-
Bild
Kennlinie eines MOSFETs
10^2 TOF 15V 10.0V 7.0V 5.5V 3.0V 4.5V ID, Drain Current (Amps) BOTTOM 10^1 10^0 20us PULSE WIDTH TC = 25°C 10^-1 1 10^1 VDS, Drain-to-Source Voltage (volts) Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C
-
Bild
MOSFETs auf Kühlkörper
IRLZ44N IR P7230 89P0
-
Bild
Kennlinie eines MOSFETs
International IOR Rectifier IRLZ44NPbF Ugs 15V 12V 10V 9.0V 6.0V 4.0V 3.0V 2.5V ID, Drain-to-Source Current (A) TOP BOTTOM 1000 100 10 1 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) 0.1 1 10 100 20us PULSE WIDTH TJ = 25°C Kurve für Ugs = 2.5V
-
Bild
Leistungstransistor im TO-220 Gehäuse
P89T56 K8560
-
Bild
Schaltplan und Gehäusezeichnung eines MOSFETs
D D S 6 5 4 1 D D G 3 8N02
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Heizdraht
+52V, 40Ohm (Heizdraht), Taster, IRL540 (n-Kanal-MOSFET), D, G, S, GND, +7,5V, 56kOhm
-
Bild
Nahaufnahme einer geätzten Leiterplatte mit Bauteilen
470 R47 R46 Q1 R5 103 R72 473 R31 СИД 332 M3
-
Bild
Display eines Multi-function Tester T7 mit Messwerten eines P-E-MOS
M-Tester P-E-MOS 32 D 1 Vt=1.78V G 2 671mV Cg=834pF RDS=0.7 S 3 Multi-function Tester - T7
-
Bild
Display eines Transistor-Testers T7
M-Tester N-E-MOS 16 D 2 Vt=979mV G 667mV Cg=579pF 1 S 3 RDS=0.5 Multi-function Tester - T7
-
Bild
Display eines Multi-function Testers T7
M-Tester N-E-MOS 1 D 2 G 617mV Vt=2.20V Cg=691pF 3 S RDS=0.8 Multi-function Tester - T7
-
Bild
Schaltplan mit PMOS-Transistor und Dioden
PMOS Q1 S D G D1 1.5KE22CA D2 ZPD16 R1 R GND
-
Bild
Schaltplan mit Messwerten einer Simulation
20Hz, 10k, 210.4µA, 2.1V, 47k, 803.6µA, 12V, 283.7nA, 12V, 1k, 500m, 500m, 0A, 1V, 100k, 10.1µA, 0V, 793.5µA, 0V, 11.6pA, Max=11.442 V
-
Bild
Oszilloskop-Screenshot mit Kurvenverlauf eines N-MOSFET
11-18) Undo Redo Cursor Meter FFT 6.1 V 156 MSa/s 500 µs/ 0 s Complete Sample Over Temperature N-MOSFET C1 C2 C3 C4 12 V 10 V 8 V 6 V 4 V 2 V 0 V -2 V -4 V -6 V 5 v/ DC 2 v/ DC 2 v/ DC 10:1 10:1 10:1 TL
-
Bild
Transistor und Kondensator
65R550F BRG3
-
Bild
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und LED
VIN1, HE0, 1, 2, D12, Q1, BUK9Y14-40B, R34, 22R, R36, 1K, R35, 100K, GND, LD3, GND
-
Bild
Schaltplan mit Transistor und MOSFET
V1 5V R1 3.3k Q2 BC847A R2 3.3k V2 IRF7404 M2 R3 2.2k out2 .tran 1 PULSE(0 3.3 1ns 1ns 100ms 300ms 3)
-
Bild
Schaltplan einer Ladeschaltung mit MOSFET
+3.8V F1 1A 2 R52 10K00 2 T5 IRLM1902 54 23 4 Vbat Bat + Bat - GND R58 240K0 R51 240K0 charge +10V C69 100N 25V IC17 LM358D 8 4 GND 1 2 C67 10N 63V 2 R50 10K00 2 3 2 1M R59 1M 2 1M C58 470P 100V R53 560K0 2 550K0 2
-
Bild
-
Bild
Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
V5.0 R6 2.2k0 U2 1 2 3 4 1.25V at 1mA TLP293(GRH-TPL,E) COIL2 20V 2A peak D2 NO2 D4 SMA6J48CA-TR COM2 V5.0 R2 IN2 6 2 Q1A DMN61D9UDW-7 60V 0.3AVgs>1V R4 10k0 Gate: ESD prot. 2kV
-
Bild
Schaltplan mit Optokoppler und MOSFET
V5.0 R6 2.2k0 U2 1 2 3 4 1.25V at 1mA TLP293(GRH-TPL,E) COIL2 D2 20V 2A peak CDBU0520 NO2 D4 SMA6J48CA-TR COM2 V5.0 R2 IN2 6 2 Q1A DMN61D9UDW-7 60V 0.3AVgs>1V R4 10k0 Gate: ESD prot. 2kV
-
Bild
Schaltplan und Kennlinien eines MOSFETs
D1 Q2 DN 2540 R1 GND Typical Performance Curves Output Characteristics VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V ID (amperes) VDS (Volts) Saturation Characteristics ID (miliamps) VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V VDS (volts)
-
Bild
Schaltplan und Simulationskurven eines MOSFETs
MOSFET_langsam.asc MOSFET_langsam.raw V(gate) 15V 13V 11V 9V 7V 5V 3V 1V -1V V(drain) V(ds) V(esw) I(d(M1)) 3.3kW 300V 270V 240V 210V 180V 150V 120V 90V 60V 30V 0.3kW -30V 50A 45A 40A 35A 30A 25A 20A 15A
-
Bild
Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, C7, 100n, Q1, HIN, VB, VS, SD, VCC, COM, LO, LIN, VSS, IR2110, Source1, M1, irfbsl3206pbf, R3, 100k, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, low1, M2, R4, 100k, COM1, irfbsl3206pbf, low1, IR1, D1, C2, 10n, D2, D, trig1, R1, 100k, U1, GND, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, TLC555, C3, 100n, D4, D, R2, 22k, C1, 1n
-
Bild
Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, Q1, HIN, VB, VS, C8, Source1, VCC, COM1, low1, IR2110, Q2, LIN, COM, LO, VSS, R3, 100k, irfbsl3206pbf, M1, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, irfbsl3206pbf, M2, low1, R4, 100k, COM1, trig1, R1, 100k, C2, 10n, D1, D2, D, D, D4, D, R2, 22k, C3, 100n, TLC558, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, C1, 1n
-
Bild
Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
Vcc V1 V2 D3 C6 U2 high1 IR2110 VD D C7 100k Q1 VB VS VCC 100n COM1 low1 M1 irfbsl3206pbf 30V R3 100k Source1 R_mot1 L_mot1 0.6 1.5m SD LIN COM VSS LO Q2 M2 irfbsl3206pbf low1 R4 100k D1 1N4148 C2 10n D2 1N4148 COM1 VCC GND DIS TRIG THRS OUT CONT RST C1 1n C3 100n D4 TDZV15 R2 3k V6 V7 5 0
-
Bild
Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
-
Bild
Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2, TAB) G(1) S(3)
-
Bild
Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Messpunkten
I: -77.2 nA I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(dc): -77.2 nA I(freq): -- Q1 IRLML2244TRPBF V: 5.00 V V(SS): 0 V V(eff): 0 V V(dc): 5.00 V V(freq): -- TK1 TK2 TK3 LIPO 4.2V S1 Taste ichen 10 kOhm [4108R-1-103] R1A Netzteil 5V R2A 100 Ohm [4108R-1-101]
-
Bild
Schaltplan und Kennlinien eines MOSFETs
D1 Q2 DN 2540 R1 GND Typical Performance Curves Output Characteristics VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V ID (amperes) VDS (Volts) Saturation Characteristics ID (miliamps) VDS (volts)
-
Bild
Schaltplan einer MOSFET-Leistungstreiberstufe
PWM 8, X2-1, D9, 1N4148, D1, D8, D11, 1N4148, X2-2, PWM 7, X2-3, PWM 6, X2-4, PWM 5, X2-5, PWM 4, X2-6, X1-5, PWM 4, X2-7, PWM 2, X2-8, PWM 1, X1-6, PWM 3, X1-7, PWM 2, X1-2, PWM 6, X1-4, PWM 5, X1-1, PWM 8, Q1 IRF540, Q2 IRF540, Q3 IRF540, Q4 IRF540, Q5 IRF540, Q6 IRF540, Q7 IRF540, Q8 IRF540, Q9 BD645, Q10 BD645, Eingänge, Ausgang Schalter 2, Ausgang Schalter 1, Eingang Schalter 2, Eingang Schalter 1, Eingangs PWM, +12V, V+, GND, Masse 12V
-
Bild
Schaltplan mit Transistoren und MOSFET
+3.3V R3 10kΩ Q2 IRLML2244 3 1 2 Last Eingang 3,3V R1 10kΩ R2 10kΩ Eingang 3,3V Q1 BC337-40 1 2 3 GND
-
Bild
Diagramm der Transferkennlinie eines MOSFETs
Transfer Characteristics 10 8 6 4 2 0 0 -1 -2 -3 ID DRAIN CURRENT (mA) VGS - GATE-SOURCE VOLTAGE (V) VDS = 15V VGS(OFF) = -2.6V TA = -55°C TA = 25°C TA = 125°C VGS(OFF) = -1.8V TA = -55°C TA = 25°C TA = 125°C
-
Bild
Schaltplan einer Röhrenansteuerung mit MOSFETs
https://pan.baidu.com/s/1XozbSJw p7hQpwZpr6m2vTQ#list=path=%2F D1 5400 D2 5400 C1 2200V 400V C3 2200V 400V D5 LED C2 1K 2W R2 D10 1N4007 Q2 MJE13009 Q1 A04 R3 20K 2W D6 1N4764A (100V) R1 300K 2W D7 1N4764A (100V) C4 0.1U 400V D8 1N4747A (20V) C5 100U 400V C6 0.1U 400V D12 LED R4 300K 2W 1T 2T 3T EL84 Pls note : 6P14 tube stabilivolt is 300V,when the low high gate voltage is 300V Pls dont solder the D8 voltage-regulator diode(20V)
-
Bild
Handgezeichneter Schaltplan mit MOSFET
Vss, AO3400, Out Pin, DO, 1kΩ, 70kΩ, GND
-
Bild
Ausschnitt aus einem Datenblatt eines MOSFETs
IRLML2502PbF Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 20 — — V VGS = 0V, ID = 250uA ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient — 0.01 — V/°C Reference to 25°C, IB = 1.0mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance — 0.035 0.045 Ω VGS = 4.5V, ID = 4.2A — — 0.050 0.080 VGS = 2.5V, ID = 3.6A VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.60 — 1.2 V VDS = VGS, ID = 250µA ΔVGS(th) Gate Threshold Voltage Coefficient -3.2 — — mV/°C
-
Bild
Querschnittschema einer MOSFET-Struktur
Gate, Emitter, N+, P+, N-, Kollektor
-
Bild
Schaltplan einer Gleichrichterbeschaltung mit MOSFETs
a 1 2 3 Q2 BF245B C1 1µ R1 0R 2k7 R2 Q1 BF245B 3 2 Rectifier1 4x 1N4148 + - LED1 b
-
Bild
Schaltplan mit MOSFETs und Spannungsquellen
R3 10k V1 5 S G D Q2 NMOS S V_ADC V2 30 S G Q1 PMOS D 10k R5 V3 VPULSE =10 td=2u tr=2u tf=2u tw=500m per=1000m
-
Bild
Schaltplan einer Spannungsregelung mit MOSFET
U1 LT3014B IN OUT ADJ GND V2 55V R1 43k C1 4u7 V-trafo 50V Rser 2.0 R2 1k21 Rbias 10k I1 0 M1 Si7461DP Vin R3 1k D1 BZX84C12L Vout .dc I1 0A 8A 0.01
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Bipolartransistoren
12V 2k2 IRF4905 RbPi 3,3V 3k3 RbPi Input Device 1N5819 BC547 4k7 oder mehr 10k BC547 47K RbPi Output GND
-
Bild
Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFET
V1 5 VCC 12 U1 LTC6078 VCC Vset R5 10k R6 100 M2 IRLML6402 Rsense 50 Vset C1 100n R1 100 PULSE(0 3 0 50m 50m 0.1 0.3) .tran 0 1 0 10u
-
Bild
Schaltplan eines MOSFET-Moduls
S1 1 8 D1 2 G1 7 D1 3 S2 6 D2 4 G2 5 D2 Top View
-
Bild
Schaltplan mit Transistor und MOSFET
+12V, 10k, 100n, BC547B
-
Bild
Schaltplan mit Operationsverstärker und MOSFETs
R1 1.6kohm Q1 BS170 R2 62kohm Q2 BS170 R3 5100kohm Q3 BS170 V1 3V BPW21 AD8571 1 2 3 4 5
-
Bild
Schaltplan einer MOSFET-Schaltung
VCCSYS/2.8C, R4 232K, Q2 IRF9333, R6 100K, X1/5.5B, X2/5.5B, S1, R5 100K, C1 10uF, Q1 BSS123, R1 30K, R3 10K, GND
-
Bild
Schaltplan einer Schaltung mit MOSFET
R5 100k R_Schutz 10k Q1 BSS123 D1 1N4148 R1 30k R2 100k R3 10k C1 100n
-
Bild
Diagramme aus einem MOSFET-Datenblatt
IRFB812 Datasheet, PDF; Fig 12. Maximum Safe Operating Area; Fig 13. Maximum Avalanche vs. Drain Current; ID, Drain-to-Source Current (A); VDS, Drain-to-Source Voltage (V); EAS, Single Pulse Avalanche Energy (mJ); Tc = 25°C; Tj = 150°C; Single Pulse; 100µsec; 1msec; 10msec; DC; TOP; BOTTM
-
Bild
Schaltplan mit MOSFET und Transistoren
HS1 Heatsink IRF Q3 V-PMOS 55V/74A 200W ca. 20mOhm (38A) GDS IRF4905 3 2 R4 120k G R7 10k LN8 680R R3 LN2 Q4 8 2 BC547C R9 120k C2 4,7uF R10 120k Q5 Ugs(th) 0,6-1,2V 3 1 IRLML 2502/6244 8 6- Q6 8 2 BC547C 3 GND GND GND
