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Verpolungsschutz simuliert nicht wie erwartet
leider die beste Variante, falls man eine Spannung VCC + 10V hat (z.B. vom Gatetreiber) mit einem High Side Mosfet....
die beste Variante, falls man eine Spannung VCC + > 10V hat (z.B. vom Gatetreiber) mit einem High Side Mosfet... Du hast jedoch 6.8V . Und?
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Mechanischer Aufbau einer Tastenfläche (Komponenten und Beschriftung) elektrisch 4x4 Matrix
mit Tasten zu machen... 1)entweder http://www.reichelt.de/?ACTION=3;ARTICLE=79697;GROUPID=;SID=31TQJRKn8AAAIAAHY5dkEf9619064c9466d21d724f097d40464ce den Taster mit der http://www.reichelt.de/?;ACTION=3;LA=444;GROUP=C223;GROUPID=3278;ARTICLE=79707;START=0;SORT=artnr;OFFSET=16;SID=31TQJRKn8AAAIAAHY5dkEf9619064c9466d21d724f097d40464ce
www.reichelt.de/?;ACTION=3;LA=444;GROUP=C225;GROUPID=3280;ARTICLE=7241;START=0;SORT=artnr;OFFSET=16;SID=31TQJRKn8AAAIAAHY5dkEf9619064c9466d21d724f097d40464ce 3)oder Kurzhubtaster http://www.reichelt.de/?;ACTION=3;LA=444;GROUP=C223;GROUPID=3278;ARTICLE=27892;START=0;SORT=artnr;OFFSET=16;SID=31TQJRKn8AAAIAAHY5dkEf9619064c9466d21d724f097d40464ce
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LTC4414 high side switch
Ich habe zu folgendem High Side Switch mal eine Frage: http://www.farnell.com/datasheets/1692533.pdf?_ga=2.154149694.768817891.1513066415-1189643014.1512383191 Ich ich würde mit dem einen p-chanel Mosfet ansteuern......
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Schutzschaltungen für High-Side-MOSFET
Hallo, ich baue mir gerade einen High-Side-Schalter bestehend aus Treiber + NMOS und frage mich, welche Schutzschaltungen ich benötige. Zum einen will ich den MOSFET sicher ein- und ausschalten können, zum anderen möchte ich, dass er durch Rückwirkungen
Warum nimmst du keinen integrierten TopFET high side MOSFET wie BUK220 oder so? Passt dir die Spannung nicht oder hat es einen anderen Grund den du hier *natürlich* nicht mitteilst ? Ansonsten würde ich bei entfernten Lasten, also Kabel ev. mit
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Spannung für High-Side erzeugen
ich habe mal eine Frage und zwar baue ich mir gerade eine H-Brücke auf und habe dort im High-Side momentan noch p-Kanäler. Diese würde ich gerne durch n-Typen ersetzen, brauche dafür ja aber eine Ladungspumpe. Es gibt zwar etliche Treiber für Halbbrücken, jedoch erfordern die meisten eine PWM
Port togglen und mittels Villard-Schaltung eine höhere Spannung erzeugen, mit der ich dann den High-Side-Zweig antreiben könnte. Ist das praktikabel, oder gibt es da bessere Lösungen? Gruß!
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Vorteile High Side Current Sense
Hallo! Ich habe jetzt schon öfter gelesen das z.B. in Netzteilen High-Side Current Sensing verwendet wird. Man liest auch das die Strommessung am GND-Pfad nachteile bringt. Leider konnte ich nirgends nachvollziehen was denn die Nachteile sind den Strom via Shunt am GND
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Reverse Voltage bei High Side Schaltern
Wie schlimm ist es prinzipiell, wenn am Ausgang eines "einfachen" High Side Switches (ITS4141N oder ähnliches) eine Spannung angelegt wird, obwohl der Schalter aus ist? Wenn die Spannung gleich oder kleiner der Betriebsspannung ist, sollte doch eigentlich nichts passieren,
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BLDC Low-Side drei Phasenstrommessung
www.st.com/resource/en/data_brief/evspin32g4.pdf) kopiert. Zusammengefasst handelt es sich um Low-Side Shunt-Widerstände deren Spannungsabfall durch OpAmps verstärkt und dann mittels des eingebauten ADCs gemessen werden. Das Problem, welches ich habe, ist, dass ich negative Spannungen über den Shunt-Widerständen
Spannungsverlauf über dem Shunt-Widerstand, wenn die Phase gegen GND geschaltet wird, d. h. Low-Side FET aktiv ist. Mit ist klar, warum ich in dem Spannungsverlauf die zwei sinusförmigen Einkerbungen erhalte (die kommen durch die vom Rotor induzierte Spannung). Warum jedoch messe ich mit dem Oszi
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High-Side 24V, max. 2A mit 5V UC schalten – Welcher P-Channel FET?
die ich oben angehängt habe so funktionieren > kann. Nicht für 24V. Siehe [[Treiber]] (unter H-Side Treiber) > Gibt es vielleicht eine > bessere Wahl? Ich habe nicht so viele P-Channel mit expliziten TTL > gefunden — gibt es die? Ja. Das sind dann allerdings keine p-Kanal MOSFETs, sondern
man den Kanal 60x löten muss... Hier würde ich aufhören mich mit P-Fet zumzuschlagen und zu HighSide switches greifen. Weniger Bauteile, weniger Layoutprobleme, zusätzlich Kurzschluss- und Temperatursicherung.
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Abkündigung bedrahteter uCs?
auf Lochraster/Breadboard, sind die sehr nützlich Zu dem Preis: http://such001.reichelt.de/?SID=13TanDUX8AAAIAAAfiO8c6460e5e7ce48b512c7d367014e9857f0;ACTION=444 DIP:1,75 SMD:1,85 Früher hab ich die für nen Euro in DIP gekauft... -.-
raketenfred schrieb im Beitrag #2176371: > http://such001.reichelt.de/?SID=13TanDUX8AAAIAAAfi... Link geht nicht (anscheinend)
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AVR Ampelsteuerung (Software für Schaltplan)
=67683;START=0;SORT=artnr;OFFSET=16;SID=31d38IRKwQAR8AAA57b1Yafea4dda908b41631708b5bfa58a90ab Die müssen doch eigentlich passen? Vielleicht bin ich auch nur zu zaghaft
122-32/index.html?;ACTION=3;LA=444;GROUP=C131;GROUPID=3215;ARTICLE=4427;START=0;SORT=artnr;OFFSET=16;SID=28VxQNyKwQARwAADPWfck4df988f807bf4edbab333a0aae37dc5d
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Verbraucher an Source des MOSFET kriegt nur sehr kleinen Strom
Such mal nach den Begriffen Low-Side bzw. High-Side Schalter.
Joe B. schrieb im Beitrag #3117024: > Such mal nach den Begriffen Low-Side bzw. High-Side Schalter. Danke für den Tipp.
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Frequenzumrichter
bedeutet, soll der Spannungswert eines Ausganges Null Volt sein, so müssen die Transistoren (high:low-side) mit 50:50 angesteuert werden(Totzeiten beachten). Somit ensteht dadurch halbe Brückenspannung. geht das Tastverhältnis jetzt mehr zum low-side (zB 30:70) so entsteht hier automatisch die negative Spannung
bedeutet, soll der Spannungswert eines >Ausganges Null Volt sein, so müssen die Transistoren (high:low-side) mit >50:50 angesteuert werden(Totzeiten beachten). Somit ensteht dadurch >halbe Brückenspannung. geht das Tastverhältnis jetzt mehr zum low-side >(zB 30:70) so entsteht hier automatisch die negative
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Ist hier ein Fehler in dieser OP-Amp Schaltung?
Problematisch dürfte das doch nur werden wenn man Low-Side schaltet, dann gehen plötzlich die 24V zum Thermoelement. Wenn man aber High-Side schaltet wird die eine Seite des Thermoelementes immer Massebezug haben oder sehe ich das falsch?
Thomas O. schrieb im Beitrag #6242787: > Problematisch dürfte das doch nur werden wenn man Low-Side schaltet, > dann gehen plötzlich die 24V zum Thermoelement. Wenn man aber High-Side > schaltet wird die eine Seite des Thermoelementes immer Massebezug haben > oder sehe ich das falsch? Wenn
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Linux fork und Threads?
Threads nicht. Dann habe ich die Mainschleife um ein Fork erweitert: [code] pid_t pid, sid; /* fork off */ pid = fork(); if (pid < 0) exit(EXIT_FAILURE); if (pid > 0) exit(EXIT_SUCCESS); sid = setsid(); if (sid < 0) exit(EXIT_FAILURE);*/ cout <<
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MOSFET als Schalter High Side (?) Switch
Hallo Leute, Ich bin kein Experte wenn es um Elektronik geht und versuche nur gerade ein kleines Projekt fertigzustellen. Was ich im Endeffekt erreichen will: Wie auf dem Bild zu erkennen möchte ich durch einen Transistor eine LED (im Projekt sind es viele) zur Erde verbinden. Da die Anzahl der LEDs sehr hoch ist komme ich mit einem Transistor leider nicht aus (~5A). Nun wollte ich den Transistor durch ein MOSFET ersetzten, allerdings habe ich nur P-CH. zur Verfügung. Es ist mir egal, ob das Steuersignal 0V oder 5V ist. Gibt es eine Möglichkeit dies mit P-CH. zu erreichen, oder brauche
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NCP3420 als "only low side driver"
Hallo, mich würde interessieren ob man den NCP3420 den High-Side Driver auch unbeschaltet lassen kann, und nur den Low Side Treiber benutzen kann. Wieso? Weil ich einfach eine Last damit schalten will, und da möglichst steile Flanken will... Aber Achtung: Meine Versorgungsspannung
könnte man auch einfachere Bausteine nehmen ohne die Isolierung für den High-Zweig (Double Output Low-side). Das IC verkraftet aber nur max. 15V als Versorgungsspannung.
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High-Side Switch mit viel A bei wenig V
Hi *, Vcc ist 3.3V, geschaltet werden müssen 2.0-2.5(peak)A an der High-Side. Habe z.Z. einen Micrel 2514, der kann bei 3.3V aber "nur" ca. 1.5A; das wird also knapp. Nun ist dieses Teil auch noch recht teuer, es einfach 2x einzubauen entfällt leider. Außerdem sollte das
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16-fach High-Side Switch mit Strommessung?
bezogene Inputs, macht nochmal 16 Pegelwandler, und Status zurück, nochmal Pegelwandler. Ja, high side current mirror ist auch blöd und teuer, es sei denn, es muss nicht so genau sein, ob man 15% erreicht weiss ich nicht, könnte aber mit einfachem Stromspiegel per BC556S/BC847S Doppeltransistor wie beim
oder 2 Optokoppler. Ja, die TPS4H160 haben mich verwöhnt, aber die Zeiten sind vorbei. > Ja, high side current mirror ist auch blöd und teuer, es sei denn, es > muss nicht so genau sein, ob man 15% erreicht weiss ich nicht Wenn es nur um die maximale Abschaltschwelle geht, reicht das natürlich. Ich
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Empfehlung High Side Mosfet Treiber mit Ladungspumpe
M-Channel Mosfets auf der High Side betreiben. Ich habe bereits etwas Erfahrung mit Bootstrapping Schaltungen, jedoch keine mit Charge Pumps(Ladungspumpen). Die Mosfets werden in einem KFZ verwendet, also ca 11-14V Netz und PWM Geber
db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a30431d8a6b3c011db95c6eba237d&ack=t Wenn du z.B. unter digikey.de nach High Side Switch suchst findest du unter https://www.digikey.de/products/de/integrated-circuits-ics/pmic-power-distribution-switches-load-drivers/726?k=high%20side%20switch gleich eine Riesenzahl möglicher Bausteine
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PWM-Steuerung DC-Motor mit Bremsfunktion
erweiterte Schaltungen, die können das, > aber nicht alle. Und eben darum ist es besser, die High Side FETs mit > PWM zu steuern, damit bleibt der Bootstrap in Bewegung. Siehe > [[Treiber]]. Nö. Der Bootstrap-Kondensator wird nur geladen, wenn die Low-Side durchgeschaltet ist. Darum würde ich die PWM an die Low-Side legen.
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Flyback transformer- Design
supply and output capacitor should be charged to a high voltage level. I switch the primary (low side) in order to charge the capacitor and I switch the high side(secondary) to discharge the capacitor. So the diode in the secondary(used to charge the capacitor) is realized by the free wheeling diode of the switch in the secondary side(as depicted in photo) and the diode in primary(used during discharging of capacitor) is realized by the free wheeling diode of the switch in the primary side. Circuit is depicted in the following
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Katzenklappe funktioniert nur mit Batterien. Warum?
://www.voelkner.de/products/8264568/Reely-Modellbau-Akkupack-NiMh-6V-3700-mAh-Zellen-Zahl-5-Sub-C-Side-by-Side-JR.html?itm_source=pdp&itm_medium=var&itm_source_product=7797205&_gl=1*1li5190*_up*MQ..*_gs*MQ..&gclid=CjwKCAjwq6DQBhBVEiwA4ZD5XF4gty-WyZ73xmAV9x0Ak479yeiZSQXIgCMmozhU9Kn9mvAqvnCbehoC9w4QAvD_BwE
://www.voelkner.de/products/8264568/Reely-Modellbau-Akkupack-NiMh-6V-3700-mAh-Zellen-Zahl-5-Sub-C-Side-by-Side-JR.html
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Auch erste Platine: 16x 7A PWM mit PCA9685 und Mosfets im RPI Zero Format
Kleinspannungsbereich, sondern besser via 3,3V-PWM in einen Halbbrückentreiber, der z.B. die High Side invertiert zur Low Side ausgibt - also nur den einen PWM-Eingang braucht. (Und halt einen kleinen Wandler für dessen Versorgung.) Etc., pp. [Aufzählung in aller Eile, muß weder korrekt noch vollständig
Kleinspannungsbereich, sondern besser via 3,3V-PWM > in einen Halbbrückentreiber, der z.B. die High Side invertiert zur > Low Side ausgibt - also nur den einen PWM-Eingang braucht. (Und halt > einen kleinen Wandler für dessen Versorgung.) Etc., pp. > > [Aufzählung in aller Eile, muß weder korrekt
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Kann dies Zufall sein?
Brake on through to the other side!
Dr. drog. Brinkmann wrote: > Brake on through to the other side! Bremse Dich durch auf die andere Seite? Na super...
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Eure größten Patzer im Vorstellungsgespräch
sid schrieb im Beitrag #6175173: > Auf jeden Fall nehme ich für Vorstellungsgespräche keine Piercings aus > dem Gesicht. Die haben ja auch einige Vorteile: Man kann sich seinen Kuli, den 5,5/7er
sid schrieb im Beitrag #6175355: > Wenn die Würde des Menschen verbrieft unantastbar ist, sind > Vorstellungsgespräche dann rechtens? Warum sollten VGs gegen die Menschenwürde sein?
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Schutzdioden H-Brück für 20A?
Ich will ja nicht gegenquaken, aber ich setze High-Side-Driver (VN820, BTS436, etc.) ein, dessen interne Dioden schon bei Strömen weit unterhalb des Nennstroms (in Vorwärtsrichtung) sterben. Und bevor jemand sagt das taugt nichts - doch, generell in Verbindung
sehen 2.) Es ist ein einfacher High Side Treiber, keine H-Brücke. Da ist der Stromweg ein "klein" wenig anders. Ohne externe Freilaufdiode killt dir die Induktionsspannung deinen Treiber, aber nicht der Strom. Denn den kann die parasitäre
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Konstantstromsenke - Regelteil: Hilfe bei Offsetunterdrückung OPAMP - Schaltplan!
Die unerwünscht hohe Low-Ausgangsspannung (30,38mV) von OP5 kommt daher, dass der zuständige Low-Side-Ausgangstransistor des LM358 als BJT eine gewisse Sättigungsspannung hat, die durch die Belastung durch den Bias- Strom von OP1 eher noch zunimmt. Die logische Folgerung wäre also, für OP5 einen
hingegen sehr: TS912: 21,2 mV TS912: 27,8 mV TS912: 29,8 mV Vermutlich sperrt der High-Side-Ausgangs-Transistor nicht vollständig, so dass am leitenden Low-Side-Transistor ein relativ hoher Spannungsab- fall entsteht. Dieser bleibt nämlich auch dann bestehen, wenn man den Ausgang vom Eingang
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Spannung mit µC gegen Nicht-Ground messen
) Aber auch die hohe Spannungsfestigkeit, integr. Spannungsmessung und die Fähigkeit sowohl High-Side als auch Low-Side zu messen, machen den INA226 wirklich praktisch.
Möglichkeit den Eingang für die Analoge Referenzspannung zu missbrauchen und diesen auf die High-Side des Widerstandes zu legen.
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12v= Stromversorgung aus 230v~
/www.reichelt.de/Universalnetzteile/MW-3K10GS/index.html?;ACTION=3;LA=2;ARTICLE=87339;GROUPID=4945;SID=12TlD0V38AAAIAAB7qijo0ad8baab1fd84048729623c384c12370 hier eine auswahl: http://www.reichelt.de/Universalnetzteile/0/16/index.html?;ACTION=2;LA=2;GROUPID=4945;SID=12TlD0V38AAAIAAB7qijo0ad8baab1fd84048729623c384c12370
. http://www.reichelt.de/Hohlstecker/HEBW-25/index.html?;ACTION=3;LA=2;ARTICLE=35274;GROUPID=3258;SID=13Te5Yh38AAAIAAAMYQQAcde3f3bfe5046af0fcebbfb933c793e2 Die machen keinen Kurzschluss beim einstecken und sind Standard bei vielen Geräten.
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LTSpice digitale Bauteile (Schmitt-Trigger, D-FF) mit anderer Versorgungsspannung
Werte einstellen. In meiner Schaltung sitzen diese digitalen Bauteile allerdings auf der High-Side. D.h. VCC im System ist z.B. 24 V oder 36 V zu GND. Die Logikgatter hängen mit dem Pin für die positive Versorgungsspannung ebenfalls an diesem VCC. die negative Versorgungsspannung der Logikgatter
Beitrag #6737671: > ignale welche nicht bezogen auf 0 V (also GND) sind, > sondern auf die High-Side (z.B. 45 V, variabel) ? https://www.mikrocontroller.net/topic/275711
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Pulverbeschichten:Idee,kann das gehen.
sid schrieb im Beitrag #6094886: > da das Pulver selber auch echt schnell teuer werden kann. Vor allem dann wenn der Pulverlack verunreinigt im Umzugskarton liegt und entsorgt werden muss. Ich habe
sid schrieb im Beitrag #6095311: > oder vom Sprühlack verklebt in der Wanne bappt Zum sprühen gehe ich auf den Dachboden, da habe ich sonst immer mit den Dosen lackiert. Probleme mit Schmutz auf dem
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Defekten MM5314N durch was ersetzen?
Ortwein schrieb im Beitrag #3716435: > Treibertransistoren sind schon > vorhanden, Die high-side kannst du aber nicht direkt mit dem uC ansteuern.
NPN-Transistor mit der Versorgungsspannung verbunden. Wo siehst Du da das Problem mit der "high-side"?
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Kurzschluss schutz bei HEXFET?
Güte, warum bemühst du nicht einfach mal eine Suchmaschine mit dem Begriff? Klar sind ProFET high-Side Schalter (aber trotzdem keine p-Kanal MOSFET). Und klar gibts die bis 20A (und weit darüber). Geht aber trotzdem nicht, denn die sind für Automotive bei 12V oder 24V. Mit nur einer LiPo Zelle hast
#4238566: > Ich habe schon ganz andere Sachen hin bekommen, Dann zeichne doch mal los. Tipp: Low-side lässt sich das viel einfacher realisieren. Plan: Low-Side Shunt misst den Strom. Komparator (Such einen, der bei 2.5V noch läuft, Single-Supply) vergleicht Shunt-Spannungsabfall mit Referenz/Grenzwert
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Wittig(welec) DSO W20xxA Hardware (Teil 2)
VQ&hk=SEM&WT.srch=1&WT.mc_id=google_pla&gclid=CLSsoM6lsroCFcZd3godXigARQ It is adhesive on one side and without insulation on the other side. It can be soldered without any problems. The new FPGA design is just under construction and at this time not usable for productive purposes. Chief engineer
metal shield toward the serial connector. I was thinking of doing such a thing. For the serial side connector it would not be difficult while for that in the power supply side would be more complicated without knowing the size. I would risk dangerous short circuits, that isn't good. Buona Domenica
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Steckverbindung geschlossen, Strom fließt, LED leuchtet
Und das ganze als High-Side-Shunt zu machen ist glaube ich auch sinnvoll, damit der Verbraucher die Masse nicht verliert.
aus (0,02V). Der LM358 gibt sich am Eingang immerhin mit 0,3Volt zufrieden, aber auch nur bei Low-Side-Shunt (150R). Oder gleich einen Rail to Rail OPV einsetzen.
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230V LED Ansteuerung
Optokoppler wohl nicht verkraften. In dem Beitrag den Du verlinkt hast wird das ganze aber Low-Side gesteuert. Das geht bei mir nicht, da ich nur einen RÜckleiter für alle 3 Farben / Phasen habe.
Serienwiderstand. Die Schaltung mit dem IRF830 gefällt mir ja im Prinzip, nur muss ich wie gesagt High-Side schalten, da für alle Farben nur ein Rückleiter vorgesehen ist.
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Last schalten mit N- und P-Channel MOSFETs
einseitig mit GND verbunden sein muß (weil das Heizelement als Temperaturfühler dient?) Stichworte: H-Side vs. L-Side Schalter Den p-Kanal-MOSFET als H-Side Schalter kann der µC aber nun mal nicht direkt ansteuern. Deswegen der n-Kanal MOSFET als [[Pegelwandler]].
der Strommesspfad bis zu 100V Offset zu VCC/GND haben. Es spricht imho nichts dagegen, bei 12V LOW-Side zu schalten. Die Auswerteseite ist galvanisch getrennt. Allerdings steht auch drin: "The ACS711 is optimized for low-side current sensing applications" - was immer dadurch 'optimiert' wird. Mag sein
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Halbleiterbeschaltung für 1500V
|S Masse [/pre] ? Dann brauchst du keinen 1300V high side Treiber, sondern es reicht low side 0V/10V zur Ansteuerung eines Hochvolt-MOSFETs wie STP4N150 oder 2SK1317 und bei 10k fliessen höchstens 130mA. Achtung: Die Flankensteilheit am MOSFET wird extrem
|S > Masse > ? > Dann brauchst du keinen 1300V high side Treiber, sondern es reicht low > side 0V/10V zur Ansteuerung eines Hochvolt-MOSFETs wie STP4N150 oder > 2SK1317 und bei 10k fliessen höchstens 130mA. > > Achtung: Die Flankensteilheit am MOSFET
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High Side Gate-Treiber mit zusätzlicher Hilfsspannung statt Bootstrap
Bootstrapspannung! Siehe http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber#Stromversorgung_eines_High-Side_Treibers
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Z80 Board Identifizierung
am Buchende in Pascal abgedruckt. Also das ging wohl wirklich auch mal, daß der 8085 mit den Pins SID und SOD mit einer RS232 kommunizierte, die Software dann ein Soft-UART.
8085 Gutes Gedächtnis :-) Aber das war der _8085_, nicht der Z80. Der 8085 hatte zwei Pins namens SID (serial in data) und SOD (serial out data). Damit war es simpel.
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Miniatur-Motor Alternative zum L293D
Möglichkeit, die komplementären Quadranten zusammenzuschließen. Dabei wird z.B. eine PWM auf die eine low side (1 o.2) gelegt und gleichzeitig die diagonale, komplementäre high side geschaltet. Je nachdem auf welchem Eingang die PWM liegt, läuft der Motor in die eine oder andere Richtung. Man darf natürlich
schaden aber auch nicht. Bootstrap und Ladungspumpe werden erst benötigt, wenn man auch für die high side N-Channel FETs verwenden will. Eine andere Möglichkeit ist die, wie sie im Modellbau mit einem kompletten Regler praktiziert wird. Dabei benötigt man nur noch einen Ausgang und die Steuerung erfolgt
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Problem bei der Ansteuerung eines Transistor als Schalter mit PWM Signal
Transistoren verwendet man meistens in der Emitter-schaltung. Michael B emppfiehlt hier meistens einen High-Side-Switch für den Automotive-Bereich ((das wäre also ein PNP-Mosfet)), ist wohl so üblich. https://www.elektormagazine.com/articles/high-side-low-side-switching Über die grünen Doppelpfeile navigieren
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LED mittels Transistor ausschalten
Jörg R. schrieb im Beitrag #6558998: > Led mit Vorwiderstand HighSide mit P-Mosfet schalten. 100K oder größer > vom Gate nach GND...Led leuchtet. 5V am Gate schaltet die Led bei Bedarf > ab. Strom durch den R ist dann <50uA. Die Kollektorschaltung aus Ach Du grüne
oben richtig geschrieben hat: Jörg R. schrieb im Beitrag #6558998: > Led mit Vorwiderstand HighSide mit P-Mosfet schalten. 100K oder größer > vom Gate nach GND...Led leuchtet. 5V am Gate schaltet die Led bei Bedarf > ab. Strom durch den R ist dann <50uA.
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Inverter Ausgangssinus suboptimal
Wenn das alles nicht geht, hilft nur noch jeweils eine potentialfreie Versorgung für die High-Side Treiber. Das ist zwar ein gewisser Aufwand, kann sich aber unter Umständen lohnen.
weglassen. Außerdem wird durch diese Drosseln dein Duty-Cycle zusächlich noch begrenzt: Wenn der Low-Side Mosfet anschaltet, dauert es noch eine gewisse Zeit, bis der High-Side Source-Pin auf Minus-Potential ankommt; erst dann fließt Strom durch die Bootstrap-Diode.
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High Side Switch von ST
Kapazität ) und im ausgeschalteten Zustand sollen auch 0V anliegen, somit brauche ich einen High Side Switch. Ich habe mir von ST den VN920SP-E ausgesucht. Der Kostet 1.639@1k USD und zur Leistungsüberwachung würde ich den INA226 (1.4@1k USD) von TI verwenden. Hat jemand schon Erfahrungen mit den beiden
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SID6581 & Speakjet
Ich möchte eine Schaltung bauen auf der sich ein SID6581 und ein Speakjet IC befindet. Ist es ausreichend die Tonausgänge beider IC's zusammenzuführen um ein Tonsignal zu erzeugen das sowohl Melody als auch Sprachausgabe enthält ? Um es dann auf einem
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High side Switch-Urgent!
Hi Could any body please help me with the following problem (You could write in German :-)): I have a circuit configured as shown in figure1.Network-1 charges the capacitor from 0V to 350V (part1 in Fig.2) and discharges it(part2 in Fig.2) Network-2 charges & discharges the capacitor from 0V to -100V(part 4 in Fig2) and vice versa(part 3 in Fig2). During the operation of the network-1(parts 1&2), network-2 must be completely disconnected from the capacitor and similarly the network-1 must be completely disconnected, while the network-2 is working(parts 3&4). * charging & discharging
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Kühlkörper an High-Side Potential
elektrisch leitend mit dessen Source verbunden ist. Da in einer Halbbrücke (N-Typ Transistoren) High-Side von Low-Side elektrisch getrennt sein muss kann man einen separaten 2. Kühlkörper an High-Side montieren. An diesem liegt dann allerdings das zeitlich sehr schnell sich ändernde Schaltsignal an.
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DM, CM Störungen
Flanken sind. Aber kommt es jetzt auch noch darauf an, ob ich jetzt wie bei einer FOC REgelung 2 High Side FETs einschalte und einen Low Side, oder wie bei der Blockkommutierung 1 High Side, 1 Low Side?