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Sind Klangregler aus der Mode gekommen?
Musik die beiden Freuqenzbereiche deutlich schlechter wahrnimmst. Früher gab's dafür den Loudness-Schalter.
Tiefen um +2dB/-4dB angepasst werden können. Nach ein paar anfänglichen Experimenten stehen beide Schalter wieder auf Neutral.
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Öffnerkontakt der für x (Milli)sekunden öffnet
einfach zu verstellen sein. Nennt sich [[Monoflop]]. Dahinter kann man bei Bedarf ein Relais schalten, welches den potentialfreien Kontakt liefert. Die Zeit kann man per Poti einstellen.
. schrieb im Beitrag #7365992: > Was willste denn nun eigentlich machen? Er will ein Relais schalten.
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Hilfe bei zwei Schaltungen mit MOSFEF Hi-Switch und LED Ansteuerung
unterschiedliche Vorwiderstände brauchst, dann kannst du den höherohmigeren direkt vor die LEDs schalten, und dem dann mit einer Schottkydiode in eine Richtung einen zweiten Widerstand parallel schalten.
aber wohl auch eher diskret rangegangen. Nur anstatt des BC337 hätte ich > eher einen Kleinsignal-FET wie den BS170 genommen. Die Widerstände > vielleicht einen Faktor 10 hochohmiger. Zenerdiode eher 12V, z.B. ZF12; > mehr aufreißen muss man den FET sowieso nicht. Clamping ist auch > verzichtbar,
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Ansteuerung MOSFET über Koppelkondensator
Werte eingesetzt, die auf meiner Platine sowieso drauf sind. Das Hauptproblem dürfte sein, dass der FET keine Hysterese hat und sanft einschaltet. Im Bild sieht man nur einen Zacken, im wirklichen Leben wird das schlimmer aussehen.
eingesetzt, die auf meiner Platine sowieso drauf sind. Das Hauptproblem > dürfte sein, dass der FET keine Hysterese hat und sanft einschaltet. Im > Bild sieht man nur einen Zacken, im wirklichen Leben wird das schlimmer > aussehen. Danke! Der R1 ist hier auf 2k7. Der Grund ist hier, um den
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Mehrere IRF520 Parallel für 12-24V LEDs
#7357716: > Der IRF520 gehört zum Urgestein .. .. für analoge Anwendungen, er wurde nicht als Schalter entwickelt.
#7357844: > Soweit ich weiss, werden die heute wie Goldstaub gehandelt und niemand > stellt V-Fets noch her. Das war mal kurz ein Hype und dann waren se > wieder wech. Na ja, irgendwie sind alle Trench-FETs auch VMOS nur die Gräben wurden tiefer und schmaler.
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Unterspannungsschaltung mit ultra geringem Verbrauch
Beispiel dafuer ist der LMC7111 der mit 25uA auskommt. Aber auch deine Idee mit dem Depletion-Fet ist nicht schlecht und sollte funktionieren. Interessant das ein interessierter Laie auf so eine Idee kommt. Die meisten wissen heute doch garnicht mehr von der Existenz dieser Fets. :) Olaf
oft LEDs geschuldet. Viele legen bei AUS die Akkuspannung hochohmig (100k?) an den Ausgang und schalten um 1V ein. 47k/1,22V reichten noch nicht. EIN bleibt es nur über 0,1A, das ist die übliche Ladeende Erkennung. Wenn Akkuminus auf Masse liegt, könnte man für den 60µA Sensor Akkuplus nach dem UnterspannungsIC
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2 Unabhängige LED (3mm) in einem Gehäuse gesucht.
Komparatoren mit /open collector/ Ausgang (z.B. LM393) vergleichen Ux mit den Referenzspannungen und schalten jeweils eine LED für die Anzeige von H oder L. Wenn beide Komparatorausgänge hochohmig sind (verbotener Bereich) fließt der Strom aus der Stromquelle durch die dritte LED. Deren Flußspannung wird
die Stromquelle aus 2 Transistoren baut. Wenn man das oft braucht, würde man aber eher auf einen j-FET setzen. Und eine gebräuchliche Doppel-LED mit gemeinsamer Anode reicht auch.
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Pflanzensensor Akkulaufzeit
Transistor muss ich nehmen. Hast Du evtl. ein Bsp. Schaltbild? Am besten du nimmst eine P-Kanal MosFET zum schalten des Stroms für den Sensor. Source an 3,3V und Drain geht zur positiven Versorgung der Sensorplatine. GND der Sensorplatine liegt auf GND des ESP. Gate mit 100k bis 1MOhm nach 3,3V.
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Universal-Eingang für ESP ?
Eingangsspannung reichen, ist das vielleicht was für Dich. Du kannst mehrere Ausgänge Parallel schalten. Zwischen Pin 4 vom OK und +5V kannst Du einfach eine LED setzen. Schau Dir die Datenblätter an. Gruß Carsten
Welche Spannung und Strom (min/max) am Eingang, wie viel Spannung und Strom (min/max) kann man damit schalten? Aber das stelle ich mir wahrscheinlich wieder zu einfach vor....
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LED mit 40kHz an µC-Pin
40kHz sind doch fast Gleichstrom! Als FET geht jeder, der bei 3.3V Gatespannung noch spezifiziert ist, z.B. IRLML6344. Genauso geht auch ein BC337 mit Basisvorwiderstand für rund 5mA Basisstrom. Wo siehst du ein Problem? Schaltung: Source
> Dann gerät der Transistor nicht in dei Sättigung und der kleine 10nF > sorgt für schnelleres Schalten. Grob gesagt. Oder ne kleine > Schottky-Diode über Basis-Kollektor. Mit nur dem C über den R_B wird die Sättigung nicht verhindert, eher: viel schneller erreicht! Mit der Diode schon. Diese Maßnahmen
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Automatische Messbereichswahl bei Multimetern, eure Meinug?
einen engen Bereich. Und dann muss auch noch den richtigen Punkt auf der Kennlinie des konkreten FET treffen ohne was kaputt zu schießen. Beim Festwiderstand ist das einfach weil dessen I0F(u) Kennlinie im großen Bereich linear ist, irgendein U-I-Paar tut es. Beim FET dagegen gibt es nur einen
hatte ich mit "Gespenster an die Wand malen" gemeint. Dort wo in deinem Diagramm eines unbekannten Fets "mA" stehen, stehen in >99,9% der Mosfets Ströme im "A" Bereich. Und wenn einer mit einem Fet der verbleibenden <0,1% zu tun hat, dann kennt er sich mit Mosfets mit hoher Wahrscheinlichkeit so gut aus
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Basiswiderstand (Transi schaltet LED mittels µC-Ausgang)
NICHT 5V, sondern einen 1k Vorwiderstand was ca. 4mA Basisstrom ergibt, sollte er 80mA LED Strom schalten können - und die LED braucht 0.45W also 18mA.
Schaltungen aufgetaucht sind, wo *nur* das Gate am IO war ("ist ja Spannungsgesteuert"), und Arduino-GND -> FET Source nur über den Umweg der Entstörkondensatoren in Wandwarzen verbunden war... Und so ein FET mag halt 100V AC nicht so gerne am Gate, auch wenn's nicht stark belastbar ist.
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MOSFET statt Load Switch IC
kann man dies auch mit einem MOSFET. Das wundert mich aber sehr. Einen MOSFET als High Side Schalter mit TTL-Pegel anzusteuern, dürfte fehlschlagen. Damit ein N-FET am Source 12V liefert, sollte das Gate etwa 22V sehen (Ugs = 10V).
Ich bin kürzlich auch von High Side Schalter auf P-FET zurück gewechselt. Grund waren die jetzigen Lieferprobleme und daß jeder Hersteller sein eigenes Footprint Süppchen kocht. Es ist daher unmöglich, pinkompatible Ersatztypen zu finden.
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Suche Alternative für HighSide Switch
Wer kann mit mal bitte helfen? Ich möchte ein Gerät (Betriebsspannung 9-24V, 4A) mittels MOSFET schalten. Bislang hatte ich dazu die Schaltung wie im Anhang verwendet, was gut funktioniert. Aber das wird ja bestimmt besser, einfacher, günstiger gehen. Wer kann mir da was empfehlen?
Limit betrieben (Ugs -24V). Zur Frage selbst: Such mal nach Highside switches. Die integrieren den FET plus Ansteuerung und Schutzbeschaltung. Meist gibt es noch Diagnosesignale, z.B. den Laststrom als Information. Z.B. VN / VND / VNQ von ST oder BTS / BTN Serien von Infineon.
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2m Amateurfunk
Krümelkackerei? So stehts auf meiner Handfunke, da muss man für NFM (Narrow Band -FM) auf NFM schalten. Und der Frequenzplan für 2m benutzt auch für Relais explizit die Angabe Narrow Band FM - NBFM. Einfach mal die Fussnoten lesen. > Bei allen Funkdiensten außer Rundfunkdienst meint "FM" ein
ist es in meinem geographischen Gebiet schwer Gleichgesinnte zu finden. Geeignete Bauteile wie GaAsFETs und Leistungstransistoren, MMICS hätte ich schon in der Bastelkiste und geeignete Meßgeräte habe ich auch, und Zugang zu professionellem Mikrowellen CAD. Aber, es ist schwer als einsamen Wolf in der
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Schaltungshilfe
Spannung zwischen G und S. Entweder stellst du da eine Verbindung her oder du nutzt potentialfreie Schalter wie z.B. Relais.
runter zieht Man müsste nicht 220 Ohm als Basiswiderstand nutzen, der Transistor muss nur 8mA schalten, da täten es 0.4mA Basisstrom, was bei 8V zu 20k und bei 3.3V zu 5k6 führt.
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12V Relais mit einstellbarer Haltezeit
Relais brauche ich, weil es einen klassischen Schalter ersetzen muss und da "bidirektional" Strom fließt. Ginge natürlich auch mit 2 Back-to-Back FETs, aber beim relais bin ich mir sicher, dass es transparent funktioniert. Wird wohl doch der kleine Microcontroller
Luky S. schrieb im Beitrag #7344832: > Relais brauche ich, weil es einen klassischen Schalter ersetzen muss und > da "bidirektional" Strom fließt. Ginge natürlich auch mit 2 Back-to-Back > FETs, aber beim relais bin ich mir sicher, dass es transparent > funktioniert. Es gibt PhotoMOS
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Vergleich Alkali mit LiClO2 AA Primärzellen
ohne Änderungen in der HW möglich sein. Der Funkmodul wird in den Ruhepausen schon jetzt mit einem FET abgetrennt. Die Spannung wird während des Sendebetriebes (unter Last) schon jetzt gemessen. Derzeit wird vor dem Senden der Funkmodul ESP8266-01 immer komplett neu initalisiert und die eigene IP-Adresse
µA brauchen. * Niederohmige Pull-Ups, 3V / 2.2 kOhm ist immerhin 1.36 mA, falls einer der Reed-Schalter im Betrieb für eine signifikante Zeit geschlossen ist dann zieht das auch die Batterie leer. Könnte man problemlos deutlich hochohmiger machen, z.B. 22-47kOhm, gegebenenfalls auch noch mehr wenn man
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Verpolungsschutz Mosfet
, macht er noch weniger. Du bräuchtest einen extremen low-level-MOSFET - oder einen Highside-Schalter mit eingebauter Ladungspumpe...
Masse nicht irgendwie "außen herum moglen" kann), dann kannst du auch den Minuspol mit einem N-Kanal-Fet abschalten: http://www.lothar-miller.de/s9y/archives/45-Verpolschutz.html
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Spannungswächter oder Schaltregler killen IC
Hallo, du schaltest den GND des Verstärkers ab - das könnte ein Problem sein - wo sind Signalquelle und Lautsprecher genau angeschlossen? Gruß Otto
Sebastian schrieb im Beitrag #7341847: > Um high-side zu schalten, müsste ich doch eine Hilfsspannung für das > Gate bereitstellen oder? Nimm einen P-Kanal-FET und steuer den mit GND an. Du brauchst dann eben einen invertierten Ausgang oder einen zusätzlichen
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Standardbauelemente
100V, max 170mA (cont.), Thresholdspannung 1,7V, On-Widerstand 1,3Ω SOT23 SMD-FET, auch für 3V3-versorgte Schaltungen bestens geeignet R,D PDF (Fairchild) BUK100-50GL 1,15 Logic-Level Power R PDF (NXP) IRLIZ44N 1,45 Logic-Level Power 30A 55V 22mohm TO-220 R, I IRLR2905/IRLU2905 0,60
blatt IRLML6401 0,20 max -12V, ca -4,3A (cont.), ca. 0,05Ω On-Widerstand (bei VGS -4,5V) SOT-23 SMD FET, extrem niedrige V_GS_th, bei niedrigem R_DS_on R, D PDF Infineon IRLML6402 0,21 max -20V, ca -3,7A (cont.), ca. 0,05Ω On-Widerstand (bei VGS -4,5V) SOT-23 SMD FET, extrem niedrige V_GS_th, bei niedrigem
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HAMEG HM 512-8 Fehlersuche
Eingangskanal-Vorverstärker abwechselnd im "Alternate" oder "Chopper" Modus auf den Y-Endverstärker schalten. Da nur Kanal 1 beteiligt ist, beschränkt sich m.E. die Suche auf die Umgebung von T201 u. T202 im Intermediate Amplifier oder T101 u. T102 bzw. IC101 (Transistor-ArrayCA3065) im Y-Preamplifier.
Bei meinem alten Hameg wars ein FET im Eingangsverstärker! Christian S. schrieb im Beitrag #7340511: > Win10 und firefox. Leider funktioniert im neuen TAB die Speicherfunktion > auch nicht. Auch unter W10 und FF gab es die Funktion
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100kHz low-noise variable-gain amp Auswahl Chips?
nicht nahe. Die Eingangskapazitäten sind unglaublich. Da kann man viele NSVJ3910 von On parallel schalten, bis man auch nur in die Nähe kommt. < https://www.flickr.com/photos/137684711@N07/37321004540/in/album-72157662535945536/lightbox/ > Gruß, Gerhard
den Rest versauen. Nein, das ist nicht so, wie wenn in der Pilzsauce ein Speitäubling ist. Bei FETs ist die figure of merit das Verhältnis von Cin zu Steilheit gm. Schlechte FETs liefern dann keinen Beitrag zur Verbesserung, aber sehr wohl einen Beitrag zur Eingangskapazität. Deshalb auch die Kennlinien
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Denon Vollverstärker Klasse A mit Optokoppler Verständnisfrage
hatte in beiden einen Optokoppler verbaut :-) von Peter D. (peda) 24.11.2022 12:43 Ja, die FETs sind hier völlig fehl am Platze. Ein hoher Eingangswiderstand wird nirgends benötigt. Da wollte sich nur einer mit Material austoben. Wie funktioniert "opto drive" beim Onkyo A8670 ? https:/
parallel schaltet. Ich hab bis vor kurzem einen Yamaha A700 genutzt wo das im Prinzip mit einem Schalter an der Frontplatte gemacht wurde. Die Frage die sich so stellt wie gleich sind die beiden Kanaele, aber das wird wohl ueber die Potis eingestellt und wie ist das Uebergangsverhalten im Betrieb
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Volt wechselt von 5V auf 3V bei Gerätewechsel
oder habt ihr eine Empfehlung für die genannten Parameter, dass ich mit (max.) 3.3V den Mosfet schalten kann?
Problem, wenn dort LOW anliegt und gleichzeitig ein Taster > gedrückt wird. Jou, mit einem passenden FET kann er da klaglos noch je eine Diode im Signalweg nachrüsten, ich würde eine Schottky nehmen.
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PCF8574 und ULN 2803 integriert als ein Baustein?
Willst Du LEDs schalten? Das geht, wenn die Schwellspannung grösser ist als die Spannungsdifferenz. Hab ich erst grad gemacht, das klappt! Gruss Chregu
berücksichtigter Ansatz wäre, überhaupt keine Relais zu nehmen. Dazu müsste man aber wissen, welche Last zu schalten ist und wie die Versorgung aussieht.
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Verständnisfrage MosFet
P Kanal Mosfets. Ich weiß, dass ich einen P Kanal Mosfet nicht direkt an einen Mikrokontroller schalten kann, wenn ich höhere Spannungen benutzen möchte. Ich habe jetzt aber den Fall, dass die Spannung, die ich schalten will, genauso hoch ist, wie die Spannung am Mikrocontroller (3.3V). Kann ich in
Bei z.B. 12V reichen eben 3.3V HIGH nicht aus, das Gate wäre dann immer noch auf knapp 9V und der FET leitend.
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ESP32 - Temperatursteuerung für Heizfolien
. Die betreibst diese mit 12V, und nur mit 12V... Wenn deine gewünschte Temperatur erreicht ist schaltest du sie ab, unterschreitet er einen Schwellwert - schaltest du sie wieder ein. Schau dich Mal bei 3D Druckern und dessen Heizbetten um, schau dir dort etwas ab und verstehe es.
Kolektor übrig). Besser und einfacher ist es mit einen MOSFET: Si2302DS z.B. Der kann mit 3V gut schalten und kann über 2A ID, da ist dann etwas Reserve. Schaltungsvorschläge gibts im Internet.
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50Ohm Bandpassfilter mit zwei Frequenzen
einen Bandpass entwickeln, der einmal 10MHz durchlässt und einmal 50 MHz. Ist sowas möglich ohne RF Schalter?
parallel zu hohen Quell- und Lastwiderständen liegen, wie im Prinzipbild (hier mit Transistor und FET). In einem passiven 50 Ohm-System geht das nicht - höchstens als Notchfilter, siehe Simulation. Hier wird's eben komplizierter, z.B. über Splitter (verlustbehaftet).
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STM32F302C8T6 Schaltplanüberprüfung
Und warum. Sind da extra Schalter parallel zu denen im encoder? Gehen die encoder an timer inputs? Wenn nein das spart richtig Programmier aufwand
C12 zähle ich nicht mit, denn der hat 10 µF. Den wolltest du wohl einem der 100nF parallel schalten, stimmts? Wenn es stimmt, vermisse ich 2 Kondensatoren. Ansonsten nur einen.
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Grundlagen FETs
hängengeblieben. > Kann man vereinfacht sagen, das ist die Spannung die ich am Gate anlegen > muss damit der FET schaltet? Nein. VGS(th) ist die Spannung, ab welcher der Transistor so gerade eben ein bisschen zu leiten beginnt. MOSFET sind jedoch keine digitalen Schalter! Deine Ausführung zu positiver und
Anfänger schrieb im Beitrag #7329388: > ich versuche gerade ein bisschen zu verstehen wie ein FET arbeitet. EIN Fet? Es gibt ganz verschiedene. Guck dir ganz einfach mal die Diagramme an, die in den meisten Manuals zu handelsüblichen Fet's enthalten sind. Feldeffekt-Transistoren sind keine Schalter
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MOSFET mit geringen Leckströmen in Gate und Drain
an Gate (I_GSS) und Drain (I_DSS). > Zielwert für beides wäre weniger als 10nA. > Ein Logik-Level-FET wäre wünschenswert, bei VGS=3.3V sollten mind. 100mA > fließen können. Rds,on wäre idealerweise im Bereich 1 Ohm oder kleiner. Eine eierlegende Wollmilchsau.
wosnet schrieb im Beitrag #7328698: > Ein Logik-Level-FET wäre wünschenswert, bei VGS=3.3V sollten mind. 100mA > fließen können. Rds,on wäre idealerweise im Bereich 1 Ohm oder kleiner. > Betriebstemperatur der Schaltung wird immer unter 40°C liegen. > Die
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Hubmagnet Schloss brennt immer durch
macht Rg_min = 7,5 Ohm. Und jetzt kommt das Optimierungsproblem. Man will möglichst schnell schalten, damit die Schaltverluste schön klein werden. Und man will möglichst langsam schalten, damit die induktiv erzeugte Schaltüberspannung klein ist und die Schaltflanken schön langsam sind, damit die
sollte so nah wie möglich am Türöffner hängen. Nein, eben nicht, sondern so nahe wie möglich am Schalter.
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Zum Elektronikschrott-der letzte Gang Gesperrt
Arbeiterfahnen und Schneemänner, es gibt besseres. Aber die FETs aus Russland find ich teilweise bemerkenswert
Moin, ●DesIntegrator ●. schrieb im Beitrag #7377281: > 2 poligen Schalter zwischensetzen? 3 poligen ;-) scnr, WK
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Simultan laden einer Batterie und betreiben einer LED
Wird so nicht klappen, wenn du den Plus-Ausgang an den Minus-Eingang des 12V-Wandlers schaltest (natürlich stimmt die andere Seite auch nicht). Und für 230V könntest du eine 5V-Wandwarze mit USB-Ausgang verwenden.
Exemplaren gemessen unter 5µA. Wenn er den Aufwärtswandler richtig herum anschließt und einen Schalter in dessen Zuleitung setzt, kann er das so aufbauen. Ich sehe auch Laden und gleichzeitig Leuchten problemlos, allerdings wird der TP4056 dann nicht abschalten, weil der Strom nicht fällt.
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Standby-Betrieb erkennen
Hall-Sensor an, der das Magnetfeld einer der Versorungsleiitungen misst. So ähnlich wie ein FI-Schalter.
bekommst: wie schaffst Du es, schnell genug bzw. unterbrechungsfrei wieder in den "Arbeitsmodus" zu schalten, wenn das Gerät wieder mehr Strom haben will? Gruß Marcus
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MOSFET High side Treiber
kannst du es dir auch leichter machen und einen Low-Side-Mosfet-Treiber zum Ansteuern deines High-Side-FETs verwenden
Keine gute Idee. Die Spannung nach dem Wandler steigt und fällt sehr langsam, währenddessen ist dein FET im Linearbetrieb und brennt dir durch. Der Optokoppler-Treiber ist schon wichtig dabei, der kann das FET-Gate einigermaßen schnell umladen, und sorgt dafür dass der FET entweder "an" oder "aus" ist
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MOSFET Avalanche rated
Verlustleistung (in Abhängigkeit von Kühlkörper...), die sich die Avalanche-Diode natürlich mit den Schalt-Verlusten etc. teilen muss. Damit kannst du dir das Gesuchte ausrechnen.
Hersteller parametrisch festgehalten = vom Kunden "einforderbar"). Und: Nicht spezifizierte Fets müßtest Du selbst analysieren & spezifizieren, obwohl man je nach genauer Energie pro Type auch schätzen könnte/zu manchen unspezifizierten Fet- (sowie BJT-) Typen auch Dokus von Versuchen anderer
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Open Drain/Collector an µC mit Pull-up Widerstand -> 0 Ohm
bei korrektem Treiben des Gates im verbotenen Bereich (außerhalb vom SOA) verbleibt und damit der FET aufgeheizt wird. Das hat mit dem Rdson nix zu tun, der FET ist da längst raus und irgendwo zwischen Ein- und Ausgeschaltet. W.S.
von dem in den µC integrierten FET des Ausgangspins. Danke euch.
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Wie zuverlässig sind chinesische Arduino Nano?
800 km Motorrad im Winter kaum machbar. Die Leistung habe ich ganz simpel per Multivibrator und FET getaktet, neumodisch heißt das wohl PWM.
Z-Dioden. Ist es Sinnvoll, so einen 0,5 W-Typ zu nehmen und parallel dazu noch eine 5.8 V TVS Diode zu schalten?
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LifePo4 mit Labornetz laden und gleichzeit entladen
Einspeisewechselrichter. Es gibt auch keine PV Einspeisung im Inselbetrieb. Das BMS trennt die Schalter, wenn etwas "schief" läuft. Weil wir hier einige kritische Verbraucher haben, will ich im Lowbudget Bereich eine Notstromversorgung schaffen, welche mir im Worst Case Strom liefert. Sollte ja max
Das Haus hängt am Insel Wechselrichter (3000W/6000W) Allerdings schalte ich dann nur einzelne Verbraucher über die Sicherungen frei. Die Einspeisung mit dem WR + Batterie funktioniert einwandfrei, habe einen ganzen Tag mal im Inselbetrieb ohne Kochfeld getestet.
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Vorauslegung Schaltnetzteil
höhere erreichbare Leistungsdichte durch die wg. extrem geringer Schaltverluste höhere mögl. F_Schalt Teil der Zielsetzung, das ist so. Aber nur weil bei geringerer Schaltfrequenz die maximierte Leistungsdichte wegfällt, werden sie dabei nicht nutzlos... ganz im Gegenteil, wenn das Ziel maximale
Entmagnetisierungswicklung verzichten können - entweder als "Active Clamped Forward" mit Zusatz-P-Ch-Fet, oder "2-Switch" oder sogar "3-..." (wesentliche Tastgraderweiterung, daher bessere Trafoausnutzung), aber die sind halt komplexer. Trotzdem bedeutet ein niedriger Wirkungsgrad nicht unbedingt
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Sourceschaltung Multisim
. Lassen die sich auch farblich unterscheiden (z.b.rot und grün)? 2. Um zu entscheiden, ob dein FET eine Verstärkung des Eingangssignals bewirkt, solltest du besser *direkt* am Gat-Anschluss messen. 3. Soll der FET verstärken oder schalten? Was war deine Absicht?
Habe die Schaltung bis auf den MOS-FET identisch aufgebaut, aber das Ausgangssignal schwächt eher ab, als zu verstärken.
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6 V Lipo-Akkupack und passende Lade-Elektronik?
nicht mehr! Weil hier verschiedene Zweige ,1,8V, 3,3V, 3,5 V alle über Transtistoren (können auch Fets oder sowas sein-da Micro-SMD, Codierung nicht identifizierbar - nur 1 oder 2 Buchstabe Ziffer das wars! Transistor.net u Co gibt praktisch zu JEDEM CODE immer gleich tausende verschiedene Möglichkeiten
Falls hier jetz einer auf die Idee kommt, ich kann doch z.B. ebenso 4 NiMH -Akkus a 1,24V in Reihe schalten,; ok, nur da hab ich im Vollzustand auch nur 4,8 V, aber erstens reichen die 4 nicht; zweitens bräuchte ich 5 statt 4 dieser Akkus, nur ist für weitere KEIN PLATZ dafür!! Zwar wäre DAS nicht unbedingt
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[verschenke] (leere) Einweg e-Zigaretten
Teil befand sich im hinteren Ende und verband elektrisch Akku mit Heizer. Muß also sowas wie ein Schalter sein, aber wie funktioniert es?
einen MosFET durchschaltet. Auf der Platine ist dann nur noch eine LED und ein Vorwiderstand für die LED.
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Verständnisfragen zu OpAmps
> Der Verstärker macht dann phase reversal. Der LM358? Ich kenne das ehr von denen mit J-FET Eingang, z.B. TL081.
>> Der Verstärker macht dann phase reversal. > > Der LM358? Ich kenne das ehr von denen mit J-FET Eingang, z.B. TL081. Siehe Anhang, aus Datenblatt LT1013/1014.
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geht Akku serielschalten und gleichzeitig Spannung von allen Akkus messen
entladen als die unteren (unbalancing). Daher wäre es schlau, die Spannungsteiler nur an den Akku zu schalten wenn gemessen wird, durch Analogschalter wie MAX4662 oder P-MOSFETs wie FDN338 (Achtung UGSmax). An Stelle des ADS1115 hätte es auch ein Anslogeingang eines AVR getan.
schrieb im Beitrag #7319785: > Die Lösung per Spannungsteiler ist zu einfach, erweitert um 4 P-FETs > zwecks Stromsparen wäre das mein Ansatz. > > Beim Ali finden sich INA219-Boards um 1,50 €, der kann bis 26 Volt über > GND - 4 Stück davon wäre auch ein Ansatz und nebenbei fällt dann noch
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Handhabung Pollin-DCF77-Modul?
Manfred P. schrieb im Beitrag #7362779: > Direkt dran würde ich bestenfalls mit 100k auf einen LL-FET wie > IRLML6344 gehen. Über 100R auf einen FDN335N .... ist bei mir drauf.
Beitrag #7363464: > Manfred P. schrieb: >> Direkt dran würde ich bestenfalls mit 100k auf einen LL-FET wie >> IRLML6344 gehen. > Über 100R auf einen FDN335N .... ist bei mir drauf. Ich hatte angenommen, dass Du den CD4011 auf 3V3 laufen hast und den FET zur Umsetzung nach draußen verwendest. Vielleicht
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ULN2803A wird warm/heiss, normal?
....So viel Platz auf der Platine braucht das auch nicht und du musst nicht zwei pins parallel Schalten sondern kannst mit nur einem MOSFET anstatt zwei Ausgänge vom ULN das Relais schalten
ein Relais / Led das nicht besser könnte... Beim ULN stört dessen hohe Restspannung, diskrete FETs könnten aber andere Effekte verursachen.