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Erzeugung von Vcc für Komparator bei Stromeingang
, wann der FET schalten soll wird über einen Spannungsteiler und Vcc erzeugt. Die Vcc Spannung für den Komparator soll jedoch auch "intern" erzeugt werden. Meine Idee wäre nun, mittels LDO eine fixe Spannung
Alexander Z. schrieb im Beitrag #7443260: > . Der M1 soll der FET sein? Nein, ein 1 MegaOhm Widerstand, der die Hysterese bestimmt. Der FET M1 hängt nicht gezeichnet rechts am Ausgang.
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Netzteil für Peltier-Element
Welcher Mosfet würde dann in Frage kommen, um mit meinem 3,3V die 230V/10A zu schalten?
. Dietrich hat ja schon das Wesentliche dazu gesagt. Da Du aber wohl sehr niederfrequent schalten willst: ein einfacher Levelshifter (= ein BC5xx Transistor + 2 Widerstände) der die 3.3V auf 15 V (aus dem Meanwell umsetzt) -- und schon geht es mit einem "non-logic level FET" (den du vermutlich
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ESP32 3.3V Logik Level Mosfet
Die Platine ist für den Arduino Bereich und soll mit TO92 oder TO220 bestückt werden. Momentan schalte ich das Display mit einem Schalter gegen GND ein und aus. Es funktioniert zwar auch über einen BC547 aber ich hab keine Ahnung wieviel das Display unter Vollast zieht. Ich habe die Forumssuche bemüht
habe ich gemessen, siehe mein zweites Post. Was ist denn mit dem BC638 damit kann ich doch VCC schalten?
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Active Clamp 400 W Flyback Converter
, sodass es annähernd verlustfrei arbeitet bzw. Verluste nur noch durch das Schalten und im Übertrager und dahinter entstehen. Ist das soweit im wesentlichen korrekt? Wenn man das ganze falsch ansteuert gibt's eine Spannungsspitze durch die Spulen und man kann einen neuen FET nehmen
ohmische Verluste in den Wicklungen und Transistoren sowie Umschaltverluste in den Transistoren. Bei FETs ist es bei hohen Strömen sehr sinnvoll, mindestens zwei parallel zu schalten, denn das halbiert den ohmischen Widerstand und halbiert die Verlustleistung an dieser Stelle, jeder der beiden FETs bekommt
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Lasttrennung zwischen USB +5V und externen +5V. MOSFET
Clemens L. schrieb im Beitrag #7436728: > Zwei FETs hintereinander Hallo Clemens, Wenn ich jetzt noch ein P-Channel in umgedrehter Richtung dahinter schalte, wie schaut das dann mit der Ansteuerung aus? Das Gate muss ja negativer sein als Vgs(
Clemens L. schrieb im Beitrag #7436831: > Nein. Die Source beider FETs verbinden, und die Gates normal ansteuern. So wie auf dem angehängten Bild eingezeichnet? An sich bin ich mit der Lösung mit den FETs nicht mehr interessiert da der TPS Baustein für mein Problem
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Hilfe bei JFET Impedanzwandler
Vorstufe, sollte der Gatewiderstand 1M groß sein. Jetzt hast du den perfekten Impedanzwandler mit Fet.
gewünschte > Verstärkung am Ende exakt auf 1 einstellen. Aber nicht an 50 Ohm. Dazu müsste der FET eine Steilheit von mehr als 20mA/V haben, aber der 2N4416 hat nur max. 7,5mS. Selbst der BF246 kommt da nicht ran, aber man kann zwei oder drei parallel schalten. P.S.: Ausserdem ist es evtl nicht
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NRF24L01 RF-Front-End Datenblatt Verständnis - dBm Begrenzung
möglich ist doch war dies mein ursprünglicher Plan. Für ein Auto Ack müsste man jedoch 3 Pins mit FETs schalten, das würde etwa 10ns zum Umschalten benötigen, ich denke also dass selbst dies kein Problem darstellt. Vielleicht sind hier aber auch 10ns zu viel, da bin ich zu unerfahren. Der SKY66114
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Unerwünschter Peak beim Ausschalten eines Kleinsignal-MOSFET
die Werte, die ganz unten in Datenblatt stehen. VDD ≈25V, VGS=10V, ID=1A Nur um zu sehen, wie der FET sich dann verhält. Kannst du ja außerhalb deiner Schaltung aufbauen und einzeln testen. Auch wenn du gar nicht so schnell schalten willst, wie der FET das unter den Daten können sollte, so kannst
Frank O. schrieb im Beitrag #7432290: > VDD ≈25V, VGS=10V, ID=1A > Nur um zu sehen, wie der FET sich dann verhält. kann ich mal machen. Allerdings sollte laut Datenblatt bei VGS = 5V und VDS = 0.5V schon ordentlich was gehen - jedenfalls deutlich mehr, als Strom durch den Spannungsteiler fliesst
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Neue Bauteile: Hitzeresistente Leuchtdioden, I3C-Sensoren und vieles andere mehr
png) Bildquelle: Broadcom. ### Diodes Incorporated PSMUX136 Wer hochfrequente Signale zu schalten hat, greift nur allzu gern zu verschiedenen elektromechanischen Bauteilen. Mit der in Hunderterstückzahlen um rund 60 Eurocent erhältlichen PSMUX136 bietet Diodes Incorporated nun eine „Alternative
Belastungen unterliegen, dürfte bekannt sein. Mit der NCV8415-Familie schickt On Semi nun eine Serie von Fets in seinen, die - wie in der Abbildung gezeigt - verschiedene „Absicherungen“ direkt auf dem Chip mitbringen.  Bildquelle: OnSemi. ### PEM: SMD-„Schraubkopf“
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Strommessung im µA-mA Bereich - Automatischen Umschalten, Ansätze, Fragen
eins ist das Zusammenführen beider Adapter bzw. deren Funktionen zu einem. Zusätzlich zu einem Schalter um zwischen Bootloader- und normalem Flashen zu wechseln, soll ich die Spannung ebenso bequem per Schalter wechseln können (3.3V und 5V). Dazu ein eigener Verbindungsstandard mit eigener Zange und
Zusatzwissen aufeinmal voraus, was ich nicht besitze. Einige Ansätze, über die ich gelesen habe: 1) Schalten des Messbereiches über einen µC: Geht das Messen, Erkennen der Umschaltnotwendigkeit plus das Umschalten denn überhaupt schnell genug? 2) Beide Shunt-Widerstände parallel schalten, den kleineren
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Lineares Netzteil
parallelen FETs über einen Operationsverstärker auf gleichen Stromfluss einregeln.
einen FET im Analogbetrieb. Beide FETs sind aus der gleichen Charge, der Drainstrom gegenüber Gatespannung differiert erheblich. > Unser Statron Typ 3203 (30V/10A) mit BJTs parallel war dagegen mehr > kaputt
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Transistor für Bewegungsmelder
> IRLML6244 Ist das nicht ein widerlicher n-Kanal FET, bei dem man gegen GND schalten muss?
Motopick schrieb im Beitrag #7426888: > Ist das nicht ein widerlicher n-Kanal FET, bei dem man > gegen GND schalten muss? Was ist daran widerlich? Egal ob npn Transtor oder n-Kanal FET beide schalten gegen Ground. Speziell wenn man eine größere Spannung zu schalten hat, ist es
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schneller Optokoppler gesucht (3V RS-232, Reichelt?)
gleichen Leitung antworten können, das geht aber nicht wenn alle den Ausgang aktiv nach Vcc oder GND schalten, bzw. sie würden bei Kollisionen beim gleichzeitigen Senden zweier Controller aneinander geraten. Eigentlich sollte das nicht passieren (die Balancing-Module sollen nur auf Anforderung Daten schicken
nichts davon und brauchen keinen Strom. Außerdem braucht man keine Adressen und also keine DIL-Schalter o.ä. und die Antworten können nicht durcheinander kommen. Man kann auch bei der Kodierung der Daten Strom sparen. Zum Beispiel hat man 2mV Auflösung für die Spannung. Dafür reicht ein Byte, wenn
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Miele WaMa TNY278 defekt
überlegen, wo der volle Kurzschlussstrom hingeht, bei einem billigen Stepdown ohne Trennung, wenn der Schalter niederohmig durchbrennt und die Spule in der Sättigung ist... Und was bei einem galvanisch getrennten Netzteil passiert, da brennt schlimmstenfalls der Trafo durch.
miesen Design hat und das > Ding Masseschluss bekommt, z.B. wenn man durchmisst oder einen neuen > Schalter ranbastelt und vergisst, dass der Mist auf 320V liegt, dann > fetzts die ganze Elektronik durch, super langsam kommts ans Licht, warum der TNY und der uC gestorben ist...
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ESP32-S2-Saola-1 und Spannung 1.69V und 3.29V ?
noch 13bit ich möchte bei meiner Konfiguration folgende Sachen damit erledigen Kein PWM: 2x N-Fet schalten (der schaltet nur eine 5V oder 12V Spannung durch regelt also via PWM nichts PWM: - dimmen von MeanWell LDD's (beim Arduino verwendete ich hier 1000Hz) - dimmen einer Konstantstromquelle
Pin gedimmt werden) (bisher hatte ich 1000Hz) - MeanWell KSQ mit 0-10V dimm über PWM und einen N-Fet (N-Fet passt zur Spannung und stromstärke ) - 12V PC-Lüfter mit ca 0.18A 3-pin inkl. PWM (die 12V werden aktuell über einen N-Fet geschaltet ) zum dimmen wollte ich direkt den PWM-Pin benutzen aber
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Gold-Cap < 1F laden
Innenwiderstand, kleinere entsprechen mehr. Da fällt wohl an dem 300R nicht mehr ausreichend Spannung ab, den FET durchzuschalten. Die Spannung sinkt auch nur langsam, das kann je nach Laststrom den FET killen.
langsam aber sicher den Akku leerziehen würde. Die Relais sind > im Dauerbetrieb und über die Schalter wird dann links oder rechts > angesteuert. Die Schaltung im Bild frißt keinen Strom, wenn der Schalter in Mittelposition ist.
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MOSFET macht nicht was er soll
Schalte mit deinem N-FET die Masse statt die 12V und Steuer es direkt ohne Transistor mit dem Arduino an. Pulldown (10k aufwärts reichen) am Gate nach Masse nicht vergessen.
Kevin M. schrieb im Beitrag #7422220: > Schalte mit deinem N-FET die Masse statt die 12V und Steuer es direkt > ohne Transistor mit dem Arduino an. Pulldown (10k aufwärts reichen) am > Gate nach Masse nicht vergessen. Geiler Tipp! Danke, werde
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Spannung für Mosfet vom ESP Mit LevelShifter anheben?
Voltage entscheidend ist Ist es aber nicht wirklich. Vgs(th) gibt an bis zu welcher Spannung der Fet noch sicher sperrt. Die für die Verwendung als Schalter interessante Angabe im Datenblatt findest Du indirekt als Anmerkung bei der Angabe Rds(on) als GS-Spannung für die dieser Wert gilt; bei den FETs
> anlegen, um 50µA fließen zu lassen? Hier will niemand 50µA fließen lassen, sondern etwas schalten. Was genau geschaltet werden soll, wurde nicht beschrieben. Ist auch zweitrangig, passende LL-FETs sind problemlos bezahlbar zu bekommen. Also der Achtundfünfzigste Schwachsinnsthread über UGS-th
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Highside Switch 3.3V / 12V
eine Meldeleuchte (LED Cluster > ca. 50 mA). Warum ein teurer High Side Driver? Ein einfachher n-Fet nach Masse reicht nicht? > hohen Einschaltstrom der LED Den bestimmt doch der Vorwiderstand, ist ja keine Glühbirne.
nicht mag. Zweitens wäre denkbar, dass Störungen durch die interne Ladungspumpe (für den N-Kanal-FET) gedämpft werden sollen.
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12V 4A mit Mikrocontroller schalten?
Du suchst nach dem Begriff "3,3V logic level fet". Unter dem wirst Du fündig.
Optokoppler anzusteuern ist natürlich nicht erforderlich, da das Relais natürlich an sich bereits Schalt- und Lastseite galvanisch trennt... Anstelle eines normalen Transistors für das Schalten des Relais kann man aber problemlos auch einen Optokoppler nehmen. Ist dann quasi doppelt isoliert, falls
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Isolationstest PCB - Abstand zwischen Leiterbahnen
Alex W. schrieb im Beitrag #7420265: > Der Hinweis mit der Spannungsspitze beim FET ist interessant. Ich > dachte, die Ausschalt-Peaks kommen von der Spule durch das zurück > induzierende Magnetfeld? Die induzierte Spannung ist proportional zur Änderung des magnetischen Flusses
Stecker ändert sich ja nicht schnell beim Abschalten. Was sich schnell Ändert ist der Strom durch den FET und der durch die Diode. Also denk dir einen Stromkreis von Masse, über den FET, durch die Diode nach Versorgungsspannung und von dort über den nächst besten Kondensator wieder auf Masse zurück. DAS
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Trennschaltung zum Laden von Akkus mit MOSFET?
dann brauchst du immer zwei Stück in Back-to-Back Verschaltung aufgrund der parasitären Dioden im FET. Für die Ströme im dreistelligen Ampere Bereich sollten es auch paar gute FETs sein, wie z.B. der IPT012N08N5. Kostet aber pro Stück auch um die 8€. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPT012N08N5-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014aca59127a1eb9 Wenn du High Side schalten willst, dann musst du das Gate min. 10V über Source anheben, was über eine Ladungspumpe oder einen PV Fotokoppler geht (FDA217S). Dioden wären auch noch eine Option bzw. eventuell ideale Dioden
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Frage zu Push Pull Abwärtswandler
Aus Q9 einen Darlington machen kostet weitere 0,6V, die das Gate des FET nicht mehr an das Source-Potential herankommt.
könnte man einen NE555 so verwenden, daß er mit Logikpegel angesteuert wird und mit seinem Ausgang den FET treibt. Man müßte sehen, wie schnell das werden wird.
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Warum kein Lichtboden in MOSFET
Bei einem gesperrten FET tritt ab einer bestimmten Sperrspannung ein Avalanche-Durchbruch durch die hohen elektrischen Feldstärken ein. Bestimmte avalanche-rated FETs können beträchtliche Energiemengen aus induktiven Abschaltvorgängen
ist. Anders beim mechanischen Schalter, bei dem sich ein Funke mitunter nicht verhindern lässt und Teil des üblichen Betrieb ist.
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Pi Pico: Stromverbrauch senken (Sleep)
LiIon-Zelle für die geforderte Laufzeit und es wäre das Einfachste, bei Bedarf eine 2. Zelle parallel zu schalten.
betragen Wenn du etwas zusätzliche Hardware dazubauen kannst, gäbe es die Möglichkeit mit 3 kleinen FETs den Pico komplett stromlos zu schalten. Das bringt Monate.
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74LS109 Toggelt nicht
High aus. Genau handelt es sich um einen 74LS109 PosEdTr Ich würde damit gerne ein Relais schalten (kleines 5 Volt Relais) das per Tastendruck ein bzw aus schaltet Vielleicht gibt es noch eine einfachere Möglichkeit und ich denke zu kompliziert :)
Relais_mit_Logik_ansteuern]]). Das wäre übrigens auch für den 74LS109 notwendig. Relais die mit so wenig Strom schalten, wie aus einem 74LS Ausgang rauskommen (gar bei H) gibt es praktisch nicht.
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Günstiger Ersatz für den 2SC1969 - 2SC6082 und 2SC6144?
Preislich sind sie wesentlich erschwinglicher wie das Original und auch wesentlich günstiger wie die FETs der Baureihe RD16HHF1, RD15HVF1, RD30HVF1 DB s.u. 2SC6082 https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ena0279-d.pdf 2SC6144 https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/ena1800-d.pdf Wie ist Eure
es zumindest nicht ohne nennenswertes Gebastel auf die Reihe. Klar, im µSDX wird ein simpler Schalter als Klasse-E-PA benutzt (noch dazu im SOT-23-Gehäuse) und das funktioniert, aber Klasse E ist eben auch nochmal 'ne andere Nummer, was die gesamte passive Beschaltung angeht. Kannst ja mal versuchen
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Unterspannungsschutz 18 V 5s Akku
Verbraucht der Mosfet nicht mehr? Der verbraucht sogar nur einen Bruchteil davon bzw. verbraucht der MosFET, da spannungsgesteuert, eigentlich immer nur beim (um)Schalten strom. Allerdings fallen am MosFET, wenn da 10A durchfließen, rund 0,2V ab, also knapp über 1% Deiner 18V Nennspannung. > Das ist
Relais. Bingo! - Drum wurden seit seiner Erfindung sukzessive, wo immer möglich, die Relais durch FETs ersetzt und das Handy in Deiner Hosentasche bringt mit seinem kleinen Akku einige Größenordnungen mehr an Rechenleistung als ein hallenfüllender Relais-Rechner der ersten Stunde, der auch noch ein eigenes
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Schutzschaltung für Mosfets aufbauen
Untergang? Ein Roboterarm vor unkontrollierter Bewegung? Dein µC vor der Lastspannung, die der MosFet schalten soll? Daniel schrieb im Beitrag #7411060: > Ich habe zuerst an ein Schütz gedacht, Klar, allein die klangliche Ähnlichkeit kann durchaus Assoziationen wecken. > welcher die Spannungsversorgung
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DC Motor piepst/jault bei PWM-Ansteuerung mit Atmega 168p
1000 Kurzschlüsse pro Sekunde. Ja :-) Aber besser als 1000 Überspannungsableitungen durch den FET und oft effektiver als eine Freilaufdiode.
Leistung einsetzen. Da würde sich ein AO3400 MOSFET anbieten, der auch einige Ampère niederohmig schalten kann.
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Wie erkennt ein (Balkonkraftwerk) Wechselrichter das Netz
es misst, das verletzt sofort Grenzwerte (Spannung, Impedanzsprung). Die guten Wechselrichter schalten ab, die schlechten Wechselrichter rauchen ab.
keinen großen Unterschied zum Rechteck darstellt) und 50Hz-Trafo, Ladung über die Body-Dioden der FETs... billiger geht's nimmer.
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Batteriespannung auf 5V regeln
, den ich > gespiegelt statt rotiert habe. Jetzt ist es wieder richtig. Um den Minus Pol zu schalten brauchst du einen NMOS. Der AO3400 ist ein NMOS. Ob die Body Diode jetzt richtig herum gezeichnet ist, kann ich in dem unscharfen PNG nicht erkennen. Exportiere Schaltpläne besser als PDF oder
Stefan F. schrieb im Beitrag #7409213: > Um den Minus Pol zu schalten brauchst du einen NMOS. Der AO3400 ist ein > NMOS. So ist es bei den Motoren auch gemacht, das sollte eigentlich passen. PMOS Q2 war vorher falsch eingezeichnet. Mit ihm Schalte ich den +Pol.
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WiFi-Schalter ohne N-Anschluss
Hi, zufällig hab ich genau diesen Schalter mal analysiert. Die beiden FET generieren eine Hilfsspannung wenn der Schalter ohne N betrieben wird und die Last aktiv ist. Wenn ich mich recht entsinne wird diese Hilfsspannung dann von einem
Da muss noch ein Trick dabei sein, jedenfalls dann, wenn die Spezifikation stimmt. Der Schalter ist spezifiziert für 300W Last. Wenn der Strom durch diese Last direkt durch die FETs fließt und daran einen Spannungsabfall von 5V erzeugt, dann wird darin viel zu viel Leistung umgesetzt. Um sicherzugehen
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Mikrofon-Vorverstärker der Phantomspannung durchlässt (wie FetHead)
://proaudiogc.com/en/fet-boost-ph-fethead-ph-condenser-mic-booster https://www.mikrocontroller.net/attachment/597581/FET-BOOST.png
Augustus schrieb im Beitrag #7407799: > - The Fet-Boost PH is a high quality, low noise mic preamp. > - It allows sound optimization for condenser mics. > - Fet-Boost PH uses 48v phantom power, and pass power to the microphone. Du solltest dir
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Frage zu Stromregler
Das Bild zeigt die ausgedachte Schaltung. Ein DAC gibt den Strom vor und ein Regelkreis mit OP, FET und Shunt R6 regeln den Strom, das sollte funktionieren. Um die Strom-Pulse zu erzeugen, schalte ich den OP (Power-down-Eingang) mit der PWM ein- und aus. Dabei aber wird ja auch der Ausgangstreiber
Danke, Heiner, stimmt. Tatsächlich werde ich da die U_thd des FETs nicht mehr erreichen. @ Andrew: Danke auch. Jetzt hab' ich gerade T&S, Ausgabe 10 im Schrank gefunden... Seite 374 finde ich eine "Stromquelle mit quasi-p-Kanal-FET". Dort wird eine Diode verwendet
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Mosfet Ansteuerung mit Arduino / Hilfe bei meiner Schaltung
benutzt ich tatsächlich einen IRLZ44N. Ich *benutze* ! Aber falsch, so geht das nicht. Dein N-FET kann nur nach GND schalten, siehe "Relais_ansteuern_NFET.png" und denke Dir anstatt des Relais Deine Heizung. Wenn diese einen festen Bezug zu GND hat und Plus geschaltet werden muß, erfordert das
sorgfältige Beschreibung ist ja nicht jedem gegeben, er schrieb inzwischen, dass er einen anderen FET verwendet. > und der N-MOSFET kann so die Plusleitung nicht schalten. Genau da liegt das eines der Probleme!
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STW26NM50 Ersatz mit SPW32N50C3
gehts auch ohne. Wirst du schnell merken. Wenn die unbedingt nötig sind, dann gehen die neuen FETs sofort wieder kaputt.
Gate-anschlüsse noch anschauen, zumal ja ich jetzt beruhigt messen kann, weil die Mos-Transis ja schalten. Danke für den Oszi-Tip. Grüsse Fritz
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Bremslicht an einem E-Scooter nachrüsten
die Quelle hochohmig ist, dann bekommst du keine 0,7V an der Basis. Deswegen bin ich auf einen FET ausgewichen.
Mario schrieb im Beitrag #7404645: > nur schalten diese den Motor für die Bremsphase ab Nicht wenn Du separate Schalter aufklebst. https://www.pedelecforum.de/forum/index.php?threads/bafang-bremsschalter-sensoren.74060/#post-1391932
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N-Channel H-Brücke für RC Car
Tristan K. schrieb im Beitrag #7404173: > Die High Side Mosfets funktionieren nur als Schalter (gas geben, an | > nichts machen, aus). Deswegen auch die Beschriftungen bei +5V. Problem: Die Ansteuerung von Q1 (Q2 genauso) kann so nicht funktionieren. Mit einem 5V-Signal an Schalter_1
Brücke mit der Wicklungsinduktivität in LTSpice nach und gucke es dir an. Alternative wäre es, die FETs so zu steuern, dass der Strompfad zum Entladen des Feldes aktiv über die FETs bereitgestellt wird. Durch Rückspeisung in die Versorgung kann man dann z.B. schneller bremsen. Oder die FETs parallel zu
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Drehzahl steuern DC-Motor
"Vortrags" passt aber, wie man am anhängenden Screenshot deuten kann. Allerdings wurde kein Logic Fet verwendet, ist ein SMP60N06 an einem Pin eines ATMEGA328P. Uwe
der NE555 mit 12V betrieben wird, dann kann man den Ausgang natürlich auch direkt an den Mosfet schalten. Und das Beste ist, der Arduino kann dann auch eingespart werden, weil der NE555 die PWM Frequenz sogar selbst erzeugen kann.
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Fünf Pumpen mit PiPico Steuern
Summe 1A am Akku bieten schon genug Fallen anderweitiger Spannungsabfälle, da ist ein niederohmiger Schalter angesagt. Wie schon von Falk geschrieben: Da gehören LL-FETs rein. Felix schrieb im Beitrag #7402040: > Sie wird mit max 1,3V bei 200mA Ic angegeben. Diese Spannung fällt ab > und steht im
Jou, selbst ein schlechter Typ mit 1 Ohm RDS(on) wäre besser als der ULN. Es gibt jede Menge LL-FETs, die unter 0,1 Ohm kommen.
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PWM (Dimmer) für 3 Phasen Heizstab ohne N
glaube nicht, dass er (ohne N) mit Triacs glücklich wird. Je nachdem wo der Sternpunkt hinwandert, schalten die nicht mehr dann aus, wann sie sollten... Jens K. schrieb im Beitrag #7400900: > FETs plus Brückengleichrichter Könnte eher funktionieren. Zwei- oder Dreimal aufgebaut, synchron angesteuert
Netz synchronisieren müsstest. Mein Dimmer schaltet über einen Optokoppler ein Mosfet. Allerdings schalte ich nur kleine Leistungen sehr genau. Gruß Carsten
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Eigenbau Solarwechselrichter (diy grid tie inverter)
Boost mit Faktor >10 bekomme ich einen schlechteren Wirkungsgrad. Da müsste ich 200A mit einem >400V FET schalten. Zudem hätte ich dann keine Netztrennung zum Solarmodul und zur USB-Buchse vom Arduino.
Arduino über seinen Reset Eingang. Dann kann der Arduino über einen Transistor den Widerstand weg schalten. Schaltung folgt noch.
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MOSFET kurzzeitig zu viel Strom
immer fett über, dann fällt nur wenig Leistung > ab. Das klappt aber nicht immer, weil "fette" Fets meist auch fette Gatekapazitäten haben und des- halb auch "fette" Gatetreiber benötigen, damit sie schnell genug schalten.
Harald W. schrieb im Beitrag #7400110: > Das klappt aber nicht immer, weil "fette" Fets > meist auch fette Gatekapazitäten haben und des- > halb auch "fette" Gatetreiber benötigen, damit > sie schnell genug schalten. Man muss natürlich auch das bedenken. Es ist halt meist komplexer
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[Tipp] für Linearbetrieb gut geeigneter MOSFET
product/power/mosfet/n-channel/optimos-and-strongirfet-latest-family-selection-guide/optimos-linear-fet-100v-150v-200v-/
Volt aus. Der FET braucht dazu eine Gate Spannung von mindestens 8 Volt, der NPN kommt mit 1.2 Volt aus. Theoretisch kann der FET ohne Strom angesteuert werden, aber bei einer Gate Charge von über 100 nC wird das