ON Semiconductor▯ Amplifier Transistors BC237,A,B,C NPN Silicon BC238B,C BC239C MAXIMUM RATINGS Rating Symbol BC237 BC238 BC239 Unit Collector–Emitter Voltage VCEO 45 25 25 Vdc Collector–Emitter Voltage V 50 30 30 Vdc CES Emitter–Base Voltage
Tom B. schrieb im Beitrag #8064628: > Nun brauche ich noch einen Ersatz für den BC161, der ebenfalls defekt > ist. So einen muss ich mir erst irgendwo suchen. Du kannst einen BC161-16 (Hersteller ST) von mir bekommen.
lass es sein. der BC161 ist von der Verlustleistung komplett am Limit. das sollte man sowieso korrigieren.
spring 81 3 83B3-141-ü0 Integr. Schaltung integr. circuit Lt4386 N LM 386 N 82 8302-200-124 Transistor BC 238 (T'1/4/B)transistor 82a $02-n2-127 Transistor BC 238 B (T5)transistor BC 23BB B3 8302-200-231 (T7)trans:.stor Transistor BC 238 C BC 2IC 83a 8302-202-18' Transistor BC 238 BIC (T3)transisto r BC23B BlC B4 830?-200-186 Transistor BC 239 BIC (T2)transistor 8C239 B C I Bi t'02-200-234 Tnansistor" BC IB B (16)transistor BCXB B B6 ü02-200-427 Tnansistor BC33B (T9)transistor BC33B B7 8309-214-032 Diode C473 (02/4)diode c4T3 BB 8309-001
ebenfalls und sich preiswert erhältlich. Historische TUN Beispiele: äquivalent (U CEO variiert) Anmerkung BC 107 BC 108 BC 109 BC 147 BC 148 BC 149 BC 167 BC 168 BC 169 I C max. eigentlich zu niedrig BC 171 BC 172 BC 173 BC 182 BC 183 BC 184 BC 207 BC 208 BC 209 BC 237 BC 238 BC 239 BC 317 BC 318 BC 319 BC 347 BC 348 BC 349 BC 382 BC 383 BC 384 BC 407 BC 408 BC 409 - BC413 - BC 414 - - BC 437 BC 438 BC 439 BC 467 BC 468 BC 469 BC 547 BC 548 BC 549 Noch gängig in Bastlerkreisen BC 582 BC 583 BC 584 == PNP == Allgemein
maximale Strom nicht begrenzt wird. Das ist nichts neues oder erstaunliches. Und wenn man schon mit BC879 o.ä. arbeitet, weiss man auch, wie man mit sowas umgeht.
dem Kammerton a) arbeitet, in diesen Thread hochgeladen. Hier sind die Endleistungstransistoren BD239C und BD240C zwar keine Darlington-Transistoren, aber das Prinzip des unkontrollierten Ic-Zuwachses konnte ich auch bei dieser Gegentaktschaltung im B-Betrieb nur auf der Eingangsseite des Transistors
− FC·VJE) (11.79) · 1 + for BE > FC·V JE (1 − C )JE VJE · (1 −CF ) −M JC VBC C JC· 1 − for BC ≤ FC·V JC C BCdep= VJC (11.80) CJC M JC · (BC − FC·VJC) MJC · 1 + V · (1 − F ) for BC > FC·V JC (1 − C ) JC C V −MJS C JS· 1 − SC for SC ≤ 0 VJS CSCdep= VSC (11.81) C JS· 1 + MJS · for SC
etectiof.Pr arriig 1 w 2w 2 1 2 .121X 1 42 P 3 X 0 1rto tse mecla X 2 x-x 7286300 DNG 6 k 1 g in mla BC f.Psonseozie 42P 3 1 0 X NI 2 X - to tse mecla 6 x-x37286300 2 r DNG 6 w 4 g in mla BC f.Pso seozie 42P 3 0 9 1 N 2 X X 1 x-x6007300 2 r tsectolacem ), itter (tran etectiof.P arrier 2w 0 x -x6007300
................................32 k....................................................174.928 to 239.200 MHz (BAND III) (6 ohms) FRONT L/R............................................................................. 145 W J....................Japanese model G..................European model CENTER
