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STM32F107.pdf
line LQFP64 pinout 0 _ _ T 2 1 0 5 4 D S B B O B B B B B D C C C 1 1 V V P P B P P P P P P P P P P P A 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 VBAT 1 48 VDD_2 PC13-TAMPER-RTC 2 47 VSS_2 PC14-OSC32_IN 3 46 PA13 PC15-OSC32_OUT 4 45 PA12 PD0 OSC_IN 5 44 PA11
in „STM32-comStick USB-Bootloader“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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STC15-English.pdf
D 37 P2.5/A13/CCP0_3 D D D C C 2 C C C C C AD4/P0.4 5 P 36 P2.4/A12/ECI_3/SS_2 A A A A A x A A A A A U AD5/P0.5 6 4 35 P2.3/A11/MOSI_2 The speed of external P P T S S /O K/_ C AD6/P0.6 7 0 34 P2.2/A10/MISO_2 programmable
in „Testbericht Elektronische Last“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ACT2803_Data_Sheet.pdf
C2 C5 R3 C4 BAT1 L1 R17 C20 C1 BAT2 C13 C12 C11 C10 D1 R12 C6 C7 C8 C14 Figure 7. ACT2803 typical application circuit (Input current limit 2.75A, fast charge current limit 1.0A, discharge output constant
in „ACT2803 dual cell lipo charger - Problem“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sihfr014.pdf
current DM 31 Linear derating factor 0.20 W/°C Linear derating factor (PCB mount) 0.020 Single pulse avalanche energy E AS 27.4 mJ Maximum power dissipation T = 25 °C 25 C PD W Maximum power dissipation (PCB mount
in „Hilfe bei Bauteil identifikation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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JMTK4004A.pdf
on-Resistance V GS0V, I =D0A - 3.3 4.3 R DS(on) note3 mΩ V GS.5V, I D20A - 5.4 7.5 Dynamic Characteristics C iss Input Capacitance V =20V, V =0V, - 5595 - pF C oss Output Capacitance DS GS - 411 - pF f=1.0MHz C rss Reverse Transfer Capacitance - 340 - pF Q g Total Gate Charge V DS0V, I =D0A, - 65 - nC Q gs
in „Bauteil Identifikation SMD erwünscht => MosFet?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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SMK0825F.pdf
SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection • High Voltage : BV DSS=250V(Min.) D • Low C rss C rsspF(Typ.) • Low gate charge : Qg=14.5nC(Typ.) • Low R DS(on) RDS(on)0.43Ω(Max.) G Ordering Information G Type No. Marking Package Code D S S SMK0825F SMK0825 TO-220F-3L TO-220F-3L Marking Diagram
in „Mosfet defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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abc.pdf
05 1 06 1 07 1 0 dec dec add add add add add add 6 2 6 2 6 4 6 4 10 7 10 7 10 8 10 8 10 1 11 1 12 1 13 1 14 1 15 1 16 1 17 1 1 rlc rlc adc adc adc adc adc adc 6 2 8 2 6 4 6 4 10 7 10 7 10 8 10 8 1 2 1 1 27 1 20 2 21 2 22 3 24 1 25 1 26 2 inc in c sub sub sub sub sub sub 6 2 6 2 6 4 6 4 10 7 10 7 10 8
in „DDR-µC, maskenprogrammiert, "fremd verwendbar ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM400_Datasheet__2_.pdf
- dBm C/I co-channel at 0.1% BER π /4 DQ PSK - 10 - ≤ +13 dBm 8 DPSK - 19 - ≤ +21 dBm Adjacent channel selectivity C/I π /4 DQ PSK - -10 - ≤ 0 dB F = F0+ 1 MHz 8 DPSK - -5 - ≤ +5 dB Adjacent channel selectivity
in „Bluetooth LM400 Konfiguration“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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datasheet.pdf
CLOCK OPERATING STANDBY Temperature PACKAGE Remark (MHz) CURRENTMAX. CURRENTMAX. (mA) (uA) MX25L1605DM2I-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-SOP Pb-free (200mil) MX25L1605DMI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 16-SOP Pb-free MX25L1605DM1I-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-SOP Pb-free (150mil) MX25L1605DPI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-PDIP Pb-free (300mil) MX25L1605DZNI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-WSON Pb-free (6x5mm) MX25L1605DZUI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-USON Pb-free (4x4mm) MX25L3205DZNI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-WSON Pb-free (6x5mm) MX25L3205DM2I-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-SOP Pb-free
in „MX25L160(5AM2C) neu beschreiben? Gibt es eine DIY Lösung?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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p75nf75.pdf
Drain-gate voltage GS = 20KΩ) 75 V V GS Gate-source voltage ± 20 V ID(1) Drain current (continuous) aC T = 25°C 80 80 A ID(1) Drain current (continuous) aC T =100°C 70 70 A I (2) Drain current (pulsed) 320 320 A DM P Total dissipation at T = 25°C 300 45 W TOT C Derating factor 2.0 0.3 W/°C dv/dt(3)Peak
in „Unbekanntes Bauteil im Akkuschrauber“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BB_Schem_75839_b.pdf
9 OE_TP_INT ID 18 0 4 ID USBG_TXDP 14 DAT_VP DP 16 R49 3 D+ NC3 9 USBG_TXDM 13 15 330 2 NC2 8 USBG_RXDP 11 SE0_VM DM 33 5 D- 7 10 VP 4 GND NC1 6 USBG_RXDM 12 VM RESET 8 RESET_OUT_B RCV SUSPEND USBG_ON_B MINI_AB RECEPTACLE 6 21 SPEED C1 C77 C75 100pF NOPOP GND 23 CGND C2 22 0.1uF
in „PHILIPS VP5500 VoIP Telefon bei Pollin“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RCDN9.pdf
C 3 R R C R Q220 8.E_3.3V_CONT R466 1 R300 R302 9 0 8 Q204 2 R247 9.USB_OE R367 R442 2 2 3 2 J R246 10.DM_VBUS_CONT R465 0 R R R 2 4 C366 D 11.E_REQ R366 2 3 3 A 12.E_SPDIF R354 R243 Q C C R244 13.E_SPICS
in „Hifi Kompaktanlage mit Bluetooth Sender ausstatten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sh7020.pdf
I I D D / H R A D R H R S S S S A A 5 4 3/ 2 1 0 / A / B/R/W / / / C/C/C / / / 1 1 1 1 1 1 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 3 2 1 0 1 0 9 8 7 6 P P P P P P P P P P P P P P P P C C C C A A A A A A1 1 Port A Address A15 RES(Vpp)*2 A14 WDTOVF A13 MD2 MD1 1 1 A12 PROM or masked ROM* RAM
in „welche GPS-Maus ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MX25L6405D__3V__64Mb__v1.5.pdf
PART NO. CLOCK CURRENT CURRENT Temperature PACKAGE Remark (MHz) MAX. (mA) MAX. (uA) 8-SOP MX25L1605DM2I-12G 86 25 20 -4° C~85°C (200mil) Pb-free MX25L1605DMI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 16-SOP Pb-free 8-SOP MX25L1605DM1I-12G 86 25 20 -40°C~85°C (150mil) Pb-free MX25L1605DPI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-PDIP Pb-free (300mil) 8-WSON MX25L1605DZNI-12G 86 25 20 -40°C~85°C Pb-free (6x5mm) 8-USON MX25L1605DZUI-12G 86 25 20 -40°C~85°C (4x4mm) Pb-free MX25L3205DZNI-12G 86 25 20 -40°C~85°C 8-WSON Pb-free (6x5mm) 8-SOP MX25L3205DM2I-12G 86 25 20 -4° C~85°C Pb-free (200mil
in „FLASH Memory Chip im Lenovo X200 von 8 MB auf 16 MB vergroessern“ · PC Hard- und Software ·
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uA710.pdf
Input Bias Current 13 20 J.LA Voltage Gain 1250 1700 Output Resistance 200 n Output Sink Current ~VIN ~ 5 mV, VOUT = 0 2.0 2.5 mA Response Time (Note 3) 40 ns The following specifications apply for _55° C < TA < +125°C: Input
in „Nun ich auch mal - Suche Datenblätter zu ICs“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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73493.pdf
Symbol Limit Unit V Drain-Source Voltage DS - 40 V Gate-Source Voltage V GS ± 20 TC = 25 °C - 110a TC= 70 °C - 110a Continuous Drain Current JT = 175 °C) ID b, c TA= 25 °C 39 T = 70 °C b, c A 33 A Pulsed Drain Current DM 240 TC = 25 °C 110 Continuous Source-Drain Diode Current IS b, c TA = 25 °C 10 I Avalanche Current L = 0.1 mH AS 75 Single-Pulse Avalanche Energy E AS 281 mJ TC = 25 °C 375 TC= 70 °C 262 Maximum Power Dissipation T = 25 °C PD b, c W A 15 TA= 70 °C 10.5b, c Operating Junction
in „Messungen mit DMM Dual-Slope Verfahren am PMOS“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL3713.pdf
Symbol Parameter Max Units VDS Drain-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V D @ TC= 25°C Continuous Drain CurreGS, V0V 260h I @ T = 100°C Continuous Drain Current@ 10V 180h A D C GS DM Pulsed Drain Current 1040h P @T = 25°C Maximum Power Dissipation 330 D C W PD@Tc = 100°C Maximum Power
in „Logic Level Mosfet - Welcher "kann mehr"“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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datasheet.pdf
Lower Leakage • Popular SOT-227 Package G • Faster Switching S MAXIMUM RATINGS All Ratings: TC= 25°C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT20M11JVFR UNIT VDSS Drain-Source Voltage 200 Volts ID Continuous Drain Current @CT = 25°C 175 I 1 Amps DM Pulsed Drain Current 700 V Gate-Source Voltage
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pnFET_Si1551.pdf
Duty Cycle = 0.5 i n c r a e d t p 0.2 e I Notes: f a E r 0.1 P e e 0.1 DM l T 0.05 m t1 o 2 N 0.02 1. Duty Cycle, D = 2 2. Per Unit BasthJA 400 °C/W 3. JM-TA= PDM thJAt) Single Pulse 4. Surface Mounted 0.01 -4 -3 -2 -1 10
in „Kann diese Schaltung den 74HC132 killen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pnFET_Si1551.pdf
Duty Cycle = 0.5 i n c r a e d t p 0.2 e I Notes: f a E r 0.1 P e e 0.1 DM l T 0.05 m t1 o 2 N 0.02 1. Duty Cycle, D = 2 2. Per Unit BasthJA 400 °C/W 3. JM-TA= PDM thJAt) Single Pulse 4. Surface Mounted 0.01 -4 -3 -2 -1 10
in „Warum sperrt P-Kannal FET M1 nicht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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si1551dl.pdf
Duty Cycle = 0.5 i n c r a e d t p 0.2 e I Notes: f a E r 0.1 P e e 0.1 DM l T 0.05 m t1 o 2 N 0.02 1. Duty Cycle, D = 2 2. Per Unit BasthJA 400 °C/W 3. JM-TA= PDM thJAt) Single Pulse 4. Surface Mounted 0.01 -4 -3 -2 -1 10
in „CMOS: NAND bauen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PSMN5R5-60YS.pdf
VGS = 10 V;DI = 15 A; - - 8.3 mΩ on-state resistance Tj= 100 °C; see Figure 12 VGS = 10 V;DI = 15 A; - 3.6 5.2 mΩ Tj= 25 °C; see Figure 13 [1] Continuous current is limited by package. 2. Pinning information Table 2. Pinning information Pin Symbol Description Simplified
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irfh5300pbf.pdf
10V 100 h IDM Pulsed Drain Current c 400 Power Dissipation g P DT =A25°C 3.6 W P D T C(Bottom)25°C Power Dissipation g 250 Linear Derating Factor g 0.029 W/°C T J Operating Junction and -55 to + 150 T Storage Temperature Range °C STG Notes
in „Beschaltung Mosfet für Brushless-Regler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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RJH60F5DPQ.pdf
Operation Area Typical Output Characteristics 1000 160 Pulse Test 10.5 V 10 V ) ) Ta = 25 ( ( 11 V C 100 PW C 120 9.5 V I =1 I 13 V n 1 0μs n e 0 e 15 V u 10 μs u 80 C C 9 V o o c c l 1 l 40 o o 8.5 V C C Tc = 25°C VGE = 8 V Single pulse 0.1 0 0 1 2 3 4 5 1 10 100 1000 Collector to Emitter Voltage CE
in „Inverter Elektroden-Schweißgerät abgeraucht -> IGBT defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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doc7559.pdf
disturbances or connect load (Co). It is detailed in Figure 4. Figure 4. Second Order Motor Model U 1 I C em M 1 Ω + K + -- R+Lp -- f + Jp E C o K K*U(p) + Co(R+Lp) Ω(p)= (f + Jp)(R + Lp) + K² 5 7559B–AVR–12/06 Window-lift Model In addition to the DC motor model, the components from the window-lift system
in „Stromflussabbruch mit Arduino Nano steuern?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MTW8N60E.PDF
Non–Repetitivp (t 10 ms) VGSM 〉 40 Vpk Drain Current — Continuous D 8.0 Adc Drain Current — Continuous @ 100⋅C D 6.4 Drain Current — Single Pulse (t 10 s) I 24 Apk p DM Total Power Dissipation P D 180 Watts Derate above 25⋅C 1.43 W/⋅C Operating and Storage Temperature Range TJ, stg –55 to 150 ⋅C Single Pulse
in „Identifizierung Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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156346062-STi7105.pdf
l F23 o o G13 e G18 a t G19 a l G20 e i S t G22 VDD1V8_2V5 1.8 Digital LMI DDR2 1.8/2.5 V power y n G23 o K10 t e n d K11 o f K12 - i n L12 n o L13 i n C M13 C M16 e M17 i a c i a r n I 8065505 Rev D 63/313 Connections
in „Motorola Vip19x0 (Big brother of Vip1710)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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si4946ey.pdf
DM 30 A Continuous Source Current (Diode Conduction) S 2 Single Avalanche Current IAS 12 L = 0.1 mH Single Avalanche Energy EAS 7.2 mJ TA= 25_C 2.4 Maximum Power Dissipation PD W TA= 70_C 1.7 Operating
in „Frage zu Ic SI4948“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lm35.pdf
SOIC-8, no small heat TO-220, no sink heat fin sink heat fin heat sink fin heat sink Still air 400°C/W 100°C/W 180°C/W 140°C/W 220°C/W 110°C/W 90°C/W Moving air 100°C/W 40°C/W 90°C/W 70°C/W 105°C/W 90°C/W 26°C/W Still oil 100°C/W 40°C/W 90°C/W 70°C/W — — — Stirred oil 50°C/W 30°C/W 45°C/W 40°C/W — —
in „Signalkonverter Ladegerät“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lm35.pdf
SOIC-8, no small heat TO-220, no sink heat fin sink heat fin heat sink fin heat sink Still air 400°C/W 100°C/W 180°C/W 140°C/W 220°C/W 110°C/W 90°C/W Moving air 100°C/W 40°C/W 90°C/W 70°C/W 105°C/W 90°C/W 26°C/W Still oil 100°C/W 40°C/W 90°C/W 70°C/W — — — Stirred oil 50°C/W 30°C/W 45°C/W 40°C/W — —
in „Linearisierung NTC und Anpasssung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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PMV15UNEA.pdf
Rating System (IEC 60134). Symbol Parameter Conditions Min Max Unit V drain-source voltage T = 25 °C - 20 V DS j VGS gate-source voltage -8 8 V D drain current V GS = 4.5 V; amb = 25 °C [1] - 7 A V GS = 4.5 V; amb = 100 °C [1] - 4.4 A DM peak drain current T amb= 25 °C; single pulse; p ≤ 10 µs - 28 A Ptot total power dissipation T amb= 25 °C [2] - 610 mW [1] - 1.4 W T sp= 25 °C - 8.3 W Tj junction temperature -55 175 °C Tamb ambient temperature -55 175 °C Tstg storage temperature -65 175 °C Source-drain diode I source current T = 25 °C [
in „Wahl des SynchrongleichrichterMOSFETs für Buck Converter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TC1797_UM_v1.1.pdf
implementation-specific details are defined in bits 24 to 26. ICR Interrupt Control Register (F7E1 FE2C H) Reset Value: 0000 0000 H 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 C 0 ONE CARBCYC PIPN CYC r rw rw rh 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 IE CCPN r rwh rwh Field Bits Type Description CARBCYC
in „TC1797 - keine Datenblätter?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BUZ11.pdf
Voltage (GS= 20 k ) 50 V V GS Gate-source Voltage 〉 20 V o ID Drain Current (continuous) atcT = 25 C 33 A DM Drain Current (pulsed) 134 A P tot Total Dissipation atcT = 25 C 90 W o Tstg Storage Temperature -65 to 175 C T Max. Operating Junction Temperature 175 oC j DIN HUMIDITY CATEGORY (DIN 40040)
in „Transistorschalter für Glühlampe 12V 5W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Laborausstattung.pdf
50000] True RMS 3 Voltcraft VC-940 Hand-Multimeter USB - [00000 ... 39999] True RMS 1 Unitech UT-71C Hand-Multimeter USB - [00000 ... 39999] True RMS 1 Unitech UT-60H Hand-Multimeter --- - [00000 ... 39999] True RMS 1 SMTech DM-620 Hand-Multimeter --- - [00000 ... 49999] True RMS, Datalogger 1 Unitech
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STM32F405-7x.pdf
RX/ TIM1_CH3/ 43 D3 69 102 D15 121 PA10 I/O FT OTG_FS_ID/DCMI_D1/ EVENTOUT USART1_CTS / CAN1_RX 44 C1 70 103 C15 122 PA11 I/O FT / TIM1_CH4 / OTG_FS_DM/ EVENTOUT USART1_RTS / CAN1_TX/ 45 C2 71 104 B15 123 PA12 I/O FT TIM1_ETR/ OTG_FS_DP/ EVENTOUT PA13 46 F8 72 105 A15 124 (JTMS-SWDIO) I/O FT JTMS-SWDIO
in „STM32 DCMI (Kamera) Pinbelegung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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heag.pdf
W/m tisiert. Die über 1 Jahr registrierten Wertepaare von Tem- und 25°C, einem Wertepaar, das bei uns praktisch nie peratur und flächenbezogener Bestrahlungsleistung (10 vorkommt. minütige Mittelwerte) werden über der diskretisierten Multipliziert man in Bild 13 die diskreten
in „Wirkungsgrad = Spannungsabfall?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MCU_-_HR8P506_Datasheet_e.pdf
minutes bit WM<1>: 2 minutes bit WM<0>: 1 minute bit RTC Day Alarm Register (RTC_DA) Offset addresH:0C Reset value:xxxxxxxx_xxxxxxxx_xxxxxxxxBxxxxxxxx 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 Reserved 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 Reserved DH<5:0> Reserved DM<6:0> — bit31-14 — — DH<5>: 24 hr format:20 hours bit 12hr format:1 presents PM, 0 presents AM DH<4>: 10 hours bit DH<5:0> bit13~8 R/W DH<3>: 8 hours bit DH<2>: 4 hours bit DH<1>: 2 hours bit DH<0>: 1 hour bit — bit7 — — DM<6>: 40 minutes bit DM<5>: 20 minutes bit DM<4>: 10 minutes bit DM<6:0> bit6~0 R/W DM<3>: 8 minutes bit DM
in „Re - Programmierung eines Cortex M0“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Devices.txt
14 TP06SQ 14 RES10 14 QG5860 14 MA04-2 14 MA04-1 14 L-EU0204/5 14 IRFP240 14 CPOL-EU153CLV-0405 14 C1206 13 NC 13 LEDCHIP-LED0805 13 JP1Q 13 IRF540 13 HD-H103 13 ELC-5 13 CRYSTALHC49U70 13 CPOL-EUSMCC 13 CPOL-EUB45181A 13 B-DIL 13 1N4446 12 TRIM_EU-B25P 12 TLC5940-PWPOTV 12 SJ 12 RESEU-18 12 R 12 C-
in „[KiCad] Bibliotheksaufbau - Konzeptideen gesucht“ · Platinen ·
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ssr2n60a.pdf
12 35 VDD300V,I =DA, r Rise Time -- 15 40 td(off) Turn-Off Delay Time -- 41 90 ns RG =18Ω See Fig 13 f Fall Time -- 16 40 OO 5 Q g Total Gate Charge -- 15 21 VDS480V,V =GSV, Q nC gs Gate-Source Charge -- 2.6 -- D =2A Qgd Gate-Drain( “Miller”) Charge -- 6.7 -- See Fig 6 & Fig 12 OO 5 Source-Drain Diode
in „Ersatz für SSR2N60A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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R1610C.PDF
TMRIN1/PIO0 9 94 D1 TMRIN0/PIO11 10 93 D2 11 92 TMROUT1/PIO1 D3 TMROUT0/PIO10 12 91 VDDIO DRQ1/INT6/PIO13 13 90 D4 DRQ0/INT5/PIO12 14 89 D5 SIN0/SAD14 15 88 D6 16 R1610C 87 SOUT0/SAD13 D7 RTS0_n/SAD9 17 86 DQML VDDIO 18 85 WE_n DTR0_n/SAD12 19 84 CAS_n CTS0_n/SAD8 20 83 VSSC 21 82 DSR0_n/SAD11 RAS_n DCD0
in „Hilfe JTAG für IP Webcam ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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APEEL_JEDEC.pdf
Testvektoren jetzt funktionsfaehig ! -Vext kommt low-aktiv ! DATE: 12.08.1997 *DF PEEL *DD 18CV8 *DM ICT *QP20 *QF2696 *F0 * N Output Pin 19 * L0000 1111 1111 1011 1111 1111 1111 1111 1111 1111 * L0036 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1011 1111 * L0072 1111 1111 1111 1111 1111 1111 1011 1111 1111
in „Suche Infos zu ICT Peel 18CV8P 35NS Software JDEC File erzeugen?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2206071616_BL-Shanghai-Belling-BLM3404_C3032968.pdf
(off) V GS0V,R GEN=3Ω - 14.5 - nS Turn-Off Fall Time t - 3.5 - nS f Total Gate Charge Q g - 5.2 - nC V DS5V,I =DA, Gate-Source Charge Q gs - 0.85 - nC VGS10V Gate-Drain Charge Q gd - 1.3 - nC Drain-Source Diode Characteristics (Note 3) Diode Forward Voltage VSD V GSV,I =SA - - 1.2 V (Note 2) Diode Forward
in „Betrieb von MOSFETS bei maximalstrom?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6302.pdf
0.61A c ) TJ= 25°C t ( i n e e R 1.5 r T J 150°C n C 1 O e c d r u e u o l i 1.0 o - a - - r - i N i 0.1 r ( r D D , 0.5 , n ID ( - V = -10V D DS R 0.01 20µs PULSE WIDTH▯ 0.0 VGS = -4.5V▯ A 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
in „LCD-Hintergrundbeleuchtung dimmen (PWM)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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stm32f4x7_eth_bsp.c
(LAN8710A_PHY_ADDRESS, 2); // 0x0007 PHYID_LO = ETH_ReadPHYRegister(LAN8710A_PHY_ADDRESS, 3); // 0xC0Fx if( (PHYID_HI != 0x0007) || (PHYID_LO != 0xC0f1) ){ // no phy no fun -> endless loop while(1); } /* Configure Ethernet */ EthStatus = ETH_Init(Ð_InitStructure, LAN8710A_PHY_ADDRESS); /* Enable
in „Olimex STM32E407, FreeRTOS und lwip“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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1912111437_Vishay-Intertech-VS-10BQ015HM3-5BT_C413465.pdf
www.vishay.com/doc?91000 VS-10BQ015HM3 www.vishay.com Vishay Semiconductors ) ( 10 100 t e r ) 100 °C u T = 125 °C A 10 C J ( 75 °C r n w e o r 1 50 °C F 1 C s e o TJ= 100 °C r 25 °C e TJ= 75 °C v a e 0.1 n Tj = 25°C R t R n I - 0.1 0.01 F I 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0 3 6 9 12 15 VFM - Forward
in „1N5817 Schottky Alternative“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FGA5065ADF.pdf
Continued) 0 5 Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max Unit A D Qg Total Gate Charge - 72.2 - nC F Q Gate to Emitter Charge VCE = 400 VC I = 50 A, - 13.5 - nC — ge VGE = 15 V Qgc Gate to Collector Charge - 28.5 - nC 6 0 , Electrical Characteristics of the Diode C = 25°C unless otherwise noted 5
in „Inverter Schweißgerät, Alternative IGBTs kompatibel? (Datenblätter inside)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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AS5048_Datasheet.pdf
Transmission N+2 The NOP command frame looks like follows. Figure 28: NOP Command NOP Command Bit MSB 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 LSB 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 The chip’s response on this command is 0x0000 AS5048A/AS5048B – 20 amsDatasheet: 2014-Jun-05 [v1-06] I²C Interface I²C Interface TheAS5048Bsupports2
in „Drehwinkelmessung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Baumappe_BX-222P_1_.pdf
1 1 1 1 Q1 2 10n 100k 47u C10 100n 100n 0 C11 2 4 6 8 1 100n C18 X E TP4 R38, R42, R44, R45inFestspannungsversion C12 C15 S C16 12MHz C17 100n 100n 1 3 5 7 9 R der LDOsIC1undIC9unbestückt C13 100n 22p 22p 100n Bild A2: Schaltplan
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MPT2P50E.pdf
CASE 221A Drain Current – Continuous ID 2.0 Adc STYLE 5 MTP2P50E Drain Current – Continuous @ 100⋅C ID 1.6 LLYWW Drain Current – Single Pupse (t 10 s) DM 6.0 Apk 1 1 3 Total Power Dissipation PD 75 Watts 2 Gate Source Derate above 25⋅C 0.6 W/⋅C 3 2 Operating and Storage Temperature TJ, stg –55 to
in „Ersatztypen für Diode“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bs208.pdf
mode vertical D-MOS transistor Product specification April 1995 File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode vertical BS208 D-MOS transistor FEATURES • Direct interface to C-MOS • High-speed switching handbook, halfpage d • No secondary
in „Mosfet BS208 sperrt nicht bei >3V“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·