Hallo, ich habe hier eine Transistorschaltung, die Funktion ist, wenn der untere NPN die Basis des PNP unter 23,4V zieht und genügend Strom über die Basis fließt der PNP durchschalten.
Nun passiert folgendes, es ist keine Last angeschossen nur ein Multimeter zwischen Out-24V und GND. Nach zuschalten der Betriebsschaltung schaltet der PNP nach ein paar Sekunden durch, ohne das der untere NPN angesteuert wurde.
Was bzw. warum geht hier was schief, ist evtl. der Leckstrom des NPNs zu hoch? Es handelt sich um ein China Set mit so 0815 Transistoren, hätte gedacht das sich in diesem Preissegment keine Fälschungen lohnen oder ist es für ein ein normales Betriebsverhalten?
Wobei sich natürlich immer die Frage stellt, was der Herstellungsort ist: da, wo der Chip entworfen worden ist, da, wo die Siliziumscheiben produziert worden sind, da, wo sie gemessen worden sind, oder da, wo sie in ein Gehäuse gesetzt worden sind. In vielen Fällen sind das sehr unterschiedliche Gegenden …
Wobei sich natürlich immer die Frage stellt, was der Herstellungsort
ist: da, wo der Chip entworfen worden ist, da, wo die Siliziumscheiben
produziert worden sind, da, wo sie gemessen worden sind, oder da, wo sie
in ein Gehäuse gesetzt worden sind. In vielen Fällen sind das sehr
unterschiedliche Gegenden …
Hamburg gehört schon seit 10 Jahren den Chinesen. Bleibt nur noch Heitersheim für wirklich einheimische Bipolartransistorchen.
@Udo S.: Hab mal 10k von Kollektor gegen Masse gelegt es geht gerade mal um 22mV runter.
@Gerald B.: Hatte die vorher schon im Transistortester, um die PIN Belegung zu prüfen.
@Wastl: War weniger ein Preisproblem, sondern einfach die Bequemlichkeit, ein Klick und am nächsten Tag ein ganzes Set da. Hätte nicht gedacht das man soetwas wie einen BC556 fälschen muss, wahrscheinlich ist das Ausschuss.
@H.H.: Ja muss mal ein Set beim Distri zusammenklicken, beim Hersteller selbst dürfte schwierig werden.
Hab die Basis des NPN mal mit 10k gegen Masse gezogen und plötzlich sperrt der PNP. Als ob man das Gate eines MOSFETs entladen muss.
Also Danke schonmal. Gehe jetzt mal Sicherungen für Multimeter kaufen ;-)
Hab die Basis des NPN mal mit 10k gegen Masse gezogen und plötzlich
sperrt der PNP.
Es kann durchaus sein, daß der Verstärkungsfaktor der hintereinander geschalteten Transistoren derartig groß war, daß "der Brumm" an der offenen Basis des NPN bereits ausreicht, um den nachfolgenden Transistor minimal zu öffnen, so daß sich am Mutimeter bereits ein Ausschlag zeigt.
Mit drei Transistoren hinereinander wird das bestimmt noch viel interessanter.
Früher konnte man noch Pull-Widerstände kaufen, aber wenn immer weniger
sowas haben wollen, wird die Produktion natürlich eingestellt.
Ja, ist blöd. Als Bastler kannst du noch einen normalen Widerstand kaufen und hoffen dass er genug unspezifizierten Pullup Π hat. Für ein kommerzielles Produkt ist das natürlich nichts.
Pulldown-Widerstände sind ähnlich. Normalen Widerstand kaufen und auf genug Pulldown Ψ hoffen wenn er nicht im Datenblatt steht.
Mit drei Transistoren hinereinander wird das bestimmt noch viel
interessanter.
Ein "lustiges" Experiment, aus einer Kosmos Elektronik Kiste. 8-10(?) hintereinander (BC337?). Der Pidel des Ersten, taugte zu detection statischer Felder. Es gab deutlich spannendere Experimente...
Hallo Thomas,
nach einigen auch mich erheiternden (Pullup Pulldown-Daumen hoch) Beiträgen, mal wieder im ernst.
Was passiert, wenn Du links von R3 den Eingang mit Masse verbindest?
Ist dann die Ausgangsspannung Null?
Nimm als Lastwiderstand am Ausgang ruhig 100 kOhm -auch dann muss sauber in Richtung Null Volt abgeschaltet werden.
Dann noch eine Sache: Man muss nicht mit 1 kOhm an der Basis einen 10 kOhm Widerstand am Kollektor ansteuern. Q1 wird ja mindestens eine Strömverstärkung von 60 haben, eher 150...300. Also reicht 10 kOhm mal diese Stromverstärkung. 10 KOhm x 60 = 600 kOhm.
Dann noch ein Sicherheitsfaktor für gesättigtes Schalten von 3 rein. 200 kOhm für R3 reichen also völlig.Man kann in den Zeiten von Stromsparen, auch Basisstrom sparen. Ist zwar nur Krümelka... aber alles summiert sich irgendwann.
Q1 kann auch einen CB-Restrom haben, also sollte man dort von der Basis nach Masse auch einen Widerstand schalten, der diesen CB-Restrom (Der dann wieder mit der Stromverstärkung von Q1 verstärkt würde/wird.) soweit ableitet, dass die BE-Spannung unter 0,5 V bleibt. ... Nimm da mal 820k...1 MOhm, wenn R3 200 kOhm ist.
Dann sollte es sauber gehen. ansonsten, mal ein Foto machen. Und ja es kann sein,(Cris, Cristian, Theo) dass Brummeinstreuungen-wenn Du an R3 lange ungeschirmte Leitungen (>1m) hast- bereits zum Teilaufsteuern führen bzw. neben den Restströmen dazu beitragen.
Dann kann man paralle zu den neuen 820k .. 1 MOhm einen 10...100 nF Kondensator parallel schalten. Dieser C filtert dann die eingefangenen Störungen weg.
Hab die Basis des NPN mal mit 10k gegen Masse gezogen und plötzlich
sperrt der PNP. Als ob man das Gate eines MOSFETs entladen muss.
Reingefallen.
Ich würde es eher als Lehre ansehen, auch für uns alte Hasen: Im Allgemeinen gehen wir davon aus, dass ein Widerstand gegen GND bzw. B-E bei bipolaren Transistoren verzichtbar ist und fordern ihn nur G-S bei FETs.
In diesem Fall hat sich nun gezeigt, dass das schiefgehen kann und man ihn doch braucht, wenn die Gesamtverstärkung der Schaltstufe hoch genug ist.
Tja, und wie soll nun die ungestüme heutige Jugend solche wilden Experimente nachmachen, wenn sie nur noch LED-Rohre kaufen können und keine Leuchtstoffröhren mehr zur Verfügung haben?
Muß dann Opa eine von seinen eisernen Reserven für schlimme Zeiten her geben?
Ich würde sie nur zu horrenden Preisen heraus geben...
.. man den Thread liest, bevor man schreibt?
Du hättest gesehen, dass das Problem bereits am Vortag gelöst wurde!
Aber es wurde noch nicht angeregt, drüber nachzudenken, warum die Transistoren unterschiedlich verschaltet sind. Man sollte bei seinen eigenen Schaltplänen jedes vorhandene und jedes fehlende Bsuteil begründen können.
Im Allgemeinen gehen wir davon aus, dass ein Widerstand gegen GND bzw.
B-E bei bipolaren Transistoren verzichtbar ist
Ich habe das als junger Spund schon nicht getan, nachdem ich diese "Huch, der leitet ja!"-Erfahrung bei einer Leiterplatte gemacht habe, die mit hoher Luftfeuchte zu tun hatte.
Vielleicht gibt es ja wie bei Röhren bald DIY-Transistorfertiger. Wobei,
das Gepansche mit Flusssäure würde ich mir absolut nicht antun wollen.
Jeri Elsworth hat doch schon vor 15 Jahren die Herstellung von Transistoren im Heimlabor erfolgreich demonstriert und dazu zahlreiche YouTube-Videos veröffentlicht. Und damit ist sie durchaus nicht die einzige.
die Dimensionierung der Schaltung stammt nicht von mir, ich sollte Sie nur von einem Steckbrettaufbau auf eine Platine bringen. Die 24V am Ausgang sollten auch nicht belastet werden, die landen auf einem Eingang eines Prüflings, der den erkannten low/high Pegel übers Netzwerk zurückschicken sollte.
Angesteuert wurde das ganze von einem ESP32 Board. Der Steckbrettaufbau den ich bekommen habe funktionierte und das zusammengelötete Zeug mit den neueren Transistoren gab immer 24V aus.
Mein Ziel war es auch nicht die fremde Schaltung zu korrigieren oder zu verbessern ich habe mich nur gewundert wo hier der Hund vergraben sein könnte. Aber klar 100 kOhm Ermitterwiderstand waren hier viel zu hochohmig für diese Komplementär-Darlington-Schaltung da der untere NPN mit der offenen Basis schon loslegte.
Zudem scheinen die neueren Transistoren eine höhere Verstärkung zu haben was sich dann multiplizierte und zu dem Effekt führte. Ich hätte gedacht das der Ausgang des ESP32 genug Strom sinken würde damit die Basis hier nicht als Antenne fungiert.
Habe das ganze mal daheim aufgebaut und mit 10 kOhm Ermitterwiderstand am PNP Transistor lief es dann anstandslos auch mit offener Basis am NPN.
Also danke an alle die trotz dieses banalen Problems sachlich mit diskutiert haben.
PNP.png
(12 KB)
