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Wie lange Gate Spannung damit N-Kanal Mosfet schaltet?
wie lang möchtest Du denn schalten damit deine Frage einen Sinn bekommt?
Schalte noch einen 1uF Kondensator dazu, dann wird die Spannung länger gehalten.
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LT3800 Ausgangsspannung größer 36V
verstanden. - Local Supply Pin (VCC) = hier würde ich anstelle einer Diode, ein NPN mit Zener-Diode schalten. - SENSE+, SENSE– = könnte man mit einem Spannungsteiler begegnen.
einstellbar ist. Die Gatetreiber haben gut Wumms und eine recht hohe Spannung. Was Vorteile bei den FET hat (keine Logiklevel nötig, Gatecharge muss nicht winzig sein). Ich würde deswegen aber Serienwiderstände zu den Gates vorsehen (erst mal 0E), weil zu hartes Schalten EMV-Probleme machen kann.
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Fehler beim Buck-Converter?
Schaltung ihren Sinn rauben.... Du hast Recht, ich hab mir mal wieder das Hirn verknotet in der P-FET-Verpolschutz-Schaltung. Den Punkt also streichen, Manuel :) MfG, Arno
Tipp: Beschriftungen nicht entfernen/löschen, wenn sie zu groß werden, sondern "unsichtbar" schalten. Das ist mit KiCad möglich. Du kannst dann immer noch in Deiner Board Datei nachsehen, was was ist, und für einen vergrößerten Bestückungsausdruck kannst Du sie auch wieder einschalten. Das geht
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Wahl des SynchrongleichrichterMOSFETs für Buck Converter
, oder einfach zu reichlich angegeben... Der ausgesuchte riesige Fet würde recht schlecht funktionieren. Es ist so: Bei 2:1 leiten Highside und Lowside Schalter so ca. gleich lang (so daß der Strom, und der stromabh. Verlust, sich zeitlich recht genau aufteilen
es genauer wissen. Verwirf o.g. Fet, und gehe mal genauer auf Deine Absichten ein.
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LED IC PWM Regelung mit MOSFET
Oder hat mich da der 1K Widerstand gerettet? Die Threshold Spannung ist die Spannung bei der das FET anfängt "gut zu leiten". Die Angabe der Gate-Source-Voltage ist interessant für die maximale Gatespannung. Die liegt in der Regel zwischen +-8 und +-20V kommt auf das FET an.
bipolaren Transistor. Der Strom durch den Verbraucher bestimmt nur dieser selber (siehe oben), NPN oder FET sollen nur schalten - wie bei einem gewöhnlichen mechanischen Schalter. Im Gegensatz zum NPN-Transistor brauchst du am Gate (theoretisch) keinen Widerstand, 330Ω-470Ω wären jedoch sinnvoll zum Schutz
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Stereopoti syncronisieren
schon oft in Projekten verwendet. Um 63dB Regelbereich zu haben, müsstest du 2 Stück hintereinander schalten. Diese haben 75 Ohm, gibt's auch mit 50 Ohm.
Nicht umsonst wurden Wienbrücken mit Drehkos statt mit Potis gebaut. > Ich habe überlegt, einen FET zu verwenden, habe aber keinen gefunden, > der eine solche Ausgangskennlinie hat. Ein FET ist für die Abstimmung gar nicht tauglich. Aber für die Amplitudenregelung schon.
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LED-Matrix ansteuern
sein. Bei 8 Kanälen der ULN2803. Wieso soll der UDN nicht geeignet sein? Der kann maximal 50V schalten, aber auch weniger. Die Steuerspannung passt auch für 3.3V.
verwendet nur Schieberegister auf der Anodenseite. Auf der Kathodenseite werden auch besser 3 MosFETs (damals: IRLU2905) statt ein ULN verwendet. Auf der Kathoden-Seite werden die MosFETs direkt durch PWM angesteuert. Es wäre Unsinn, diese 3 Kanäle auch noch über ein Schieberegister zu schicken -
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Gibt es sowas wie einen Strombegrenzer-IC?
fliessen da maximal 4A. Jedenfalls weit weniger Aufwand als nochmal einen extra Buck zwischen zu schalten.
Eine Lösung ohne Vdrop könnte wie aussehen? FET+Shunt+OpAmp? Geht das auch mit einem PMOS?
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Alternative zum Relais
Musst du High-Side schalten, oder gehts auch Low-Side?
So wie ich meine Relais eingebaut habe, dürfte es wohl einer High Side Schaltung entsprechen. Ich schalte die Betriebsspannung vor dem Verbraucher. Bei Low Side müsste ich dann wohl GND schalten? Darüber habe ich mir noch nie Gedanken gemacht, macht das einen Unterschied? Bei den 5V Kreisen hängt das
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Smartphone Akku-Kapazität prüfen
Notebook oder Android-Smartphone zur Verfügung stellt. Mit xxternem NT und einem weiteren Relais und FET + C pro Akku kann man damit auch eine "intelligente" Ladeschaltung realisieren und ist ggf. immer noch unter 10,-€ für das gesamte Projekt. Man kann auch noch zwei bis drei Euros in eine drahtlose
Hab' gerade Ladegeräte für das externe Laden der S4 Akkus gefunden. Ladespannung 4,35 V. Also den Schalter im Opus betätigen.
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Radio RIM VMOS Turbo 1000B
Isolierscheiben drunter sind. Danke für den Link. Jetzt stellt sich nur noch die Frage nach den besseren FETs. A.G.
wären die einschlägigen HiFi-Foren die ersten, die das verbreiten würden. Die Entwicklung der Fet's hat die lineare Betriebsart quasi rausekickt, weil allein schnelles Schalten verlangt ist. Diese Linearität nun irgendwie wieder hereinzumogeln, ist doch "am Thema" vorbei. Trotzdem habe ich große
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Schaltplan Kontrolle
aber ich komme mit target noch nicht ganz zurecht :-D An die Stiftleisten kommen dann ,TFT, Schalter mit LER Beleuchtung, und die Ausgänge die vom IRL34N geschalten werden, in einem ist eine Freilaufdiode wegen dem Magnetventil . Danke.
sein. Das einzige Ziel des Schaltplans ist /Lesbarkeit/. Ich nehme jetzt nur das Beispiel der 3 Fets: a) Leiterbahnen sollten nicht länger oder mehr als nötig sein. K4 schreit danach, direkt links neben die FETs positioniert zu werden. b) die drei Kombinationen von je ein Fet und 2 Rs kann ruhig
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Linearverstärker für 800V PP
PLASMA) überlebt. Bei 0,5A Ausgangsstrom sowieso. MOSFETs kann man gut kühlen und ggf. parallel schalten, wenn man weiß wie.
die Anforderung auf 400V und das ist ja nun nicht sonderlich anstrengend, es gibt genügend Lineare FETs out of the box von Ixys die das können, BTDT. Obacht bei der Kühlung und achte dennoch auf eine schnelle(!) Abschaltung bei Überstrom, binnen 100ns sollte die Abschaltung machbar sein.
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MOSFET Kapazitäten
Schalten? Wären Relais eine Alternative?
MosFets > Schalten? Wären Relais eine Alternative? Gibt es denn überhaupt Relais, welche einen geringen R_on haben? Also ca. 20mOhm. Und die auch Wechselspannung zu-und wegschalten können?
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Royer Converter hört auf zu schwingen
verkehrt, kann man machen. Aber die MUSS zwingend und immer Hart geschaltet werden sonst werden beide fets leitend und es macht peng.
MOT_Sucht (. schrieb im Beitrag #6566049: > Und was hätte das damit zu tun? Schau ins Datenblatt, ein FET kann nicht unendlich schnell schalten. Irgendwann ist seine Grenze erreicht. Dieter D. schrieb im Beitrag #6566027: > Vielleicht hat sich auch nur die Resonanzfrequenz verschoben zu höheren >
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auf einfache Weise von 11MHz auf 300kHz teilen/generieren
Einfach 4 Stück 77,5 kHz DCF Quarze in Serie schalten. Das ergibt dann exakt 310 kHz. 😊
Mit einem Dual-Gate-FET, zum Beispiel ein BF981, könnte man eine Mischstufe aufbauen und an Gate 1 und Gate 2 jeweils 77,5kHz einspeisen und am Ausgang die Summenfrequenz von 155kHz mit einem Schwingkreis rausfiltern. Noch
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P-Mosfet Schaltung richtig ausgelegt
wählen. An der Basis brauchst du nicht so viel Strom, am Kollektor sollte es mehr sein, damit man das FET-Gate auch wieder schneller entladen kann beim Abschalten. Eine 1N4008 gibt es meines Wissens nicht, nur 1N4001-1N4007. Wenn du allerdings induktive Großverbraucher (10A) schalten willst, dann
Direkt mit Logik geht bei dem BTS nicht, da müsstest du einen npn oder n-Kanal-Fet zwischenschalten. Es gibt aber auch genügned Typen mit Logik-Interface (VN7050 z.B.), die kannst du dann dierkt mit 3,3- oder 5V Logik schalten.
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SMD LED Matrix - Mosfets
Danke dir. Könnte ich dann die P Kanal Fets durch N Kanal tauschen und alles ist gut? N Kanal auf der Minus Seite passt ja, wie ich verstanden habe. Aber was nutze ich Ann am besten auf der Plus Seite? P Kanal FET und NPN Transistor? Oder
kuschner schrieb im Beitrag #6562544: > Danke dir. Könnte ich dann die P Kanal Fets durch N Kanal tauschen und > alles ist gut? Nein. kuschner schrieb im Beitrag #6562544: > Aber was > nutze ich Ann am besten auf der Plus Seite? P Kanal FET und NPN > Transistor? Ja,
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Konstantstromquelle mit MCP4151
So, ich habe das jetzt mal so umgesetzt. Passt das so in etwa, enn ich 2 FETs parallel schalte oder benötigen die auch widerstände davor? (Da aber kein Strom fließen sollte denke ich, die machen eh keinen Unterschied.) Reicht ein gemeinsamer Shunt Widerstand, oder braucht
hättest du genausogut einen Widerstand als Last nehmen können. > Passt das so in etwa, enn ich 2 > FETs parallel schalte oder benötigen die auch widerstände davor? Der Shunt *ist* doch der Widerstand. Allerdings wird die Stromaufteilung nicht symmtrisch sein. Die MOSFETs werden ja im Linearbetrieb
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Röhrenuhr IV-18
-Batteriebackup -Alarm akustisch -Manuelle Zeiteinstellung und Menüs über 3 Buttons und einen Schalter -Kontrasteinstellung -Umstellung Zeit/Datumsformat US/EU Erweiterungen: -Software neu geschrieben -Menüs neu strukturiert -Alarm optisch/akustisch -Timer bis 120 min -DCF-Empfang -Temperaturmessung
was gar nicht verbaut ist. Der Teilesatz enthält nicht passende Bauelemente, dafür fehlt der P-Kanal-Fet den ich wahrscheinlich auch nicht in der Schachtel habe...dauert noch Pille
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48V LiIon Akku und Ladegerät - Mosfet
MOSFETs umzusteigen. Da ich in beide Richtungen Strom fahre, müsste ich MOSFETs antiseriell schalten, sofern ich das richtig verstanden habe? Wie macht man es richtig? Drain an Drain oder Source an Source? Wie steuert man die FETs am besten an (3,3V Logik sind vorhanden) Welche Treiber
Zellen, so ab 9.Zelle. Für mehrere Akkus in Parallel kannst du auch mehr Widerstände bei Si2302 schalten.
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Selektivität von LS-Schaltern
über die Selektivizät von "herkömmlichen" LS-Schaltern.
LS schalten ja auch nicht ganz schnell ab, wenn es richtig schnell sein soll, dann muss man schon MosFETs nehmen. Bei mir ist vor etwa einem Monat meine Mikrowelle kaputt gegangen. Zu dem Zeitpunkt wo der
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MOSFETs gesucht (Vergleichsliste?)
ist bei > gegebener U_GS. Das ist übrigens m.E. die wichtigste Zeile, wenn man einen passenden FET für seine Anwendung sucht.
schrieb im Beitrag #6559183: > Das ist übrigens m.E. die wichtigste Zeile, wenn man einen passenden > FET für seine Anwendung sucht. ... und die erste, die man anschauen sollte. Dann gibt es für die nächsten Checks: - Welche DS-Spannung hält er aus? - Welchen Strom kann er schalten (steht ja schon
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Elektronische Sicherung für KFZ-Bereich
ziemlich einfach lösbar. Der AUIR3315 ist schon der richtige Weg, da die Sensierung direkt am FET Chip im Bauteil sitzt, und somit Temperatur, etc. sehr exakt zum sicheren Abachalten führt. Nutzt Du dagegen externen FET, mußt Du sowas recht bauteilaufwendig extern aufbauen. Und da die Ankopplung
auch sowas wie Überspannungsschutz und Verpolschutz. Rechne grob mit 1uH je m Leitungslänge, schalte 20A in 10 us ab -- voila, schon hast Du die Spannungsspitze. etc. > Bitte entschuldigt meine > laienhaften Fragen. Ich bin kein gelernter Elektroniker und habe nur ein > wenig Grundwissen
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Geringe Spannung mit P-Channel Mosfet schalten
Zustands im Reset hast du natürlich recht. Der R2 ist so niederohmig gewählt, weil ich schnell schalten wollte. Ein PU direkt am Portpin kann trotzdem deutlich hochohmiger sein, da ist ja keine schnelles Schalten gefordert und er muss ja nur auf Kollektorseite 25mA schalten fließen lassen können.
ist das V_CE was du meintest? Also dass im > Sättigungsbereich, in dem ich den Transistor ja als Schalter betreiben > will diese 0,7V über die C-E-Strecke abfallen und deswegen nur 12 - 0,7V > = 11,3V über R1 abfallen können? Du hast ja 12V als Versorgung der Treiberstufe. Für den zu schaltenden FET
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Elektronischer Präzisionswiderstand
und eine Genauigkeit von 0,1% oder besser haben. Wie kann man sowas realisieren? Eventuell mit einem FET? Gruß Markus
eine Genauigkeit von 0,1% oder besser haben. Wie kann man sowas > realisieren? Eventuell mit einem FET? > > Gruß > Markus 6 Dekaden? Und 100 Ohm Genauigkeit bei 0,1ohm Schritten?
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zum x ten mal 3.3V LL MOSFET
Nebengeräusch einstellen. Und du solltest unbedingt auf 12V gehen. Such dir einen ordentlichen LeistungsFet mit Treiber. Alles was darunter Leistung schalten soll ist imho Murks.
11kHz PWM...... > Und du solltest unbedingt auf 12V gehen. Such dir einen ordentlichen > LeistungsFet mit Treiber. Alles was darunter Leistung schalten soll ist > imho Murks. 12V Grundversorgung ist aktuell vorhanden wobei wenn ich dann wechseln würde auf ne andere LED Spannung Wechsel die nicht
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Mist.Power mit PFET schalten..hat Jemand ne bessere Idee?
1. Ein zusätzlicher Transitor investieren 2. Mit einem NMOS nach Masse schalten 3. Ein Smart-Fet verwenden
Pille schrieb im Beitrag #6555089: > hab ich dann doch den FET bevorzugt, die können ja geradezu unheimliche > Ströme schalten. Kein Problem, nimm den P-Mosfet, aber schalte dem µC den Saft nicht ab, sondern schick den zum Schlafen. Dann behält der seinen Ausgangspin
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PWM längerer LED-Strips (die tausendste)
mehr) Für geschaltete Kathode entsprechend umdrehen alles, im Bild ist es ein P-FET. Die Spule treibt den Strom weiter während das FET aus ist, das Stromverhältnis stellt sich mehr oder weniger nach dem Tastverhältnis ein. Disclaimer: Das ist keine fertige Schaltung sondern ein
nur eine Ringkerndrossel nimmst, verheizt du die darin gespeicherte Energie über den Durchbruch vom FET. Zum einen muss der FET das abkönnen (was meist kein Problem ist), zum anderen ist die Abschaltflanke dadurch wesentlich zackiger wegen der vergleichsweise hohen Spannungsdifferenz über die Spule.
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Magnetvenil schnell schalten
brauch mal eure Hilfe. Ich möchte ein 12v 5Watt Magnetventil schnell mit z.b. einem Arduino Nano schalten. Ein normales Relais ist zu langsam, welches Bauteil nehme ich dafür am besten? Danke schonmal.
Aber, was für ein Medium willst du mit dem Ventil schalten. Geht das überhaupt? Welche Geschwindigkeit und welche Maße soll zum Stillstand gebracht werden?
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Mehrere Solarpanel soft zuschalten bei schlechtem Wetter
Diode in Flußrichtung dazu, und dann kann zugeschaltet werden. Relais geht, Mosfet auch. low side schalten ist theoretisch auch OK, aber die Handzeichnung für mehrere Module halte ich für unsicher bzw. fehlerhaft. Ich würde eher mit p-kanal-Fet auf der high side schalten, dann ist auch die Ansteuerung
Helge schrieb im Beitrag #6554069: > Ich würde eher mit > p-kanal-Fet auf der high side schalten, dann ist auch die Ansteuerung > und die Messung von den Modulen mim gleichen Prozessor ohne Aufwand > möglich. Warum nicht einfach mit den vorhandenen n-Kanal auf High-side
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Preamp für ADC
Vorspannung hat. Im Zweifelsfalle dort noch einen zweiten, entgegen gesetzt gepolten Elko davor schalten.
invertierenden, weil man da den Spannungsteiler der Gegenkopplung gegen Masse hat und so bspw. durch einen FET bilden kann. Den steuert man über einen DAC vom Controller nach (PWM + Glättung).
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Mosfet Schaltung Raspberry Pi
eine Spannung schalte(Sekundärspannung). Ich habs auch ohne Raspberry mit einer 12V Spannungsversorgung direkt auf die GPIO Ausgänge versucht und da hats dann auch geklappt(mit Sekundärspannung). Das MosFET hab ich verwendet
Drain-Source im FET am niedrigsten ist wenn man den FET als Schalter verwenden will ( Daumenwert: maximale Gatespannung/2 )
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Mehrere Stromquellen für Raspberry Pi
einfach ICs die zwischen verschiedenen Quellen umschalten. Der IC schaltet dann einfach MOSFET Schalter. Vor allem glaube ich nicht das du mit 5V 1A Wireless Charging glücklich wirst wenn du gleichzeitig deinen LiPo laden willst und den Raspi betreiben. Das Konzept ist auch meiner Sicht genau so
das so zusammenzubauen. Ich hatte auch eine Variante angedacht, wo ich über einen mechanischen Schalter die Stromquellen umschalte, da würde ich mir einige Dioden sparen. Der Kondensator muss dann aber die Umschalt-Zeit überbrücken, was wohl auch schwierig ist, wenn er nur mit der Spannung aus dem Akku
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Steuerung von Lasten mit Arduino und Mosfets
Ohne Spannung am Gate (Vgs = 0V) ist die DS-Strecke also hochohmig und leitet den Strom nicht, Schalter geöffnet. Erreicht die Spannung am Gate Vgs(th) (durch den Arduino-Pin) wird Rds immer kleiner und die DS-Strecke beginnt zu leiten, Schalter geschlossen. Die Last wird also nach GND durchgeschaltet
Abschalten von Strömen in Induktivitäten wollen die Ströme weiterfließen, durch den nun geöffneten Schalter können sie aber nicht. Daher entsteht eine große Spannung, und die ist es, die den FET kaputt macht. Ein Kondensator speichert Spannung, eine Spule speichert Strom, vereinfacht gesagt. Beim Kondensator
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Temperaturregelung - Peltierelement - Microcontroller
: Fabian V. schrieb im Beitrag #6560166: > Der Step-Down Converter unterbricht mit seinem Schalter ja Strom und > Spannung. Durch die Spule und dessen Magnetflet fällt diese jedoch nicht > instant ab, sondern wird mit der Zeit abgebaut. Der FET unterbricht die Verbindung zwischen 12V und Spule
Arduino bis auf ~95kHz bekommen kann. Rechnerisch mag auch das richtig sein. Aber 20A mit 95kHz zu schalten ist keine triviale Sache.
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MOSFET als Schalter für positive Spannung
> an, in der sie den Strom durchlassen. Und der Strom fließt von + nach - Selbst, wenn er den FET richtigherum einsetzt (Source an Plus), sperrt der nicht zverlässig. "Plusseitig schalten" wird hier alle paar Wochen durchgekaut, aber wie immer, gelingt es nicht, diese Threads wiederzufinden.
geschaltet. Die hohen Widerstände sind natürlich für schnelles Schalten nicht geeignet. Für mich wären hier 100 ms mehr als ausreichend. mfg klaus
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Strom messen Arduino PWM Signal
hast. Was du unbedingt tun solltest. Ich möchte gerne den Mittelwert durch den Shunt wissen. Der FET hat ja bereits eine Freilaufdiode verbaut.
Ansteigen der > Spannung auf die (auch vom mir) befürchteten 100te Volt. Dann miss mal am Drain des nFET, nicht am Shunt. Dort muss die Spannung ohne Freilaufdiode stark ansteigen (bis zum Durchbruch des FET). Am Shunt siehst du davon nichts, der FET hat das Problem der Überspannung. Axel R. schrieb
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Induktivität bestimmen
nochmal durch den Kopf gehen lassen. Dabei ist mir aufgefallen, dass der Shunt zwischen Spule und FET liegt (und gegen GND). Eines der beiden Potentiale lag folglich über das Oszilloskop auf Erde. Mist.
Beitrag #6549717: > Ich habe meinen Durchgangsprüfer bemüht. Aha. In der High-Side ist doch der FET für die PWM laut Schaltplan oder? Gruß Anja
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Optokoppler & Transistor für 24V (800mA)?
keine galvanische Trennung und somit keinen Optokoppler. Ich würde einfach einen BSP452 Highside-Schalter o.ä. nehmen.
> Logig Level FETs sind der Hype. Weil du 2 davon benutzt
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Transistor als Schalter -> Basiswiderstand?
soll. Bevor man da irgendwelche Empfehlungen gibt, solltst Du sagen, was Du mit dem Transistor schalten willst.
Udo S. schrieb im Beitrag #6546448: > Wolfgang schrieb: > Ein FET entspricht in seiner Funktionsweise weitgehend einer > Elektronenröhre. Warum kam der nicht von mir? Nur weil man den FET nicht vorzuheizen braucht? mfg
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BMS ohne heizen, mit switched caps?
einer Zelle zur anderen transportieren? Zusammen mit dem Innenwiderstand des Kondensators und der Schalter, welchen Wirkungsgrad erwartest du?
höchstens wenige mA... Das ist so nicht richtig. Die Leistungsfähigkeit wird durch die verwendeten FETs bestimmt. Hier [tm] ist das aktive Balancing auf 500mA begrenzt. Der FET könnte bis 1A. Die LT und TI Controller können mit FETs und Spulen, die auch zweistellige Ampere vertragen. Das Limit ist
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Batteriestandsüberwachung 4xAAA (6V)
tust, sollte immer klar sein wann der "richtige" Zeitpunkt für so eine Messung gekommen ist. "Du" schaltest ja die Peripherie ein und aus. Je nach Verbrauch der Spannungsmessung kann es sinnvoll sein, diese nicht jede Mikrosekunde durchzuführen. Die oft genutzten Spannungsteiler lassen sich mit einem FET, zwischenzeitlich, deaktivieren. Da vier Batterien in Reihe einen vierfach höheren Innenwiderstand haben, könnte ein ordentlicher Stützkondensator nicht schaden. Wichtig vor allem bei stark dynamischer
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Transistor als Diode
wird. Also der B-C Pfad geht in Durchlassrichtung nach +UB und der B-E Pfad in Durchlassrichtung zum FET. Parallel dazu verläuft ein getrennter Pfad zum FET über Diode und Widerstand. Was ist der Sinn dieses Schaltungsteils? Was würde passieren, wenn man ihn einfach weg ließe? Grüße Olaf
eingekreisten Teil durch 220Ω. Damit würde der MOSFET trotz eingesparter Bauteile sogar noch schneller schalten.
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JTAG
Debug-UART-Anschluss (verbunden mit einem freien UART vom STM32) (alternativ ein MAX232 Chip dazwischen schalten) Weniger Platzbedarf auf der Platine (Standard-JTAG 20 Polig) Über 4-Poligen Würfel kann der UART benutzt werden (Pin 7/8/9/10) Es kann ein Jumper gesteckt werden für eine Option (Pin 9/10) ohne dass
Forum. Forumsbeitrag mit Anhang eines chinesischen? Schaltplans (PDF) Anschluß an USB/Seriell: GoodFET von Travis Goodspeed. The GoodFET is an open source tool for programming microcontrollers and memories by SPI, I2C, JTAG (MSP430, ARM), and a slew of vendor-proprietary protocols. (Stub für 26C3 Vortrag
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LED Blitzt beim einschalten
&r=1 Ich habe nun jedoch das Problem, dass jedes Mal wenn ich das ganze einschalte mit einem Schalter, dann blitzen die LEDs erst einmal sehr hell auf bevor sie dann mit der eingestellten Helligkeit leuchten. Ich vermute nun, dass sich irgendwo etwas auflädt und sich beim einschalten über die LEDs
dir die Wirkung der Diode vor? Eine Diode ist kein Allheilmittel. Du könntest per Softstart schalten, d.h. einen Vorwiderstand hinzufügen, der nach dem Startvorgang z.B. mit einem FET überbrückt wird.
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Impedanz einer Endstufe anpassen
gewünschten Ausgangsleistung und somit der Stromaufnahme. Idealer Weise läuft der Endtransistor als Schalter, und ein Schalter hat bekanntlich keine Verluste. Überschlägig kann man deshalb das ohmsche Gesetz heranziehen um die ungefähre Impedanz zu bestimmmen, die der Transistor "sehen" muss um die gewünschte
Bei dieserart erzeugtem Bias von 100mA wird der Fet innerhalb von Sekunden hoch gelaufen sein und durchbrennen. C5 ist viel zu klein. Zwischen Oszi und Fet gehört ein Entkopplungsglied. C3 und C4 sollten abstimmbar sein.
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BS170 mit 5V ansteuern?
das er maximal 3,3V braucht, um MINIMAL aufzusteuern. https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage Zum sicheren, GARANTIERTEN Durchschalten braucht er 10V. 5V gehen so lala, wenn man nicht zuviel Strom schalten will. 100mA sollten OK sein, ggf. auch 200mA. Viel mehr
Threshold Voltage *beginnt* der Fet *ein* *wenig* zu leiten (Bedingungen stehen im Datenblatt) Die Gatespannung bei der der Fet *garantiert* *leitend* ist sieht man unter den Rds(on) Angaben: da steht der garantierte Widerstand bei
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Arduino: max. Strom duch interne Schutzdioden
Ausgang mit seiner Push-Pull Stufe. Der TO hat angemerkt, dass er zum Ausschalten des Highside-FETs den Ausgang hochohmig schalten will: Manfred schrieb im Beitrag #6539340: > Den Arduino Pin würde ich zwischen 0V (Schalter ein) und Input (Schalter > aus) hin und her schalten. In dem Fall wirken
wird LOW-Side geschaltet oder ein Transistor spendiert. Aber eine 5V Rail mit 3.3V über pMOS schalten könnte mit passendem FET auf die Art gerade noch gehen: immerhin bleibt bei AUS nur noch 1V für UGS übrig. Gerade mal in ein paar Datenblätter angeschaut und den gefunden: Der AOD409 hat UGS_th
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Gesucht: P-Kanal MOSFET für höhere Leistungsanforderungen
schrieb im Beitrag #6538912: > Harald schrieb: >> Skizziere doch einmal, was Du eigentlich >> schalten möchtest > > Lüfter 12V oder 24V mit relativ viel Strombedarf per µC an und > ausschalten. Beispiel habe ich oben genannt. Wie wird der µC versorgt? µC Pin direkt an P-Kanal FET würde nur gehen
(fchk) > > Eure beiden Beiträge gehen in die gleiche Richtung. Ich kannte diese Art > von Schalter bisher noch nicht, nur die SSR für Wechselspannung. > > Ich schaue mir das auf jeden Fall mal genauer an, auch wenn hier ein > Chip relativ teuer ist. High-Side N-Fet Treiber gibts von vielen