P-Kanal MOSFET/JFET - Wo liegt derzeit max. Ugth und min. Rds_on?

Dieter D. OP (Firma: Hobbytheoretiker) #8029974
Lesenswert?
• ▲
▼

Hallo zusammen,

anbei hätte ich eine Frage bezogen auf p-Kanal Typen von MOSFET/JFET.

Wo liegen derzeit die Daten für die maximale Spannungsfestigkeit Drain-Source und zweitrangig für kleinen On-Widerstand Drain-Source?

Zu finden im Netz wäre zum Beispiel folgender Typ:

© 2015 IXYS CORPORATION: IXTK32P60P IXTX32P60P V DSS = - 600V I D25 = - 32A RDS(on) ≤ 350m

Nach zehn Jahren könnte es vielleicht bessere Typen geben.

Antwort Zitieren Bearbeiten Thread verschieben Thread sperren Anmeldepflicht aktivieren Anpinnen Thread löschen Thread mit anderem zusammenführen Beitrag melden
Dieter D. OP (Firma: Hobbytheoretiker) #8029991
Lesenswert?
• ▲
▼

Uwe schrieb:

Ugth klingt nach Gate

Stimmt. Da wollte ich eigentlicht Uds stehen lassen. Im Text steht es aber richtig.

Uwe schrieb:

aber N-Kanal.

Das ist mir bekannt. Für die gibt es auch entsprechende High-Side-Treiber und Erzeugung einer Hilfsspannung.

Wegen der besseren Beweglichkeit von Elektronen gegenüber Löchern haben n-Kanal-Halbleiter natürlich einen Vorteil. Der Chip fällt daher für gleiche Leistungen und Ströme kleiner aus.

: Bearbeitet durch User
Antwort Zitieren Bearbeiten Löschen Beitrag melden
Beitrag #8030037 wurde vom Autor gelöscht.
Thread beobachten

Antwort schreiben

Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.

Bestehender Account

oder

Mit Google-Account einloggen

Noch kein Account?

Die Registrierung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.

Jetzt registrieren