MosFet Bulk Anschluss Anwendung

OP #6261373
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Hallo,

ich habe eine Frage zu MosFet mit herausgeführten Bulk Anschluss.

Welchen Sinn hat der herausgeführte Anschluss bzw. bei welcher 
technischen Anwendung verwendet ich den Anschluss...??

Wenn ich an den Bulk eine Spannung gebe kann ich die Leitfähigkeit des 
Kanals verändern...aber mit dem Gate-Pin hab ich die gleiche 
Funktion...wenn ich zwei Steuerspannungen verwenden will...kann ich doch 
einen Dual-Gate MosFet verwenden...wieso benötige ich dann einen Fet der 
den Bulk rausführt...??

Gruss
Gast #6262133
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Miezekatzen D. schrieb:
> Welchen Sinn hat der herausgeführte Anschluss

Häufig: keinen, daher erspart mannohn sich bei 99.9% der MOSFETs.

Aber bei bidirektionalem analogen switch oder pegel limiter braucht man 
ihn, daher gibt es doch solche.

Da muss (bei N-Kanal) bulk auf die negativer Spannung, wenn man aber 
nicht weiss ob der eine 'Source' oder der andere 'Drain' die geringere 
(also negativere) Spannung bekommt, kann man bulk nicht mit dem einen 
und nicht mit dem anderen verbinden.
#6263122
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Miezekatzen D. schrieb:
> Hallo,
>
> ich habe eine Frage zu MosFet mit herausgeführten Bulk Anschluss.
>
> Welchen Sinn hat der herausgeführte Anschluss bzw. bei welcher
> technischen Anwendung verwendet ich den Anschluss...??

Mit nur minimalen Kenntnissen über Aufbau und Funktion eines MOSFET 
(z.B. nach dem Lesen des Wikipedia-Artikels [1]) wüßtest du, daß der 
Bulk (aka Substrat) Anschluß eines MOSFET der Bezugspunkt für die 
Gatespannung ist.

Das hier:

> Wenn ich an den Bulk eine Spannung gebe kann ich die Leitfähigkeit des
> Kanals verändern...aber mit dem Gate-Pin hab ich die gleiche
> Funktion...

ist somit blanker Unsinn. Gate und Substrat sind gerade nicht 
unabhängig, sondern wirken gemeinsam.

Bei 99.9% aller als Einzelbauteile hergestellten MOSFET wird das 
Substrat mit einem Ende des Kanals verbunden und ergibt dann Source (vor 
dieser Verbindung waren Source und Drain noch austauschbar). Als 
Nebeneffekt dieser Verbindung bekommt man die Body-Diode und man kann so 
einen MOSFET auch nicht mehr mit beiden Enden des Kanals "schwimmend", 
wie z.B. in einem Analogschalter verwenden.

Und für solche Anwendungen gibt es als Spezialbauteil vierpolige MOSFET 
wie deinen.

[1] 
https://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
#6263128
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Miezekatzen D. schrieb:
> wenn ich zwei Steuerspannungen verwenden will...kann ich doch
> einen Dual-Gate MosFet verwenden.

Nein, ein  DG-MOSFET ähnelt intern einer Kaskodenschaltung aus zwei 
MOSFETs.
Ausser einer Möglichkeit der Verstärkungssteuerung errreicht man damit 
hauptsächlich eine sehr starke Reduktion der Rückwirkungskapazität, die 
besonders bei HF-Verstärkern schädlich ist.


Man bekommt auch kaum noch MOSFETs mit einzeln herausgeführten 
Substratanschluss zu kaufen.
Das waren sehr frühe Typen, die hauptsächlich für VHF- und ZF-Stufen 
verwendet wurden, und auch noch keine Schutzdioden am Gate hatten.
Folglich waren sie extrem empfindlich gegen ESD und wurden mit einem 
Kurzschlußring um die Beinchen geliefert, der erst nach dem Einlöten in 
die fertige Schaltung entfernt werden durfte.
Trotzdem hat man auch bei denen das Substrat fast nie als 
Steuerelektrode verwendet.
#6263156
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Marek N. schrieb:
> Gibt es tatsächlich diskrete MOSFETs mit herausgeführtem Bulk?

Schrieb ich doch.
Das waren aber ausnahmslos Kleinleistungstypen.
Z.B.: 
http://www.linearsystems.com/lsdata/datasheets/3N170_3N171_N-Channel_Enhancement_Mode_MOSFET.pdf

P.S.:
Hier gibts noch ein paar Kennlinien: 
https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Vishay%20Siliconix%20PDFs/3N163,3N164.pdf

Selbst die Datenblätter solcher Typen sind mittlerweile etwas schwer zu 
finden.

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