-
Thread
PCF8574 + A3144 über 120 m Leitung – Eingang störsicher auslegen
über den Widerstand abfällt. Hintergrund dabei: Wenn Du einen sehr hochohmigen Eingang wie der MOSFET-Eingang deines PCF8574 hast, dann braucht es relativ wenig Energie um einen Spannungspuls in der Zuleitung zu induzieren. Um 20mA fließen zu lassen, bedarf es deutlich mehr Energie. Stromschnittstellen
-
Thread
7805 als Pegelwandler?
völlig ungeeignetes Bauteil nehmen zu wollen, statt es wie alle Anderen zu lösen, etwa mit einem MOSFET. Wenn an einen Spannungsregler gedacht wird, kann’s ja eh nur unidirektional sein, sodass einer reicht.
-
Thread
Review erbeten: Synthesizer mit RP2350, 2× AAA, ohne USB Erstentwurf, kein Elektronikhintergrund
12-MHz-Quarz Stromversorgung: 2× AAA → TPS61023 Aufwärtswandler auf 3,3 V, Verpolschutz über P-MOSFET Kein Schalter: Ein/Aus über eine Zwei-Transistor-Haltestufe am Enable des Wandlers, eingeschaltet durch die PLAY-Taste, ausgeschaltet durch die Firmware Kein USB: Programmierung über 3-polige SWD-Leiste
TPA6132A2 als Kopfhörerverstärker, dazu 27-mm-Piezo über Schaltkontakt der Buchse Audioteil über P-MOSFET-Lastschalter abschaltbar Wo im Moment Probleme zu erwarten sind (und bitte verzeiht mir, dass ich hier die KI sprechen lasse): 1. Die Haltestufe. PNP am Enable, NPN hält ihn über einen GPIO,
-
Thread
Simulation Entladung Hochspannungskondensatoren
PNP-Transitor ZTX718 relativ nahe, weshalb ich diesen für Q2 eingefügt habe. Anstelle des N-Kanal Depletion-MOSFETs IXTP3N50D2 habe ich ein allgemeines Modell für einen N-Kanal Depletion MOSFET einfügt. LTSpice (Version 24.1.4) stellt in der Bauteilbibliothek ja kein entsprechendes Symbol zur Verfügung. In dem
Und den MOSFET hast du falsch eingebaut. Was sollen denn die vielen Spannungsquellen?
-
Bild
Schaltplan einer Entladeschaltung mit Depletion-Mode MOSFET
converter dc in HV out AC line in ~ com com in out com discharge ckt Figure 3.113. Depletion-mode MOSFET $Q_1$ discharges the 100 µF high voltage capacitor $C_1$ when power is removed; when powered it is inactive.
-
Thread
Reparatur UKW Radio Tuner Pioneer F-301RDS unempfindlich
Also - Attenuator mit Pin diode geht (gemessen) - Dose zerlegen ist kein Spaß - der Dual Gate Mosfet ist ok, Verstärkung irgendwas unter 20dB (Spannung) - die Versorgung 12V hat bisschen noise drauf, aber nicht viel. - Lo Frequenz ist da, Mischergebnis kommt raus - irgendwie finde ich nicht den
-
Bild
Schaltplan mit XIAO ESP32-S3, Buzzer und MOSFET
U1 XIAO_ESP32_S3 R4 1k Buzzer F/DGX05P1 R2 1k D1 yellow Q1 2N7000 R3 1.1k U2 AM2302 R1
-
Bild
Schaltplan mit XIAO_ESP32_S3, Buzzer und MOSFET
U1 XIAO_ESP32_S3 3V3 5V D0/GPIO1 D1/GPIO2 D2/GPIO3 D3/GPIO4 D4/GPIO5 D5/GPIO6 D6/GPIO43 D7/GPIO44 D8/GPIO7 D9/GPIO8 D10/GPIO9 GND R3 4.7k thermally coupled U2 AM2302 SDA VDD GND R1 1k Q1 2N7000 Buzzer F/DGX05P1 R4 1k R2 1k D1 yellow GND PWR_FLAG
-
Thread
Akku laden bei Unterspannung
zu öffnen. Das wird nicht gehen da B- nicht am Akku sondern am BMS sitzt. B- wird über die BMS-Mosfets geschaltet.
. > > Das wird nicht gehen da B- nicht am Akku sondern am BMS sitzt. B- wird > über die BMS-Mosfets geschaltet. Oft wird B- über einen MOSFET geschaltet, und der leitet rückwärts. Strom einspeisen funktioniert dann. Mit einem Pärchen MOSFETs, die gegensinnig geschaltet sind, wird auch Einspeisen
-
Thread
Schaltnetzteil aus LED Deckenleuchte
LED-Deckenleuchte, deren Schaltnetzteil von den Obermietern "bewässert" wurde. Durch das Wasser hat der Mosfet CM7N65F nur noch den Wert von einem Widerstand. Am Source Anschluss sind 4 Widerstände parallel gegen V-. Der Kurzschluss hat gut gewirkt und alle 4 durchgebrannt. Die Fragmente der Beschriftung bilden
-
Thread
KiCAD: Erste Gehversuche - bitte um Feedback
Ausgangspegel. Muß es denn unbedigt ein MOSFET sein? Man kann sich doch auch den Ärger ersparen, indem man einen bipolaren npn Transistor nimmt. Z.B. den BC337 (40). Der hat viel Stromverstärkung und braucht wenig Basisstrom.
duchgegangen - hatte das Datenblatt zu schlampig gelesen und war einfach nur froh, einen kleinen MOSFET in der Grabbelkiste zu haben. > Muß es denn > unbedigt ein MOSFET sein? Man kann sich doch auch den Ärger ersparen, > indem man einen bipolaren npn Transistor nimmt. Z.B. den BC337 (40). Der
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Relais
+24V, 2, 1, 6, 7, K1, R1, 91k, 1, 2, Q1, BS170, 3, R2, 24k, Qn, BC846B, 1, 2, 3, GND
-
Bild
Schaltplan mit zwei Schaltungen und MOSFETs
Schaltung 1 +24V +5V uC Inp 10K 100 G S D BS250 100 G S D BS170 K1 GND Schaltung 2 Regl. +5V uC BC846B GND K1: 24V/2880 Ohm
-
Bild
Schaltplan zweier Schaltungen mit Mikrocontroller und MOSFET
Schaltung 1 Schaltung 2 +24V +5V Regl. uC Inp +5V uC BC846B GND GND 1K G S BS250 D K1: 24V/2880 Ohm
-
Bild
Schaltplan zweier Schaltungen mit Mikrocontroller und MOSFET
Schaltung 1 Schaltung 2 +24V +5V uC Inp Regl. +5V uC GND BC846B GND 1K5G S BS250 D K1: 24V/2880 Ohm
-
Thread
[Suche] Entwickler für 12V Kfz-Hochstrom-Schaltung (300–400A Peak, Starthilfe)
zugänglich ist. Darin ist außer etwas Hühnerfutter ein KFZ Hochlastrelais. Die haben es auch nicht mit MOSFET gemacht und werden vermutlich ihre Gründe haben.
Echt jetzt? Wenn dem nicht so wäre, wären zum Beispiel ein ATtiny13, zwei bis vier AOTL66608 (N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 400A; Idm: 1000) und etwas Hühnerfutter ausreichend.
-
Thread
Ein Ladegerät, zwei Akkus und der „current divider“
//www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4412fb.pdf figure 6 sind da wohl 2 MOSFETs als ideale Diode drin nur halt auf chinesisch f>r mehr als 28V und die Bezeichnung current divider ist wohl eher irreführend. Bei 10A würde schon 1V Akkuspannungsdifferenz sonst zu Verlusten von 5W
-
Thread
Probleme mit MAX31820 (ESP Micropython und Raspi)
place, or data is being copied from the scratchpad to EEPROM. This can be accomplished by using a MOSFET to pull the bus directly to the rail, as shown in Figure 1. The 1-Wire bus must be switched to the strong pullup within 10μs (max) after a Convert T [44h] or Copy Scratchpad [48h] command is issued
werde ich demnächst beobachten, habe den ganzen Kram gerade wieder abgebaut. Die Lösung mit dem MOSFET im Datenblatt des PAR ist halt für Raspis nicht umsetzbar, das Timing macht die im RaspiOS eingebaute Routine. Für die ESP wäre es denkbar, wenn man eine eigene Routine dafür schreibt. Edit:
-
Thread
Hilfe bei Netzteilreparatur 1200 W
Trennstelltrafo betrieben. Damit läuft es. Mir ist jedoch die recht hohe Induktionsspannung am Highside-MOSFET aufgefallen (267 V bei einer Zwischenkreisspannung von 136 V). Eigentlich müßte die doch über die Freilaufdiode des Lowside-Transistors in den Zwischenkreis abgebaut werden, wenn ich das richtig verstehe
Schaltnetzteil ICs mit intergriertem Transistor 650V Spannungsfestigkeit. Einen Versuch mit spannungsfesteren MOSFET aus zuverlässiger Quelle (TME, LCSC, Mouser, Digikey) würde ich noch unternehmen.
-
Thread
Neue Bauteile: vom Radar bis zum Widerstand
REACH compliant, lead-free, and halogen-free. [/c] ### Nexperia NX7005BK – 60-V-N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT23-Gehäuse Im Hause Nexperia arbeitet man ebenfalls permanent an der Verbesserung der Leistungsdaten der diversen hauseigenen Feldeffekt-Transistoren. Mit dem NX7005BK steht nun eine Spielart des MOSFETs zur Verfügung, die im sehr kompakten SOT23-Gehäuse unterkommt und dank verbesserter interner Konstruktion die in der Tabelle genannten Performance-Parameter realisiert. 
Bild
Tabelle mit technischen Daten eines MOSFETs
4. Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VDS drain-source voltage Tj = 25 °C - - 60 V VGS gate-source voltage Tj = 25 °C; single pulse; tp ≤ 1 ms -30 - 30 V ID drain current VGS = 10 V; Tamb = 25 °C [1] - - 270 mA VGS = 10 V; Tsp = 25 °C - - 330 mA Static characteristics RDSon drain-source on-state resistance VGS = 10 V; ID = 200 mA; Tj = 25 °C - 2.2 2.8 Ω [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and mounting pad for drain 1 cm².
-
Bild
Screenshot einer Mouser-Webseite mit Vishay MOSFET-Produktbildern
Components Industrial Automation Home > NEWEST Products > New b Vishay Semiconductors PowerPAK SC-70 MOSFETs SIA931DJ-T1-GE3 品牌: VISHAY(威世) 名称: 2个 NEWEST PROD Back to Vishay VISHAY The DNA of tech. Vishay Semiconductors PowerPAK TSOP-6, resulting in very low power SC-70 MOSFET comes in a variety devices,
-
Thread
Einhell elektronik vom 18V Akkupack reparieren?
auch nicht geladen. Die Akkus sind geprüft und alle extern auf gleiche Spannung (2,1V) geladen. MOSFet gemessen, keine Auffälligkeiten, bulk diode ist ok. Am Ladegerät leuchten beide LED´s (rot und grün) dauerhaft. (Wärmefehler) NTC ausgelötet zeigt 98k bei Zimmertemperatur und reagiert auf Wärme
-
Bild
Screenshot der Webseite mikrocontroller.net
Komponenten, LED, Logische Verknüpfungen, Logik, Mikrocontroller, Modellierung analoger Schaltungen, MOSFET, Multiplexer, Operationsverstärker, Grundlagen, PWM, Präzision, Relais, Schaltung, Schwingung, Schwingung, Schwingung, Schwing
-
Thread
SMD Bauteil gesucht (Danalock Smartlock)
Marking DO Anhang rechts ist der Mosfet, links vielleicht aelteres Design(Schrift,kleiner Punkt) Bildquellen Mouser,LCSC
Guter Hinweis, Serge! Es ist ein Vishay SiA931DJ Dual P-Channel MOSFET 30 V 4,5 A PowerPAK SC-70-6L Dual Gehäuse 2,05 × 2,05 mm Marking Code DO. https://www.vishay.com/docs/62859/sia931dj.pdf Und hier die Herstellerunterlagen mit komplettem Schaltplan des
-
Thread
PWM-Sinus-Steller, Sinus-Dimmer 220V AC, 3KW 1 phasig gesucht
wird bei einem PWM Sinussteller die 50-Hz-Netzspannung im Hochfrequenzbereich (kHz-Taktung mittels MOSFET/IGBT) über PWM Logik verarbeitet und über ein integriertes LC-Filter glättet. Kennt jemand einen Schaltplan bzw. fertiges Gerät für: - 220V AC, 3KW, einphasig Aus dem PV Bereich sind mir Fronius
-
Thread
Auswahlwerte für einen Optokoppler
ein Optokoppler sein. Für die Anwendung würde sich doch ein OptoMOS anbieten, d.h. ein SSR mit MOSFET-Ausgangsstufe.
Rainer W. schrieb im Beitrag #8100059: > Ein SSR mit einem MOSFET als Ausgangsstufe kann das direkt erledigen. Die Idee ist gar nicht so doof, zumal das SSR in der Lage ist, die Ansteuerspannung für den internen Mosfet, selbst zu erzeugen. Man benötigt nicht noch
-
Thread
UNI-T UT673PV - Widerstandswert (R73) benötigt
angesteckt und es ist "abgeraucht". Bisher ermittelte defekte Bauteile: - Widerstand R73 MELF - MOSFET NCEP15T14D - Elko 10uF 100V Im Netz hab ich bisher leider keine Bilder der Platine/Bestückung gefunden. Hat evtl. jemand dieses Meßgerät und kann mir bitte den Widerstandswert kurz mitteilen?
-
Thread
Motorklemmbrett von US Split Phasen Maschine
nächste Frage: Wäre es mit der Mittelanzapfung möglich eine effiziente aktive Gleichrichtung mit Mosfets zu machen? Mit etwa 300Volt könnte ich auf einem MPPT Regler eines PV Wechselrichters gehen und hätte so meine 3 Phasen bei 50 Hz.
-
Thread
Schnelle Stromregelung eines großen Elektromagneten
Spule schalten kann. Das kann seine Schaltung doch. Im Vergleich zur Vollbrücke sind nur die Mosfets link unten und rechts oben durch Dioden ersetzt. Er kann damit das Vorzeichen des Spulenstroms nicht umschalten, aber Strom erhöhen mit Zwischenkreisspannung und Strom reduzieren gegen die Zwischenkreisspannung
-
Thread
Was ist das für ein Bauteil und wo bekomme ich es?
Schau doch mal, ob der als Gatetreiber für MOSFETs dient.
H. H. schrieb im Beitrag #8099731: > Schau doch mal, ob der als Gatetreiber für MOSFETs dient. Hast du die Möglichkeit zu messen? Hast du ein Digitalmultimeter? Mario L. schrieb im Beitrag #8096029: > Ich habe zum Glück noch ein zweites Gerät hier, und konnte so zumindest >
-
Thread
Powerbank -> ESP8266-01 WiFi modul
die PB muß mit einer Kombination aus Lastwiderstand und NPN-Transistor (BC547 o.ä.) oder kleinem MOSFET (A03400) aktivierbar sein. Abhängig von der Stromaufnahme im 'deep sleep mode' wird der Eingangskondensator (Super-Cap 0,1 - 1 F o.ä.) für die 5 V Versorgung so bemessen, daß er für 30 Minuten die
-
Bild
Ausgedruckte Messdaten, Schaltplan und kleine Leiterplatte
0.44 Ah (~20%) 4 Wochen Pulser 0.55 Ah (~25%) R6 10k R5 100k R3** LED (C) Abzug-info.de N-Channel MOSFET R4 optional z.B. 0,08 Ohm
-
Artikel
UHF-Modulator ALPS MDLP3W104A
werden (siehe unten). Beim Autor funktioniert aktuell ein Wert von 3k3 an einem ESP8266 über einen "2-MOSFET-Levelshifter" und zeigt ausreichend Abstand zu der Low-Schaltschwelle des ESP als auch eine spezifikationsgemäße Anstiegszeit. Besonderheiten bei 3,3 V-Systemen. Wenn die Ansteuerung von einem Mikrocontroler
erfolgen soll, ist ggf. ein bidirektionaler Pegelwandler ("Levelshifter") erforderlich z.B. mit zwei MOSFETS nach AN97055 von Philips, "Bi-directional level shifter for I2C-bus and other systems". Es sollte überprüft und sichergestellt werden, dass der Low-Pegel auf der 3,3 V-Seite im zulässigen Bereich
-
Thread
Suche Hilfe: Kleines Platinenlayout (12V/20A MOSFET) für JLCPCB gegen Aufwandsentschädigung
. Ich schaffe es leider technisch nicht selbst. Es geht um eine 3-Kanal-Prioritätsschaltung mit MOSFETs für 12V und 20A Dauerstrom. Die Schaltung ist rein privat (P-Kanal-MOSFETs, zwei N-Kanal-Sperrtransistoren, 3 Widerstände und Hochstrom-Schraubklemmen). Die genaue Bauteilliste mit LCSC-Nummern und
Markus schrieb im Beitrag #8095001: > Die Schaltung ist rein privat (P-Kanal-MOSFETs, Ist ein P-Kanal MosFET ein "privater"? ;-) SCNR Zum eigentlichen Problem: Veröffentliche mal, was die Ki ausgespuckt hat, dann kann die Schaltung (wenn nötig) optimiert werden. Wenn du Glück
-
Bild
Schaltplan mit NE55 Timer und MOSFET
Lampe 3.3Ω, Q2, R2 10Ω, R5 10kΩ, R3 7.5kΩ, R1 8.5kΩ, D1, C1 5.6nF 35V, C2 10nF 35V, C3 47nF 35V, U1 5 Timer, V1 12V
-
Thread
PCF8574 Spannung?
gehen wird, zeigt ein Blick auf die Innenschaltung im Datenblatt. Das ist eine Push-Pull Stufe mit MOSFET, also ist da (mindestens) die Body-Diode des p-FET im Weg. Vermutlich auch noch die übliche Schutzbeschaltung mit Klemmdioden nach Vcc und GND. Resultat dürfte sein, daß Vcc auf ca 4.3V angehoben wird
-
Thread
TU Studie Fahrzeugvergleich Gesperrt
Du noch nicht verstanden hast, Du hast nicht verstanden dass es hier im Forum um Widerstände, Mosfets, LEDs, uCs, Programmierung, Multimeter usw. geht. Es geht nicht um irgendwelche White Papers, CO 2 Ausstoß von Autos usw. Und natürlich geht es auch nicht um Politik. Stellst du dich extra dumm?
