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Suche eine bewährte Schaltung zur automatischen Abschaltung eines Messgerätes
ungünstigsten Fall beginnt dieser Typ erst ab -3V Ugs (Threshold Voltage) zu leiten. Besser wären IRF7220 oder IRF7410. Sauber ist die Schaltung aber sowieso nicht. Auch wenn es dem Gerät nicht schadet arbeitet der Mosfet beim „schalten“ im Linearbetrieb. Das Gerät wird also langsam ausgeschaltet
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Spannungsabfall in Schaltung. Woher?
, der ist nicht geeignet. Rds(on) ist in der Tabelle für 5V Ugs spezifiziert. Siehe Dir mal den IRF3708 an. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3708.pdf https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-30v-62a-87w-to-220ab-irf-3708-p90229.html Verlustleistung bei 3A ca. 0,3W.
Den IRF3708 kenn ich schon wäre auch meine erste Wahl. Den müsste ich jedoch erst bestellen. Macht nicht wirklich Sinn wenn ich nur 1 Stück bräuchte. Bei der nächsten Bestellung werde ich den IRF3708 mitbestellen
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Defekten Mosfet in Spannungswandler finden
schau mal nach IRF1404. Ludger
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12V aus 2,5V
LiFePo4 Zelle, da ist 2,5V Entladeschlussspannung. Na ja, dann ist der Akku schon sehr am Ende. Der IRF3708 schaltet den Strom noch bei 2,8 Volt Vgs.
Jörg R. schrieb im Beitrag #5835659: > Der IRF3708 schaltet den Strom noch bei 2,8 Volt Vgs Mag sein, der ist aber nicht Spannungsfest bis 450V. Das hatte ich als Vorraussetzung zu erwähnen vergessen, sorry.
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Unbekannter SMD-Marking-Code FF, FA, F6, SOT363
TSOP6 IRF5801 https://www.infineon.com/dgdl/irlts6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671f35a271a
Hallo an Alle hilfsbereiten, wenn es so ein HEXFET Power MOSFET sein sollte (TSOP6 IRF5801), dann frage ich mich was das Teil für ne Funktion haben soll, wenn auf der Platine bereits feste Brücken existieren und von den 6 Pins bereits 4 gebrückt sind? Brücken zwischen Pin 1 und Pin 6,
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Schaltung für Unterspannungsabschaltung sowie Balancer (variabel) mit TL431?
Schmitt-Trigger" bestehend aus einer Referenz (LM385-Z1.2), einem OpAmp (TS912) und einem N-Channel-MOSFET (IRF7401) sowie einem entsprechenden Spannungsteiler. Meine Frage wäre jetzt, ob ich beide Schaltungen so aufbauen muss, oder ob man irgendwie mit einer Schaltung beide Punkte nutzen kann. Vom Prinzip
wissen will, wann der MOSFET noch sicher sperrt. Hier mal eine Auswahl mit <= 1,8V Typen: P-Kanal: IRF7410, IRF7420, SiS407DN, CSD25402 N-Kanal: Si4836DY, Si2342DS, PSMN006-20K, DMN1019USN Bei den OpAmps sieht es ähnlich mager bei 1,8V aus. Hier ist auch auf R2R und very low supply current zu achten
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Arduino Nano Klon macht aus 5 min 5 sec
überfordert. > Heiß werden, muss er. Heiß wird nichts, der Mosfet ist recht stark. Es ist ein originaler IRF740. Sobald ich meinen Code wieder zusammen habe lade ich ihn auch hoch. Ich wende mich an euch, weil es nicht klappt wie ich es mir vorgestellt habe. Wenn ich einen Fehler gemacht habe möchte ich
schrieb im Beitrag #5827019: > Heiß wird nichts, der Mosfet ist recht stark. Es ist ein originaler > IRF740. Du sagtest, du hättest 12V angeklemmt. Siehe: Manuel H. schrieb im Beitrag #5827004: > Stromversorgung ist ein 12V Netzteil das 1A liefert (die LED-Leiste > zieht ca. 330 mA). Damit lief
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Spannungsregler 12V 3A
von 16 bis 32V. Hier eine Lösung von Panasonic (Einschaltdauer über Spulenstrom, warum 6.8V für IRF840 dessen Schaltzeichen auch verwirrt reichen sollen ist aber unklar, ZD12 wäre wohl besser, und warum eine 1N4004 als Freilaufdiode bei hoher Frequenz eingesetzt wird ebenfalls, besser eine US1G):
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Röhren verstärker
2 Frage wo ist der Unterschied Zwischen einem irf 830 und einem irf 830 vis! Sorry bin mit dem Handy im forum für die Recht schreibung
IRF wurde von Infineon aufgekauft.
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MOSFET als Schalter funktioniert nicht
> Leider funktioniert die Schaltung mit dem IRLR 024N überhaupt nicht. > Ein testweise montierter IRF610 funktioniert einwandfrei. Wieviel Strom soll durch deine LED fließen und was misst du bei Ansteuerung über den 2N7002 jeweils am Gate der Ausgangsstufe?
alles in Ordnung, da sie mit dem richtig angeschlossenen IRF610 funktioniert. Beim IRLR024 hast Du halt Drain und Source vertauscht. W.S. schrieb im Beitrag #5823256: > Und du meinst jetzt, alle anderen Forumsleser müßten jetzt die > Dokumentationen zu den
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Mosfet (Buzz11) zur Steuerung eines 12V-Relais
MOSFETS empfehlen. Die schalten auch schon bei einer Gatespannung von nur 3,3 Volt: IRLML2502 IRF3708
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Warum stirbt der IGBT Brick?
Oder mit ca. 10 bipolaren Transistoren. Als Treiber einen IRF730 o.ä.
Sven S. schrieb im Beitrag #5821128: > Oder mit ca. 10 bipolaren Transistoren. > Als Treiber einen IRF730 o.ä. Für geringe Spannungen geht das, aber auch der IRF740 kann nicht so besonders viel Leistung oberhalb von 50V. Und Hochvolt-Bipolar (also so ab 250V) sind auch praktisch reine Schalter und
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Treiber 100mA mit Tri-State einzeln Steuerbar gesucht
als parasitäres Element mit drin. Spart Platz. Man kann dafür einen N+P-Kanal im SO8 nehmen, z.B. IRF7307 https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht#FET-Paare Dann musst du die Gates einzeln ansteuern und kannst total entspannt LOW, HIGH oder Tristate erzeugen. Wenn du falsch ansteuerst
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Transistor C=>E Restrom vernachlässigbar Wirklich?
Ich habe die Schaltung mal mit Eagle gezeichnet und hier angehängt. Als Mosfet habe ich einen IRF5210 gewählt. U_GS (max) = +/-20V U_GS (th) = -2V (-4V) Datasheet: https://www.infineon.com/dgdl/irf5210pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3576b198b > Am Gate liegen ca. 47 Volt an wenn
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STM32 Timer: Interrupt bei jedem Inkrement/Dekrement
SR &= ~TIM1_SR_CC1_IF; // Clear IR // static callCnt = 0; // callCnt++; if (TIM1->SR & (CC1IRF | CC2IRF) == TIM1_CC_BOTHEDGES) { counterVar = (TIM1->CNT + 1) / DISKENCODER_COUNTS_PER_STEP; // Error due to upward-count -> +1; /-Operator truncates back to int // callCnt = 0; SCB
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Elektronische Sicherung
Daten angesehen? Wie zum Beispiel die > max. Sperrspannung? Ja hab ich auch gerade gesehen, ein IRF540 wäre da sicher eine bessere Wahl... An sich ist die Schaltung ja relativ unabhängig von der Betriebsspannung (zumindest im Bereich bis 40V). Über den Transistor T2 wird der Spannungsabfall gemessen
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Platine für Stromsenke 5A / 50V. Layout so OK?
reingebastelt (siehe Anhang). I-Set wird auf Null gehalten solange keine Spannung an V+ anliegt. Die IRF2807 FETs nehm ich deshalb, weil ich davon noch gut 50 Stk liegen hab. I-Set hat schon einen Pulldown. Den sieht man nur nicht im Schaltplan. Viele Grüße :)
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FET-Schaltung schwingt in der Simulation
du eine gigantische Phasenverschiebung gebaut, zusätzliche zur Lastkapazität die das 3.2nF Gate des IRF1010 für den OpAmp-Ausgang darstellt für das der gar nicht ausgelegt ist, die die Phasenreserve des OpAmps völlig aufbraucht. Grundlagen, Elektronik und so mal erlernen. (Verstärker schwingen nie
gigantische > Phasenverschiebung gebaut, zusätzliche zur Lastkapazität die das 3.2nF > Gate des IRF1010 für den OpAmp-Ausgang darstellt für das der gar nicht > ausgelegt ist, die die Phasenreserve des OpAmps völlig aufbraucht. Die Phasenverschiebung bezieht sich auf den negativen Eingang des OPV
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Leistung von MOSFET im SO8 Gehaeuse
Dieser hat Leistungsdaten von 60V und 5,3A und das sogar gleich 2x in > einem SO8 Gehäuse! Ich wüde IRF7855 oder ähnlich empfehlen. Der kann über 10A bei 60V. https://www.infineon.com/dgdl/irf7855pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c60181d2b Beachte aber, das du diesen auch mit mind. ca. 7..8V am
aber auch Typen, die du mit einem 5V-uC direkt ansteuern könntest. https://www.infineon.com/dgdl/irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 > Jetzt sagt mir meine Erfahrung, das Leistungen die geschaltet werden, > immer auch etwas mit Wärmeentwicklung zu tun haben. Deshalb frage ich
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E-Magnet mit Transistor schalten
halt da und er passte halbwegs von den Werten. Welchen MOSFET würdet Ihr in diesem Fall empfehlen? IRF3708? Der sollte im TO220 Gehäuse sein. Gruß Sebastian
Sebastian V. schrieb im Beitrag #5808552: > Welchen MOSFET würdet Ihr in diesem Fall empfehlen? IRF3708? > Der sollte im TO220 Gehäuse sein. Für lausige 1,2A@12V ist TO-220 ein Riesengehäuse. Aber wenns denn unbedingt sein muss: IRLZ34.
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Konstant-Strom bei Uin < 1V
Inneren werkeln ein Arduino, zwei D/A-Wandler, zwei Meß-ICs INA219 und als Stellglieder für den Strom IRF540. Damit kann ich bis 0,7V herunter zuverlässig den Strom halten. Da ich auch höhere Spannungen und mehr Strom haben will, werden die FETs durch zugeschaltete Festwiderstände entlastet - die Zuschaltung
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Leistungs FET ansteuern mit BJT
nehmen, der bei 2.7V schon garantiert einschaltet, wenn es LEISTUNG sein muss z.B. IRL6283, oder auch IRF6201. Wenn schon vorgeschalteter Transistor als Pegelwandler, dann wird man wohl invertierend schalten: [pre] +12V +12V | | 1k Last (Freilaufdiode ?) | |
Schau dir AN-994 von Infineon/IRF an. Du wirst einen MOSFET mit weniger als 2mOhm brauchen. Als Treiber käme MCP1416 in Frage.
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2000W Wechselrichter mit Mosfet einschalten :-(
durchgehen. > > Nicht ganz die Hälfte. Ist immer noch viel zu schön gerechnet. Siehe AN-1140 von IRF.
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Variable/Einstellbare Last bei Motor-Generatorbetrieb
naible schrieb im Beitrag #5789531: > schema.png Der IRF530 eignet sich nicht für direkte Logiklevel Ansteuerung, da ist ein IRLZ44 oder IRLZ34 die richtige Wahl. Der Schaltplan entspricht dann dem hier: https://www.mikrocontroller.net/topic/471534#5787916
mein Transistor ist mittlerweile angekommen. Matthias S. schrieb im Beitrag #5789551: > Der IRF530 eignet sich nicht für direkte Logiklevel Ansteuerung, da ist > ein IRLZ44 oder IRLZ34 die richtige Wahl. Der Schaltplan entspricht dann > dem hier: > Beitrag "Re: 12V heater komponenten für 24v
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Faktoren zur Berechnung eines Spannungsteilers für P-Mosfet
Liebes Forum, ich möchte ein P-Mosfet (IRF5210) verwenden um ein Heizbett zu schalten. Da ich das ganze an eine bestehende Schaltung "andocken" muss, habe ich keinen Pin am Controller, sondern nur ein Gate eines 74HC08, über das ich den
[R1] | | | +----------[IRF5210] | | [R2] | | | 74HC08--------------[BCX41] | |
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Frage zur Berechnung von Basiswiderstand BC547B mit Motor 5V
oder einen NMOSFETs mit im Datenblatt augeführtem RDSon und Drain-Strom bei 2.7V Gate-Spannung wie IRF7401. Und die Freilaufdiode nicht vergessen.
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8 Dual N-Mosfet an ESP32
Spannung solltest du für einen zuverlässigen Betrieb nicht unterschreiten. Schau mal z.B. nach dem IRF7220. Der hat eine Angabe bei UGS=2.5V und für 5V auf der Lastseite ist er gut geeignet. Bei 12V UDS gerade noch (max. 14V).
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MosFET Auslegung
heizen. Dazu will ich den Strom mit einem IRLL3303 schalten. Ausgehend von dem Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irll3303.pdf sollte ich bei einer Gatespannung von 3,3V keine Probleme haben bei einem Strom von 1,67 A bei 24V am Widerstand, oder ? Bei dem SOA Diagramm hab ich
Schau Dir mal den an: https://www.infineon.com/dgdl/irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18
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BDX33C zur LED Steuerung wird heiß
Jay Tee schrieb im Beitrag #5765008: > Hast du einen Vorschlag für mich? IRF3708 https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-30v-62a-87w-to-220ab-irf-3708-p90229.html?&trstct=pos_0 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3708.pdf 1,6 A entlocken ihm ein müdes lächeln
Jörg R. schrieb im Beitrag #5765037: > Jay Tee schrieb: >> Hast du einen Vorschlag für mich? > > IRF3708 > > https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-30v-62a-87w-to-220ab-irf-3708-p90229.html?&trstct=pos_0 > > http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf3708.pdf > > 1,6 A entlocken ihm ein
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Mosfets an die Groundplane?
benötigen jeweils 24V und zwischen 1 und 2 Ampere. Um die Strom zu schalten, habe ich mir N-Mosfets (IRF3710) herausgesucht. Es wird also der Minuspol geschaltet - Plus liegt permanent an den beiden Verbrauchern an. Nun frage ich mich, ob man den Source-Pin des Mosfets einfach mit der Massefläche
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Low Side Mosfet Schalter Problem
wirbt mit >> Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness ==> Datenblatt ab Seite 6 + IRF Appnote zu Repeated Avalance ... Muss schon eine sehr potente Heiz-Induktivität sein, wenn sie die D-S Strecke per Überspannung schmelzen will... Foto vom Aufbau wäre hilfreich, ich vermute eher
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IRL-Module aus China für Arduino?
Hallo, beim netten Chinamann von nebenan finde ich nur Module mit IRF's. In etwa wie: https://de.aliexpress.com/item/Vier-Kanal-4-Route-MOSFET-Taste-IRF540-V4-0-MOSFET-Schalter-Modul-F-r/32962975976.html Ich suche Module, welche mit einem Arduino geschaltet werden
wechsel doch einfach die Transistoren auf der Platine aus. Der IRF540 und der IRLZ44 haben die gleiche Pinbelegung. Gruß Thomas
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alte Bauteile noch brauchbar?
100V https://www.vishay.com/docs/91015/sihf510.pdf 540mOhm @ 100V Jetzt schalten wir 2A. Der IRF510 verheizt 2,16W. Der SSM3K361 verheizt 204mW. Wo der SOT-23 noch im grünen Bereich arbeitet, kocht der IRF510 ohne Kühlkörper schon ziemlich, trotz riesigem Package. Dann muss man dem IRF510 mehr
doch geschummelt. Typisch sind's lt. Diagramm ungefähr 0.3 Ohm. > Jetzt schalten wir 2A. Der IRF510 verheizt 2,16W. Nee. (2A)^2*0.3 Ohm = 1.2W. Ups. Nur noch die Hälfte... > Der SSM3K361 verheizt 204mW. Wo der SOT-23 noch im > grünen Bereich arbeitet, kocht der IRF510 ohne > Kühlkörper
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Transistor/Fet/Keine Ahnung was gesucht
5V besser, als der IRLU024N. Mosfets in TO220 sind vermutlich alle überdimensioniert. Einem IRF3708 reicht auch eine geringe Steuerspannung. Rdson ist ab 2,8V spezifiert.
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[FYA] Ansichten eines mutmasslichen Fake-Transistor-Verkäufers (war: IRF4905 - RDSon zu hoch)
Affenzirkus'(sic!) angezettelt mit meiner Frage, ob es sein könnte, daß meine frisch bei eBay gekauften IRF4905 so einen hohen RDSon haben könnten. Nach langer Diskussion hier und der Beschaffung & Vermessung von Originalteilen kam ich zu dem Schluß, daß es sich vermutlich um Fälschungen handelt, was ich
Datenblätter oder Herstellerangaben zu den von ihm von vorgeblichen 'anderen Herstellern' gefertigten IRF4905 konnte oder wollte er mir natürlich auch nicht liefern. Und nun kommt der lustige Teil, nachdem ich ihm mein Pamphlet übersandt habe: > "Ich bin grundsätzlich interessiert, eventuelle Produktfälschungen
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Lichtsteuerung für Faschingswagen
Arduino. Ein paar dieser Module: https://de.aliexpress.com/item/Four-Channel-4-Route-MOSFET-Button-IRF540-V4-0-MOSFET-Switch-Module-For-Arduino/32326885309.html?spm=a2g0x.search0104.3.3.126d750c3SwR4J&ws_ab_test=searchweb0_0,searchweb201602_4_10065_10130_10068_10547_319_317_10548_10696_10190_453_10084
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Schaltnetzteil Grundlage
paar hundert µs wegfallen (nicht linear runtergeregelt werden). Leiden (oder sterben) würde der IRF730 trotzdem, weil er bei jedem Abschalten in den Durchbruch getrieben wird.
deines FETs bei ~1000V würde die gespeicherte Energie tatsächlich auf die Sekundärseite fließen. Da der IRF730 aber schon bei 400V aufmacht, landet die im Kern gespeicherte Energie auf der Primärseite und heizt den FET.
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Logic Level FET für 3.3V
durchschaltet: DMN3404L (SOT23 30V 5.8A bei 10V UGS) P-MOSFET der bei 2.7V immerhin 2.7A durchschaltet: IRF7404 (SO8 20V 3.2A bei 4.5V UGS) N-MOSFET der bei 2.8V immerhin 7.5A durchschaltet: IRF3708 (TO220 30V 30A bei 10V) N-MOSFET der bei 2.7V immerhin 3.5A durchschaltet: IRF7401 (SO8 20V 4.1A bei 4.5V
IRLML2502 (SMD) IRF3708 (TO220)
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NE555 Einschaltverzögerung
ORDENTLICHER MOSFET (also nicht der 40 Jahre alte BUZ11 sondern mal was aus diesem Jahrhundert, z.B. IRF3205) und ein Transistor. [pre] +25V--+-------------+ | | 10k | | 50000uF +---+ | | | | BC547 >|--(-10k-+---+
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Was ist so besonders am Fluke 87?
dann lief es wieder. Neulich habe ich es wegen dieser Geschichte mit den 'mutmasslich gefälschten IRF4905' in die Firma genommen und mit dem amtlich kalibrierten Referenzgerät verglichen, und nicht die kleinste Abweichung feststellen können. Ich habe zwar noch ein Voltcraft VC820 und ein 7910, aber
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Zeitversatz für Relais / Briefkasten
. Auszug aus dem DB des IRF3708 VGS(th) Gate Threshold Voltage 0.6 ––– 2.0 V ——- VDS = VGS, ID = 250μA ####### ####### > Entschuldige, falls die Frage blödsinn ist, ich versuche das nur gerade > nachzuvollziehen.
für die Schaltung von MiMa den IRF3708 vorgesehen. Jörg R. schrieb im Beitrag #5723523: > Hier muss man wirklich etwas experimentieren...weil... da ich hier nur eine kleine Auswahl an Komponenten habe und alles andere die nächsten
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Logic Level Mosfet und 7A Strom bei sehr geringem R_ds ?
Ich habe lange gesucht nach einem mit möglichst wenig R_ds bei 3V U_gs. Ausgewählt habe ich den IRF3708. Worst Case: die Akku Spannung geht gegen 3V; laut Datenblatt Fig1. folgt dann: U_gs = U_ds = 3V -> I_d = 70A Es wären also 70A möglich. Verlust: Datenblatt: U_gs=2,8V @ 7,5A -> R_ds_on_max
Hallo, IRF6201 (unter 3 mOhm) FDS6890A (Dual)
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Grenzfrequenz einer spannungsgesteuerten Stromquelle abschätzen
schwingt mit knapp 1MHz. Ich schlage mal eine ganz einfache Schaltung mit dem LT1013 und einem IRF510 vor. Die hab ich mal für Hochleistungs-Laserdioden aufgebaut und problemlos betrieben.
schwingt mit knapp 1MHz. > > Ich schlage mal eine ganz einfache Schaltung mit dem LT1013 und einem > IRF510 vor. Die hab ich mal für Hochleistungs-Laserdioden aufgebaut und > problemlos betrieben. Danke!
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Popcornautomat: Overengineering made in Canada
Regelung drin. Zusammengefasst: - Schaltnetzteil mit dem UC3843 Current-Mode PWM Controller und einem IRF840 MOSFET. Wow. - Der Motor fürs Gebläse bekommt PWM aus einem NE555 - Die Temperaturregelung (vermutlich Grenzwertschalter/2-Punkt-Regelung) erfolgt mit einem LM324 Quad-OP, der wohl einerseits eine
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DC/DC-Wandler von 2.4 V auf 15 V mit 25 Watt
MOSFETs mit P-Kanal und N-Kanal in einem Gehäuse. Beispiel: https://www.mikrocontroller.net/part/IRF7389 Trotzdem ist das immer noch kein CMOS-Tansistor, sondern ein 'Complimentary Half Bridge'. Die Frage ist jetzt, ob du danach gesucht hast.
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Freilaufdiode als Schutz bei Lüfter
sind deine GPIO-Ports nicht belastbar genug. Du brauchst einen MOSFET für niedrige Logikpegel, z.B. IRF7401.
@Matthias :) Kann mir noch jemand abschließend sagen ob man den Mosfet ersetzen kann? Wurde der IRF7403 auch gehen?