P-Kanal MOSFET/JFET - Wo liegt derzeit max. Ugth und min. Rds_on?

OP (Firma: Hobbytheoretiker) #8029974
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Hallo zusammen,

anbei hätte ich eine Frage bezogen auf p-Kanal Typen von MOSFET/JFET.

Wo liegen derzeit die Daten für die maximale Spannungsfestigkeit Drain-Source und zweitrangig für kleinen On-Widerstand Drain-Source?

Zu finden im Netz wäre zum Beispiel folgender Typ:

© 2015 IXYS CORPORATION: IXTK32P60P IXTX32P60P V DSS = - 600V I D25 = - 32A RDS(on) ≤ 350m

Nach zehn Jahren könnte es vielleicht bessere Typen geben.

OP (Firma: Hobbytheoretiker) #8029991
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Uwe schrieb:

Ugth klingt nach Gate

Stimmt. Da wollte ich eigentlicht Uds stehen lassen. Im Text steht es aber richtig.

Uwe schrieb:

aber N-Kanal.

Das ist mir bekannt. Für die gibt es auch entsprechende High-Side-Treiber und Erzeugung einer Hilfsspannung.

Wegen der besseren Beweglichkeit von Elektronen gegenüber Löchern haben n-Kanal-Halbleiter natürlich einen Vorteil. Der Chip fällt daher für gleiche Leistungen und Ströme kleiner aus.

: Bearbeitet durch User
Beitrag #8030037 wurde vom Autor gelöscht.

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