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ina125.pdf
0.10 a B 4 u I 0.05 n 2 OS I 0 0 –75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 –75 –50 –25 0 25 50 75 100 125 Temperature (°C) Temperature (°C) ® 6 INA125 TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONT) At T = +25°C and V = ±15V, unless otherwise
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RT9080-33GJ5_esp32_8622_low_quiescent_600mA.pdf
) TA=25°C μ 350 TA=25°C μ 600 TA=−40°C t TA=−40°C t n 300 n 500 r 250 r u u 400 C 200 C D D 300 G 150 N G 200 100 100 50 VIN= 2.2V, OUT= 0.8V VIN= 4.3V, OUT= 3.3V 0 0 1 10 100 1000 1 10 100 1000 Load Current
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MC34063A-D.pdf
Saturation Voltage versus Collector Current V E 400 3.6 A L 380 3.2 V VCC = 5.0 V E 360 chg= Idischg A2.8 N 340 ( E N2.4 I 320 R I R2.0 L 300 C1.6 N 280 L R P1.2 U 260 U C T 1.0 nF , ,0.8 Pin 7 = CC e 240 C Pin 2 = Gnd e 220 I0.4 ( I 200 0 V -55 -25 0 25 50 75 100 125 0 5.0 10 15 20 25 30 35 40 TA, AMBIENT
in „T6963C Versorgungspannung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FDW2501NZ.pdf
Characteristics (Note 2) d(on) Turn–On Delay Time V DD= 10 V, ID= 1 A, 10 20 ns t Turn–On Rise Time V GS= 4.5 V, R GEN= 6 Ω 14 25 ns r d(off) Turn–Off Delay Time 25 40 ns f Turn–Off Fall Time 8 16 ns Qg Total Gate Charge V DS= 10 V, D = 5.5 A, 12 17 nC Qgs Gate–Source Charge V GS= 4.5 V 2.6 nC Qgd Gate–Drain
in „N-Fet leitet auch bei 0v Gate-Spannung?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lm258.pdf
LM258 5 LM158A 2 T ≤ T ≤ T . 4 9 min. amb max LM158, LM258 7 Iio Input Offset Current nA Tamb= 25 C 2 10 2 30 Tmin. Tamb ≤ Tmax. 30 40 Iib Input Bias Cuorent - (note 4) nA Tamb= 25 C 20 50 20 150 Tmin. Tamb ≤ Tmax. 100 200 Avd Large Signal Voltage Gain V/mV (VCC = +15V, o L 2k , V O 1.4V to 11.4V) Tamb= 25 C 50 100 50 100 Tmin. Tamb ≤ Tmax. 25 25 SVR Supp+y Voltage Rejection Ratio (S= 10k ) dB (VCC = 5 to o0V) Tamb= 25 C 65 100 65 100 Tmin. Tamb ≤ Tmax. 65 65 CC Supply Current, all
in „Audio-Signal-Erkennung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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2233_1_.pdf
tON — 2 — R = 1.9 kΩ (Fig.1) Storage time s VL = 5 V, I = 16 mA — 15 — µs CC F Turn off time OFF — 25 — Fig.1 : SWITCHING TIME TEST CIRCUIT I F F VCC S R L V CC V CE 4.5V VCE 0.5V t tON OFF 5 2002-09-25 TLP521−1,TLP521−2,TLP521−4 TLP521-2 TLP521-1 IF– Ta TLP521-4 IF– Ta 100 100 t 80 t 80 n n r r c c
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IRLIZ44N_IR.pdf
10V 10V ) 6.0V ) 8.0V ( 4.0V ( 4.0V n BOTTOM 2.5VV n 3.0V r e BOTTOM 2.5V u 100 u 100 C C c e u r o o - - - t i 10 i 10 r r 2.5V D D , 2.5V , ID ID 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH 1 TJ= 25°C A 1 TJ= 175°C 0.1 1 10 100 A 0.1
in „Toggle Schaltung mit NE555 schaltet ein, aber nicht aus“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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UA702-Fairchild.pdf
Offset Current 400 1500 2BO. 1500 nA T A - - 5 5 C Average Temperature Coefficient TA - 25 C to +125°C 1.0 5.!) 0.7 4.0 nA/oC of Input Offset Current TA 25 e to 55 C 3.0 16 2.0 13 nA/oC Input Bias Current TA - -55°C 4.3 10 2.6 7.5 p.A
in „OPV mit nicht ganz symmetrischer Versorgung?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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UA702-Fairchild.pdf
Offset Current 400 1500 2BO. 1500 nA T A - - 5 5 C Average Temperature Coefficient TA - 25 C to +125°C 1.0 5.!) 0.7 4.0 nA/oC of Input Offset Current TA 25 e to 55 C 3.0 16 2.0 13 nA/oC Input Bias Current TA - -55°C 4.3 10 2.6 7.5 p.A
in „µA702 - Der Urahne in der Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datasheet.pdf
39 www.powerint.com Rev. F 01/09 TOP252-262 Typical Performance Characteristics (cont.) 1.1 0 1.2 4 0 0 6 5 ) I ) 1.0 I e C P y o P g o c 5 l 2 e 2 0.8 o o u t V t e n e1.0 r e 0.6 o i t i d a u a a m t m 0.4 r o u o B N O N ( ( 0.2 0 0.9 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
in „Verzweifelt: Wie Widerstände und Kapazitäten eines Sperrwandler IC´s auslegen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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CA723-Intersil.pdf
T VOLTAGE (VREF) 1.0 - ) 1 C 1 A LOAD CIRCUIT (L ) = 0 ) = O = T = m ( ) ( )IO ) T 5 0.8 ( E ( P C N A E A E T R E T R T G U ( R 4 O T O T C C U V.6 A V L I N C AMBIENT TEMPERATURE (T A = -55 C T R T V C A N 3 P P P T R I E 25 C 0.4 M T U O S S O T U N H E I 2 T O I S R U 0.2 N Q 125 C oC I 1 5 oC M
in „Datenblatt suchen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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APT34F100B2_L_D-1593638.pdf
herein. 2 8 0 0 APT34F100B2_L 100 35 VGS= 10V TJ= 125°C 30 80 V = 6, 7, 8 & 9V ) ) GS ( T = -55°C ( 25 T J T N N R 60 R 20 R R U U C TJ= 25°C C 15 I 40 A 5V R R D D ,D ,D 10 I 20 I T = 125°C J 5 4.5V TJ= 150°C 00 5 10 15 20 25 30 00 5 10 15 20 25 30 VDS(ON), DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V) V DS, DRAIN-TO-SOURCE
in „SMA SB4200TL-MS Reparatur“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ASSR-1611-High-Current-1-Form-A-Solid-State-Relay-MOSFET-60V25A01____-.pdf
Figure10. TypicalRon(AC/DCConnection)vsTemperature 50 5 Ω m 40 m 4 E F = 5mA and 10mA E TA=25˚C N I S 30 T 3 E O - N O 20 T 2 C - N 10 TO R 1 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 0 0 5 10 15 20 TA-TEMPERATURE-˚C IF(ON)INPUTCURRENT-mA Figure11. TypicalRon(DCConnection)vsTemperature Figure12. TypicalTurnOnTimevsInputCurrent 8 5 100 s 4 - μ80 E IF=5mA E T 3 I TA=25˚C O N60 N N U 2 U40 -N - TO O 1 I =10mA T20 F 0 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 0 5 10 15 20 T -TEMPERATURE-˚C I -INPUTCURRENT-mA A F(ON) Figure13. TypicalTurnOnTimevsAmbientTemperature
in „Bidirektionaler DC-Schalter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRFB3006_IR.pdf
––– 63 ––– nC T = 25°C di/dt = 100A/μs rr J ––– 77 ––– TJ= 125°C IRRM Reverse Recovery Current ––– 2.4 ––– A TJ= 25°C ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
in „Motor PWM Steuerung, Mosfet Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FDB8832_Logic__N__Temp_ok_.pdf
4 E C1.6 PULSE DURATION=80µs A PULSE DURATION = 8µs E ) DUTYCYCLE=0.5%MAX T DUTY CYCLE = 0.5%MAX R Ω I1.4 U ( 3 T = 175 C E O E J D - S C Z N1.2 T N L O N T 2 A C A I R R R E O O1.0 , R T = 25 C N S o
in „Mini-heizung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DTC114.pdf
) Figure 1. Derating Curve Figure 2. V versus I CE(sat) C 1000 4 ) E V CE= 10 V f = 1 MHz L A T = 75⋅C E = 0 V R A F 3 TA= 25⋅C N 25⋅C ( ( –25⋅C E A N G 100 I 2 N A R P R C C b C C 1 , F h 10 0 1 10 100 0 10 20 30 40 50 I, COLLECTOR CURRENT (mA) V , REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS) C R Figure 4. Output Capacitance Figure 3. DC Current Gain 100 10 25⋅C T = –25⋅C 75⋅C VO= 0.2 V A A 10 TA= –25⋅C S 25⋅C ( L N V 75⋅C R 1 E R G C L 1 R O T 0.1 T E P L I C ,i , 0.01 V IC VO= 5 V 0.001 0.1 0 1 2 3
in „Transistor mit Vorwiderstand (Digitaltransistor) in TO92 gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ds.pdf
= 25 ℃ 6 V V = 10 V 5.5 V DS 10 V ) T j 25 ℃ A 10 ) 15 8 V n ( r n u e c u i 1 c 10 r i D r ID D 5 V 0.1 ,D I 5 0.01 V GS4.5 V 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 V , Drain-source voltage (V) V , Gate-source
in „Ersatz für MOSFET OSG80R250F gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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top_xapp250.v
SW3 (.I(dip_switches[3]), .O(dipsw[3])); // synthesis attribute LOC of SW3 is AB4; IBUF_LVCMOS25 SW4 (.I(dip_switches[4]), .O(dipsw[4])); // synthesis attribute LOC of SW4 is AC1; IBUF_LVCMOS25 SW5 (.I(dip_switches[5]), .O(dipsw[5])); // synthesis attribute LOC of SW5 is AC2; IBUF_LVCMOS25
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MOSFET-FCPF20N60.pdf
V ] 0 ] 6.5 V [ N [ 1 6.0 V t t 10 Bottom :5.5 V e 1 150°C 6 e u 10 0 r C C i 25°C 6 i r 0 r D -55°C 0 D , V ,D100 ID 100 I Notes : Note N 1. 25µs Pulse Test 1. DS= 40V - 2. C = °C 2. 250 Pulse Test C h 2 4 6 8 10 10-
in „Berechnen Irr von MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irfh4210d_pbf.pdf
FastIRFET™ IRFH4210DPbF ® HEXFET Power MOSFET V DSS 25 V R DS(on)ax 1.10 (@ V GS= 10V) m (@ V = 4.5V) 1.35 GS Qg (typical) 37.0 nC D (@T = 25°C) 100 A PQFN 5X6 mm C (Bottom) Applications Synchronous Rectifier MOSFET for Synchronous Buck Converters
in „Akkubohrschrauber 10,8V von Makita und Metabo“ · Mechanik, Gehäuse, Werkzeug ·
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High_Performance_EMI_Filter.pdf
Resistance Input/Output Weight @ 40°C (25°C) @ 230VAC/50Hz L L1 Cx Cy R connections [A] [mA] [mH] [µH] [µF] [nF] [kΩ] [g] FN 2080-1-.. 1 (1.2) 0.734 22 490 0.33 4.7 1000 -06 -07 200 FN 2080-3-.. 3 (3.5) 0.734 9.8 160 0.47 4.7 470 -06 -07 270
in „Netzstörungen filtern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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High_Performance_EMI_Filter.pdf
Resistance Input/Output Weight @ 40°C (25°C) @ 230VAC/50Hz L L1 Cx Cy R connections [A] [mA] [mH] [µH] [µF] [nF] [kΩ] [g] FN 2080-1-.. 1 (1.2) 0.734 22 490 0.33 4.7 1000 -06 -07 200 FN 2080-3-.. 3 (3.5) 0.734 9.8 160 0.47 4.7 470 -06 -07 270
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IRF7401_IR.pdf
D S 3.1 (Body Diode) showing the I Pulsed Source Current A integral reverse G SM 35 (Body Diode) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage 1.0 V T = 25°C, I = 2.0A, V = 0V SD J S GS rr Reverse Recovery Time 39 59 ns TJ= 25°C, F = 4.1A Q Reverse RecoveryCharge 42 63 nC di/dt = 100A/µs rr on Forward
in „IRF7401 - Rds(On)?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AON6500.pdf
(Note E) 2.0 1.6 c n VGS10V 1.5 t 1.4 I =20A ) VGS4.5V s D e ( - ) 1.0 n 1.2 ( d D e R l a VGS4.5V 0.5 V =10V r 1 ID=20A GS N 0.0 0.8 0 5 10 15 20 25 30 0 25 50 75 100 125 150 175 D (A) Temperature (°C) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage (Note E) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature (Note E) 2 1.00E+02 ID=20A 1.00E+01 1.5 125°C 1.00E+00 125°C ) )1.00E-01 ( ( 25°C N 1 IS S 1.00E-02 D R 0.5 25°C 1.00E-03 1.00E-04 0 1.00E-05 2 4 6 8 10 0 0.2
in „Unbekanntes Bauteil?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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rgpr30bm40-e.pdf
Curves Fig.1 Typical Output Characteristics Fig.2 Typical Output Characteristics 30 30 T= -40ºC T= 25ºC j j VGE 10V V GE10V ] 25 VGE 4V ] 25 A VGE 8V [ V GE8V C C V GE4V : 20 V GE5V : 20 VGE 5V n n e VGE 4.5V e VGE 4.5V u 15 u 15 C V GE3.5V C V GE3.5V o o c c l 10 l 10 o o C C 5 5 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1
in „Transistorzündung für Moped mit LL-Mosfet/ -IGBT (Einstiegsprojekt)“ · Fahrzeugelektronik ·
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RequiresAcrobat6-5.pdf
dt ≤ 180A/µs, ≤ V , SD DD (BR)DSS max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ≤ 175°C Starting J = 25°C, L = 1.9mH Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2% R G 25 , IAS = 18A. (See Figure 12) . IRL540N 1000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V 8.0V 8.0V 6.0V 6.0V 4.0V 4.0V 3.0V 3.0V A BOTTOM 2.5V A BOTTOM
in „Power Mosfet Hexfet wie ansteuern ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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atenblattrehspulnterserie_085420-16042019.pdf
4000 150 mV 250 A 1300 400 mV 400 A 1100 600 mV 600 A 380 1 V 1 mA 70 1,5 V 1,5 mA 30 2,5 V 2,5 mA 13 4 V 4 mA 11 6 V 6 mA 5,5 10 V 10 mA 3 15 V 1000 /V 15 mA 2,8 25 V 20 mA 2,3 40 V 25-600 mA 60 mV 60 V 1 A• 60 mV 100 V • Nebenwiderstand 1,5 A• 60 mV 150 V auf Gehäuserückseite aufgebaut2,5 A• 60 mV 250
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2N3904.pdf
1mA Fall time tf - - 50 ns V CC = 3V , IC = 10mA , I B1= −I B2= 1mA UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904 Transistors ! Electricalcharacteristiccurves 10 ) 40 t Ta=25°C Ta=25°C E C /B=10 A 35 V m E0.3 C 8 A : 30 L T O N V R 6 25 I R A0.2 U 20 R C T R 4 15 S O R C T E 10 I0.1 L 2 E O 5.0 R C T B=0µA E
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lt1208.pdf
Current vs Input Open-Loop Gain vs Resistive Load Common-Mode Voltage Resistive Load 30 5.0 100 T = 25°C VS= ±15V TA= 25°C ) AV = 30mV TA = 25°C - 25 OS ) I ++ I– 90 VP A 4.5 IB= B B ) G ( 2 d I 20 N ( W VS= ±15V R A 80 VS= ±15V E U G A 15 C 4.0 O L I L V B N 70 V S ±5V T 10 U P P N 3.5 O U VS= ±5V I
in „Operations verstärker als Komparator verschlechterung der Slewrate?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MUX_IC_CD74HC4051E.pdf
PARAMETER TEST CONDITIONS TYPES (V) (V) HCT UNITS Crosstalk Between any Two Switches (Note 10) See Figure 4 4051 N/A dB (Notes 8, 9) 4052 -2.25 2.25 (TBE) dB 4053 (TBE) dB 4051 N/A dB 4052 -4.5 4.5 (TBE) dB 4053 (TBE) dB Sinewave Distortion See Figure 5 All -2.25 2.25 0.035 % All -4.5 4.5 0.018 % E or S to
in „Arduino I2C Probleme Sonsoren werden manchmal nicht gefunden“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM2575TADJ.PDF
= 200 mA E 0.4 Load= 200 mA E 0.8 TJ= 25⋅C N Normalized at N H TJ= 25⋅C H C 0.2 C 0.6 3.3 V, 5.0 V and Adj G G T T O 0 O 0.4 V V U U T -0.2 T 0.2 U U ,t-0.4 ,t 0 12 V and 15 V o o V V -0.6 -0.2 -50 -25 0 25 50 75 100
in „3W Luxeon Led energiesparend dimmen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfp260n.pdf
limited by SD ≤ 28A, di/dt ≤ 486A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction temperature. TJ≤ 175°C Starting J = 25°C, L = 1.5mH Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. R = 25 , I = 28A. G AS 2 www.irf.com IRFP260N 1000 1000 VGS TOP 15V ) TOP 10V ) 10V ( 8.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V e 5.5V e100 5.5V u00 BOTTOM4.5VV u BOTTOM4.5V
in „Strom bei 50 A begrenzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LENOVO_THINKPAD_YOGA_900-13ISK_LCFC_NM-A411_BYG40_Rev1.0.pdf
_25V7K AP2191DFMG-7_SON6_2X1D8 8 7 6 5 4 3 2 9 P R86 P C95 P C96 PU4 2 2 2 2 2 2 2 2 CHRG_GND 2 2 CHRG_GND 47K_0402_1% 0.1U_0402_25V6 0.1U_0402_25V6 C E E S N V D D V A R T E D G P 1 CHRG_GND CHRG_GND H
in „Notebook Leistungsteil reparatur“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ucc3806.pdf
Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) UCC3806J ACTIVE CDIP J 16 1 TBD A42 N / A for Pkg Type UCC3806N ACTIVE PDIP N 16 25 Green (RoHS & CU NIPDAU N / A for Pkg Type no Sb/Br) UCC3806NG4 ACTIVE PDIP N 16 25 Green (RoHS & CU NIPDAU N / A for Pkg Type no Sb/Br) UCC3806PW ACTIVE
in „$40 GDI inverter, neuerdings qualitätsprobleme?“ · Haus & Smart Home ·
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Gath_-_Triacs_und_Diacs_in_Theorie_und_Praxis.pdf
-8 100±10 1... 15 150 TAG 96-600 4 8 4E200-828 200±20 11... 15 150 TAG 97-600 4 9 4E200-28 200±20 14...45 150 TAG 98-600 4 9 TAG 205-600 2,5 2 4Ex580 15...10 8 150 Z) TAG 206-600 2,5 2 4Ex581 25...35 8 150 H 4Ex582 35...45 8 150 1N5158
in „hysteresefreie Phasenanschnittsteuerung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DOKUMENTATION_MSP430-F2013.pdf
otherwise noted) (continued) typical characteristics - active mode supply current (into V ) CC 5.0 4.0 4.0 fDCO = 16 MHz A A TA= 85 C m m 3.0 - t TA= 25 C n n e 3.0 r u u C e 2.0 VCC = 3 V d DCO = 12 MHz d o M M 2.0 e TA= 85 C i t c c TA= 25 C A A 1.0 1.0 fDCO = 8 MHz fDCO = 1 MHz VCC = 2.2 V 0.0
in „MSP430 2013 XOUT/XIN ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlz34npbf.pdf
V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.0 e ▯D = 27A n ) t ( i 2.5 t e e 100 R r TJ= 25°C n u O 2.0 C TJ= 175°C c d c u z u 10 o l 1.5 o - m - - o t i N n r ( 1.0 a D r 1 , , n D ( 0.5 I V = 25V D DS R 0.1 20µs PULSE WIDTH▯ 0.0 V GS = 10V▯ A 2 3 4 5 6 7
in „MOSFET defekt (evtl. durch Ohmmeter)?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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HAMEG_HM1507-3_150MHZ_Oszilloskop_-_Service_Manual.pdf
' am . sam a v 9” saw _N MWI ß § N'ø5 ' I fl mv azsvu esev 2 4e_,_ _ _.›, 25ı 5 å :amva °=45 u›Nısua _ a mumsäl a m a " _ _, '74_,.,6., N ê .0 † .W Emz3mc2N451W IE0 047 HSH! VSGV8 = K 08474] R41-4ER.«_A R43íR435 I4410fi m 4e_
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LF33.pdf
PENTAWATT MODE) OUTPUT CURRENT UP TO500 mA LOGIC-CONTROLLEDELECTRONIC SHUTDOWN OUTPUT VOLTAGESOF 1.25;1.5; 1.8;2.5; 2.7;3; 3.3; 3.5;4; 4.5; 4.7; 5; 5.2; 5.5;6; 8; 8.5; 9;12V INTERNALCURRENT AND THERMAL LIMIT ONLY2.2 F FORSTABILITY TO-220 ISOWATT220 AVAILABLEIN 〉 1%oAB) OR 〉 2%(C) SELECTIONAT 25 C SUPPLYVOLTAGEREJECTION
in „LF33 oder TS2950 CT33“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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STM.pdf
PENTAWATT MODE) OUTPUT CURRENT UP TO500 mA LOGIC-CONTROLLEDELECTRONIC SHUTDOWN OUTPUT VOLTAGESOF 1.25;1.5; 1.8;2.5; 2.7;3; 3.3; 3.5;4; 4.5; 4.7; 5; 5.2; 5.5;6; 8; 8.5; 9;12V INTERNALCURRENT AND THERMAL LIMIT ONLY2.2 F FORSTABILITY TO-220 ISOWATT220 AVAILABLEIN 〉 1%oAB) OR 〉 2%(C) SELECTIONAT 25 C SUPPLYVOLTAGEREJECTION
in „Spannungsregler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ADXL330.pdf
(1.8V to 3.6V) 16 NC No Connect Rev. A | Page 5 of 16 ADXL330 TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS N > 1000 for all typical performance plots, unless otherwise noted. 35 16 30 14 12 N 25 N O O T T 10 A 20 A U U P P 8 O O P 15 P O O 6 % 10 % 4 5 3 2 6 - - 6 6 0 0 0 0 1.42 1.44 1.46 1.48 1.50 1.52 1.54
in „Lagebestimmung mit Beschleunigssensor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LUW_T6SG_-_TOPLED-473049.pdf
+ 6N 0.5 580 0.32 590 5Q 0.4 600 0.31 5P E 610 0.30 5N 620 0.3 490 630 0.29 4N 0.28 0.2 480 0.27 470 0.26 4Q 0.1 460 450 0.25 4P 0 0.24 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 0.23 Cx 0.22 0.21 0.20 5 6 7 8
in „Vorwiderstand“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MC34063A-D.pdf
Saturation Voltage versus Collector Current V E 400 3.6 A L 380 3.2 O VCC = 5.0 V E 360 chg= Idischg A 2.8 N 340 ( E N 2.4 I 320 R I R 2.0 L 300 C 1.6 N 280 L R P 1.2 U 260 U C T 1.0 nF , , 0.8 Pin 7 = CC e 240 C Pin 2 = GND e 220 I 0.4 ( I 200 0 V −55 −25 0 25 50 75 100 125 0 5.0 10 15 20 25 30 35 40 TA, AMBIENT
in „Schaltregler MC34063 - Wie berechnet man CT?!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MC34063A-D.pdf
Saturation Voltage versus Collector Current V E 400 3.6 A L 380 3.2 O VCC = 5.0 V E 360 chg= Idischg A 2.8 N 340 ( E N 2.4 I 320 R I R 2.0 L 300 C 1.6 N 280 L R P 1.2 U 260 U C T 1.0 nF , , 0.8 Pin 7 = CC e 240 C Pin 2 = GND e 220 I 0.4 ( I 200 0 V −55 −25 0 25 50 75 100 125 0 5.0 10 15 20 25 30 35 40 TA, AMBIENT
in „5 Volt aus 3,6 Volt mit 34063“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MC34063A-D.pdf
Saturation Voltage versus Collector Current V E 400 3.6 A L 380 3.2 O VCC = 5.0 V E 360 chg= Idischg A 2.8 N 340 ( E N 2.4 I 320 R I R 2.0 L 300 C 1.6 N 280 L R P 1.2 U 260 U C T 1.0 nF , , 0.8 Pin 7 = CC e 240 C Pin 2 = GND e 220 I 0.4 ( I 200 0 V −55 −25 0 25 50 75 100 125 0 5.0 10 15 20 25 30 35 40 TA, AMBIENT
in „MC34063 Strombegrenzung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon-IRLML2502-DataSheet-v01_01-EN.pdf
100 VGS VGS TOP 5.00V TOP 5.00V ) 4.50V ) 4.50V ( 3.00V ( 3.00V n 2.70V n 2.70V r BOTTOM2.25VV r BOTTOM2.25VV u u C C c 2.25V c u u 2.25V S 10 S 10 o o - - a a r r , , D D I I 20μs PULSE WIDTH 20μs PULSE WIDTH T = 25 C T = 150 C 1 J 1
in „Hilfe bei Bauteilidentifizierung erbeten (MOSFET, SOT23)“ · Offtopic ·
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IRLML2502.pdf
100 VGS VGS TOP 5.00V TOP 5.00V ) 4.50V ) 4.50V ( 3.00V ( 3.00V n 2.70V n 2.70V r BOTTOM2.25VV r BOTTOM2.25VV u u C C c 2.25V c u u 2.25V S 10 S 10 o o - - a a r r , , D D I I 20μs PULSE WIDTH 20μs PULSE WIDTH T = 25 C T = 150 C 1 J 1
in „Umsetzung eines 5V Output mit ESP32 und AQY Halbleiterrelais“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MCP4151.pdf
220 4 ) n ) 0.1 b n ) b t s180 L t 180 L i h 0 r i h r e (140 o e (40 2 o R RW E r RW E e 100 -0.1 e 100 i 125°C i 0 W 60 85°C -0.2 W 60 -40°C -40°C 25°C 125°C 85°C25°C DNL 20 -0.3 20 -2 0 32 64 96 128 160
in „Frage zum MCP4151 SPI Digital Poti?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl2203npbf.pdf
. Package limitation current is 75A. 2 www.irf.com IRL2203NPbF 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V ) 4.5V A 4.5V ( 3.5V t 3.5V n 3.3V n 3.3V r BOTTOM2.7V r BOTTOM2.7V u100 u100 C C c r u u S S 2.7V o o - n a 10 a 10 r 2.7V D , , D ID I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = 25 C TJ= 175 C 1 J 1 0.1 1 10
in „IRL2203N defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P-MOSFETsi3445dv.pdf
Current Capacitance 5 1.50 V = 4 V DS V = 4.5 V V ID= 5.6 A I G= 5.6 A ( 4 D g c l n V s ) 1.25 e 3 s d r R i o n a - O r - 2 ) o t ( ( G S 1.00 - R S VG 1 0 0.75 0 4 8 12 16 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 Q g Total Gate Charge (nC
in „richtiger n-Kanal MOSFET, 3,3V soll 5V und 100mA schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·