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TPIC6595 3.3V Alternative
Ausgang zu GND: min. 15mA - Die Last wird nach GND geschaltet. (Der TPIC6595 hat integrierte MOSFETs) Ich wäre über Vorschläge dankbar. Grüße
. Weshalb muss es ein IC mit Mosfet am Ausgang als Treiber sein? Der Strom je Ausgang ist mit 15mA nicht besonders hoch, ein BC546C o.ä. hat da auch keinen besonders hohen Spannungsabfall über Uce. Wenn es aber tatsächlich Mosfet
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Handgezeichneter Schaltplan mit Batterien und N-MOSFET
S1: Schalter mit Kontroll-LED 4k7 G1 12V DC Starterbatterie + (1) K1 Victron Cyrix ct + (2) Masse-Anschluss G2 12V DC Aufbaubatterie weitere Verbraucher N-MOS. R2 10k
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Schaltplan mit Batterien, Victron Cyrix ct und N-MOSFET
G1 12V DC Starterbatterie G2 12V DC Aufbaubatterie K1 Victron Cyrix ct + (1) + (2) Masse-Anschluss S1: Schalter mit Kontroll-LED weitere Verbraucher R1 R2 N-MOS.
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Projekt - Realisierung PEMF Generator
Stromversorgung - AD9850 DDS Frequenzgenerator - Arduino Nano / ESP32 für Steuerung & Display - IRF540N MOSFET für Signalverstärkung - Kupferspule (200-500 µH) zur Magnetfelderzeugung - Schutzdiode 1N5822 & Widerstände (100Ω, 10kΩ) - OLED-Display (128x64) zur Frequenzanzeige
Micha schrieb im Beitrag #7830338: > IRF540N MOSFET für Signalverstärkung Geht nicht, er will Micha schrieb im Beitrag #7830294: > hochwertigen Komponenten
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Hilfe bei Transistor-Auswahl zur Relais-Ansteuerung gesucht
Anfänger im Bereich Schaltplanerstellung, wenn es konkrete Verbesserungsvorschläge gibt, gerne. > Mosfet. > Beachte aber auch den letzten Abschnitt von Gerd‘s Kommentar. MOSFET ist auch in Ordnung, allerdings ist die LED im Schalter fest verbaut und kann nicht separiert werden. Sie auch meine vorherige
Patrick S. schrieb im Beitrag #7830429: > MOSFET ist auch in Ordnung, Über die Widerstandswerte R1 und R2 können wir uns gegebenenfalls später noch mal unterhalten.
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Signalquelle für KFZ-Spannung gesucht
Test. Sicherungen ersetzen müssen ist nicht zulässig. Für stärkere Lasten nimmt man einen MOSFET als Verpolschutz. Einfache aber teure Lösung ist ein PMOS mit Gate an Masse (ggf mit Widerstand und Z-Diode, um UGS zu begrenzen). Ein NMOS ist billiger, braucht aber eine höhere Spannung, die ein
> > Sicherungen ersetzen müssen ist nicht zulässig. > > Für stärkere Lasten nimmt man einen MOSFET als Verpolschutz. Einfache > aber teure Lösung ist ein PMOS mit Gate an Masse (ggf mit Widerstand und > Z-Diode, um UGS zu begrenzen). Ein NMOS ist billiger, braucht aber eine > höhere Spannung,
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Hilfe zur Dimensionierung einer H-Brücke
250W Leistung betreiben. Vorlage ist "Netzgeführter Sinuswechselrichter von Peter Schmidt". Die MOSFET CSD19531KCS 100V; 100A; 214W; TO220-3 sind durch parametrische Suche bei TME rausgesucht. Spricht etwas gegen diese? Werden die Freilaufdioden D3-D6 benötigt? Die Bodydiode des MOSFET hat VSD 1V
Friedrich schrieb im Beitrag #7829361: > Werden die Freilaufdioden D3-D6 benötigt? Die Bodydiode des MOSFET hat > VSD 1V bei 60A, Qrr von 270nC und trr von 83ns. Sieht nicht so aus, als würdest du extra Freilaufdioden brauchen. Friedrich schrieb im Beitrag #7829361: > Der Kondensator C7 von 470n
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Halbleiter, echt oder gefälscht
Links IRFP260N N-Channel MOSFET Gekauft bei LCSC 02.2025 https://www.infineon.com/cms/de/product/power/mosfet/n-channel/irfp260n/ rechts IRFP460 N-Channel MOSFET Gekauft bei Aliexpress 01.2020 https://www.irf.com/product-info
/MOSFETs_Minos-IRFP460_C22389973.html "Minos" als Hersteller sagt mir nicht wirklich was..
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Unglaubliche Anekdote - 2 Tage Fehlersuche Gesperrt
oder fehlerhafte Haarverbindungen? Gegen letztere hilft ein anständiger Akku, idealerweise mit MOSFET-Leistungsschalter, damit die Kontaktstellen nicht leiden.
. schrieb im Beitrag #7839945: > Gegen letztere hilft ein anständiger Akku, idealerweise mit > MOSFET-Leistungsschalter, damit die Kontaktstellen nicht leiden. Weißt du wieviel Pads so eine 16x10 cm Platine hat, bei einem Padabstand von 2,54 mm? 54 x 34 Pads = 1836 Pads. Ein Pad kann mit 8 Nachbarpads
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Babyphonekamera SMD Bauteil Suche
schrieb im Beitrag #7828163: > aber eine Diode sehe ich hier nicht Die steckt im Regler, als MOSFET.
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LTspice Simulationsfehlermeldung
temp = 27 method = modified trap Instance "U4:M1" Width narrower than recommended for a level 3 MOSFET. Early termination failed to find .op point. (Use ".op noopiter" to skip.) Starting Gmin stepping Gmin = 10 Gmin = 0.13734 Gmin = 0.115292 Gmin = 0.0123794 Gmin = 0.0013253 Gmin = 0.00034275 Gmin =
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LTSpice 24, Simulation blockiert
Probier mal von dem Gate des MOSFET 100 MOhm nach Masse, oder 100 MOhm parallel zum Integrationskondensator. Es macht der Mathematik das Leben leichter, wenn jeder Knoten einen DC-Pfad nach Masse hat.
brauchst einen, bei dem der Ausgang nahe an die negative Versorgung rankommt, sonst kann der den Mosfet nie abschalten. Der NE5532 ist mies modelliert, und für die Schaltung ungeeignet. Der Mosfet hat auch ein schlechtes Model, warum überhaupt einen Mosfet der nicht für den Linearbetrieb gebaut ist?
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Schaltplan mit MOSFET Q1 BSS138
+5V +3V3 R1 4K7 R2 1K Q1 BSS138
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Transistor Emitterschaltung mit Spannungsteiler
macht es daher oft so, daß sich der geringste Schaltungsaufwand ergibt. Heutzutage bevorzugt man MOSFETs als Schalter, die brauchen keinen Basiswiderstand. Und außerdem können sie besser leiten, d.h. auch für große Ströme wird viel weniger Leistung verheizt. Gerade im industriellen Umfeld spart das enorm
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Datenbank für fertige Schaltpläne?
man zwei getrennte Netzteile verwendet, könnte man die Magnetventile (die ich übrigens lieber per MOSFET als per Relais schalten würde) mittels Optokopplern vom ESP trennen. Natürlich kein Muss, aber kostet nicht viel mehr und hätte vielleicht diverse Vorteile.
zwei getrennte Netzteile verwendet, könnte man die > Magnetventile (die ich übrigens lieber per MOSFET als per Relais > schalten würde) mittels Optokopplern vom ESP trennen. Natürlich schaltet man die Ventile mit Halbleiterschaltern (ich nehme Highside Smartswitches BTS oder BSP von Infineon). Und
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MOSFET als DC Softstarter und gleichzeitig Strombegrenzer
nimm einen Hotplug-Controller mit externem MOSFET. Einige können sowohl den Inrush-Current beim Einschalten begrenzen, als auch den Maximalstrom im Betrieb. Das Timing läßt sich auf die Einhaltung der SOA des verwendeten MOSFETs konfigurieren.
man beide Bedingugen unter einen Hut bringen, weil ich befürchte, dass ein langsames Bringen des MOSFET in die Sättigung den MOSFET in Rauch auflösen könnte. Danke
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Konstantstromquelle
OPV-Eingängen (R3, R4) sind gleich, damit werden Offsetfehler durch den Eingangsstrom kompensiert. MOSFET. Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung eines MOSFET, dieser hat Gateströme (Leckströme) im Bereich von unter einem Mikroampere. Dieser Fehler fällt bei 99,9% der Anwendungen nicht ins Gewicht. Prüfen sollte man dabei, dass der MOSFET für Linearbetrieb geeignet ist, denn das sind viele Hochleistungs-MOSFETs nicht! Hier wird noch ein zusätzlicher Widerstand vor dem Gate des MOSFETs geschaltet, um die hohe Kapazität des Gates vom
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Hochspannungstrafo für Plasmafeuerzeug
Bzgl Überlastung mache ich mir keine Sorge. Länger als 5 Sekunden soll es nicht laufen und der mosfet bekommt eine kühlrippe.
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AliExpress - Käuferschutz mittlerweile für die Tonne
Rückerstatttungsantrag nicht recht bekommen habe und auf meinen Kosten / Versand sitzen blieb. Einmal war ein MOSFET eines Induktionsheizers bei Ankunft schon defekt und bei einer zweiten Lieferung wurde die Sendung nicht zugestellt und laut Sendungsverfolgung von DHL an den Sender zurückgeschickt. Hier sollte
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PDF-Dateibrowser gesucht
Vorsortierung geben, wie z.B. Datenblaetter, DatenblaetterTransistoren, DatenblaetterDioden, DatenblaetterMOSFET, ApplikationNotesTransistoren ec. Mühsam ernaert sich dass Eichhoernchen. > Sehr viele Suchoptionen sind ja: "Ich suche das Schreiben, an das das > rosafarbene Formular in der charakteristischen
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ESP gesteuerter JBC T245 Lötkolben mit USB-C PD - Schematic review
anderen verwenden der besser ist und warscheinlich auch teuerer sein wird? Dein Aufsatz über Mosfets hat mir sehr geholfen, danke!
Also wurde ja schon gesagt: Der Mosfet scheint falsch herum drin zu sein, so wie er im Schaltbild ist würde die Body-Diode ja immer leiten. Außerdem muss das Gate zum Sperren auf die 20V hochgezogen werden, bei den 5V würde der Mosfet
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1-Wire Frage: DS28e05 mit DS2480 interface chip auslesen
man das > problem mit einem 5V zu 3.3V level shifter lösen? Ja. Siehe [[Pegelwandler]]. Ein MOSFET reicht, BSS138 ist dein Freund.
Vielen Dank für die Antworten. Bevor ich einen uC nehme, Versuche ich die einfache Lösung mit N-MOSFET und zwei Widerständen. Sogar Analog Devices empfiehlt das: https://www.analog.com/en/resources/design-notes/how-to-level-shift-1wire-systems.html
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MOSFET IRL40B215 - Fake?
nicht) sehen, also da ist nix > würde ich sagen... Auf dem Foto des einzigen Angebots dieses MOSFETs aus Deutschland ist der Ausschnitt noch besser nicht zu sehen.
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IRL408215 MOSFET Bauteil
IRL408215 IOR J328P B9P0
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36V Akku mit ~4kW aus PV laden. Baumaterial oder Fertiggerät gesucht.
beiseite, wie kommt denn der 4KW-Wandler gedanklich voran? Hast du bei der 1KW-Version schon den Mosfet getauscht?
25mA. Mit "Alles" ist die interne 5V-Erzeugung gemeint, der Verbrauch der mit 465KHz schaltenden Mosfets, das Umladen der Drossel, sowie der dritte Mosfet für den nächtlichen Rückstromschutz. Nur 30V deshalb, weil ich aktuell noch vorhandene Platzhalter-Mosfets mit 30V einbaue, statt später der (besseren
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Schaltplan mit MOSFETs, Dioden und Pulsquellen
V3 PULSE(0 10 1 10u 10u 230u 500u 1600) R1 27k D3 1N914 C1 1u V2 PULSE(0 -5 1 1u 1u 0.8 1 2) R2 680R D8 1N914 D2 1N914 C4 10u V1 PULSE(0 5 1m 1u 1u 0.8 1 2) R3 680R D6 1N914 M1 2N7002 M2 BSS84 D7 1N914 D5 1N914 R5 470R C2 1u QTLP690C GRUEN ROT GELB .tran 3.6 startup
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Hybrid dreiphasig laden
Ich denke (rate) mal, daß da gar keine Dioden mehr drin sind, sondern Leistungs-MOSFets, die gleichrichten und (!) regeln (eher steuern) können. Haben, wenn ich nicht irre, auch weniger Verluste als "klassische" Dioden.
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Datenblatt Ausschnitt LM5050-1 High-Side OR-ing FET Controller
Controller 1 Features LM5050Q0MK-1, LM5050Q1MK-1 VIN: 1 V to 75 V 100-V Transient Capability N-Channel MOSFET 3 Description LM5050-1/-Q1 Device Information PART NUMBER: LM5050-1, PACKAGE: SOT (6), BODY SIZE (NOM): 2.90 mm x 1.60 mm
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3 LEDs an 2 Leitungen
Hier noch ein Vorschlag mit MOSFETs. Die LEDs würde ich nicht so heizen, 1k Vorwiderstand sollte bei 12V hell genug sein.
Peter D. schrieb im Beitrag #7824443: > Hier noch ein Vorschlag mit MOSFETs. Jetzt müssen nur noch antiparallele Dioden zwischen Gate und Source geschaltet werden, damit die Reverse Spannung von den MOSFETs nicht überschritten wird. Damit es keinen Kurzschluss gibt, müssen
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Ersatz für 01N60C3 gesucht
Chris H. schrieb im Beitrag #7824177: > Die Bauform Solltest du dennoch nennen, und auch wer den MOSFET hergestellt hat.
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FI-Tester für Arme aus Widerständen
Und dafür kann man dann nicht mehr mit Hand oder Relais einschalten, sondern sollte nen Triac oder Mosfet und eine Schaltung zur Nullpunkt-Erkennung nehmen.
i bis zu 500ms) Nee, jedesmal 0.4s warten. Es geht 1 Widerstand und Stromregelung per PWM MOSFET, mit oder ohne Spule.
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Laufband F37 Controller
des Controllers habe ich festgestellt, das ein Kondensator sich aufgelöst hatte und das der Mosfet defekt ist. Nach dem ich beides erneuert hatte und den Motor ohne Keilriemen wieder abgeklemmt habe, lief dieser auch und alles andere funktionierte auch. Nach dem ich den Keilriemen wieder aufgelegt
Danke für eure Hilfe, ich habe den Fehler gefunden, es waren in der Summe der Mosfet, ein kleiner Kondensator, der wie auf dem Bild nach oben gewölbt war und der dicke Elko, der für den Motor ist.
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wie macht ihr das? Bauteile suchen.
irgendwann nicht mehr passt (bitte beachten, dass ich das jetzt nicht ganz ernst meine). Bei Mosfets sagt man auch oft - bau doch was ähnliches ein - wichtig sei nur, dass mind. die V und A passt. Aber scheinbar sind auch Schaltungszeiten wichtig. Wenn ich jetzt also das einbaue, was vorher drin
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DS18B20 Spannung auf Datenleitung geht von 5V auf 2V => keine Kommunikation mehr
Reset. Ist schon mal ein brauchbarer Workaround. Den kann man auch mit dem AVR machen. Passender MOSFET zum +5V schalten, fertig. > Scheint also, als würden sich die One Wire Sensoren irgendwie aufhängen > oder der ein oder andere so viel Strom ziehen, dass die Spannung auf der > Datenleitung gedrückt
> Ist schon mal ein brauchbarer Workaround. Den kann man auch mit dem AVR > machen. Passender MOSFET zum +5V schalten, fertig. Workaround um eine pfuschige Ursache zu kaschieren.
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Unbekannter 16-Pin IC (1,8 × 2,6 mm) – Markierung „GAM / FFX“ – Ideen?
Hallo, der IC sitzt nach einem MOSFET in der Spannungsversorgung einer CPU. Der MOSFET hat einen Kurzschluss verursacht und vermutlich deinen IC zerstört. Bilder habe ich leider gerade nicht da. VG
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Schaltplan eines H-Brücken-Inverters mit MOSFETs
S1 S4 G1 G4 D1, D2 D3, D4 G2 G3 S2 S3
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs
Q12A 2N7002DW MotCh1 2 6 1 22k RN1A Mot1 22k RN3A BackEMF1 RN6D 22k RN6C 22k VBUS RN6B 22k RN6A Q12B 2N7002DW MotCh2 5 3 4 22k RN1B Mot2 22k RN3B BackEMF2 Q15 DMHC3025LSD 8 2 1 4 5 6 MotCh1N VCC 3k3 RN5B MotCh2N VCC 3k3 RN5C
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Schaltung für H-Bridge ZXMHC6A07T8
Beitrag #7823564: > ich möchte die H-Bridge ZXMHC6A07T8 nutzen. Warum? Das Ding hat wirklich nur 4 MOSFETs. Es fehlt die Ansteuerung über [[Pegelwandler]] und Schutzschaltungen. > Ich möchte ZXMHC6A07T8 als zwei separate Halbbrücken nutzen. TriState, > beide MOS off, soll auch möglich sein. Dann
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Suche Protection IC
Schalter betätigt. Ja, das hätten viele Leute gerne... Wenn das letzte Bauteil (Transistor, Mosfet,etc.) einen Schluss hat (durchlegiert, verschmolzen), dann hilft die beste Überwachung nichts mehr... Nur mehr eine Sicherung hilft grobes zu vermeiden...
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Lidl kann auch anders (Lötstation)
Elektronikplatine befindet sich ein 5V-Festspannungsregler, ein MCS-51-kompatibler Microcontroller und ein Mosfet. Anbei das (chinesische) Datenblatt des Microcontrollers, die ersten beiden Seiten in einer automatisierten Übersetzung und das Datenblatt des Mosfets.
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Basis Widerstände für Transistoren in LED-Matrix
treiben, das ist ein sehr stromschwacher IC der 4000er Reihe. Nimm für die Transistoren dort besser MOSFETs, BS170 ist dein Freund. Dann braucht man auch keine Basiswiderstände und der 4017 reicht zur Ansteuerung. Dabei muss man aber beim Einlöten für ESD sichere Umgebung sorgen, denn sonst schießt man
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LED-Lampe reparieren
Puff: siehe Blockschaltbild? Wenn der MOSFET immer leiten sollte, gibt es Rauch.
Zustand mit einer Testfrequenz von 100 Hz gemessen. Lu schrieb im Beitrag #7821941: > Wenn der MOSFET immer leiten sollte, gibt > es Rauch. Kann wie gesagt keinen Fehler am IC feststellen. Gerald B. schrieb im Beitrag #7821920: > Für einen 1. Test würde ich auf die Pads einen bedrahteten >
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Ich brauch' mal externen Input.
Es geht nicht um den 4435! Das es sich dabei um einen P-Kanal MOSFet handelt steht außer Frage. Was also soll diese sinnlose Frage nach der Benennung dieses Bauteils? Es geht um das kleine, markierte Teil nebenan mit der Aufschrift -B_Y. Was ist das für einer?
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Schaltplan mit PIR-Sensor, MOSFET und MCU
PIR 220k +3V MCU D DMG1012UW S 1M
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Spannungsquellen und Schutz der USB-Buchse
Erzählt doch keinen Käse mit Relais und so! MosFet ist längst erfunden! Zweimal Anhang und fertig! Gruss Chregu
benötigt schon seine 5V > > Dann geht es nicht mit Dioden. Es gibt "Ideale Dioden". Das sind MOSFETs, die durch einen Controller gesteuert werden. Da die MOSFETs keine Diodenspannung haben, hast Du da auch keinen Spannungsabfall. Da gibts z.B. sowas wie das hier: https://www.analog.com/en/products
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Hilfe bei Mosfed AUK 37B17 SMK0465
Ja, beschissenes Design. Der heiße MOSFET kocht den Kondensator trocken.
schon gewesen. > Das Gerät ging wohl auf einmal nicht mehr. Sicherung geprüft? Ein besserer MOSFET: https://www.reichelt.de/de/de/shop/produkt/mosfet_tht_n-ch_650v_7_2a_to-220_fp-383410
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Meadow F7 v2 verfügbar, winzige SMD-Spulen, neue Messtechnik und mehr
ralf-higgelke-vsayf/ nun darüber, dass das amerikanische Unternehmen Wolfspeed die vierte Generation seiner Mosfet-Designplattform vorgestellt hat. Von besonderem Interesse ist dabei das unter der Bildquelle bereitstehende Whitepaper, in dem sich unter anderem die folgende, auf eine „verkürzte“ Einschaltzeit der
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N-Channel MOSFET P20NM60FP
Eigentlich sollte man gleich 800V MOSFETs nehmen, die lassen sich dann auch mit einem Varistor schützen.
Solche 500V aufwärts MOSFETs in TO220 gibts eh nicht in LL.
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[S] N-Channel MOSFET
Hallo zusammen, ich suche den IRFS840B - isolierte Version des IRF840, gern acht bis zehn Stück. Das Teil ist wohl abgekündigt https://www.mouser.de/ProductDetail/onsemi-Fairchild/IRFS840B aber vielleicht hat jemand welche liegen. Dann bitte hier melden. Danke.
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Drehzahlmesser an DIY Motorsteuerung
mir einen Optokoppler mit dem FR120N eingebaut. https://www.bastlershop24.de/products/fr120n-mosfet-modul-100v-15a-mit-optokoppler-isolation Pulsbreite auf 3ms und alles läuft, Drehzahlmesser reagiert schnell und alles passt. Ich vermute der J3Y Transistor war mit seinen 0,5A doch ein wenig
