Figure 5. VFversus IFfor Different Temperatures (VDD = 15 V) 1,400 1,400 VPN = 300 V VPN = 300 V )1,200 V = 15 V ) 1,200 V = 15 V m DD m DD ( s s1,000 s 1,000 L L g 800 g 800 i TJ= 100°C i c 600 c 600 i i S S TJ= 100°C , 400 ,F 400 O TJ= 25°C O TJ= 25°C E 200 E 200 0 0 0 5 10 15 20 25 30 0 5 10 15 20
und geeignetem FET-Typ im Bereich um net s'cb aus: Bild5: Vergleich der eingangsignalabhän 100...200 Q. gigen Signal/Rauschspannungsabstände F RM m einer AM-Mischstufe ohne (1) und mit (2) Der Sourcewiderstand Rs bestimmt den 1 + - ] / - (4) FET-Vorstufe Drainstrom /D. Er wird so gewählt, daß der ^
