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Schaltplan und Kennlinie eines MOSFET-Verstärkers
65 100u 12 3 7 !OPAMP 6 IRF610 4 10k 65 100.0u 50.0u 0.0 500.m 1.0 1.5 2.0 -50.0u -100.0u Ausgangsstrom Steuerspannung
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Leistungs-MOSFETs auf Kühlkörper mit Verkabelung
SHANTOU CHAONAN GBJ2510 RU
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Handgezeichneter Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
+ 50k 100k OP1 - Last - OP1 + 21 Zener 5,6V @ 5mA 80k - M1 -
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und LED
AVR 5V R1 250Ω LED 5A D IRF3708 G S R2 10Ω
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Schaltplan einer Stromversorgung mit MOSFETs und Dioden
VBAT UFUSED FUSE1 6V/2A/Poly VBAT IN CJ2301-PMOS VBAT R35 100K PWR EN FET2 CJ2302-NMOS PS ON D7 1N4148 RTC ALM KEY PUSH IO D8 1N4148 KEY PUSH D10 1N4148 D11 3.3V/ESD R37 100K C94 10nF/25V GND
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET und Operationsverstärker
+15V, C2 100n, U2 LED44175N01B, R2 33, J2 Conn_01x02_Socket, 72V, GND, R3 0R8 Extern als Heizwiderstand, J1 Conn_01x02_Socket, Q1 ISZ106N12LM6, Enabled, SIGNAL, IN, OUT, OC P, C3 100n, GND, R1 1mohm, +3.3V, C1 100n, U1, GND, CURRENT
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Schaltplan mit Optokopplern, MOSFETs und Spannungsreglern
OK4 TLP 250 R5 GND R6 TLP 250 OK5 R16 R18 Q9 Q10 IRF540 R15 VDD GND IC3 78L12Z C7 C8 C5 C6 VI VO GND D2 D4 IC4 78L12Z C9 C10 C11 C12 D3 D5 IC6 VI VO GND PRI
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Schaltplan zur Ansteuerung eines Magnetventils mit MOSFET
GND D6 R1=10k R1 IRLZ34N G D S 18V Selenoid
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Arduino
Last 18V Akku D LL N-Mosfet z.B. IRLML2502 IRLZ34 100R G Arduino 47k D
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Schaltplan einer Transistor-Treiberstufe mit MOSFET
L1 CMLH0704S102MTT Kl.15 R1 1k Q1 BC807 R2 4k7 PWM1 D1 SMAJ15CA-TP C1 100µ R3 100R R4 1k Q3 BC807 Q2 BC817 Load1 Q4 VNB14NV04 GND1
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Schaltplan mit LEDs, Widerständen und MOSFET
Bat1 3V R1 820K R2 300R LED2 T1 IRLML2502 LED1 BPW34
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Leistungs-MOSFET IRF3708
IRF3708 P047D CB37
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Schaltplan einer Treiberbeschaltung mit MOSFETs und Operationsverstärkern
+11,1V CH3 CH1 IC9A TLV2721 3 2 1 + R9 22k R92 10k C73 2n2 GND NTC3 10k @25°C GND D11 SS0840WS Dual over temperature shut down at about 103°C? Reset with power off only. D12 SS0840WS +11,1V R94 22k R95 10k R96 910R +11,1V R97 22k C81 2n2 GND 5 6 7 IC9B TLV272IS T11 PJA3441 +VDD_GATEDRIVER C82 10u/25V GND R98 10k NTC4 10k @25°C GND +11,1V VCC IC9C TLV272IS C88 100n/25V GND GND
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Rote Leiterplatte mit Leistungselektronik und MOSFET
AC9-12V, NY-DC1, BTA100-1200B, A2407R
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
+15V, C1, 1m, GND, Q1, IRF4905, BAHN, 2k7, R3, R1, 10K, RXD, TXD, R4, 10k, Q2, BC337, R2, 2k7, GND
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Vierkanal-MOSFET-Treiberplatine mit Schraubklemmen
OUT1 OUT2 OUT3 OUT4 IN1 IN2 IN3 IN4 IRF350X IRF550X IRF550S
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Schaltplan eines Gleichrichters mit MOSFET-Leistungsteil
VG1, L1, D24, D25, 1N4007, VG2, L2, D20, D21, 1N4007, VG3, L3, D22, D23, 1N4007, Czwk 100u, R1 47, T1 IKP20N60T, Rs 22, Ls 25R 1, T2 IKP20N60T, Cs 220n, R2 100m
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
GND, VCC, Poti, X4-1, X4-2, X4-3, MSTBV3, C16, 100nf, C17, 100nf, IC1, 25 STEP, 26 DIR, 28 MISO, 29 MOSI, 27 MISO, 22 FFDI, 23 FFDO, 24 RESET, 28 SR, 23 OSC, R17, 10k, GND, IC2, IRLR024N, R1, 500k, GH1A, 31, C1, 100nf, GH1A, 10, SLA, 16, LSS, 17, GH1B, 13, C2, 100nf, GH1B, 12, IC3, IRLR024N, R40, 33, GH1B, R41, GL1B, R9, R10, IC4, IRLR024N, R5, 500k, GL1A, 31, R39, GL1B, 33, IC5, IRLR024N, R4, R8, R37, IC9, IRLR024N, R7, 500k, GL2A, 33, GH2B, 27, R38, GL2B, 33, GH2A, C3, 100nf, GH2A, 12, GH2B, 28, GH2E, 30, C4, 100nf, GH2E, 30, R36, R35, IC7, IRLR024N, R3, GH2B, 33, R11, 10k, R12, 10k, +24V, C20
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Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET-Ausgangsstufe
LSP1 LSP2 R3 C2 1uF R5 BZX90 D2 IC2 1 2 3 4 5 6 7 14 13 12 11 10 9 R4 IC3 78L05Z VO 1 2 3 GND VI 1N4004 D4 R1 Q3 IRF9530 D S G Q1 2N5484 R2 D1 1N4004 LSP3 LSP4
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET-Treiber
X2 -1 -2 Input +12V IN OUT IC2 R5 820 C2 10u/50V +5V 14 VCC IC1P 7 GND LP2950ACZ-5.0 5 IC1F 6 74HC14D 9 IC1C 8 74HC14D 13 IC1A 12 74HC14D 11 IC1B 10 74HC14D +5V R2 27k D1 1N4148 R1 110k C1 IC1D 1 IC1E 2 3 4 74HC14D 74HC14D R3 5k6 Q2 BC547A +12V R4 5k6 Q1 IRFR9024PBF D3 B260A-13-F X1 -1 -2 Output
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Schaltplan mit MOSFET, Optokoppler und Mikrocontroller
IRLML6402 D1 QTLP690C M1 U1 ATtiny V1 3V3 V2 R2 10k R3 270R PC817C PULSE(0 3.3 10m 1u 1u 1m 20m) .tran 50m startup
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Schaltplan mit MOSFET IRF510
V2 5 R1 15k r6 22k IRF510 M1 R3 200 V1 5 .tran 5
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Schaltplan eines MOSFET-Treiber- oder Strommessschaltkreises
DRV R8 47R T1 07N60C3 3 2 !WERT D12 R6 10R CS R5 1k R7 2k2 C35 !WERT R1 0R27 1 2 2 1 1 2 2 P_GND P_GND GND
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Schaltplan einer Stromregelung mit MOSFET und Operationsverstärker
M2 IRLML6402 R6 100 R5 10000 V1 5 U1 V2 12 Vset Rsense 50 PULSE(0 3 0 0 0 0.1 0.3) .tran 0 0.5 0 0.0001
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Schaltplan einer Batterieversorgung mit MOSFET-Schalter
non-shorting 2 1 X VBAT 2 PIN CONNECTOR COPY C9 10uf C6 100nf CON1 2 + 1 - checked GND U4 A03400 N CHANNEL MOSFET
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Schaltplan mit Spannungsregler und MOSFET-Treiber
24 V, L7809, C1 100u, C2 4700u, D1 1N4007, D2 1N4007, C3 100u, C4 100u, C5 100u, C6 100u, R1 3.3K, R2 4.7K, R3 4.7V, Q1 IRFB4110, Q2 IRFB4110, Q3 IRFB4110, Q4 IRFB4110, U1 IR2111, ARDUINO_R3_SHIELD, LCD 1602, RS, E, RW, D4, D5, D6, D7, GND, 5V, 3.3V, A0 bis A5, D0 bis D13, SCL, SDA
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Schalter
V_DD + 12V R1 HIGH LOW S G D V_POW 1M
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Schaltplan mit TL431 und MOSFET
V_BATT V_OUT R3 4.7 kΩ 180 kΩ TL431 60 kΩ
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Schaltplan mit TL431 und MOSFET
R1 R2 R3 D1 TL431 Q1 LOAD
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MOSFET PWM Modul mit Beschriftung
Eingangsleistung DC5-36V DC+ DC- Doppelt MOS Leistung MOS Transistorleitung LED GND Trigger-/Pulsweitenmodulation Erdung Signalspannung: 3.3 bis 20V TRIG R1 R2 R3/PWM AUS+ AUS- D4184 6A802W D4184 6A802W Q1 Q2 J1
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Produktseite eines IRF5305 MOSFETs
Home » Halbleiter » Transistoren » FET » P - Kanal » IRF5305 IRF5305 Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Zum Vergrößern anklicken D G S
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Handgezeichneter Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
OUT + - 1M R3 FS305 S 10K R2 IN 2,2W R1 K PC817 GND IN
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Leiterplatte mit IRF3700 MOSFET
IRF3700
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Schaltplan mit zwei MOSFETs und Induktivitäten
+5V,GND,2,1,GND,I/O,VCC,A,B,121,Pin2,D,G,Pin1,Pin3,S
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Schaltplan mit Mikrocontroller, Transistoren und MOSFET
15V R47 10k R48 1 10k Q5 SUD19P06-60 3 2 LED 5V D1 Diode 1N60 ATMEGA3209 R46 1k Q6 C1815 R49 10k GND
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Schaltplan eines Schaltnetzteils mit MOSFET-Treiber
300k 100k 2.2µF +24V 4.7
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Schaltplan mit 555 Timer und MOSFET
Last 12V IRF5305 10k 3,3k 555 8 Ucc 7 OD 6 IS 5 OK 4 IR 1 M 2 IT 3 O Reset Aus 1mF 6,8k 10n 2N2222 EIN 2,7k 0
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFETs und Transistor
zur Last P-MOS D S +12V 10k g 10k NESSS 6k8 2k7 Ein GND 4k7 20 12 N-MOS D S -12V zur Last
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Operationsverstärker
U1 IRLZ44N LM358 Referenzwiderstand Messwiderstand RPA
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Schaltplan eines MOSFET-gesteuerten Spannungsteilers
300 100 4.7mF 100k
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Schaltplan einer Strommessschaltung mit MOSFET und Shunt
VCC VCC R1 1k LOAD- LOAD + Q1 ZXMN2A01F R2 1k Q2 BC846 1 2 R3 100k C1 100n R_Shunt1 1 GND GND GND -
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Tabellen von Silizium-Transistoren und MOSFETs
Schalttransistor 19 SS 219 200 100 15 Schalttransistor 19 g) Silizium-Metall-Oxid-Feldeffekttransistoren (MOSFET) Typ Maximale Verlustleistung P in mW Maximaler Drainstrom Id in mA Maximale Drain-Source-Spannung Uds in V Maximale Gate-Source-Spannung Ugs in V Steilheit S in mA/V Bauform SM 103 150 15 20 -15..
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Datenblatt-Ausschnitt eines Infineon MOSFETs
012N08N5 HSOF Tab Infineon 1 2 3 4 5 6 7 8 Drain Tab Gate Pin 1 Source Pin 2-8
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
VCC Q1 IRF9540N VSS 2 3 R3 10k Q2 2 1 RS BC817 Q3 IRF9540N 3 1 1 J3 2 WATER GND 1 3 Q4 BSS138 1 2 R6 10k GND GND
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Tabellenausschnitt eines Datenblatts für MOSFETs
Part No. Polarity V_DSS [V] I_D [A] P_D [W] R_DS(ON) [mΩ] V_GS=10V V_GS=6.0V V_GS=4.5V Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Package [mm] New RS7E200BG 30 390 180 0.53 0.67 - - 0.75 1.06 New RS7N200BH Nch 80 230 2.1 2.9 1.7 2.0 - - New RS7N160BH 80 160 160 2.2 2.6 2.7 3.8 - - DFN5060-8S (5.0 x 6.0 x 1.0)
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Schaltplan mit MOSFETs und Bipolar-Transistor
VCC Q1 IRF9540N VSS 2 3 1 R3 10k Q3 IRF9540N 3 2 1 J3 1 2 WATER GND 10k R6 10k 1 3 Q4 BSS138 GND GND 10K RS
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Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET und Transistoren
Q1 P-MOS +Vcc Ausg. R1 10k J3 Q2 NPN 10k R2 Q3 R3 10k +3V3 NPN
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Schaltplan mit MOSFET und Bipolar-Transistor
VIN VOUT Q1 R1 SENSOR R2 D1 Q2 R3 RESET GND GND
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Elektronischer Schaltplan mit Operationsverstärkern und MOSFETs
4020, 4001, IC1, IC2, IC3, IC4, IC5, IC6, IC8, IC10, IC11, IC12, IC13, IC28, IC30, LM324, LM34, BC548B, BC547, BUZ21ST, FET1, FET2, FET3, FET4, FET5, FET6, 1000uF, 100nF, 10uF, 1uF, 47k, 10k, 1k, 220k, 4.7k, 22k, 100R, 10k, 470R, 2.2k, 4093, 4011, 4049, LF347, 4020, 4001
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Handgezeichneter Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+5V 10k 10k S Q3 G P-Mos NPN D 0-5V 10k PNP 470R 0-5V A 470R 10k E
