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Zeitschaltuhr Aquariumlampe
LED-Leuchtmittel nicht eine kapazitive Last? Dann würde ich keinen Triac, sondern einen passenden Mosfet (mind. 600V Udsmax) plus Gleichrichter zum Schalten nehmen, das würde die Probleme mit dem Haltestrom beseitigen.
Mit Gleichrichter und Mosfet gab es das mal in der Make: https://www.heise.de/select/make/2020/1/1583018117790727
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Stromspannung - wie viele Meter? Gesperrt
eine Membran von rund 5nm dicke. Macht 200000000 V/m :-) Bei Dielektrika in miniaturisierten MOSFETs dürften da noch ein oder zwei Nullen mehr sein. Jedenfalls sieht man daran, dass diese Feldstärke alleine der Schnecke nichts anhaben kann. Ich denke der Effekt rührt daher, dass aus dem Metall
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2, TAB) G(1) S(3)
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
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Impedanz-Fehler :-( wie 4 kW Netz-Wechselrichter an 2kW Insel-Netz
Drum wird der wohl trotzdem das "Phasenrennen" gewinnen. Ich könnte den Heizstrahler mit zwei Mosfets jeweils nur dann zuschalten, wenn der Betrag der Amplitude ansteigt. Dann "quetsche" ich den Sinus zwar steiler, aber die Frequenz bleibt gleich. Vielleicht gibt sich der Wechselrichter damit ja
auch helfen. Dann einfach an den Kondensator ein Brückengleichrichter und von da pwm gesteuert eine mosfets einen x kW Heizstab die überschüssige Leistung sinnvolle nutzen. Die Frequenz kann man mit simplen widerstand und 3V zener diode digital erfassen, und per Optokoppler-IC den mosfet treiben.. Vielleicht
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[S] LCD Thermometer mit ICL7106 (Conrad Bausatz)
mal genauer angesehen. Ein Fehler ist mir aufgefallen: die Schaltung ist nicht für einen BS170 MOSFET, sondern für einen J-FET wie BF245. Wenn man einen BS170 passend gedreht einbaut kann man den Elko durch eine Brücke ersetzen.
verstanden habe, schaltet dein Vorschlag mit LM339 nur das LOBAT Segment. Das per Transistor/Mosfet(wie im ICL Datenblatt) invertierte Backplane Signal für die fest eingeschalteten Segmente ist da noch nicht mit drin, oder? Oder ich übersehe da was grundsätzlich🤔
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Komisches Verhalten von LM5642MTCX
Platine: Wenn VIN über 23V ist, startet es nicht. Beim starten gibt's paar Impulse am Gate von Mosfet, dann sofort aus. Unter 23V startet es, aber die Schaltfrequenz ist bei 60kHz. Drossel fiept, je höher VIN desto lauter. LM5642MTCX getauscht, jetzt startet es sogar bei 25V. Über 25V kein Start
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Artikel
Transistor
naus, Pfeil, 'naus". ..und für Gleichberechtigungsverfechter: NPN means "Not Pointing iN". JFET: MOSFET: S: Source G: Gate D: Drain Eigentlich haben MOSFETs noch einen vierten Anschluss namens Bulk. Der ist aber nur bei Spezialtypen als Pin herausgeführt. Im Normalfall kann man ihn vergessen, da er nicht
ElKo schalten-mit-transistoren oder in diesen Threads: Transistor als Schalter Vcc schalten mit MOSFET Schalten mit PNP-Transistor Transistorschalter für Versorgungsspannung 7-50V strombegrenzt schalten P-Kanal MOSFET ansteuern 5V/15mA mit 3,3V schalten High Side Treiber mit Ladungspumpe minus -12V
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Alter Automatiköffner: Motor dreht zu schnell
Versorgungsspannungen: 12 - 24 VDC oder 12 VAC - Der MOSFET wurde mit dem Kurzschluss sehr heiß, schaltet aber noch Doch warum dreht der Motor zu lange? Beim Ausfahren schiebt er den Bolzen fast aus dem Gehäuse, beim Einfahren drückt es die Zahnräder aus
Vielleicht wird ja dennoch jemand schlau draus. Kann auch noch Fehler beinhalten. Edit: Was den MOSFET betrifft, da muss ich was übersehen haben. Der bezweckt so ja gar nichts.
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DC-AC Converter
viel Aufwand willst Du treiben? Habe hier was mit 74HC4060 u. 74HC112. Quarzgenau. Und mit MOSFet IRF4905 / IRF3205. P=150W Trafo ist normaler Netztrafo /50Hz
Vollbrücke aus zwei P-Fets oben, sowie zwei N-Fets unten. Jetzt noch die Gates der übereinander liegenden Mosfets verbinden, hier jeweils einen der Gatterausgänge anschließen. Fertig. Sind ganze 7 Bauteile. Ok, mit Elko über der Brücke und Kerko überm IC ganze 9. Das hat man schneller gebaut, als die Suche und
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Lipo Abschaltung (Schutzschaltung)
Dir verlinkten Artikel sind MosFets, die typischerweise als Schalter eingesetzt werden. Wenn die MosFets nicht leitend, also "aus" sind, also trennen, dann fließt kein Strom. Wenn die MosFets leiten, fällt etwas Spannung an ihnen ab, sie erwärmen sich ein wenig. Im Übergang von nicht leitend zu leitend erwärmen sich die MosFets stärker, als wenn sie "ganz auf", also leitend sind. Ohne Hysterese fängt die Schaltung an zu schwingen, wenn die Akkuspannung in die Nähe der Abschaltspannung abfällt. Die Abschaltung führt
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Reverseengeneering von Nebelmaschienen Protokoll
erreichen? DMX? Unter anderem... Könnte ich nicht eigendlich auch einfach an die schon vorhandenen Mosfets für Led und Rauch meinen Esp anschliessen? An der 5v Line von orginellen Reciver kann ich schauen ob aufgeheizt wurde.
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Diode Ersatztyp Makita DC18RA D4
Thomas D. schrieb im Beitrag #7699282: > Kann es sein das der NCS1206 am Ausgang den Mosfet überlastet hat Eher umgekehrt. MOSFET entweder wegen zu viel Spannung (Snubber defekt) oder zu viel Strom (shunt niederohmig, Trafo Windungsschluss) zerplatzt und NCP1216 mitgerissen. Schaltplan
Ja mit dem Mosfet muss ich euch rechtgeben. Das dieses Ladegerät mal eine 110V Version war hatte der Mosfet VGS500V. Der neue hat jetzt 800V. Ersatztyp 2SK3679. Ich habe jetzt Skizzen von Schaltbild des DA18RA.
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Led an OpenCollector invertieren
um eine einzige LED zum Leuchten zu bringen, mutiert echt zu einem Trauerspiel – man sollte einen MOSFET (TO92/SOT23/SOT89/SOT223) oder ein CMOS-Gatter (SOT23-5), alternativ einen OP-Amp (auch klein in SOT23-5 oder DIP8) als z.B. Spannungsfolger oder Komparator nehmen und gut ist, damit der Ausgang nicht
daß durch die LED der Pegel nicht einbrechen soll. Mein Vorschlag war daher, die LED mit einem MOSFET zu treiben.
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Feedback gestützt Schaltung eines Mosfets via passive Servo Drehung
Basis angebracht der Emitter ist an Ground angeschlossen. Der Kollektor ist an das Gate vom N Kanal Mosfet angeschlossen. Dadurch wird die Schaltung bei aktiver Spannung der n Kanal mosfet immer auf GND gezogen. Der Servo ist am Gate vom N Kanal angeschlossen. Damit es etwas übersichtlicher ist: NPN-Transistor: Basis: Pull-Up-Widerstand zur Spannungsquelle 1 Emitter: GND Kollektor: Gate des N-Kanal MOSFETs N-Kanal MOSFET: Source: GND Gate: Verbunden mit Kollektor des NPN-Transistors und einem Pull-Down-Widerstand zu GND Drain: Verbunden mit dem P Kanal Mosfet Servo-Motor: Vcc: Spannungsquelle
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Schaltplan zur Aktivierung eines Servos
Wake up Servo ServoVCC R19 1k +3V3* R18 10k Schalter P - Mosfet D +3V3* N - Mosfet D Q1 AO3400A G S Q3 AO3401A G S R17 10k +3V3* R16 10k +3V3 NPN2 S9013 J3 GND
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Schaltplan zur Aktivierung eines Servos
Wake up Servo ServoVCC R19 1k +3V3* R18 10k Schalter P - Mosfet D N - Mosfet Q1 AO3400A Q3 AO3401A G S +3V3 R16 10k NPN2 S9013 J3 GND +3V3* R17 10k
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Tabelle mit Spezifikationen von P-Channel MOSFETs
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS Part No. | V(BR)DSS Volts Min | V(BR)GSS Volts Min | V(BR)DG Volts Min | Power Dis. 25°C Amb mW Max | IDSS nA Typ | ICSSf nA Typ | ID(on) mA Typ | VGS(th) Volts Min/Max | RDS(on) Ohms Typ | Yfs uHm
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Datenblatt eines p-Kanal MOSFETs
M104 enhancement-type p-channel MOSFET designed for... Analog Switches Digital Switching BENEFITS High Off-Isolation ID(off) < 100 pA IS(off) < 100 pA Very High Impedance Cgs < 100 pA IGSS < 100 pA Rugged Zener Protected Input ABSOLUTE
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[S] Einen FET : MEM556C
Lt schaltplansymbol sieht das nach nem p-Kanal MOSFET aus, oder? Warum J-FET? Würde da ein SMY51 passen? Hätt‘ ich da. Würde ich zweie zum Testen abgeben.
Masseanschlüssen in dem von mir eingefügten Zeichnungsausschnitt. Werden die nicht erst beim Schalten des Mosfets zusammengeführt? We nicht extra gewollt wäre könnte man ja jeden kleinen P-Mosfet mit geringem Leckstrom nehmen und die beiden Anschlüsse permanent verbinden.
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STM32 SWD Pins nutzen. Trotzdem programmierbar?
Ernst M. schrieb im Beitrag #7697437: > An den Pin soll ein MOSFET als Relaistreiber. > Wie seht ihr das? Verrenne ich mich? Alle Pegelwechsel an diesem Pin werden dann während der Programmierung über den MOSFET an die Relaisspule takt- und frequenzmäßig 1:1 weitergegeben
diese Diode jedoch sehr langsam, weil z.B. 1N4007 genommen wurde, könnte die Spannung am Drain des MOSFETs trotzdem so weit ansteigen, dass er zerstört wird. Bekommt der MOSFET einen Durchbruch in allen drei Anschlüssen, so könnte diese Spannung kurzzeitig auch an den µC und den Programmer gelangen und
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Leiterplatte eines Netzteils mit Bauteilbeschriftungen
DC18RA-T-220V vesrision 22uF 400V 0.33Ω 3W MOSFET K3799 Q11=C3209 Q12=A1281 VS1=TVR10471 0.33uF 275V TH1=SCK055 D1=KBJ408G L8=inductor? L7=inductor? 56KΩ 2W 56KΩ 2W R92= 0.1Ω 2W 150uF 400I
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Datenblatt eines N-Channel 30 V MOSFETs
VISHAY Si2300DS www.vishay.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET power MOSFET 100 % Rg tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS DC/DC converter for portable devices Load switch
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Einbauposition Kondensator
Natürlich mit eigener Platine. Ich hab da mal einen Schaltplan gezeichnet. Darin sind zwei MOSFET´s enthalten. Der P-MOSFET schaltet die +12V zu dem externen DC-DC Step-Down, der macht daraus +5V und 10A. Der LED Strip läuft ja mit 5V. Angesteuert durch den HmIP-Schaltaktor, der beim einschalten GND durchschaltet. Der N-MOSFET wird durch einen GPIO Pin vom ESP8266 angesteuert und soll GND auf den LED-Stripe schalten. Nun hab ich zwei Fragen an euch. 1. Passt das mit den MOSFET´s so? 2. Der LED Strip (braucht) einen
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Schaltplan in KiCad mit ESP8266 und LED-Treiber
F1 Fuse 5A, 12V Batterie, GND, P MOSFET, R2 10k Pull-Up, 12V Eingang, +12V, DC-DC Step-Down, +5V, GND, Fuse 2A, Injektor 2, Fuse 2A, Injektor 1, Fuse 2A, LED Stripe 2, C2 1000uf, Variante 2, C2 auf geschaltet GND, LED Stripe 1, C1 1000uf, Variante 1, C1 dauerhaft auf GND, GND, Wemos_D1_mini ESP8266, P1 470 Ohm, Q1 N MOSFET, 10k Pull-Down, GND, Sheet: WLED Gartenbank.kicad_sch, Title:, Size: A4, Date:, Rev:, Id: 1/1
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Induktivität von Leiterstrukturen bestimmen.
herausfinden, ob Schaltung bei die 62kHz/50A auch ohne externen 10mF-Elko arbeitet, ohne TVS-Dioden und Mosfets zu überhitzen. Man erkennt die 4 Mosfets. Oben im Bild ist 50V unten 0V. Auf der "Rückseite" sind Wago-Klemmen und Kupfer zur Verstärkung der Strompfade. (75µm-Kupfer) In der Mitte erkennt man
Hoppla! Bei welcher Spannung? > auch ohne externen 10mF-Elko arbeitet, ohne TVS-Dioden und > Mosfets zu überhitzen. Da fehlt noch der Schaltplan. > Man erkennt die 4 Mosfets. Oben im Bild ist 50V unten 0V. Auf der > "Rückseite" sind Wago-Klemmen und Kupfer zur Verstärkung der Strompfade.
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Wie funktioniert Diseqc-Umschalter
überlagerte HF durchschalten. Die parallelgeschalteten Transistoren für die beiden LNBs könnten p-MOSFETs sein. Die Stromquelle in der Ansteuerung lässt mich im Nachhinein doch eher PNPs vermuten. Unklar ist mir die Funktion des "mittleren" Transistors. Schaut auch aus wie eine Stromquelle, die den
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MR760 Diode Ersatz für PFC Kreis
Hallo, ich suche Ersatz für MR760 Diode. PFC Mosfet und die Diode ist defekt gegangen. Es ist ein Netzteil mit 460W max. Eingangsspannung 230V. Bei ebay gibt's viele Fälschungen, Mouser/TME hat sowas nicht mehr. Danke.
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Wechselspannung Nabendynamo begrenzen
Daniel B. schrieb im Beitrag #7701566: > Heute kam mein Deplition Mode Mosfet an. Die erste Probefahrt eben war > ein voller Erfolg. Sehr gut! Du kannst ja nochmal schreiben, welchen FET du nun bestellt hast und wie Du ihn verbaut hast. So als Zusammenfassung/Fazit.
Hallo. Kann ich machen, wenn Interesse besteht :-) Mosfet ist ein DN3535N8-G, wegen seiner geringen Größe im SOT-89 Format habe ich mich für den entschieden, recht Teuer, aber für ein Einzelprojekt im Privatsektor voll ok. Auch die anderen Parameter schienen
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Reparatur SNT NFN90-7630 aus HP 54645A - Bauteilidentifikation
NFN90-7630 aus einem HP 54645A Oszilloskop zu reparieren. Einige defekte Bauteile (Transistor und MOSFET) habe ich lokalisiert und bereits getauscht. Aktuell fehlt mir die Startspannung für den Schaltregler UC3842AN. Ich habe jetzt ein mir unbekanntes Bauteil aus der Vergussmasse ausgegraben, welches
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs und Transistoren
+10V, C10, 100n, IC8E, PWM1, 74106D, BC817, Q11, R10, C8, R5, 5mA, Q3, Q4, BC817, BC807, C1, 100n, HIGH1, BSP171P, T1, C3, T3, BSP3205, T4, HIGH2, C4, 100n, Q6, BC817, Q9, BC807, PWM2, IC5D, 74106D, Q8, BC817, Q7, BC807, Q10, BC807, Q12, BC817, R2, C7, PWM_B, +10V, GND, +10V, Q2, BC817, Q5, BC807, C2, 100n, LOW1, LOW2
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Cmos H-Brücken Inverter saugt Quelle leer
bekomm ich auf die chnelle nicht zusammen. Die CMOS sind zwei Si4559ADY, dargestellt als N- und P-MOSFET.
/technics-base-circuits-h-bridge_ge.htm Noch ein paar Beispiele: https://blasted.de/threads/mosfet-aktive-motorbremse-active-breaking-system.5645/ https://www.arduinoforum.de/attachment.php?aid=7216
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(S) PNP-Transistorarray
keine Freilaufdioden. Braucht der lt App-Note nicht. Der limitiert Vout auf -1.3V, der wird den Mosfet dann wieder leicht öffnen bis der Strom abgeklungen ist.
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Schaltplan einer Gate-Treiber-Schaltung mit MOSFETs
Vcc D3 V3 30V U2 HO high1 M1 Vdd C7 100n VB IR2110 R3 10k HIN SD VS Source1 C8 100n LIN COM R_mot1 0.6 L_mot1 1.5m COM1 low1 irfbsl3206pbf M2 R4 10k D1 1N4148 low1 D2 1N4148 COM1 R1 100k C2 10n U1 VCC GND DIS TRIG THRS OUT CONT RST C1 1n C3 100n D4 PDZV15B R2 3k
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Relaisansteuerung mit ESP32 macht mich völlig ratlos
unterschiedlich reagieren. Morgen fange ich nochmal mit dem Steckbrett an. Wird nur schwierig, weil ich SMD MOSFET verwendet habe.
Uwe S. schrieb im Beitrag #7695550: > weil ich SMD MOSFET > verwendet habe. Zum Testen auf einem Steckbrett könntest du auch einen NPN-Transistor (bedrahtet) verwenden.
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Verstärkerschaltung von DC 3-5v 0,5A auf 5-12v 2A
trotzdem den bot nicht wegschmeissen möchte.. deshalb danke für deine Hilfe und Geduld. Welchen mosfet würdest vorschlagen? Ja läuft nur vorwärts.
dass Du die Motorreglung komplett neu > erdenken musst. Warum? Statt dem 5V Motor kommt da ein MOSFET dran. Fertig.
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
Vcc V1 V2 D3 C6 U2 high1 IR2110 VD D C7 100k Q1 VB VS VCC 100n COM1 low1 M1 irfbsl3206pbf 30V R3 100k Source1 R_mot1 L_mot1 0.6 1.5m SD LIN COM VSS LO Q2 M2 irfbsl3206pbf low1 R4 100k D1 1N4148 C2 10n D2 1N4148 COM1 VCC GND DIS TRIG THRS OUT CONT RST C1 1n C3 100n D4 TDZV15 R2 3k V6 V7 5 0
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Handgezeichneter Schaltplan eines Audio-Konverters
Frequenzen (z.B. 20m-Band) werden auf beispielsweise 1,6MHz konvertiert und können dann mit dem Dualgate-MOSFET-Audion in einer "bequemen Frequenzlage" empfangen und demoduliert werden. Ant. 8p 2p7 L Cx NE602 1 4 2 5 6V 10k 20k 10k 100n 2p7 BF961 1K 47uH 22n 1uF NF out 30p 30p 70p 100n ca. 50uH 10% 220R 470R
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Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, Q1, HIN, VB, VS, C8, Source1, VCC, COM1, low1, IR2110, Q2, LIN, COM, LO, VSS, R3, 100k, irfbsl3206pbf, M1, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, irfbsl3206pbf, M2, low1, R4, 100k, COM1, trig1, R1, 100k, C2, 10n, D1, D2, D, D, D4, D, R2, 22k, C3, 100n, TLC558, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, C1, 1n
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Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, C7, 100n, Q1, HIN, VB, VS, SD, VCC, COM, LO, LIN, VSS, IR2110, Source1, M1, irfbsl3206pbf, R3, 100k, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, low1, M2, R4, 100k, COM1, irfbsl3206pbf, low1, IR1, D1, C2, 10n, D2, D, trig1, R1, 100k, U1, GND, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, TLC555, C3, 100n, D4, D, R2, 22k, C1, 1n
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Text und Schaltplan eines MOSFET-Audio-Verstärkers
5.6.4. MOSFET-Audion Bild 5.34 MOSFET-Audion für MW-Sender-Nahbereich Bild 5.35 a KH (1 kΩ) T1 SMJ103/104 SMJ12 GA100 aa 10 kΩ 250 Ω 10 Ω 10 nF C1 C2 C3 C4 C5 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF
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Handgezeichneter Schaltplan und MOSFET-Bauteil
+40V DC (PV) R rein ohmsch 50 Ω +15V G 1 kΩ 1 MΩ E DG30X07T2 dosemi TEPDGAF02
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Überlastschutz Solid State Relais / PhotoMOS
Halbleiter einsetzen, optisch getrennt > ("PhotoMOS"). Ungeeignet für induktive Lasten. Ein MOSFET kann bei Maximalstromüberschreitung (gemessen per shunt und Komparator) in Mikrosekunden abgeschaltet werden, ein PhotoMOS nicht, der braucht Millisekunden und brennt dabei durch. TRIACs sind deutlich
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H-Brücke mit 100% Duty-Cycle
Danke Matthias für die schnelle Antwort. Leider soll/muss ich N-Kanal Mosfets verwenden. Du schreibst, dass das Gate des Highside Mosfets zu viel Spannung sieht. Das hab ich mir auch schon überlegt. Wäre es möglich die Ladungspumpe auf Source des Mosfets zu legen? Dann würde
CONT-Eingangs messe, liegt hier eine Spannung von 14,4V an. An Vcc liegen bei schaltendem Highside Mosfet 30V an. Das passt dann doch? Noch eine weitere Frage: Die Pulldown Widerstände der Mosfets, sind diese notwendig bzw verbessern diese das ansprechverhalten der Mosfets? So wie ich es verstanden
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Schaltplan einer Heizungssteuerung mit NTC und MOSFET
VIN (5V) R11 18k C11 0.1uF U11C TS912 R13 10k R15 120k U11A TS912 3 2 1 R12 10k NTC 3435K R14 10k GND UNDERTEMP Q11 IRF7413 D R16 1K D11 LED C12 0.1uF Heater+ J11 Heater (5V, max. 0.6A) Heater- U11B TS912 5 6 7 GND
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SMD Bauteilbezeichnung gesucht
Hallo, das Teil in Bild 1 ist als Gate-Treiber eines (ST)P80NF06 Power MOSFET verschaltet. Der MOSFET ist explodiert und hat den Gate-Treiber mit gerissen. Das Teil ist mehrfach auf der Platine vorhanden (Bild 2). Mit "1B" fange ich nun so gar nichts an. Wer kann helfen?
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suche nach geeignetem Optokoppler
Ich muss einen ESP32-C3 mit einem PIC16LF1825 ein- und ausschalten, dazu nutze ich einen P-Channel MOSFET, das funktioniert schon gut. Jetzt möchte ich aber noch Daten zwischen PIC und ESP und vice versa übertragen solange der ESP aktiv ist, es werden nur ein paar Bytes übertragen, 9600 Baud reicht
muss einen ESP32-C3 mit einem PIC16LF1825 ein- und ausschalten, dazu > nutze ich einen P-Channel MOSFET, das funktioniert schon gut. > > Jetzt möchte ich aber noch Daten zwischen PIC und ESP und vice versa > übertragen solange der ESP aktiv ist, es werden nur ein paar Bytes > übertragen, 9600
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Verkaufe Konvolut an IC´s und LED´s/ IC´s Identifizieren
MK48H64-120 (SRAM) 2€ ICM2812DC (First in First out Memory)2€ TMS2708 2€ SN75370N (Vierfach Mosfet)2€ MM1702AQ 5€ PAL16L8ANC 3€ T74L39B1 (Zähler IC)1€ SN74S283 (Zähler IC)3€ Wenn euch die preise nicht passen bin ich gern offen für Verhandlungen, aber übertreibts nicht ;) Das
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Freiberufliche Tätigkeit im Embedded SW-Bereich
Hardwareentwicklung beschäftigt. Dort habe ich BLDC-Treiber designt, zum Teil sogar mit diskreten MOSFET-Treibern. Gesteuert werden die Treiber mit einem ATTiny 8-Bit Mikrocontroller. Ich bin sehr geübt im Bestücken. Zudem habe ich einen sehr starken Feinmechanik-Background aus der Lehre. In meiner
Hardwareentwicklung beschäftigt. > Dort habe ich BLDC-Treiber designt, zum Teil sogar mit diskreten > MOSFET-Treibern. Gesteuert werden die Treiber mit einem ATTiny 8-Bit > Mikrocontroller. Ich bin sehr geübt im Bestücken. Es ist eher uninteressant, mit welcher µC-Familie du gearbeitet hast. Und wenn,
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Kalten Akku bei angeschlossener Stromquelle vorheizen
sind für den gewählten Komparator (der TS912 kann max. 130mA am Output), benötigt ich noch einen MOSFET als Schalter, damit Heizelement und Indikator-LED von der Stromquelle direkt betrieben werden. Die Wahl fiel auf dem IRF7413 (n-Channel, schaltbar mit 5V, mind. 2A I_D). Also konkret: * Kann man das alles grundsätzlich so machen oder liege ich völlig daneben? * Sind Komparator und MOSFET adäquat gewählt? * Wie rechne ich um zwischen Temperatur und Widerstand bei der Hysterese? Besten Dank! Edit: Schaltplan doppelt hochgeladen und jetzt weiß ich nicht, wie man einen davon löscht
