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24V Relais - Mosfet Vds
Spulenstrom von 8.3 mA. Sehe ich das richtig, das mir der IRLML6244 kaputt geht (Vds 20V), während ein BSS123 bei 3.3V am Gate, 24V Relais und 8.3 mA gehen sollte...? Danke für eure Nachhilfe! (IRLML6244 und BSS123 sind die beiden Mosfets die ich hier habe, deswegen würde ich gerne einen davon nehmen.
Der BSS123 ist nicht für 3V Gatespannung spezifiziert, aber bei dem geringen Laststrom wird es dennoch funktionieren.
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Immer kleiner: Hersteller optimieren Gehäuse- und Steckergrößen
am SOD-323-Gehäuse, dank optimiertem Aufbau des Gehäuses erreicht man aber mit dem SOD-123FL erreichbare Wärmeabfuhr- und sonstige Werte.  (Bildquelle: ROHM) ROHM ergänzt das – an sich schon vorhandene – Portfolio nun um ein gutes Dutzend Dioden,
Resistor-Equipped Transistors (RET) in DFN1110D-3. • 2N7002KQB - 60 V N-Kanal Trench MOSFET und BSS84AKQB - 50 V, P-Kanal Trench MOSFET in DFN1110D-3. [/c] ### Texas Instruments: immer kleinere Halbleiterrelais mit bis zu 5KV Isolationsfähigkeit 800V-Batteriesysteme sind insbesondere aus dem
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AVR + BSS123 + LEDs
dann sicher gesperrt sein. Siehe meinen 17:35h Beitrag. > Ich würde auch auf defekte Gates der BSS123 tippen. Aber wieso wandert der Fehler dann beim BSS123 Tausch von blau -> grün nicht mit?
sie es. BSS123 gibt es von mindestens 17 Herstellern, die meisten aus China.
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Schneller, stromsparender PowerMOS Optokoppler-Treiber (LT Spice sim angehängt)
hoch, was hauptsächlich durch das Umladen der 5nF bedingt ist. Hohe Querströme des Treiber-Inverters (BSS123 & BSS84) werden durch die Common-Gate Stufen vermieden. Geschwindigkeiten der Optokoppler wird ebenfalls mittels Kaskodensufen maximiert. Flankensteilheit (10-90%) bei 5nF Gatekapazität beträgt
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ESP8266 mit Selbsthaltung
Warum so aufwändig? Nimm eine CR123A-Zelle mit 1.5Ah und einen ESP-12. Wenn du den zwischen den Aktionen in den DeepSleep schickst, hält der ewig. Ausser du drückst ihn alle 3 Sekunden. Meine Schaltung ist im Anhang.
meinem Fall keine Rolle spielen, oder versteh ich da was falsch? > Warum so aufwändig? Nimm eine CR123A-Zelle mit 1.5Ah und einen ESP-12. Wenn du den zwischen den Aktionen in den DeepSleep schickst, hält der ewig. Ausser du drückst ihn alle 3 Sekunden. Meine Schaltung ist im Anhang. Danke, aber
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Frage zu Flash Schreibzyklen und malloc in AVR
den Linker Einstellungen ist eingestellt das sich der Stack im Internen Speicher befindet und Heap, BSS, DATA im externen RAM liegen. Ich habe eine Art Arraylist für arme in C geschrieben, wobei es nicht wirklich eine Arraylist. Ich benötigte diese für den TCP-Server, denn ich oben erwähnt hatte.
wird direkt rausgeschickt die anderen beiden werden an einem Puffer aneinander gehängt zB. so Hallo, 123 und Test. Hallo wird direkt weg geschickt und 123 und Test werden in zsm. gehängt -> 123Test und die entsprechenden Längen sowie Positionen gemerkt. handleTCPSend() pflückt das ganze dann wieder auseinander
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DOS,16Bit:Ich suche DOS sys Treiber Beispiel Source
0010 CONST segment word public 'CONST' use16 CONST:0011 CONST ends CONST:0011 _BSS:0020 ; =========================================================================== _BSS:0020 _BSS:0020 ; Segment type: Zero-length _BSS:0020 _BSS segment word public 'BSS' use16 _BSS:0020 _BSS ends [/c] und das fertig Plugin "drv.drv" sieht dann nach dem Linken so aus [c] seg000:0000 ; Segment type: Pure code seg000:0000 seg000 segment byte public 'CODE' use16 seg000:
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LED an zwei Spannungsquellen anschließen
der Pin als Eingang geschaltet ist. Als Transistor kannst du einen ganz kleinen nehmen, wie den BSS123, reicht vollkommen aus, kostet nichts und nimmt nur mittelmäßig viel Platz weg.
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Treiber IC gesucht für LED 3,3V und 1,8V levels
Leonard H. schrieb im Beitrag #6557945: > Gibt es eine einfachere Lösung? Öhm, Transistor vlt.? PDTD123YT oder MUN2211
Ein einfacher, billiger BSS138 reicht pro LED. Wenn das zu groß ist, muss man halt einen Doppeltransistor in SOT23 suchen.
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Kicad - mehrere Symbole für ein Bauteil?
würfeln? Nein, ich weise das Package mit der passenden Zuordnung Anschlussnamen EBC -> Pinnummern 123 beim Layouten zu. Die Anschlüsse eines Transistorsymbols heißen üblicherweise nicht 1,2,3, sondern E,B,C oder D,G,S. Hat irgendwann mal irgendjemand erfunden. Jörg W. schrieb im Beitrag #6554610
> Device-Lib mehrere Transistoren NPN mit BCE, BEC, CBE, CEB, > BCEC... Wenn du zB BC807 oder BSS138 benutzt, dann ist bei dem symbol schon gleich immer das richtige Package gesetzt und du musst es nicht manuell zuordnen. Bei einem generischen NPN oder NMOS Symbol geht das natürlich nicht.
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Relais schalten, schwache Spannungsquelle
12V langsam auf 0V ab dann schaltet der MOSFET irgendwann durch und der 1000uF wird über effektiv ~123Ohm geladen, korrekt? MaWin schrieb im Beitrag #6520749: > Sir S. schrieb im Beitrag #6520483: >> ob es da Ausnahmen gibt. > > Nein, aber da kommen 30V an, die man per Schaltregler zu doppelt
Schaltung (danke dafür!) mal durchdenken und Nachbauen. Trotzdem würde mich interessieren, warum der BSS84 so schnell durchschaltet, entgegen der Simulation. Einfach nur um meinen Fehler zu erkennen und in Zukunft zu vermeiden.
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Open Drain in LTSpice simulieren -> Problem der FET zieht nicht auf GND
Pullup auf 100 Ohm und als MOSFET einen BSS123 würde ich mal versuchen.
einen finden, der das kann. R2=1k geht ganz gut z.B. mit kapazitätsarmen Typen, wie dem Si1555, dem BSS123 oder dem RJU002N06 und noch einigen anderen. Alternativ: weg vom FET, hin zu einem NPN. Der BC547 kann das auch bei 10k (zumindest in der Simulation), besser jedoch auch bei 1k am Kollektor.
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S: Empfehlung nachbausicheres LC-Meter-Projekt mit Atmega
einer SD10- und einer SD20-Halbschalte eingebaut: https://www.reichelt.de/kunststoff-halbschale-123-x-70-x-26-mm-sd-20-sw-halb-p149278.html
lcmeter.o hd44780.o timer.o -lm -Wl,-u,vfprintf -lprintf_flt avr-size lcmeter.out text data bss dec hex filename 11568 86 105 11759 2def lcmeter.out avr-objcopy -j .text -j .data -O ihex lcmeter.out lcmeter.hex [/pre] Wie du sehen kannst: nichts hindert einen aktuellen
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Max3232 Lowside wegen Leckstrom
auf dem Bild dargestellt? Ja. R12 ist überflüssig, das Gate kann und muss direkt an 3.3V_1. Der BSS138 ist dein Freund.
Hallo Falk, danke fürs Drüberschauen und den Hinweis zum R12. Bisher hatte ich den BSS123, aber der BSS138 passt noch besser! LG Duddi
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Mikrokontroller Crash Kurs mit ANSI-C, mit ATMega Register Nutzung Gesperrt
176 bytes (0.5% Full) (.text + .data + .bootloader) Data: 0 bytes (0.0% Full) (.data + .bss + .noinit) Jack V. schrieb im Beitrag #6412559: > Christof E. schrieb im Beitrag #6412511: >> Includes Schreibweise wie "avr\io.h" sind evtl historische relikte und >> werden problemlos compiliert
es bei mir nicht, So sieht man immer!!, mit was man arbeitet. #define ICH_BIN_EIN_DEFINE 123UL int32_t * pi32DiesIsteinPointerauf32Bit= NULL; Das mag alt sein Ich auch Ich mache das seit den frühen 90erm, und ich liebe es. hier ein Beispiel aus den frühen 2000enern https://homepages.uni-regensburg.de
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MOSFET Schaltung
hinz schrieb im Beitrag #6398897: > Leute, der BSS138 macht das schon, sogar ganz offiziell. Er muss > in der > Anwendung ja nur ganz wenig Strom schalten. BSS123 natürlich.
Vielleicht hat der TO beim Aufbau das eine oder andere Gate > elektrostatisch gekillt. Kann bei den BSS123 leicht passieren, nur 72pF Ciss.
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Induktiver Näherungsschalter
Kontakt auf den Ausgang geschaltet dann über einen Spannungsteiler auf 4,7V runter wird dann mit einem BSS123 bei Kontakt auf den Pin vom µPC als High Pegel gelegt. So weit so gut. Nach den ganzen Kommentaren bin ich auch nicht viel schlauer zu gegenzätzlich die Meinungen. Bin jetzt 69 Jahre und
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avr gcc update von 9.3.0-1 => 10.1.0.1 Linker Error Gesperrt
mir mein Linker immer die Fehlermeldung /usr/bin/avr-ld: obj/Release/_gemeinsam/AT42QT2160.o:(.bss+0x29): multiple definition of `rx_data'; obj/Release/_gemeinsam/AMG88.o:(.bss+0x11): first defined here Diese Meldung kommt für diverse Variablen. Ich habe es nicht geprüft, aber ich denke für alle
> Inzwischen gibt's Release v12.3. Was tut das zur Sache? Alte Fehler, neue Fehler? v12.3 = 123 * gewartet auf irgendwelche Korrekturen... C-hater schrieb im Beitrag #7406775: > Asm rules... So schauts aus. Assembler bleibt kurz und knackig formulierend bei minimal Bürokratie, zielfokussiert
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Frage zu Ansteuerung von H-Brücke
deutlich mehr als 10V Gatespannung rüberkommen? Und was spricht dagegen, den NPN durch einen FET, z.B. BSS123, zu ersetzen und den Emitterwiderstand wegzulassen?
als 4. Kompilat: Source des P-FET vs. Drain des P-FET (Motor angeschlossen), unten mit NPN, oben mit BSS123. Die Signale am Gate des P-FET sehen schon sehr unterschiedlich aus, da wirken sich die unterschiedlichen Emitterwiderstände bzw. die Verwendung eines FET/BSS123 deutlich aus. Zu meiner Überraschung
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C-Code STM32 Fragen
DATA_ROM_START; extern unsigned int _DATA_RAM_START; extern unsigned int _DATA_RAM_END; extern unsigned int _BSS_START; extern unsigned int _BSS_END; #define STACK_TOP 0x20005000 void startup(); unsigned int * myvectors[2] __attribute__ ((section("vectors")))= { (unsigned int *) STACK_TOP, /
data_ram_start_p++; data_rom_start_p++; } /* Initialize data in the `.bss` section to zeros. */ unsigned int * bss_start_p = &_BSS_START; unsigned int * bss_end_p = &_BSS_END; while(bss_start_p != bss_end_p) { *bss_start_p = 0;
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DC-Motor über Gegen-EMK-Spannung regeln
Betriebsspannung brauchen. Habe gerade mal eine alte Platine (ohne Schaltplan) überflogen, dort ging es per BSS123 und RC-Glied. Also wurde dauerhaft während der Pause gemessen, wobei sogar die Gegeninduktionsspannung mit einbezogen wurde. Die Schaltung regelte aus dem Gedächtnis heraus trotzdem hervorragend,
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Atmega16-Spannungsvervielfacher/Steuerung || Kurze Schaltplandurchsicht+Verbesserungsverschläge
Resonatoren. Siehe Fußnote 1) Matze schrieb im Beitrag #6153415: > Soll ich die Treiberstufe (BSS123) dann zum DCF77 setzen? Die gefällt mir nur halb, weil sie nur einseitig stark ist (nach GND ziehen). Da bekommst du dann auch wieder schnell Stress mit elektromagnetischen Störungen. Nimm lieber
läuft. Stefan ⛄ F. schrieb im Beitrag #6153456: > Matze schrieb: >> Soll ich die Treiberstufe (BSS123) dann zum DCF77 setzen? > > Die gefällt mir nur halb, weil sie nur einseitig stark ist (nach GND > ziehen). Da bekommst du dann auch wieder schnell Stress mit > elektromagnetischen Störungen
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GCC Ram Segmente
Variable kann sich per Definition jederzeit ändern. Das würde z.B. bedeuten, daß die Initialisierung (=123) erst zur Laufzeit vorgenommen werden kann. Damit sind sie zuerst mal uninitialisiert, also .bss. Mag spitzfindig sein, aber durchaus korrekt.
.bss (beide natürlich auf globalem Niveau bzw. static). Das wurde danach aufgegeben, nun sind beide äquivalent, und alles was 0 ist, landet in .bss.
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PWM mit IRF9362PbF
Sorry, am Gate ist noch ein BSS123 https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BSS123-D.PDF geschaltet. An dessen Gate liegt PWM an.
Steuerleitung daher fließen da nur ein paar mA. Das problem ist nun aber ich müsste also an den DRAIN from BSS123 gehen und den P-FET "überspringen" oder? Die Schaltung kann also nicht so bleiben oder?
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Initialwert von globalen Variablen zur Laufzeit verwenden
dazugehöriger Variable > machen, dann brauche ich aber den doppelten Flash Speicherbedarf (.text > plus .bss für jeden Wert). Denkfehler! .bss belegt keinen Flash-Speicher.
__bss_start prüfen? Ungetestet: [c] int reset_var(size_t size, void* var){ extern const char __bss_start[]; extern const char __bss_end[]; extern const char __data_start[]; extern const char
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Längstwellenempfänger bauen? (z.B. SAQ 17,2kHz)
es in der Simulation nicht wie gewünscht funktioniert hat. Auch bei der Verwendung eines Fets wie BSS123 sind die Ausgänge nicht symetrisch. Der Ausgang am Emitter bzw. Source hat eine viel geringere Impedanz. > der Tiefpaß (R18,C9) Der soll Schaltspitzen etwas wegglätten. Könnte man möglicherweise
gefunden. Leider fehlt in dem Katalog die Seite 121/122 (der von mir gepostete Abschnitt war auf Seite 123) wo sehr wahrscheinliche diese Teile stehen. Habe aber hier https://www.radiomuseum.org/r/budich_hf_trafo_super_fer_x_j34.html was gefunden. Frage doch dort mal an, ob man Dir da helfen kann.
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PIC-I/O als input/tristate für weiteren output nutzen
von der Betriebsspannung. Könntest Du die Simulation mal dahingehend ändern, da die Transis FETs BSS123 (oder BSS138) sind und der Spannungsteile von oben nach unten 22k, 15k und 15k und der Widerstand zum Gate des oberen FET 100k (alternativ 22k/12k/12k und 220k). Das sollte zu ausreichend niedrigen
einen mit G/S parallel zum unteren BSS123 geschalteten dritten BSS123 ersetzen. Darlington: Verwendet wie gesagt BCV27 als "Ersatz" für den bedrahteten BC517. Die Diode mußte ich durch eine BAT42 (oder in SMD BAT85) ersetzen. Der Spannungsteiler
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Halbleiter von diversen Herstellern
Oder ist das eher so wie bei den Generica bei den Arzneimitteln. Das Patent (falls vorhanden) auf den BSS123 ist abgelaufen und jetzt können Hersteller den nachbauen? Wer garantiert, das der BSS123 von NXP die gleichen Daten hat wie der BSS123 von On? Oder werden alle BSS123 dieser Welt in einer Fab
EECA, JIS etc..) welche Bauteile normen um die Vergleichbarkeit unter den Herstellern zu ermöglichen. BSS123 hört sich sehr nach EECA/Pro-Electron Bezeichnung an.
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Look-Up Table wie speichern
Speicherlayout bei den avr-Tools ist folgendes: Ganz unten wird Static Storage lokatiert (.data, .bss, .rodata). Darauf folgt der Heap (verwendet von malloc() etc.), der startend ab __heap_start nach oben hin dem Stack entgegenwächst. Darauf folgt Platz für den Stack, der startend von RAMEND nach
() bekannt ist, dann passiert das: Der Compiler faltet die Zugriffe, und aus Array[1] wird z.B. 123 wenn Array[1] den Wert 123 hat. Der Compiler referenziert das Array im Assembler-Code also nicht. Ist das Array lokal, kann GCC nachweisen, dass es nicht gebraucht wird und legt es erst garnicht