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Schnelle Temperaturmessung
bei Annäherung anspricht. Es gibt auch Transitoren im SOT-416 Gehäuse (1.4x0.7mm) (z.B. einige BC847 Varianten). Viel kleiner geht wohl mit einem Thermoelement auch nicht, die Messtechnik ist jedoch um einiges einfacher.
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NE555-Analysen
Herstellern. So kann man Prozesse vergleichen, und deren Entwicklung. Und dann einmal BC107, BC547, BC847, 2N3904 und MMBT3904 von ein und dem selben Hersteller (z. B. Philips oder Onsemi) aus einem identischen Produktionsjahr. Die zusammenbekommen dürfte schon schwieriger sein. Das zeigt dann die Konvergenz
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Strom- Spannungswandler im uA/nA Bereich (100nA.100uA) für uController
zu den NPN/PNP Transistoren im Logarithmierer: reichen da "Wald-und Wiesen" Typen (habe z.B. noch BC 847C SMD, BC857C SMD)? Werde morgen Nachmittag mal zum C um die Ecke radeln und OPVs kaufen. Gruß, Hans
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KiCad macht sich
Schaltplan erstelle, dann sind da erstmal Symbole drin: Transistor NPN, OPV, Diode. Ob das nun der BC847A oder B oder vielleicht der BC846 ist, oder der TL072 oder der AD820, oder die Diode in Minimelf oder SMB-Package, das steht beim Entwurf noch gar nicht fest. Das entscheide ich in der Dimensionierung. Und wenn ich merke, daß der BC847 im SOT-23 in der KSQ nicht genug Wärme abführen kann, dann wird da eben ein Typ im SOT-89 draus. Ich hab auch schon Layouts, die ursprünglich mal komplett THT waren, auf teilweise SMD umgestellt.
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RELAIS Ansteuerung ULN2003V12
von ca. 1K, liegt bei ca. 11,7 mA, bei einer Versorgungsspannung von 12 Volt. Lt. Datenblatt des BC847 liegt Vcesat bei 90 mV was bei einem Ic von 10 mA einem Basisstrom von 0,5 mA ergibt. Der erforderliche Vorwiderstand berechnet sich daher: R=U/I = 2,6 V / 0,55 mA = 4727R Der nächste verfügbare
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avr910 defekt?
Q100 getauscht gegen jungfräulichen bc857c - der Vollständigkeit halber noch Q2 getauscht gegen bc847c Hat jemand ne Idee, was ich noch probieren könnte? Kann ein Defekt im Tiny so ein Verhalten bewirken?
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Bauteilidentifikation Voltcraft FSP 12V 3/5A
auf 0,64 an, dort wird Q3 leitend und regelt ab. Siehe neue Simulation. Q3 habe ich von NPN auf BC847B geändert, weil dieser eine kleinere Ube hat. Die Funktion ist doch so einfach: der Q1-Basis wird entweder über Q2 der Saft abgezogen, wenn die Spannung zu hoch ist, oder über Q3, wenn der Strom
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Datei:Symbols ICs-Diskrete RevD3.lib
Symbols of discrete ICs for kicad. Dual transistor arrays BC847S/BC857S and suppressor diode array SR05 (Semtech) added. Author: Bernd Wiebus, GNU-GPL NO Warranty!
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistor und Relais
5V RX480E 4k7 BC847 Taster A B
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[V] SMD R, C und D Reste von Bestückung
Versandkosten: [code] Festinduktivität 100µH Taiyo Yuden LBR2012T470K, 790 Stück: 5€ Transistor BC847C, SOT23, 376 Stück: 2€ Transistor BC857C, SOT23, 331 Stück: 2€ OpAmp LPV511MGX/NOPB, SC70, 10 Stück: 2€ LED grün, 0805, LG R971-KN-1, 210 Stück: 4€ LED rot, 0805, LS R976-NR-1, 384 Stück: 6€ Diode
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Schaltplan einer Transistorschaltung
R_Last 600 Q1 BC337-40 V2 15 R1 1k Q2 BC847B R2 22 V1
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistoren und Mikrocontroller
BC847 5V 1k 10k MEGA8 5V 10K TLC7705 RESET 5V 4V857 10K 10K
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Schaltplan mit Transistoren und LED
R3 1000k BC857BT116 Q1 D2 NSPW500BS C1 1µ V1 9v Q4 BC847C R1 10 .tran 10s startup
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Schaltplan mit SIM800 Modul
IC2 SIM800, BC847, BC547, BSS130, SMF12CT16, SIM_MOLEX_91228, UBAT, RESET, TXD_SIM800, RXD_SIM800, NETLIGHT, STATUS, PCM_OUT, PCM_IN, PCM_SYNC, SCL, SDA, GPS_RF_IN
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Blockschaltbild einer elektronischen Schaltung
RX480E, Vin, D0, D1, D2, D3, 4,7 kOhm Widerstand, Basis, Emitter, Kollektor, 220 Ohm Widerstand, BC847, Anode, Kathode, 817C, Taster, B, A
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Schaltplan mit zwei Transistoren und Potentiometer
K R5 10k RV1 100k 2 3 2 Q2 BC857 1 3 R4 10k 3 Q1 BC847 3 1 R2 10k R3 3.3k A
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Schaltplan einer Transistorbeschaltung
12V, R71 110k, R73 3k, PAM IN, T71 BC847, C71 0,1uF, POT_S, R72 19,6k, R74 560, R75 560, C72 6uF, GND
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Teil einer grünen Leiterplatte auf Holzuntergrund
U+ GND OUT T1 R1 C1 J1 R3 IC1 R2 Giesomat Senso F.R.2017 T1 = BC847B C1 = 10µF IC1 = 74HC1
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Schaltplan einer Spannungsregelung
6,3 470m 1k 4,7k 470 BC807-40LT1 2SAR572D3 BZX79C4V7 BC847BLT1 BC817-40LT1 680 470 22u 50
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Schaltplan mit Transistoren und Dioden
+3.3V R20 100 D11 RD SDID Q1 BC847 R6 3k3 R15 470 D3 BZT52C7V5S Q2 BCP52 R16 6R8 GND
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Ausschnitt eines Schaltplans
R, 6, L, GND, Mic, R3, 4,7k, R2, 4,7k, C4, C1, 33uF, C2, 1M R1, T1, 1uF, BC847, T1, H4, H3
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Schaltplan und Oszilloskop-Simulation einer Optokoppler-Schaltung
4,7k 4N25 5 10k 4,7k BC847BLT1 IG1 2.00m 0.00 VF1 5.00 0.00 25u 50u 75u 100u VF2 6.00 0.00
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Schaltplan mit SPICE-Simulationstext
V1 3V R1 10k R2 5k HV Q1 BC847B LV 10k V3 Rser=30 PULSE(0 3V 0 1ns 1ns 0.5µs 1µs 5) .tran 5µs
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Leiterplatten-Layout mit Bauteilbeschriftungen
BRK SW R5 10k R1 C1 R4 47k 100k 220k 6V D1 330uF GND C+ BC 817 BC 847 Q2 Q1 R3 100k BF K L
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
V1 5V R1 3.3k Q2 BC847A R2 3.3k V2 IRF7404 M2 R3 2.2k out2 .tran 1 PULSE(0 3.3 1ns 1ns 100ms 300ms 3)
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Giesomat Sensor Leiterplatte
U+ GND OUT T1 D1 IC1 R2 C1 R3 Giesomat Sensor Rev.2 F.R.2017 T1 = BC847B C1 = 10uF 10V IC1 = 74HC140 R2 = 100R
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberstufe
3V3, 24V, R4 1k, R1 10k, D1 1N4007F, 1, 1, 2, 2, PWM_3V3, R3 1k, Q2 BC847 1G, R2 10k, Q1 IRF540S, GND
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Schaltplan und handgezeichnete Skizze einer Schaltung
kOhm Widerstand 220 Ohm Widerstand Basis Emitter Kollektor 817C Anode Kathode B A Taster 5V 220R 4k7 BC847 817C Taster A B
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Schaltplan einer Abschaltbeschaltung
VBAT, F1, 5A_EXTERNAL, Q1, XPH8R316MC, R1, 100k, D1, BZT52BB12, Q2, BC847B12, R2, 2,2k, GND, VB, POWER_KILL, C1, 47 uF, C2, 100 NF, C3, 2,2 uF, VBAT_FUSED
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Schaltplan und Oszilloskop-Messkurve
6,3 4,7k 470m BC807-40LT1 2SAR572D3 680 BC847BLT1 BZX79C4V7 470 BC817-40LT1 22u 50 Voltage (V) Time (s) 5.10 5.09 0.00 500.00u 1.00m 1.50m 2.00m
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Schaltplan und Simulationsergebnis einer Spannungsregelung
6,3 4,7k 470m BC807-40LT1 2SAR572D3 220 660 BC847BLT1 BZX79C4V7 BC817-40LT1 22u 25 Output 6.00 4.00 2.00 0.00 Time (s) 0 100u 200u 300u 400u 500u Stromaufnahme aus der Versorgung Ausgangsspannung
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Schaltplan einer Transistorschaltung
V1 5 R1 100k Q3 BC477A out1 R4 10k V2 Q2 BC847A R3 1k D1 BAT54 R7 100k R5 100k M1 PMOS R2 100k out .tran 1 PULSE(0 -0.5 1ns 1ns 100ms 300ms 3)
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Bestückungsdruck einer Leiterplatte
Giesomat Sensor Rev.2 www.ramser-elektro.at F.R.2017 Art.Nr.:001223 T1 BC847B D1 BZX84B5V6 R3 100K C1 10uF 10V R1 1K J1 ON IF NO B1,T1,R1 IC1 74HC140 R2 100R U1
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Schaltplan und Oszilloskop-Messung
6,3 470m BC807-40LT1 4,7k 470 220 2SAR572D3 BZX79C4V7 BC847BLT1 BC817-40LT1 22u 680 50 Ausgangsspannung 5.12 5.11 5.10 5.09 5.08 0.00 500.00u 1.00m 1.50m 2.00m Time (s)
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mosfet LED treiber
statt der uf4001 als smd version nehmen? als transistor habe ich eine dual npn-pnp version gefunden (bc847). nur welche diode weiß ich nicht. vielen dank
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HiFi Alternative für BC237, BC107 gesucht
oder der Early-Effekt eines 2N3055. Sowas klappt nur mit echten NOS-Bauteilen. Die SMD-Variante BC847 gibt es auch als Doppeltransistor. Die beiden Systeme sind dann nicht explizit gematcht (wie bei einem MAT02 oder LM394), aber da sie auf dem Wafer direkt nebeneinander gesessen haben, sind ihre Eigenschaften
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NPN Transistor durch N-MOSFET ersetzen?
Der Trend ist aber nicht besonders Bastlerfreundlich: https://www.diodes.com/datasheet/download/BC847BLP4Q.pdf
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Ausschnitt eines Schaltplans mit ATmega-Mikrocontroller
PB7/TOS 19 ADC6 22 ADC7 +5V 20 AREF 18 AVCC C5 100n 3 GND 5 GND 21 GND ATMega BZ1 G TR-1205Y VT1 BC847 R4 1k R3 10k C2 100n 3V Bat1 radiokot.ru
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P-Mosfet, Plus schalten mit 3.3V
NPN, hatten eine Basis (kein Gate) und brauchten etwas Strom. Anstatt des N-Kanal einen BC547, BC847, BC107, BC238, BCY59, 2N2222 oder sonstwas rein und Ruhe ist. Der 10kOhm GS wird verschoben, kommt in Reihe zur Basis. Wie schon anderweitig gesagt wurde: Der P-Kanal-FET ist relativ unkritisch,
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Schaltplan einer Schaltung mit Spannungsregler und Transistoren
GND NC NC +5V C1 47µF R1 68 D1 BAV99 D2 BAV99 T1 BC857BS R7 22 R6 4,7k µC_Pinxx D3 5,6V R3 820 T2 BC847B R4 820 R5 10k T3 BCP56-16 R2 33 µC_Pin24 J K
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Schaltplan einer LED-Sequenzschaltung mit CD4017B und NE555
THR, V+, NE555DR, C1, C2, 10n, 100n, R20, R16, 4.7Meg, R17, Q5, BC857B, 10k, R13, SENS, Q1 bis Q4, BC847B, R1 bis R4, 10k
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Schaltplan einer Batteriezell-Überwachungsschaltung
Cell2, Cell3, X0, X1, X3, Y0, Y1, Y2, Y3, A, B, X, Y, INH, VDD, VSS, GND, OpAmpON, R202 10k, Q202 BC847, Si2319CDS, Q201, +BATT, C202 100n, GND, R203 1Meg, R204 270k, GND, U202 OPA196xD, R206 1Meg, R207 270k, VCell, R205 10k, C203 100n, MuxON, VEE
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SPICE-Schaltplan einer Diodenkette mit Transistor
D2 0402_15404085BA470 D1 0402_15404085BA470 D7 0402_15404085BA470 D6 0402_15404085BA470 {VSS} Q1 BC847A R2 {POTI} V1 PULSE(0 5 .1 1m .1 1 1) R1 38 .step param POTI 10k 50k 10k .step param VSS 14 15 .1 .tran 0 .3 0
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Schaltplan und Oszilloskop-Simulation eines Blinkers
0.0V 0s 2s 4s 6s 8s 10s 12s 14s 16s 18s Tiny_Flasher.asc R2 470 D1 D2 D3 D R1 1000k Q2 BC857B OUT Q1 BC847B V1 9 C1 470n .tran 0 20 0 0.1
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Schaltplan und Simulationsergebnis einer PWM-Steuerung
20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 100ms 110ms PWM V1 1N4148 R2 1k C1 0.22µ R1 100k R6 22k Q1 BC847B R3 4.7k R4 6.8k M1 AOD4185 V2 12V LOAD R5 24 .tran 120ms
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LTspice Simulation Schaltplan und Oszilloskop-Wellenform
8.19s 8.22s 8.25s 8.28s 8.31s 8.34s V(n002) Draft3.asc R3 1000k D1 D BC547 BT116 Q1 V1 9v C1 2.2u Q4 BC847C .tran 10s startup
