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PWM Glätten mit C oder L? Wie dimensionieren?
noch keine "passende" Lösung dabei.... Nämlich habe ich, wie im Anhang zu sehen ist, jew. einen MOSFET Q1/Q2 welche mittels PWM eine Last "dimmen" P1/P2 (Buzzer als Beispiel, würde man bei denen wahrscheinlich nicht hören,aber als Bsp.). Zusätzlich haben die Q's am Gate einen Pull-Down Widerstand (R1
Sicher nicht so. Denn nimm mal an, der Kondesaotr ist "leer" und entladen, und du schaltest den Mosfet ein. Was passiert dann? Richtig: es fließt ein sehr hoher Strom, weil der Kondensator über ein paar Milliohm geladen werden muss. Ein Tipp: lade dir einfach mal LTSpice runter und spiele an diesen
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Neue Bauteile: THT-SMD-Adapter für Kondensatoren, Ethernet-Switches und vieles andere mehr
und wieder muss man Sachen direkt an einer Lithium-Zelle betreiben, und wenn's nur das Gate eines MOSFETs ist um Dinge ein- und auszuschalten. Da sind 5V-fähige ICs schon ganz praktisch.
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Schaltplan eines MOSFETs mit Zener-Dioden und Widerständen
Drain (3) 10 kΩ 100 kΩ Gate (1) Source (2)
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mit µC pin 5V schalten, suche "Ein-Bauteil-Lösung"
das zu erreichen, was DU willst. gpio - Gate vom MosFet. Widerstand ? +UB - Buzzer - Drain vom Mosfet. mosfet-Source - GND sollte funktionieren. Aber ganz ohne Widerstand vom gpio zum Gate läuft man Gefahr, dass der gpio rückwärts eine aufs Dach bekommt. Macht aber nix, sind bestimmt mehrere
dessen Daten bzw. ein Datenblatt des Buzzers verlinken. drei Litzen (+5V, GPIO, GND) weil der MOSFET oder BJT ja hinten am Buzzer pappen soll.
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Auswahl Digitaltransistor für 5V Relais (<100mA) an 3.3V ESP32
der MOSFET-Schaltung enthalten. > damit erspart man sowohl den Serienwiderstand als auch die Freilaufdiode bei > gleichzeitig vernachlässigbaren Durchflussverlusten. Gilt das für alle MOSFETs in den
. Der MOSFET muss entsprechend spannungsfest sein.
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Designhilfe LT8306
erreichen zu können, bei 9V bringt die Schaltung die Leistung nicht mehr. Ilim ist am PrimärMOSFET, Idiode an der Sekundärdiode.
am Ausgang 4A bei 12V willst, dann brauchst du bei 9V am Eingang sicher mehr als 5,5A. Wenn dein Mosfet oder der Trafo diesen Strom nicht packt, dann musst du die abgegebene Leistung begrenzen.
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Schaltplan mit LED-Anzeige und MOSFET-Schaltung
GREEN, D7 GREEN, D8 GREEN, J3 Load-, R13 220R, D9 RED, Q2 AO3400A, +9V, R2 10KR, SW1, R14 10KR, GND, MOSFET Test, Sheet: /, File: test.kicad_sch, Title:, Size: A4, Date:, KiCad E.A. kicad 7.0.5, Rev:, Id: 1/5
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Mosfet (AO3400A) kaputt - wieso?
Ich habe eine Schaltung mit Mosfets, die ich glaube ich gegrillt habe und ich weiß nicht wie. Vielleicht hat ja jemand eine Idee Ich schalte ein paar LEDs mit einem Mosfet. Dazu nutze ich eine 9V Blockbatterie. Ich verwende den Optokoppler
Zeit immer wieder geprüft. Die Mosfets sind kein mal auch nur warm geworden
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RS485 Pegelunterschiede
NICHT auf GND bezieht. DAS ist das Prinzip von RS485! Genauso wie eine H-Brücke "im Prinzip" mit 4 Mosfets realisiert wird, und doch "in der Realität" laufend irgendwelche Anfänger mit der Ansteuerung der Highside auf die Nase fallen. Wie auch immer: alle mir bekannten und erfolgreichen RS422/RS485/
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30W Leuchtstoffröhre über Küchenzeile ersetzen
mit 3x3 oder 3x4 Midpower LEDs. Die Unterbauleuchten schalte ich mittels Bewegungsmelder und LL-Mosfet. Funtioniert seit 10 Jahren und die LEDs sind noch kein bisschen ausgebrannt.
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Ersatzrelais für Handouk-Relais
muß und auch die Preisklasse des Gerätes. Bei hochpreisigen Geräten würde ich die Relais durch MOSFET-Schaltungen ersetzen. Dann ist man die Probleme auf Dauer los. Z.B.: https://www.amp-master.de/home/leistungen/elare/
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Linearnetzteil Endstufe für schnelle Spannungsregelung
ich hierzu umfangreiche Transistorendstufen (mit Vorstufen usw.) oder könnte man auch "einen" N-Mosfet (ja, eingeschränkter Linearbereich) im Massepfad nehmen und direkt via OP ansteuern / regeln? Einen schönen sonnigen Tag :)
Entkoppelt und 1x 160V), jeweils gleichen Ground. "Normal" versorgt das 20V Netzteil. Dann über einen MOSFET schalte ich das 160V Potential auf die 20V Leitung. Also versorgt das 160V Netzteil die Schaltung. Dabei gab es zwei Probleme. Zum einen bekomme ich den Mosfet nicht langsam genug aufgesteuert
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Fröling S3 Turbo 30 - Bauteil nicht lesbar.
aber bald wohl nicht mehr verfügbar sein (als info für die späteren Leser). Oberhalb ist ein Mosfet (auf dem Linkbild unterhalb) - der war komplett auf Kurzschluss. Die Widerstände sind auf diesem Bild zwischen den 2 Spulen zu sehen.
. 2 vorausgehende Vermutungen habe ich oben ja schon bestätigt. Oberhalb der Widerstände ist ein Mosfet (NTPF360 - N80S3Z) durch, der auch heute schon kommen müsste. Der höchste Wert drum herum liegt derzeit bei 300irgendwas Ohm - schaut also gut aus. Im übrigen hatte ich heute Morgen eine EMail
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Suche "Batterie-Wechsel-Schalter".
Ideale Dioden; bei dieser Last Controller wie LM74700-Q1 für einen dicken MOSFET. Aber wenn die Akkus die gleiche Spannung haben, sind sie auch gleichzeitig aktiv. Wenn du die Akkus der Reihe nach entladen willst, dann musst du dir mit Komparatoren und Logik deine eigene Steuerung
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LED-Matrix
analog zum vorherigen Beispiel, nur mit dem Unterschied, daß die MOSFETs deutlich kleinere Spannungsabfälle zu verzeichnen haben. Damit die MOSFETs schnell schalten werden MOSFET-Treiber eingesetzt. Zur Not tun es aber auch Mikrocontroller-Ausgänge, die allerdings mit 5 V Speisespannung laufen sollten. Für die P-Kanal MOSFETs nutzt man hier im Beispiel einen echten MOSFET-Treiber, die N-Kanal MOSFETS kann man hier mit einem einfachen CMOS-Inverter ansteuern. Das geht bei kleinen Logic Level MOSFETs mit 1-2 nF Gatekapazität
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Transistor/Mosfet identifizieren
Dann vermute ich einen 3A/600V n-MOSFET, aber welcher genau ist so nicht zu ermitteln.
werden. Nach dem Ausschalten werden wahrscheinlich die vier großen Elkos über die Widerstände und den Mosfet langsam entladen. Dafür ist wahrscheinlich auch diese Schaltung mit dem Mosfet verbaut.
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ARM-ASM-Tutorial
module allows the software to disable/enable the clock signal for each periphery module. Because MOSFET-based circuits (virtually all modern ICs) only draw power if a clock signal is applied, turning off the clock of unused modules can reduce the power usage considerably. This is documented in the aforementioned
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Arduino PWM und Bibliothek auf einem Timer
einem Arduino Nano V3.0 eine Lichtsteuerung mit IR Fernbedienung, die per PWM (analogWrite(0-255) N Mosfets ansteuert, die wiederum der LED die Masse geben. Da ich einen RGBCW LEDstreifen (24V) benutze brauche ich dafür 5 PWM Pins am Arduino (3,5,6,9,10; 11 bleibt frei). Jetzt habe ich aber einen Konflikt
> > Mit einem PCA9685 zum Beispiel. So einen habe ich mir jetzt bestellt, um damit meine Mosfets (IRlZ34N) für den LED Streifen zu schalten. Ich berichte dann nochmal wenn er da und eingebaut ist… Danke nochmal, Gruß
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+17V,22k,100n,220k
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MacBook Logicboard Reparatur
5.5V, 400W, TVS-Diode, SOD-123, Semtech, Semtech PESD5V0L1BA, TVS, 5.5V, 400W, SMD, SOD-123 **MOSFETs** Q7001: N-Kanal MOSFET, MOSFET (Power), SO-8, Fairchild, Fairchild FDC855N, N-Kanal, SO-8 Q7002: P-Kanal MOSFET, MOSFET (Power), SO-8, Fairchild, Fairchild FDC856N, P-Kanal, SO-8 **Power Management
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+12V 10k 100n BC547B
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Transistoren auf Eignung als Avalanche-Sägezahnoszillator testen - mitmachen!
aufwendig und machen sie fast unkaputtbar. Es gibt schöne fertige ICs bis zu 8A mit den beiden MOSFETs intern. Die löte ich allerdings nicht mehr selber von Hand ein. Für höhere Leistungen gibt es dann Controller-ICs, wo man die MOSFETs extern anschließt. Beim Hersteller gibt es schöne Simulationstools
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Analoge Lüftersteuerung mit PWM Eingang
direkte PWM-Lüftersteuerung verzichten wollte. Mein Ansatz: µC -> 3.3V PWM -> RC-Filter -> Opamp -> MOSFET -> Lüfter (12V, 2W) Da ich inzwischen auf mehrere Lösungen im Netz gestoßen bin, bin ich mir nicht mehr sicher, wie ich den Opamp am sinnvollsten beschalte bzw. in welchem Modus der betrieben werden
Dann bau das wie einen Schaltregler auf, kleiner MOSFET für 3V Ansteuerung, Spule, Diode und Kondensator.
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Schaltplan eines MOSFET-Treiber- oder PWM-Schaltkreises
12V V2 V1 12 R6 10k C2 1u R5 10k C1 1u R3 47k U1 LT1013 12V IRF9530S M1 R1 68k R9 22k C3 330u D1 1N5823 Lüfter 50 PULSE(0 3.3 0 1n 10u 20u) .tran 100m
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Stromverbrauch 74 Logic ICs
@ 25 GradC, 10uA @ 125 GradC, NXP BISS) TPS22860 (5V high side power switch 2nA) hochsperrende MOSFETs: Ohne Bulkdiode. ALD1107 (400pA max., 4nA bei 125 GradC) SD5000 BSS83 (10nA max.) vs. BS170 (500nA) BSS295 (1uA max., 50uA bei 125 GradC) wer besser als Datenblatt sein muss kann messen: BJT gehen
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Welche Bauelemente sind das? I²C Sensor.
Wenn Du genauer wissen willst, was die MOSFETs mit dem Signal machen dann Google mal nach: „mosfet level shifter circuit“. Die bauen das gerne auf diese Module drauf, damit sich der Kunde keine Gedanken machen muss und die Reklamationen (bzw
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NMOS Inverter mit Enhancement Load Schaltplan und Kennlinie
practical than the resister loaded inverter, because the resistors are thousand times larger size than a MOSFET. VDD iDL + VDSL + VGSL iDD vO VI + VDSD + VGSD Driver: VTND, KD Load: VTNL, KL iD vDS (sat) = vGS - VTN Transition point VDD - VTNL vDS VDD
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NMOS Inverter mit Enhancement Load Schaltplan und Kennlinie
NMOS Inverter with Enhancement Load When vI < VTND driver is cut off and the drain currents are zero. iDL = 0 = KL(vDSL - VTNL)^2 vDSL = VDD - vO vDSL - VTNL = VDD - vO - VTNL = 0 maximum output voltage vO,max = VOH = VDD - VTNL For the enhancement-load NMOS inverter, the maximum output voltage, which is the logic 1 level, does not reach the full VDD value. Load: VTNL, KL Driver: VTND, KD iD vDS (sat) = vGS - VTN Transition point vDD - VTNL vDD vDS
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Symbole verschiedener n-Kanal MOSFET Typen
n-channel MOSFET substrate or body terminal D G S Enhancement mode Depletion mode B VSB
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NMOS Inverter mit Depletion Load Erklärung
NMOS Inverter with Depletion Load VDD iDL + vDSL Load: VTNL, KL Gate and source are connected, vGSL = 0 Since the threshold voltage of load transistor is negative. vDSL(sat) = vGSL - VTNL = -VTNL vGSL = 0 vi + vDSD Driver: VTND, KD - VDD iDL vDSL(sat) = vGSL - VTNL = -VTNL vGSL = 0 Load vDSL
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Schaltplan USB-A zu USB-C Konverter mit MOSFETs
+5V,5 V,100k,AO6604,USB-A input,USB-C output,100k,0 V,On button,4.978 V
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Mainboard in Luftpolsterfolie verschickt
ich das besser bleiben lassen und spezielle ESD-Pinsel kaufen? Ich dachte z.B., dass eingebaute MOSFETS weniger empfindlich seien als nicht eingebaute. Früher wurden doch manchmal bei sehr ESD-empfindlichen Bauteilen die Pins extra mit Drähten kurzgeschlossen. Hmmmm.... ciao Marci
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Leistungs-MOSFETs auf Kühlkörper mit Verkabelung
SHANTOU CHAONAN GBJ2510 RU
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Geeigneter Mikrocontroller für Zellmessungen
erstelle ich auch gerade ein kleines 3-5S BMS. Der kümmert sich auch gleich noch um die Ansteuerung der MOSFETs und wenn du noch einen BQ76200PW mit verbaust, dann kannst du sogar ganz easy das Pack Highside schalten. Hat diverse Vorteile. Abgesehen davon ist er sehr sparsam, lässt sich in einen ultra low
auch gerade ein kleines > 3-5S BMS. Der kümmert sich auch gleich noch um die Ansteuerung der > MOSFETs und wenn du noch einen BQ76200PW mit verbaust, dann kannst du > sogar ganz easy das Pack Highside schalten. Hat diverse Vorteile. > Abgesehen davon ist er sehr sparsam, lässt sich in einen ultra
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Mosfet KEA59N30NA Ersatz
Wenn das "nur" eine langsame Audio-Endstufe ist, dann nimm einfach einen Allerwelts-300V-59A Mosfet, bei dem das Pinout passt: - https://www.google.com/search?q=mosfet+59N30
Das Mosfet habe ich schon entfernt. Siehe Bild
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Wireless Charging - PCB ist heiss
abschirmen, wie es meistens gemacht wird. https://www.mikrocontroller.net/articles/Royer_Converter#MOSFET-Variante
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Stromaufnahme weiter senken
Welche Spannung liegt denn am Gate vom MOSFET im Ruhezustand an?
Das Spannungsmessgeräte sollte für beide Messungen halbwegs hochohmig sein. Die U_GS(th) des MOSFETs ist für einen Strom von 250µA angegeben.
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Schaltplan mit ATmega168P, OLED und MOSFET
LiPo 4,2V 270K 11K ATmega168P D6 A0 42K A09T (N-Kanal) BC547 D G S 470K C4 SDA C5 SCL OLED Start
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Schaltung mit 2 N-Kanal Mosfet
Modell verwendet. Und wieder völlig daneben. Mit den Parametern eines VMOSFET kann man einen MOSFET mit separatem Bulk eben nicht beschreiben.
p-Kanal Typ, aber die meisten Distributoren haben den nicht. https://www.google.com/search?q=mosfet+with+separate+bulk+pin
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Schaltplan einer CMOS-Inverter-Schaltung
VCC Drain current of M1 ? M1 CMOSN Vout=? Vout M2 CMOSN Vin
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Schaltplan mit ICM7555 Timer und MOSFET-Treiberstufe
+24V, R5 0R33/2W, T1 BSS138, D2 TS4148, T2 BC860C, R4 4k7, T3 IRF5305, OUT, 1, 2, 3, IC1 ICM7555, 8 VCC, 6 TR, 7 TH, 4 RST, 5 DIS, 1 CTR, GND, C1 10uF 25V, C2 10uF 25V, R1 100k, R2 4k7, D1 BZV55-C12, R3 2k2
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Spannungswandler wird mir zu heiss
das Modul ohne Ankündigung jederzeit im Aufbau ändern könnte. Ist es denn die Spule vorne oder der MOSFET auf der Rückseite? Als halbwegs verträgliche Lösung könnte man einen Kühlkörper mit einem dicken (3mm) Gelpad anpressen. Übrigens hat die Miniaturisierung von DCDC-Wandlern (würde ich hier noch
Modul ohne Ankündigung jederzeit > im Aufbau ändern könnte. Ist es denn die Spule vorne oder der MOSFET auf > der Rückseite? Als halbwegs verträgliche Lösung könnte man einen > Kühlkörper mit einem dicken (3mm) Gelpad anpressen. Es muss ja nicht 100%ig passen. So ein Gelpad hört sich schonmal
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Vereinfachter Schaltplan mit Batterie, MOSFET, Heizdraht und NTC
Vereinfachter Schaltplan Batterie MOSFET Heizdraht NTC GND
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Betreff: Hilfe bei der Erstellung einer Platine für ein kleines Angelzubehör-Projekt (KiCad)
(ca. 0,12–0,19 Ω), daher wird die Leistung stromgeregelt und nicht spannungsgesteuert. •Eine MOSFET- und NTC-Überwachung schützt vor Überhitzung und Unterspannung. •Die Platinengröße ist auf 16 mm x 55 mm begrenzt und benötigt auf beiden Längsseiten 1 mm Freiraum als Führung im Gehäuse. • Lion
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Blockschaltbild eines Heizgeräts
Heizdraht Messingröhrchen Feuerknopf MOSFET Steuerchip NTC USB-C
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NPN Transistor durch N-MOSFET ersetzen?
des N-MOSFETS ersetzen > und... läuft? Sofern man einen geeigneten MOSFET verwendet geht das. > P.S.: > Der Arduino Nano ist hier nur ein Platzhalter, ich schiele eher auf den > RP2040-Zero, das Prinzip
Entsprechungen des N-MOSFETS ersetzen >> und... läuft? > > Sofern man einen geeigneten MOSFET verwendet geht das. IRLML2502, allerdings SMD.
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Frage zu Schaltung an analoger Telefonleitung
sinnvoller, den C6 nicht am Ende des RC-Glieds, sondern direkt oben anzuschließen, dann wäre der Opto-Mosfet mit dem C6 direkt überbrückt, wie im Datenblatt des IC vorgeschlagen. Was der Elko C13 in der Schaltung macht, ist mir weiterhin unklar. Mir fällt gerade auf, dass der zusammen mit C12 parallel
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DC-DC Wandler Spannungsausgang ändert sich mit Strombelastung
Der MP1584 ist schon recht alt, mit nur einem MOSFET und externer Diode. Daher geht er bei geringer Last in den lückenden Betrieb, wo dann die Spannung nicht mehr so konstant ist. Als Nachfolger ist der MP2338 angegeben. Der regelt besser durch Constant-on-time
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Raspberry Pi Pico SDR
. Eigentlich brauchen die SDRs mit Taylor oder auch einfachen QSDs auf Basis von geschalteten MOSFET-Analogschaltern keinen HF-Vorverstärker, weil die „Mischerdämpfung“ nur ca. 1dB (Taylor QSD) bis 4dB (QSD mit 1:2 Schaltern) berträgt und zumindest bei Frequenzen unterhalb von ca. 20MHz damit die
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Bitte um Hilfestellung beim Platinen Layout
]. Deine PWM-Ausgänge sind auch falsch. Wenn man +12V schalten will/muss, braucht man P-Kanal MOSFETs und [[Pegelwandler]]. Siehe https://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor#Wie_kann_ich_mit_5V_vom_Mikrocontroller_12V_und_mehr_schalten? Was ist U5? 2.4GHz ist keine sinnvolle Typbezeichnung
