit max 2.2kW aber grundsätzlich korrekt
Dieter schrieb:> Beim 50A Typ sei angemerkt:
Ja dieser Typ ist mit der max Leistungsdeklaration sehr tief. Gem. der
SOA des 150A Toshibas sind gar 1kW pro stk möglich bei 10V anyway
scheint extrem spannungsabhängig zu sein (100V nur noch 100W). Kann
grössere 1700V 400A GB Typen nehmen (lediglich 4 stk passen auf den
Kühlkörper). Tiefe Spannungen mit den 180A sollten kein Problem sein.
400V wohl schon...
Axel S. schrieb:> Wohl wahr. Das ist im Englischen aber der Normalfall, daß Wörter mehrere> Bedeutungen haben. Noch gewöhnungsbedürftiger sind die Phrasal Verbs,> wo ein Allerwelts-Verb wie "get" in Verbindungen mit einer z.B.> Präposition ganz verschiedene Bedeutungen bekommt.
Oder das F-Word ;-)
https://www.youtube.com/watch?v=FvPbxZmZxZ8>> Und da wäre ich auch bei der Pluralbildung vorsichtig. Wo ist der Beleg,>> daß der "Halbleiter"-Die in der Mehrzahl dice heißt?>> Das Wort "Die" für das Halbleiterplättchen wurde wegen der Form eines> Quaders gewählt. Für kleine Bauteile wie Dioden ist das Die sogar nahezu> ein Würfel. Das macht es logisch, den gleichen Plural zu verwenden.> Ungeachtet dessen ist "dies" ja schon für die Gußformen vergeben.
Naja, umgangssprachlich wird da auch ab und an von "in Silizium
gegossen" gesprochen. Ist also nicht sooo falsch und auch nicht soo weit
weg.
Hmm ich habe gerade nach passenden Mosfets gesucht.
Anscheinend sind die bez. SOA nicht wirklich besser als IGBTs. Des
weiteren sind die Mosfet Module sehr Teuer. Passend wäre beispielsweise
etliche IRFP460s (500V Mosfet), nun abgesehen davon, dass diese TO-xxx
Murks sind (und keine schönen Module), ist das SOA nur bis 10ms
angegeben. Dieses hat bereits bei 10ms massive Einschränkungen.
Schau mal nach IXYS ! ;-)
Ich denke, für ein solches Projekt sind um die gut 100 Tacken für die
Leistungs-Transe(n) nicht zu viel.
Ich nehme auch gerne Teile aus dem Vorrat - aber passen muss es schon.
PSU schrieb:> Hmm ich habe gerade nach passenden Mosfets gesucht.
Weiß jetzt nicht ganz, wie du nun auf MosFets kommst...die sind doch
auch gerade auf Schaltbetrieb getrimmt! Oder hast du da auch wieder
einen Sack voll :-) Wenn es entsprechende lineare MosFets gäbe, dann
wären sie dir mit Sicherheit sofort von denen genannt worden, die den
Toshiba-Teilen nachtrauern.
Gruß Rainer
Rainer V. schrieb:> Weiß jetzt nicht ganz, wie du nun auf MosFets kommst
Nun wurden in gewissen vorgängigen Posts als sinnvolle alternative zu
meinem IGBT vorhaben angepreisen.
Nun irgendwann gehen die optionen aus... Wenn IGBT nicht geeignet und
Mosfet ebenfalls nicht, dann bleiben wohl nur noch BJT...
Bei der Zahl von IGBT, die Du herumliegen hast, sollte es schon werden.
Schon daran gedacht ein Array von Lastwiderständen damit zu verwenden?
Den Fehler des Low Bit, kann dann auch ein IGBT im Linearbetrieb machen.
Rainer V. schrieb:> Wenn es entsprechende lineare MosFets gäbe,...
Wie bereits oben gesagt: IXYS (aus der L2-Familie).
Aber ohne Parallelschaltung wird's wohl nix. ;-)
Da ist alles so verstreut.
12V-400V, 150A bei 12V, 2.0-2.2kW;
Als 50Hz konforme Last zu steuern.
IGBT-Serieneschaltung gibt es im Bereich der Schienenfahrzeuge. Aber nur
für Schaltbetrieb der IGBT.
Jeden IGBT eine eigene Regelung und einen eigenen Emitterwiderstand ist
notwendig und die Steuerspannungen werden nicht gerade wenig
differieren. Das spielt eine Rolle für schnelle Änderungen des
Widerstandes.
D.h. mindestens zwei Trimmer zur Anpassung an jeden IGBT müssen
vorgesehen werden. Zum Beispiel, wenn ein IGBT dazu neigt, bei der
U_gate-Spannung um 30% bei I_Collektor zurückzuliegen, dann muss der
Verstärkungsfaktor der Treiberstufe entsprechend erhöht werden. Desto
schlechter der Gleichlauf, desto mehr muss der Regler ausregeln und
desto geringer fällt die maximale Steilheit (Frequenzgrenze für den
Betrieb) aus.
Mein Gott, teste das doch einfach mal. Kostet dich gerade mal
eine Stunde.
400 Volt DC anlegen, und Strom erhöhen, bis es kracht.
Hier kann dir keiner sagen, ob das mit den Uraltdingern geht oder nicht.
Das herumgerate ist doch nicht zielführend...
PSU schrieb:> Rainer V. schrieb:>> Weiß jetzt nicht ganz, wie du nun auf MosFets kommst>> Nun wurden in gewissen vorgängigen Posts als sinnvolle alternative zu> meinem IGBT vorhaben angepreisen.
Nun die, die das gemacht haben, sagen: das geht. Mehr muss man dir nicht
überzeugen. Erfahrung muss du dich selber sammeln. Auch hier im Forum
gab es schon Thread darüber. Ich glaube, so ein Modul gibt's bei
Chinesen zu kaufen.
PSU schrieb:> dann bleiben wohl nur noch BJT...
Na dann viel Spaß beim suchen und paar duzend BIJs zusammenschalten.
wie du schon merkst, in deinem IGBT sitzt auch ein BIJ, zum schalten von
höher Spannung isser sehr gut geeignet, zum linearem Betrieb aber nicht
besonders aufgrund der wie oben erwähnten "Second Breakdown" geeignet.
Mit dem Hinweis
Sven S. schrieb:> Die ollen IRF/IRFP-Typen eignen sich auch für Linearbetrieb.
bist du mit dem IRFP460 fast richtig. Nun die Steuerung muß 100% passen,
sonst lösen sie bei 400V sehr schnell in die Luft, egal mit BIJ oder
MOSFET.
@PSU
Sieht so aus als hätte es Dir die Sprache verschlagen oder das
Schreiben.
Wie geschrieben, ist alles etwas verstreut.
12V-400V, 2.0-2.2kW;
150A bei 12V,
5.5A bei 400V
Als 50Hz konforme Last zu steuern. Bei 400V um überhaupt dem Verlauf
folgen zu können, wäre eine Steilheit von 120V/ms notwendig. Für
niedrigen Fehler ein vielfaches davon.
Der 50A IGBT schafft so 150W Dauerleistung (höchstens, aber ich rechne
mal damit), also:
3V 50A, 12V 12.5V, 400V 0.3A
- Einzelregelung wegen relativ stark abweichenden Kennlinien U_gate,
I_collector.
- Emitterwiderstände wären so zu wählen, dass der Spannungsabfall ncht
zu klein wird zur SYmmetrierung, >=1v sollten es sein. Bei weniger als
1/4 von 150W darf diese noch nicht unter 0.5V gefallen sein.
- Ohne weitere Maßnahmen 20 IGBT notwendig.
Als 10bit, bzw. +/- 9bit D-A-Widerstandsdekade würden nur 10 Stück
benötigt. Bei kleinen Pegeln wäre die Sprünge und Ungenauigkeiten
relativ groß. Aber man könnte im Vergleich zur vorherigen Lösung auf
20bit gehen.
In Verbindung mit Kollektorwiderständen zum Verheizen und eine lineare
Abregelung ab einer bestimmten Spannung einzelner IGBT wäre es durchaus
möglich mit weniger als 20 IGBT auszukommen. Da wäre es auch sinnvoll zu
wissen, wie viele 50A und 150A Typen vorliegend wären.
Nebenbei sei angemerkt, dass Du mit anderen Halbleitern, wie Mosfet und
BJT gleiche technische Spielereien anwenden müßtest, damit die Zahl
nicht zu hoch wird. Daher würde ich es mit den vorliegenden Typen
versuchen.
Ganz ohne zu rechnen geht es nicht, bzw. zeichnen der Funktionsgraphen.
Erstere wäre die Hyperbel für P=150W des Transistor. Dann würden die
Verläufe für ein paar verschiedene Kollektorwiderstände zum Vergleich
nicht schaden.
Dieter schrieb:> @PSU> Sieht so aus als hätte es Dir die Sprache verschlagen oder das> Schreiben.
Ja sorry, habe auch noch ein paar andere sachen um die Ohren. Muss
ohnehin schauen, dass ich zeitnahe dazu komme dies zu bauen, da ein
grösserer Auslandseinsatz absehbahr ist.
Anyway. 50A 1200V IGBTs habe ich genügend (vermutlich weit über 100stk)
150A Toshibas sind deutlich weniger (einige 10 stk) und von den 1700V
400A typen aktuell ca 10 (sollten aber bald mehr werden, da immer wenns
im Bereich des IGBT was passiert, was den IGBT äusserlich bedampft immer
dazu führt, dass dieser mitgetauscht wird (obwohl intern komplett I/O)
Anyway wollte eigenltich mit diesem Kühlkörper auskommen, und der Platz
ist der limitierende Faktor.
So wie ich das sehe, sind 150A bei 12V überhaupt kein Problem. Die 2kW
bei 400V jedoch schon (bei Paralellschaltung). Jeder IGBT kann auch
seine eigene Regelung bekommen (Re soll nicht gross werden (max 5 W oder
so).
Eine Serieschaltung sollte doch eignetlich nicht so schwierig sien,
jeweils eine Galvanisch getrennte Speisung und ein Regler welcher die
Spannung seines IGBTs auf die Spannung des untersten IGBTs regelt (2
hochohmige Widerstände and E und C vom untersten IGBT).
Dann sollte es mit 4 150A Toshibas gehen (8 IGBT Dice) welche jeweils
50V sehen) zumindest liegt dieser Betrieb im SOA. Anyway ob der Betrieb
dann runter bis auf 12V 150A geht ist so eher unwahrscheinloch
PSU schrieb:> 150A bei 12V
Das wären 4 von den 150A-Typen entweder in Serie auf jeweils 3V
Spannungsabfall geregelt, oder 4 parallel auf jeweils 37.5A geregelt.
PSU schrieb:> gem SOA würden das 2 Paralell schaffen.Dieter schrieb:> Die 450W gelten fuer den Schaltbetrieb. Die Verlustleistungen fallen auf> dem Chip in unterschiedlichen Zonen an.
Verluste im Kanal (Entspricht dem Dauerstrombetrieb 50A bei 3V
Spannungsabfall) zwischen Emitter und Collektor sowie Drain-Source des
parasitären Mosfet im IGBT. Die meiste Hitze entsteht im Bereich des
Kollektors.
+++
Verluste durch den Schaltbetrieb. Die meiste zusätzlich Hitze entsteht
im Bereich des Emitter, der Basisschicht und parasitären Mosfet.
+++
Bodydiode, intergrierte Diode im Modul.
===
SOA des IGBT
Eine ungleiche Erwärmung der Zonen führt zu Verspannungen und
schnelleren Degradion.
Dieter D. schrieb:> Verluste im Kanal (Entspricht dem Dauerstrombetrieb 50A bei 3V> Spannungsabfall) zwischen Emitter und Collektor sowie Drain-Source des> parasitären Mosfet im IGBT. Die meiste Hitze entsteht im Bereich des> Kollektors.> +++> Verluste durch den Schaltbetrieb. Die meiste zusätzlich Hitze entsteht> im Bereich des Emitter, der Basisschicht und parasitären Mosfet.> +++> Bodydiode, intergrierte Diode im Modul.> ===> SOA des IGBT
Könntest du mir auch erklären, wesshalb die max mögliche Verlustleistung
(SOA) so extrem Spannungsabhängig ist? Der Toshiba ist ja das beste
Beispiel: max verlustleistung bei <15V ist ca 10 mal grösser als bei
100V.
Ist bei höherer Spannung der neg temp. koef. dominanter, da der Strom
stärker an den Hotspot gebündelt wird, im vergleich zu den höheren
strömen die sich besser verteilen?
Wie siehts mit einer switch capacitor lösung aus (alles in klassischen
transienten Schaltverlusten verheizen/ (kurze hohe Strompeaks))
PSU schrieb:> Könntest du mir auch erklären, wesshalb die max mögliche Verlustleistung> (SOA) so extrem Spannungsabhängig ist? Der Toshiba ist ja das beste> Beispiel: max verlustleistung bei <15V ist ca 10 mal grösser als bei> 100V.
Das liegt an der Testschaltung für die Spezifikation. D.h. mit
Widerstand im Kollektorkreis im linearen Betrieb. Wenn nur 1A fließt,
liegt fast die gesamte Spannung am IGB. diese scheint hier um die 100V
zu sein. Der Knick ist bei 12V 100A, müßte also 90mΩ haben.
> Ist bei höherer Spannung der neg temp. koef. dominanter, da der Strom
stärker an den Hotspot gebündelt wird,
Stärkere Bündelung ist ein Grund, der andere ist dass sich die hier die
Streuung der einzelnen Zellen (viele kleine IGBT auf dem Chip parallel)
und Chips stärker auswirkt.