Suchergebnisse für "IRF630"

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133 Treffer für IRF630 Suchergebnisse für "IRF630"

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    mirkonet_tmp.pdf

    /A N/A N/A 2,5 N/A 1276666 5INCREMEN PTEC11E4CO5F-S0024 BOURNS INCREMENTAL ENCODER 24PPR YES YES 1,630 1,956 9,780 Farnell THT-UNDEF N/A 24ppr Incremental Encoder IP40 N/A -30/+70 N/A N/A N/A 350 N/A N/A 1653380 3 TRANSFO7 RM61R/1C MURATA PULSE TRANSFORMER YES YES 2,140 2,568 7,704 Farnell DIP-6 N/A

    in „Komplettverkauf Bauteile, was wert? - Tabelle“ · Markt ·

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    Kontrolle der Kühlkörperberechnung

    MOSFET voll durchgeschaltet, beträgt die max. Leistung am > MOSFET 66W. Ein voll durchgeschalteter IRF630 mit 0.4 Ohm bräuchte 13A um 66W Verlust zu erzeugen, er hält aber laut Datenblatt nur 9A aus. Deine Vorstellung kann also nicht stimmen.

    durchgeschaltet, beträgt die max. Leistung am > >> MOSFET 66W. > > Ein voll durchgeschalteter IRF630 mit 0.4 Ohm bräuchte 13A um 66W > > Verlust zu erzeugen, er hält aber laut Datenblatt nur 9A aus. > > > > Deine Vorstellung kann also nicht stimmen. du hast recht, ich wollte damit sagen

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·hh · ·31 Antworten

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    irl630.pdf

    PD -9.1255 IRL630 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating RepetitiveAvalancheRated Logic-Level Gate Drive V DSS = 200V RDS(ON) Specified at V GS = 4V & 5V 150°C Operating Temperature R DS(on) = 0.40 FastSwitching Ease

    in „Kontrolle der Kühlkörperberechnung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Welchen mosfet für Berührungstaster?

    Nach Masse schalten: N-Channel IRF820 ist was du brauchst.

    10A geht. Also eher IRF630/640. Allerdings gibt's noch ein anderes Problem: wenn Du wirklich nur mit 3,7V arbeitest, kann es sein,d aß mit dieser geringen Gatespannung (wird ja über Körperwiderstand sicherlich von den 3,7V

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·TomjekMartin · ·8 Antworten

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    Endstufe mit IRF630

    Hallo, ich möchte eine Endstufe mit einem IRF630 zu Versuchszwecken bauen, dabei sollten möglichst wenig Bauteile verwendet werden, Klangqualität ist egal und ausser einem Lautstärkeregler (Poti am Eingang) sollten eig. keine weiteren Features

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Tiger32 · ·3 Antworten

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    Wie rechnet man aus,welchen Widerstand man zwischen gate und source bei einem fet braucht

    z.b.fur ne zeilentrafoansteuerung die mit 12v betriben wird der fet ist der IRF630

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Thomas S. · ·14 Antworten

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    MOSFET-irfiz34v.pdf

    duty cycle ≤ 2%. R = 25 , I = 30A. (See Figure 12) Uses IRFZ34V data and test conditions G AS 2 www.irf.com IRFIZ34V 1000 1000 TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 6.0V ( 6.0V n 5.5V t 5.5V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u100 u100 C C e e u r o o - - - - i i 4.5V r 10 r 10 D D , 4.5V , ID ID 20µs PULSE

    in „Frage zur Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Anfängerfrage: Wie finde ich geeigneten Transistor?

    großen Unterschiede,oder? IRLZ ist 55V, 35mOHm, IRF530 ist 100V, 160mOhm. Für LED & Co eher der erstere. MFG Falk

    gewünschte Ic von 80mA einen Basisstrom von 80mA/250=0,32mA. Wenn man ein gutes Exemplar (mit hFE=630) erwischt, wäre bei gleichem Basisstrom Ic aber 0,32mA·630=202mA, also viel zu viel. Jetzt kommt der Trick: Statt zu versuchen, den Basisstrom für das jeweilige Transistorexemplar exakt einzustellen

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Ben · ·43 Antworten

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    Wer hat Erfahrung mit Induktionsöfen >1kW

    @ Benedikt K. (benedikt) (Moderator) Nochmal die Frage. > Zumindest haben >bei mir 8 100nF 630V FPK1 Kondensatoren mit rund 130A keine Probleme (= >16Aeff pro Kondensator!). Wie hast du das gemessen? MFG Falk

    Falk Brunner schrieb: > Nochmal die Frage. > >> Zumindest haben >>bei mir 8 100nF 630V FPK1 Kondensatoren mit rund 130A keine Probleme (= >>16Aeff pro Kondensator!). > > Wie hast du das gemessen? Wie oben schon geschrieben: Ich habe Spannung und Frequenz gemessen. Da die Frequenz

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Silvio K. · ·580 Antworten

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    ATMega32 Transistor Schalter

    Solange halt nicht mehr als 800mA >benötigt wird oder? So in etwa. >- DC Current Gain: hFE1: 250~630 hFE2: 170- >Was hat das zu bedeuten? Das ist ie Stromverstärung. Wenn du 1mA in die Basis einspeist können 250..630mA in den Kollektor fliessen. > Wo ist der unterschied zwischen beiden? Streng

    Denn gibts schon laenger. Das Datenblatt weist ein Datum 8/97 auf. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7104.pdf

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·ben90 · ·21 Antworten

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    Netzteil: elektronische Regelung mit dem LM2575

    steht, sind 60Hz :-o Das sieht mir stark nach einer /normalen/ Gleichrichterdiode aus. Bei einer IRF 30BQ060 steht da z.B. wesentlich mehr (insbesondere "High Speed Operation").

    (Per Leg) 290 pF VR = 5VDC, (test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C [/pre] oder aus dem der MBRD630CT (Bild) Kapazität... Zeit... Frequenz... Geschwindigkeit... diese Angaben vermisse ich bei der SS36. EDIT: @ Benedikt Würdest du die SS36 einsetzen?

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Basti · ·43 Antworten

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    PSPICE_MITSCHRIFT_ALLES_SS20908.pdf

    SS 2008 ; Dipl.-Ing. Udo Schürmann Seite - 34 - Aufgabe : Aus Demo3 neues Projekt erzeugen... mit IRF150 als Transistor (Mosfet) File➔ New ➔ Projekt 2 VCE Q2 1 1 IRF150 V1 0Vdc 0 Verzeichnis : IRF150 + Verzeichnis Ausgangskennlinie PSpice – Vorlesung im SS 2008 ; Dipl.-Ing. Udo Schürmann Seite - 35

    in „Pspice Simulation“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    MosFET - Gate auf Masse

    Hi, ich möchte mit einem Mosfet IRLZ24N (IRF630 hab ich auch da) 12V/3A schalten. Eine ganz primitive Ein-/Ausschaltung mit 10-12V am Gate (die kommen über einen Optokoppler dorthin). Als Gatewiderstand nehme ich 47 Ohm. Die Sache soll gegen

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·H. Triti · ·10 Antworten

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    Elektrische Last mit IGBT

    Der vorgeschlagene IGBT kann auch nur 630 Watt (bei 25 Grad Gehäuse), also musst Du den Großteil der Leistung extern verbraten. Oder Du machst es richtig teuer mit einem ganzen Haufen dieser IGBTs.

    @I_ H. (i_h) Gib es lieber auf und kauf Aktien von IRF. Du koenntes ein gutes Geschaeft damit machen bei dem Verbrauch demnaechst. Gruss Helmi

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Michael · ·47 Antworten

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    LT1161.pdf

    resistor V+ V + LOAD LOAD T1 DS1 R S providingnormal operationof theLT1161protection 51 circuitry. 1 F G1 IRF630 IftheloadcannotbereturnedtosupplythroughR ,orthe LT1161 2N2222 S 15V RS1 loadsupplyvoltageishigherthantheLT1161supply,the 51 1N4744 0.2 T2 DS2 currentsensemustbemovedtothesourceofthelow-side 1 F G2 IRF630 MOSFET. Figure 9b shows two approaches to source 1/2 + sensing. On channel 1, current limit occurs when the 2N2222 LT1013 15V RS2 voltageacrosssenseresistorR thresholdstheV ofthe 1N4744 0.02 S1 BE

    in „Erfahrungen mit LT1161“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Transistor_Database.pdf

    10A 125W <62/1 IRF350 N-FET 400V 13A 150W 0.4E IRF440 N-FET 500V 8A 125W <0E85 IRF450 N-FET 500V 13A 150W IRF520 N-FET 100V 10A 70W 0.27R IRF530 N-FET 100V 16A 90W 0.16R IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077 IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4E IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R IRF644 N-FET 250V 14A 125W <E28 IRF730 N-FET 400V 5.5A 100W 1.0R IRF740 N-FET 400V 10A 125W 0.55R IRF740F N-FET 400V 5.5A 40W <E55 IRF820 N-FET 500V 3A 75W 3.0R IRF830 N-FET

    in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    irfiz34n.pdf

    (.145) LEAD ASSIGNMENTS 3.20 (.126) 7.10 (.280) 1 - GATE 6.70 (.263) 2 - DRAIN 3 - SOURCE 16.00 (.630) 15.80 (.622) 1.15 (.045) MIN. NOTES: 1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982 1 2 3 2 CONTROLLING DIMENSION: INCH. 3.30 (.130) 3.10 (.122) - B - 13.70 (.540) 13.50 (.530) C D A 0.48 (.019

    in „Mosfet Treiber Baustein“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Kapazitätsdioden für AM

    eignen... andere idee : nimm nen mosfet ! g-s verbinden, nur die interne diode wird benutzt --> ein irf630 (reichelt 40ct) macht so ca. 30pf...400pf ! sperrstrom < 1 uA . das sieht doch gut aus :-)

    1 uA Wie kommst du darauf? Vielen Dank! Jupp *) http://www.nxp.com/acrobat/datasheets/IRF630_S_1.pdf

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Jupp · ·13 Antworten

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    irmck203.pdf

    UNITS tMUX[2:0] ADCONVST to MUX[2:0] 22 ns t ADCONVST Low Period 1.44 us 1 t2 ADCONVST High Period 630 ns t3 ADCONVST to ADCLK Falling 60 ns tADCLK ADCLK Period 127.5 ns tCLKDLY ADCLK STALL Period 210 ns Table 18: Top Level ADC Timing This document is the property of International Rectifier and may not

    in „BLDC, Synchronmaschine, Drehfeld Experimentierschaltung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Transistor_Database.pdf

    10A 125W <62/1 IRF350 N-FET 400V 13A 150W 0.4E IRF440 N-FET 500V 8A 125W <0E85 IRF450 N-FET 500V 13A 150W IRF520 N-FET 100V 10A 70W 0.27R IRF530 N-FET 100V 16A 90W 0.16R IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077 IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4E IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R IRF644 N-FET 250V 14A 125W <E28 IRF730 N-FET 400V 5.5A 100W 1.0R IRF740 N-FET 400V 10A 125W 0.55R IRF740F N-FET 400V 5.5A 40W <E55 IRF820 N-FET 500V 3A 75W 3.0R IRF830 N-FET

    in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    an-937_gateDrive.pdf

    saturation can be guaranteed. 3. Switching times are longer than those for TTL (Table 2). VH 12V 680 680 IRF320 7407 Figure 8. High Voltage TTL driver and its waveforms When C-MOS outputs are directly coupled to the gate of ® V a HEXFET , the dominant limitation to performance is IRF7307 OR IRF7507 H not the

    in „Gatekapazität (FET)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Gatekapazität (FET)

    Hallo, Im Datenblatt zum IRF 630 gibt es drei Kapazitätswerte: Ciss Coss und Crss. Ich möchter gerne mal wissen, wo diese Kapazitäten auftreten. Und was viel wichtiger ist: Welche Kapazität muss am Gate (mit Ugs) geladen

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Lumenmonster · ·1 Antworten

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    Transistoren_cht.pdf

    IRF627 275 1.1 3.8 TO-220AB Harris IRF630 200 0.4 9 74 TO-220AB YTA630 A IR IRF630A 200 0.4 9 72 TO-220AB YTA630 A Samsung IRF630S 200 0.4 9 74 D2PAK 2SK2401 A IR IRF631(R) 150 0.4 9 TO-220AB 2SK2350 B

    in „Frage Mosfet“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Power_MOSET_Cross_reference.pdf

    IRF627 275 1.1 3.8 TO-220AB Harris IRF630 200 0.4 9 74 TO-220AB YTA630 A IR IRF630A 200 0.4 9 72 TO-220AB YTA630 A Samsung IRF630S 200 0.4 9 74 D2PAK 2SK2401 A IR IRF631(R) 150 0.4 9 TO-220AB 2SK2350 B

    in „Schaltregler Fragen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Amadeus.pdf

    ....................................................................19 3.5 PIC12F 629/675 / PIC16F 630/676.....................................................................................19 3.5.1 How To Connect/Programmierschnittstelle..............................................................

    in „USB-Programmer PIC/AVR Jetzt auch auf Deutsch :-)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Amadeus.pdf

    ....................................................................12 3.5 PIC12F 629/675 / PIC16F 630/676.....................................................................................12 3.5.1 How To Connect.......................................................................................

    in „USB-Programmer für eine Reihe von PICs und AVRs“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    irf840_und_irf840fi.pdf

    IRF840/FI IRF841/FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D IRF840 500 V < 0.85 8 A IRF840FI 500 V < 0.85 4.5 A IRF841 450 V < 0.85 8 A IRF841FI 450 V < 0.85 4.5 A TYPICAL

    in „Unterschied zw. IRF840 und IRF840FI“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    200A regeln

    du meinst zb irf 630 der kann lt datenblatt 9A.. und schlatest du die dann komplett parallel?

    Hi! Dann würde ich aber eher IRF3205 oä. vorschlagen. MFG Uwe

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Sebastian Heyn · ·17 Antworten

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    gleichstromsteller wieder mal

    leider eine rel.hohe GateCharge von 170nC. http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/68493/IRF/IRFP064N.html Bei 4Stk parallel sind das dann schon 680nC! Dafür sind die Teile aber extrem robust und gehen auch im ersten Durchbruch nicht gleich kaputt. Du solltest Dich bei der Verkabelung

    also so dicht wie irgent möglich bei den Fets sitzen. Mit Elkos nicht geizen: 4x2200/35V und 100nF/630V parallel an der Platine. Müsste man mal aufmalen - ich habe auch schon Installationen geshen, wo das da alles mit 4 oder6mm2 irgentwie "rumgtüdelt" war und eigentlich hätte gehen müssen. ICh tät

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Philipp Karbach · ·9 Antworten

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    Gatespannung mit Zenerdiode begrenzen

    möglich ist mittels µC diverse Motoren und e-magneten eizuschalten. Als Schaltstufe verwende ich einen IRF630 n-Kanal Mosfet. Die Fets werden wiederum mittel Optokoppler angesteuert. Datenblatt MOSFET:(http://www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/I/R/F/6/IRF630.shtml) Nun verwende ich einen Trafo mit

    umgekehrt proportional zur Schaltzeit: Eine grobe Näherung zum Gatestrom ist: i(t) = dQ/dt. Für den IRF630 bedeutet das: Gateladung laut Datenblatt: Q = 40nC = 40nAs bei U_GS = 15V. Betrachtung zum Gatestrom: 1.) Flankendauer 1ms: mittlerer Gatestrom = 40nAs/1ms = 40uA 2.) Flankendauer 1us: mittlerer

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Brunni · ·3 Antworten

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    Last schalten mit flipflop

    flogenden types gefunden(ausgelötet): http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/17800/PHILIPS/IRF630.html ich hab den dann mal so angesteuert, dass ich bei meinem labornetzgerät den ersten channel als drain-source stromquelle gebraucht habe und dann den sekundären channel (nur den minuspol, ohne

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·anfänger · ·9 Antworten

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    FET mit AVR schalten - Wie schnell?

    Hi. Ich möchte einige FETs (IRF630 und IRF9610) mit einem Atmel Mikrocontroller (ATMega16) schalten. Der ATMega bekommt einen 4MHz Quarz spendiert. Eine Taktperiode dauert somit 250ns. In den Datenblättern steht, dass die Transitoren

    die durchaus schon mal 3A Spitzenstrom liefern. Ich habe mal für eine 12V/6A-Last PWM-Schaltung zwei IRF7455 verwendet. Die Gates habe ich über einen 270Ohm Widerstand direkt an den tiny26 gelegt. Die PWM läuft mit ca. 2kHz und es funktioniert problemlos (die Flanken sind steil genug). Gruß Marco

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Andre Wippich · ·16 Antworten

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    Suche eine geeignete Freilaufdiode

    Ich möchte diese Spule nur einmal alle 2Minuten schalten und sofort wieder abschalten. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/mur3020wt.pdf Davon hätte ich noch zwei herumliegen. Für einmalige Ströme halten die Dioden bis zu 200A aus und schalten können sie innerhalb von 35ns. Nur die Spannungsfestigkeit

    @Alex also ich komm auf ca. 80 Windungen 25/(0.1*Pi) klammer vergessen??? L ca. 630µH bei einer spulen länge von 10cm

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Freak5 · ·22 Antworten