Mosfet Diode

Die wird nicht benötigt, die ist wegen
dem physikalischen Aufbau einfach da.

Die haben alle MOSFETs und es gibt auch nichts,
was man dagegen tun kann.

Ich sehe bei beiden Dioden.

Simon Geiger schrieb:
> eine Scotty Diode

bist du dir sicher mit dem Namen? ich kenne nur welche mit Schottky 
Diode ;-)

Kein Hersteller wird daran gehindert, zusätzlich zur parasitären und 
immer vorhandenen eine zweite Diode einzubauen, die evtl. bessere 
Parameter bringt als die parasitäre Diode.

Simon Geiger schrieb:
> Ben B. schrieb:
>> Die haben alle MOSFETs
>
> nö

Hallo Simon,

mir sind die Mosfets mit Schottky-Dioden bisher gar nicht aufgefallen. 
Danke für den Hinweis.

Infineon hat hier in der Tat zusätzlich eine Schottky-Didoe integriert. 
Dies hat folgende Vorteile.
a) eine wesentlich kürzere Ausschaltzeit als die "intrinsic" Si-Diode.
b) eine kleinere Durchlassspannung,
c) man spart die externe Diode (Preis, Platzbedarf)

Helmut

Das solltest Du mal großen Herstellern von UPS-Geräten verklickern.
Die verwenden diese Dioden standardmäßig als Gleichrichter
im Ladebetrieb.

MaWin schrieb:
> Was jetzt ein blödes Beispiel war, weil beide wirklich eine Diode
> parallel geschaltet haben wie schon das Schaltbild auf der ersten Seite
> zeigt, eine sogar eine zweite Diode als Schottky parallel.
>
> Für MOSFETs ohne Diode muss man schon ein bischen suchen.
> BSS83, UT2312...

Die haben sicher beide auch eine Diode... Die Diode vom Substrat zum 
Drain kann! man bei einem Mosfet konstruktionsbedingt nicht vermeiden.

Bei einem n-Kanal MOSFet sind Drain und Source n-dotierte Bereiche in 
einem p-dotierten Substrat. Über dem Bereich zwischen D und S ist eine 
Oxidschicht (Isolator) und darüber der Gate-Kontakt. Beim Einschalten 
sammeln sich Ladungsträger in der p-dotierten Zone unter dem Gate und 
ein n-Kanal entsteht.
Aber da D und S n-dotiert sind und der Rest p-dotiert ist, sind 
parasitäre Dioden vom Substrat zu beiden unvermeidlich! Für die meisten 
Anwendungen wird allerdings der Anschluss am Substrat (Bulk oder B 
genannt) gar nicht hinaus geführt, sondern direkt an Source verbunden, 
da das in fast allen Fällen sowieso nötig ist.

Marek N. schrieb:
> Doch kann man!
> Indem man nämlich das Substrat separat herausführt als BULK.

Da hat man aber genauso Dioden, aber eben von BULK auf S und von BULK 
auf D.

Marek N. (bruderm)

>Alex D. schrieb:
>> Die Diode vom Substrat zum
>> Drain kann! man bei einem Mosfet konstruktionsbedingt nicht vermeiden.

>Doch kann man!
>Indem man nämlich das Substrat separat herausführt als BULK. Wir

Die Diode haste trotzdem, und zwar zw. Bulk und S+D.

MaWin schrieb:
> Alex D. schrieb:
>> Die haben sicher beide auch eine Diode
>
> Scheisse, guck doch einfach in ein Datenblatt, besserwisserischer
> Ignorant.

Auch deine Kraftausdrücke und Beleidigungen ändern nichts daran, dass
Alex recht hat.

Und was die Datenblätter betrifft, solltest du vielleicht auch selber
mal einen Blick hineinwerfen, bevor du hier lospolterst. Sowohl der
BSS83 als auch der UT2312 sind ganz gewöhnliche Mosfets, bei denen das
Substrat mit Source verbunden ist, so dass die BS-Diode kurzgeschlossen
und nur die BD-Diode von außen zugänglich ist.

Es gab zwar vor langer Zeit von Philips eine Variante des BSS83, bei der
der Substratanschluss getrennt herausgeführt wurde, so dass beide Dioden
(BS und BD) von außen zugänglich waren. Da dieser Philips-BSS83 zwei
antiserielle Dioden als Gate-Schutz integriert hatte, enthielt er streng
genommen sogar 4 Dioden. Diesen Mosfet gibt es heute aber nur noch auf
dem Trödelmarkt zu kaufen.

MaWin schrieb:
> Das ist bedauerlich, aber es gibt sie
...
> all die MOSFETs die keine Diode von Drain nach Source haben.

Es gibt sie, aber sie sind Exoten. Genauso wie es Menschen gibt, die von 
Frankreich nach England schwimmen. Das heißt aber nicht, daß das der 
normale Weg für eine solche Reise wäre.

MOSFET mit separat herausgeführtem Substrat sind schwer beschaffbar. Und 
den Preisen nach scheinen sie aus Unobtainium zu bestehen, dotiert mit 
Latinum und nur an einer Stunde der Mondphase von Jungfrauen 
hergestellt.

> mir platzt die Hutschnur, wenn Besserwisser Alex D. die Frage von
> Simon hier absichtlich missverstehen will und irgendwelche PN Übergänge
> im Chip sucht.
>
> Es ist jedem klar, daß es Simon nicht um irgendwelche PN Übergänge geht,
> sondern um die Rückwärtsdiode "zwischen Source und Drain"

Und die ist kein pn-Übergang? Und was Simon meinte, ist ganz und gar 
nicht klar. Eigentlich hat er so gut wie alles flahsc gemacht:

- er schreibt Walters [1] Namen falsch. Der Mann hieß nicht Scotty (zu 
viel Star Dreck geschaut?) und auch nicht Shottky oder Schrotti.

- er spricht nebulös von "manchen MOSFET", statt einfach mal einen Link 
auf ein Datenblatt zu zeigen (hat er später gemacht, das gehört aber in 
den Eröffnungspost).

- er macht nicht klar, daß ihm die Existenz der Body-Diode klar ist und 
daß es ihm um eine zusätzliche Diode geht.

Um das nochmal klar zu sagen: ja, es gibt Bauteile die zusätzlich zum 
MOSFET auch noch Schottky-Dioden enthalten. Manchmal parallel zur Body- 
Diode, dann kann man sie als Flyback-Diode in einer Vollbrücken- 
Konfiguration verwenden. Manchmal einseitig mit dem Drain des MOSFET 
verbunden (z.B. IRF7422) und dann geeignet als Flyback-Diode in einem 
Buckregler. Manchmal auch komplett isoliert als zwei Bauteile in einem 
gemeinsamen Package (z.B. NTLJF3117) und dann beliebig verschaltbar.

Ja, gibt es. Hat seine Anwendungsbereiche. Macht man, weil es Platz und 
Lötstellen einspart.


[1] https://de.wikipedia.org/wiki/Walter_Schottky