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Ausschnitt eines Schaltplans mit MOSFETs
Q4 BSS138 1 2 T1 IRFML8244 1 2 R19 22R AF_H GND R16 22R AF_L GND Suche Suche Symbole Leistung Text Bezeichner Gruppen Linienstil aus Netzklasse Verbindungsname /<NO NET> Aufgelöste Netzklasse Default X 222 25 X 156 21
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Schaltplan mit MOSFET und Relais
+24V, 2, 1, 6, 7, K1, R1, 91k, 1, 2, Q1, BS170, 3, R2, 24k, Qn, BC846B, 1, 2, 3, GND
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PLL mit Standard-Bauteilen
Vertiefung angebracht. Drinnen befand sich die Telemetrie Elektronik mit HC11 und ein 100W "Sender" mit MOSFET Endstufe der die auf 10kHz abgestimmte Spule aussen erregte. Versorgt wurde diese Elektronik von zahlreichen 20Ah Lithium Zellen zusammen mit 48V im Bohrstrang eingebettet. Mit einer abgestimmten
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Leiterplatte mit Bauteilbeschriftungen und Markierungen
1500W, Infineon, BTS43E2, Smart Highside Power Switch, GESTION BATTERIE, NTD24N06L/24N6LG, Power MOSFET 24A/60V, N-channel, MOTEUR DE COUPE, NTD4302/T4302G, Power MOSFET 68A/30V, N-channel, NTD25P03LG, Power MOSFET 25A/30V, P-channel, MOTEURS DE ROUES, ST17NF03L, Power MOSFET 17A/30V, ON Semiconductor, NTD24N06L/24N6LG, Power MOSFET 24A/60V, N-channel, ON Semiconductor, NTD25P03LG, Power MOSFET 25A/30V, P-channel, Résistances de Gate 10 ohm, Résistances shunt 1 ohm 0805 en parallel, Moteur Gauche, Moteur Droit
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Bandelin Sonorex RK 255 ultraschallbad defekt
hoher Spannungsanstiegsgeschwindigkeit zum Überkopfzünden. Bipolarleistungstransistoren, IGBT, MOSFET, notfalls auch zwei antiparallele Thyristoren. Aber ein Triac?
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Defekt vom HP Motherbord
Ohm hat und denn runter auf 1 Ohm geht. Die Dioden selbst haben keine Auffälligkeiten, auch dir Mosfets zeigen keine Auffälligkeiten beim Messen. Wenn der Laptop läuft und der Mosfet mit Kältespray besprüht wird, geht der Laptop kurz aus und denn wieder an. Die Spule kühlt sich im Betrieb ab so das
hat. Die Lötstelle selbst habe ich auch schon nachgelötet. Kann dennoch der entsprechende Mosfet bzw. die Spule defekt sein oder hat jemand noch eine andere Idee? Vielen Dank
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Schaltplan zur Umschaltung von USB-Ports mittels P-Channel MOSFET
weitergegeben, wenn USB-Port A 5V anliegt. USB-Port A +5V (VBUS) D+ D- GND R1 100 kΩ S Q1 P-Channel MOSFET z.B. AO3407A G D USB-Port C (Last) +5V (VBUS) D+ D- GND C1 10 µF 16V Funktionsweise: 1. Liegt an USB-Port A 5V an: • Gate wird 0V = MOSFET leitet • 5V von USB-Port B werden an USB-Port C weitergegeben
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Motorklemmbrett von US Split Phasen Maschine
nächste Frage: Wäre es mit der Mittelanzapfung möglich eine effiziente aktive Gleichrichtung mit Mosfets zu machen? Mit etwa 300Volt könnte ich auf einem MPPT Regler eines PV Wechselrichters gehen und hätte so meine 3 Phasen bei 50 Hz.
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Einhell elektronik vom 18V Akkupack reparieren?
auch nicht geladen. Die Akkus sind geprüft und alle extern auf gleiche Spannung (2,1V) geladen. MOSFet gemessen, keine Auffälligkeiten, bulk diode ist ok. Am Ladegerät leuchten beide LED´s (rot und grün) dauerhaft. (Wärmefehler) NTC ausgelötet zeigt 98k bei Zimmertemperatur und reagiert auf Wärme
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Kleiner Konstantstromtreiber für kleine LEDs gesucht
nicht einmal irgendetwas kühlen müssen. Schalten kannst du mit einem kleinen Logic-Level N-Kanal MOSFET. Dann hat die Ansteuerung auch die von dir gewünschte Polarität. Um die Helligkeit einzustellen, könntest du die Ausgangsspannung verändern, so dass der Spannungsabfall am Vorwiderstand für halbwegs
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Überspannungsdetektor 8s-LiFePO4
aber weiss dann nicht mehr, wohin mit dem Strom. Das BMS muss also entweder eines sein, das per MOSFet den Ladestrom abschalten kann (als Notbehelf), oder man verwendet besser ein Ladegerät, das die Ladeschlussspannung einhält. Dabei sind 30V schon zuviel. Eine LiFePO4 Zelle sollte bis max. 3,6V geladen
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Feedback gesucht: I2C-Bussystem für LEDs, Mini-Motoren & Servos im RC-Schiff (ESP32)
Leistungstreiber gegen Masse) gelandet. Für die paar Ausnahmen über 100mA würde ich diskrete Logic-Level MOSFETs an den MCP hängen. Da ich jedoch nicht mehr ganz auf dem neuesten Stand bin, wollte ich die Runde fragen, ob dieses Setup heute noch Sinn macht oder ob man das moderner/eleganter lösen kann:
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Autoradio Beta 2 Bluetooth Umrüstung
nutzt, um den Strom vom Bluetooth-Board zu steuern. Genutzt wird ein Komparator (LM393) und ein P-MOSFET (IRF9530). Ich werde mir die Teile bestellen und weiter berichten.
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Schaltregler
sehr viele. Ich würde etwas wählen, was keine Diode braucht, da Schaltverluste bei dem voll auf MOSFET gebauten Regler geringer sind. Zweite Frage ist bequeme Montage: ich nehme lieber etwas in SO-8, bis 2-3 A gibt es viele davon. Ich habe gute Erfahrung mit TS3552CS und AOZ3015AI.
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Messung der Sekundärspannung an einem Diode Split Trafo mit galvanischer Trennung
kein Problem, solange man hochohmig bleibt. Bau` einfach einen starken Sperrwandler mit z.B. 400V-Mosfet auf, da erreichst du selbst 70KV problemlos. Natürlich ist das dann nichts für den Dauerbetrieb... Mit nem großen DST kannst du locker 5cm und mehr selbständig durchschlagen lassen, was weit über
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Einstecken eines USB-Adapter lässt µC abstürzen.
Fuses die Brownout-Detection eingestellt? Mit den SNTs bin ich vorsichtiger geworden, seitdem ich Mosfets damit gekillt hatte.(Leider ESD-Schutz 'mal nicht angewendet.) Habe mir für die offen fliegende Verdrahtung Trafo Netzeile gebastelt mit und ohne Stabilisierung. Oder arbeite ganz mit Batterien oder
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Boost Converter mit 1kV Ausgangsspannung
Na sorry, aber 1000V/10mA/10W jage ich durch einen einzigen HV-MOSFET durch, davon gibts heute jede Menge. Irgendwas kaskadieren braucht man da nicht mehr. Und ja, das wird eine diskrete Schaltung, lässt sich aber mit einem einfachen OPV bewerkstelligen. Wenn man
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UNI-T UT673PV - Widerstandswert (R73) benötigt
angesteckt und es ist "abgeraucht". Bisher ermittelte defekte Bauteile: - Widerstand R73 MELF - MOSFET NCEP15T14D - Elko 10uF 100V Im Netz hab ich bisher leider keine Bilder der Platine/Bestückung gefunden. Hat evtl. jemand dieses Meßgerät und kann mir bitte den Widerstandswert kurz mitteilen?
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2 LiFePO4 Akkus laden / entladen stark unterschiedlich Kabelverlängerung einbauen?
Plastiksäckchen drin. Und das können auch mehrere sein und die müssen nicht alle die selbe Kennlinie haben. Mosfets sind ja z.B. auch in einem Gehäuse. Intern aber teilweise viele parallelgeschaltet.
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Samsung BN44-01100C Netzteil prüfen
Beitrag #8008193: > Anbei die Rückseite der Platine. Und da fehlt ein Stück vom Transi oder Mosfet...
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Wemos 5 LED's über einen GPIO
SMD und Lochraster schließt sich auch nicht zwingend aus. Transistoren, Mosfets, Widerstände, Kondensatoren, Spulen und Dioden die zwischen lötaugen passen gibt es genug. Auch andere Gehäuseformen, sind je nach pinout gar kein Problem. Oder man biegt halt die Beine einfach
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Powerbank -> ESP8266-01 WiFi modul
die PB muß mit einer Kombination aus Lastwiderstand und NPN-Transistor (BC547 o.ä.) oder kleinem MOSFET (A03400) aktivierbar sein. Abhängig von der Stromaufnahme im 'deep sleep mode' wird der Eingangskondensator (Super-Cap 0,1 - 1 F o.ä.) für die 5 V Versorgung so bemessen, daß er für 30 Minuten die
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Gleichstrom Generator - Leistung regeln
Nun zur Frage: Sollte es möglich sein, die Last am Motor/Generator über einen PNP-Transistor / Mosfet / IGBT mit PWM Signal eines mC zu regeln, sodass die 300 RPM beibehalten werden?
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Bosch CJ125 mit AVR AT90CAN64
Lambdacontroller von Bosch. Ausgewertet wird dieser über einen AVR AT90CAN64. Dieser regelt einen Mosfet mit PWM und steuert die Heizung der Lambdasonde. Der AVR kommuniziert auch über SPI mit dem CJ125. Dass ganze habe ich im KiCad designt, PCB machen lassen und die SMD Bauteile per Hand gelötet.
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Symmetrische Spannungsversorgung mit einer Sicherung versehen
Ist mit Vorsicht zu genießen, je nachdem, was die nachfolgende Schaltung daraus macht. Schalt-MOSFETs, die nicht mehr die nötige Ansteuerspannung sehen, werden dann ganz schnell ganz heiß ...
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[S] SMD Induktivität für Schaltregler 470µH 9,7 x 9,7 x 4 mm
Sind 47uH aber vermutlich nicht dein einziges Problem, der Mosfet daneben scheint ein Loch zu haben.
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Pcb Design: Load switch + passende Sicherung finden
Platz verworfen. Darlington Transistoren wegen einer zu hohen Verlustleistung. Schalten mit nMOSFET, MOSFET Treiber und eine schnelle Sicherung habe ich als Favoriten im Kopf. Ich hab leider gelesen, dass die Sicherung ein Problem werden könnte, wegen zu langer Auslösezeit. Dann gibt es noch Efuses
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TU Studie Fahrzeugvergleich Gesperrt
Du noch nicht verstanden hast, Du hast nicht verstanden dass es hier im Forum um Widerstände, Mosfets, LEDs, uCs, Programmierung, Multimeter usw. geht. Es geht nicht um irgendwelche White Papers, CO 2 Ausstoß von Autos usw. Und natürlich geht es auch nicht um Politik. Stellst du dich extra dumm?
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High-Current Jumper
zwei verschiedenen Supply-Rails "jumpern" kann je nach Anwendung. (Der Jumper sitzt also vor der Mosfet-Halbbrücke). Ich könnte natürlich einen 5*3 Jumper-Block machen, aber das kommt mir albern vor, dass man 5 Jumper parallel setzt oder ähnliches um die Stromfestigkeit zu bekommen. Wie löst man
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HF Transistoren
https://www.minikits.com.au/RD70HVF1C Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz 70W , 520MHz 50W Original-Datenblatt des Herstellers Mitsubishi: https://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/hf/products/datasheet/rd70hvf1c.pdf Zur Beständigkeit
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Reparatur Schaltnetzteil aus Yamaha DVD-Player
. schrieb im Beitrag #8045598: > Passt ja dazu: Das war unglücklich formuliert von mir - der Mosfet hat D->S keinen Durchgang, aber von S->D schon, also eigentlich in Ordnung.
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IC identifizieren
Bei U10 handelt es sich um einen Schaltregler, bei U6, U5, U7 und U8 meiner Meinung nach um einen MOSFET. Die Bezeichnung an U6, U5, U7 und U8 sind nicht mehr lesbar, aber an U4 welcher meiner Meinung nach der gleiche Baustein ist. Bei U4(Bild U4) ist die Kennzeichnung Y13A 5288B, das Gehäuse ist ein
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Schaltungstechnik von Netzgeräten mit Vorregelung/Relais für Sekundärwicklungen
Die Vorregelung mit gesteuertem Gleichrichter (Thyristor oder Mosfet heute) hat ein paar Besonderheiten: - Funktioniert nur gut mit sinusförmiger Wechselspannung (keine Wechselrichter mit nahezu rechteckiger Spannung) - Der Strom darf bei halber Spannung nicht
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Neue Bauteile: vom Radar bis zum Widerstand
REACH compliant, lead-free, and halogen-free. [/c] ### Nexperia NX7005BK – 60-V-N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT23-Gehäuse Im Hause Nexperia arbeitet man ebenfalls permanent an der Verbesserung der Leistungsdaten der diversen hauseigenen Feldeffekt-Transistoren. Mit dem NX7005BK steht nun eine Spielart des MOSFETs zur Verfügung, die im sehr kompakten SOT23-Gehäuse unterkommt und dank verbesserter interner Konstruktion die in der Tabelle genannten Performance-Parameter realisiert.  , dann sind die
