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12V aus 50V diskret aufgebaut / mit „Bordmitteln“
Variante wäre die Frage wie ich den pmos geschaltet bekomme, mein Versuch mit den knapp 4V und einem IRLU 2905Z hat gestern nicht geklappt. Habe dann aber erstmal eine nmos Variante probiert. Also meine Interpretation der Lage wäre: - mit 5V bekomme ich keinen Leistungs-MOSFET vernünftig geschaltet, jedenfalls
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TPS70950 Regler fackelt ab
mit. In SOT23 ist das eh nix: hast doch PLatz... https://www.reichelt.de/IRL-IRFZ-Transistoren/IRLU-2905/3/index.html?ACTION=3&GROUPID=2896&ARTICLE=41775&SEARCH=TO-251AA&START=0&OFFSET=100& Äxl
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MOSFET-Übersicht
0,56 IRF7455 SO-8 irf 4,5 30 15 2,5 7,5 Kes 1,04 SI4442DY SO-8 vis 2,5 30 22 2,5 5/4,5V Kes 1,64 IRLU2905 TO251, DPack irf 2,0 55 42 110 27 4V LL Rei,Far,CBo 0,54 IRFD014 HEXDIP/DIP4 irf 2,0-4,0 60 1,7 1,3 200 Con,Rei 0,52 IRFD024 HEXDIP/DIP4 irf 2,0-4,0 60 2,5 1,3 100 Con,Rei 0,54 IRLD024 HEXDIP/DIP4
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WordClock mit WS2812
da auch schon an den Mosfet gedacht, der bei der früheren WordClock verwendet wird, nämlich den IRLU2905. Ich bin mir aber nicht sicher, ob der auch mit 3,3V statt 5V auskommt. > Der Gatewiderstand ist nicht zwingend erforderlich, aber man kann > besser den µC Pin vor dem Umladestrom schützen als
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Standardbauelemente
Logic-Level Power R PDF (NXP) IRLIZ44N 1,45 Logic-Level Power 30A 55V 22mohm TO-220 R, I IRLR2905/IRLU2905 0,60 Logic-Level Power 36A 55V RDS=27 mOhm D-Pak R, C, P IRLU3410 0,71 Logic-Level Power, 100V, 17A, 105mOhm RDS(on), I-PAK R PDF IRF7301 0,91 Dual N-MOSFET mit nur 70mOhm RDS(on) bei 2.7 V, SO-8
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Word Clock Variante 1
5.08 1 Q1 Mini-Uhrenquarz 32,768 kHz TC26 (Ø=2 mm, L=6 mm) 1 Q2, Q3, Q4 Leistungs-MOSFET, N-Kanal IRLU2905; 55 V; 42 A TO-251AA 3 R7, R9, R11 Metallschichtwiderstand 82 Ω; 0,6 W; 1% 0207 (bedrahtet) 3 R2 Metallschichtwiderstand 100 Ω; 0,6 W; 1% 0207 (bedrahtet) 1 R3, R4 Metallschichtwiderstand 4,7 kΩ;