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Luftfeuchtesensor_20VALVO.pdf
Sensorkapazitätsänderung ~ l ! v o Technische Information 790423 + AC ist. Zwischen den Ausgängen 1 und 2 treten Differenzimpulse mit der Dauer t3= t2-tl - AC auf,. Ml M2 wenn für ,beide Multivibratoren der gleiche Propor- Multi- Multi- tionalitätsfaktor gilt. Wählt m#an ,die Periodendauer J Vibrator
in „Hygrometer: Einkaufsliste“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Luftfeuchtesensor_VALVO.pdf
Sensorkapazitätsänderung ~ l ! v o Technische Information 790423 + AC ist. Zwischen den Ausgängen 1 und 2 treten Differenzimpulse mit der Dauer t3= t2-tl - AC auf,. Ml M2 wenn für ,beide Multivibratoren der gleiche Propor- Multi- Multi- tionalitätsfaktor gilt. Wählt m#an ,die Periodendauer J Vibrator
in „Luftfeuchte messen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Luftfeuchtesensor_VALVO.pdf
Sensorkapazitätsänderung ~ l ! v o Technische Information 790423 + AC ist. Zwischen den Ausgängen 1 und 2 treten Differenzimpulse mit der Dauer t3= t2-tl - AC auf,. Ml M2 wenn für ,beide Multivibratoren der gleiche Propor- Multi- Multi- tionalitätsfaktor gilt. Wählt m#an ,die Periodendauer J Vibrator
in „Auswertung eines kapazitiven Feuchtesensors“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Luftfeuchtesensor_VALVO.pdf
Sensorkapazitätsänderung ~ l ! v o Technische Information 790423 + AC ist. Zwischen den Ausgängen 1 und 2 treten Differenzimpulse mit der Dauer t3= t2-tl - AC auf,. Ml M2 wenn für ,beide Multivibratoren der gleiche Propor- Multi- Multi- tionalitätsfaktor gilt. Wählt m#an ,die Periodendauer J Vibrator
in „resistiven Feuchtesensor auswerten“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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BSS138-D.PDF
Units VDSS Drain-Source Voltage 50 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V D Drain Current – Continuous (Note 1) 0.22 A – Pulsed 0.88 P Maximum Power Dissipation (Note 1) 0.36 W D Derate Above 25°C 2.8 mW/°C T , T Operating and Storage Junction Temperature Range J STG −55 to +150 °C T Maximum Lead Temperature
in „Wer kann Helfen versehentlicher Kurzschluss. Wer kennt dieses Bauteil?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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e-pm.pdf
color letter on dark brown sleeve. Radial Lead Type Type numbering system (Example : 25V 470 F) µ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 U P M 1 E 4 7 1 M H D Sleeve P.E.T.) φ d Size code Configuration Type Code X Capacitance tolerance ( 20%) Small Dia M 5 Low Profile 6 . 0 Rated Capacitance (470 F) + P φ Rated
in „LOW ESR Elkos“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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KS57C2016.pdf
/ INT0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4 5 S C C C C V V V B V X X T X X R P P P P E O O O O C C CL A D o in E T T E 0 0 0 0 0 M M M M 2 1 0 S D t T n u E 0 1 2 3.
in „Voltcraft M-3610D (Metex) reparieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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MC14503_M.pdf
1.77 –T– PLANE G 0.100BSC 2.54BSC H 0.050BSC 1.27BSC K M J 0.008 0.015 0.21 0.38 H J K 0.110 0.130 2.80 3.30 G D 16 PL L 0.295 0.305 7.50 7.74 M 0_ 10_ 0 _ 10 _ 0.25(0.010) M T A M S 0.020 0.040 0.51 1.01
in „Dipl. Ing Heinz Ahborn Orgel - Keine Töne mehr“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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mctds-08.pdf
Storage Temperature : -40°C to +85°C. Vibration Test : MIL-STD-202F METHOD 201A. Frequency : 10 - 55 - 10Hz/1 minute. Directions : X, Y, Z, three mutually perpendicular directions. Time : 2 hours each direction. High reliability. Shock Test : MIL-STD-202F METHOD 213B. CONDITION A. Gravity : 50G (peak
in „Neue Bauteile: vom Tristate-DIP-Schalter bis zum umgedrehten Taster“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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lmv7219.pdf
= −0.4 mA, 10 50 max V ID= −500 mV 150 (3) SC Output Short Circuit Current Sourcing, VO= 0V 68 30 20 mA (3) Sinking, O = 5V 65 30 min 20 S Supply Current No Load 1.1 1.8 mA 2.4 max (4) VHYST Input Hysteresis
in „Operations verstärker als Komparator verschlechterung der Slewrate?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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G406800_DE.pdf
s.Abschnitt„Zubehör“in Kap. 10„TechnischeDaten“). 28 National Rejectors, Inc. GmbH, Buxtehude G-40 S1 T ECHNISCHE DATEN 10 Technische Daten Versorungsspannung 10 V bis 28 V DC Stromaufnahme U Nenn 12 V Standby-Mode: ca. 40 mA Mess-Mode: ca. 65 mA (für ca. 220 ms) Münzannahme ... o.Sortierung: ca. 350
in „MDB / S1 Protokoll - Münzprüfer“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IHW20N120R2.pdf
I C500µA 1200 - - V Collector-emitter saturation voltage V V = 15V, I =20A CE(sat) GE C T j25°C - 1.55 1.75 T j125°C - 1.75 - - 1.85 - T j175°C Diode forward voltage V V =0V, I =20A F GE F T j25°C - 1.45 1.7 T j125°C - 1.6 - - 1.65 - T j175°C Gate-emitter threshold voltage V GE(th) IC=0.5mA, 5.1 5.8
in „IGBT Vergleichstyp“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FGA5065ADF.pdf
= 25 C 268 W PD C Maximum Power Dissipation @ TC= 100 C 134 W o TJ Operating Junction Temperature -55 to +175 C Tstg Storage Temperature Range -55 to +175 C T Maximum Lead Temp. for soldering o L Purposes, 1/8” from case for 5 seconds 300 C Notes: 1.CC= 400 VGE= 15 C, I =15G A, R = 55.9 Inductive
in „Inverter Schweißgerät, Alternative IGBTs kompatibel? (Datenblätter inside)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pr4401.pdf
(°C) Mean LED Current vs. Temp. @ L1=10µH 30 ) m25 t n r u20 1.0V c 1,25V E 1,50V L 1,75V n15 e M 10 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 Temperature (°C) © PREMA Semiconductor GmbH 2006-2007 Page 4/12 Rev 0707 LED
in „Step-Up Transistorschaltung für LED Lampe“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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pr4402.pdf
(°C) Mean LED Current vs. Temp. @ L1=10µH 30 ) m25 t n r u20 1.0V c 1,25V E 1,50V L 1,75V n15 e M 10 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 Temperature (°C) © PREMA Semiconductor GmbH 2006-2007 Page 4/12 Rev 0707 LED
in „LED mit 0,5 V zum Leuchten bringen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ULN2801-4.pdf
100 A 1a Tamb = 70⋅C for ULN2802A V CE= 50V, Vi= 6V 500 A 1b for ULN2804A V CE= 50V, Vi= 1V 500 A 1b VCE(sat) Collector-emitter IC= 100mA, IB= 250 A 0.9 1.1 V Saturation Voltage IC= 200mA, IB= 350 A 1.1 1.3 V 2 IC= 350mA, IB= 500 A 1.3 1.6 V I Input Current for ULN2802A V = 17V 0.82 1.25 mA i(on) i for ULN2803A V i= 3.85V 0.93 1.35 mA for ULN2804A V i= 5V 0.35 0.5 mA 3 V i= 12V 1 1.45 mA for ULN2805A V i= 3V 1.5 2.4
in „Frage zu MOS4007 (MOSFETs + INV)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ULN2801A_ULN2802A_ULN2803A_ULN2804A_STM.pdf
100 A 1a Tamb = 70⋅C for ULN2802A V CE= 50V, Vi= 6V 500 A 1b for ULN2804A V CE= 50V, Vi= 1V 500 A 1b VCE(sat) Collector-emitter IC= 100mA, IB= 250 A 0.9 1.1 V Saturation Voltage IC= 200mA, IB= 350 A 1.1 1.3 V 2 IC= 350mA, IB= 500 A 1.3 1.6 V I Input Current for ULN2802A V = 17V 0.82 1.25 mA i(on) i for ULN2803A V i= 3.85V 0.93 1.35 mA for ULN2804A V i= 5V 0.35 0.5 mA 3 V i= 12V 1 1.45 mA for ULN2805A V i= 3V 1.5 2.4
in „antrieb mit mega8 und legomotor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ULN2803.pdf
100 A 1a Tamb = 70⋅C for ULN2802A V CE= 50V, Vi= 6V 500 A 1b for ULN2804A V CE= 50V, Vi= 1V 500 A 1b VCE(sat) Collector-emitter IC= 100mA, IB= 250 A 0.9 1.1 V Saturation Voltage IC= 200mA, IB= 350 A 1.1 1.3 V 2 IC= 350mA, IB= 500 A 1.3 1.6 V I Input Current for ULN2802A V = 17V 0.82 1.25 mA i(on) i for ULN2803A V i= 3.85V 0.93 1.35 mA for ULN2804A V i= 5V 0.35 0.5 mA 3 V i= 12V 1 1.45 mA for ULN2805A V i= 3V 1.5 2.4
in „Reset bei induktiver Last“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A200_ULN2801A_ULN2802A_ULN2803A_ULN2804A_STM-1.pdf
100 A 1a Tamb = 70⋅C for ULN2802A V CE= 50V, Vi= 6V 500 A 1b for ULN2804A V CE= 50V, Vi= 1V 500 A 1b VCE(sat) Collector-emitter IC= 100mA, IB= 250 A 0.9 1.1 V Saturation Voltage IC= 200mA, IB= 350 A 1.1 1.3 V 2 IC= 350mA, IB= 500 A 1.3 1.6 V I Input Current for ULN2802A V = 17V 0.82 1.25 mA i(on) i for ULN2803A V i= 3.85V 0.93 1.35 mA for ULN2804A V i= 5V 0.35 0.5 mA 3 V i= 12V 1 1.45 mA for ULN2805A V i= 3V 1.5 2.4
in „Ansteuerung von LEDs“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ULN2803A.pdf
100 A 1a Tamb = 70⋅C for ULN2802A V CE= 50V, Vi= 6V 500 A 1b for ULN2804A V CE= 50V, Vi= 1V 500 A 1b VCE(sat) Collector-emitter IC= 100mA, IB= 250 A 0.9 1.1 V Saturation Voltage IC= 200mA, IB= 350 A 1.1 1.3 V 2 IC= 350mA, IB= 500 A 1.3 1.6 V I Input Current for ULN2802A V = 17V 0.82 1.25 mA i(on) i for ULN2803A V i= 3.85V 0.93 1.35 mA for ULN2804A V i= 5V 0.35 0.5 mA 3 V i= 12V 1 1.45 mA for ULN2805A V i= 3V 1.5 2.4
in „LED-Matrix mit Transistoren - Widerstände richtig berechnet?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RichWave.pdf
SPDT LPF 18 3.3 16L QFN 2.3x2.3x0.36 18.5 3.7 19.5 4.2 RTC7639 PA LNA SPDT LPF 18.5 3.7 10L QFN 2.0x1.7x0.55 WiFi 4/5/6 RX-FEM- 5GHz Part No. PA LNA SW LPF Vcc (V Package (mm, ty) PDF RTC7630 -- LNA SPDT -- 3.3 16L QFN 2.3x2.3x0.55 RTC7650 -- LNA SPDT -- 3.3 8L QFN 1.5x1.5x0.45
in „RF Transceiver IC für 5-6 GHz gesucht“ · HF, Funk und Felder ·
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663X-Specification_5990-9303EN.pdf
at 25 °C ± 5 °C Voltage 0.03% + 2 mV 3 mV 6 mV 12 mV Low current range –20 mA to +20 mA 0.1% + 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA High current range +20 mA to + rated I 0.2% + 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA –20 mA to – rated I 0.2% + 1.6 mA 1.1 mA 0.85 mA 0.85 mA Load regulation Voltage 2 mV 2 mV 4 mV 5 mV Current 2 mA 1 mA 1 mA 1 mA Line regulation Voltage 0.5 mV 0.5 mV 1 mV 1 mV Current 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA Transient response time Less
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663X-Specification_5990-9303EN.pdf
at 25 °C ± 5 °C Voltage 0.03% + 2 mV 3 mV 6 mV 12 mV Low current range –20 mA to +20 mA 0.1% + 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA High current range +20 mA to + rated I 0.2% + 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA –20 mA to – rated I 0.2% + 1.6 mA 1.1 mA 0.85 mA 0.85 mA Load regulation Voltage 2 mV 2 mV 4 mV 5 mV Current 2 mA 1 mA 1 mA 1 mA Line regulation Voltage 0.5 mV 0.5 mV 1 mV 1 mV Current 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA Transient response time Less
in „Muss die Ladespannung exakt 4,2V betragen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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663X-Specification_5990-9303EN.pdf
at 25 °C ± 5 °C Voltage 0.03% + 2 mV 3 mV 6 mV 12 mV Low current range –20 mA to +20 mA 0.1% + 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA High current range +20 mA to + rated I 0.2% + 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA –20 mA to – rated I 0.2% + 1.6 mA 1.1 mA 0.85 mA 0.85 mA Load regulation Voltage 2 mV 2 mV 4 mV 5 mV Current 2 mA 1 mA 1 mA 1 mA Line regulation Voltage 0.5 mV 0.5 mV 1 mV 1 mV Current 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA Transient response time Less
in „DC/DC-Wandler von 2.4 V auf 15 V mit 25 Watt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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663X-Specification_5990-9303EN.pdf
at 25 °C ± 5 °C Voltage 0.03% + 2 mV 3 mV 6 mV 12 mV Low current range –20 mA to +20 mA 0.1% + 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA 2.5 μA High current range +20 mA to + rated I 0.2% + 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA –20 mA to – rated I 0.2% + 1.6 mA 1.1 mA 0.85 mA 0.85 mA Load regulation Voltage 2 mV 2 mV 4 mV 5 mV Current 2 mA 1 mA 1 mA 1 mA Line regulation Voltage 0.5 mV 0.5 mV 1 mV 1 mV Current 1 mA 0.5 mA 0.25 mA 0.25 mA Transient response time Less
in „Norma: Profi-Akku und deren Kapazität“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MOS4051_MOS4052_MOS4053_SMD4051_SMD4052_SMD4053_STM.pdf
0.009 0.012 M 0.51 1.27 0.020 0.050 N 10.3 0.406 P 7.8 8.05 0.307 0.317 Q 5.08 0.200 P053D 14/17 HCC/HCF4051B/52B/53B SO16 (Narrow) MECHANICAL DATA mm inch DIM. MIN. TYP. MAX. MIN. TYP. MAX. A 1.75 0.068 a1 0.1 0.2
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Bild
Tracker Software Analyse von Bewegungsdaten
Tracker Datei Bearbeiten Video Track Koordinaten Fenster Hilfe Masse B m 1,000 kg Track Kontrolle Neu Masse A Masse B Diagramme Masse B (t, y) y 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75 t (s) h2 = 0,516 m Masse B (t, vy) v_y (m/s) 0,5 0,0 -0,5 -1,0 -1,5 -2,0 0,00 0,05 0,10 0,15 0,20 0,25 0,30 0,35 0,40 0,45 0,50 0,55 0,60 0,65 0,70 0,75 t (s) v2 = 2,963 m/s Daten t (s) y (m) vy (m/s) 0,000 -1,753E-2 0,343 0,033 -1,753E-2 1,971
in „Physikprojekte“ · Offtopic · · Screenshots
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CD4528.PDF
Output Voltage Range Vin out −0.5 to DD + 0.5 V (DC or Transient) Input or Output Current Iin out ±10 mA 14528BG (DC or Transient) per Pin AWLYWW Power Dissipation, per Package PD 500 mW 1 (Note 1) Ambient Temperature Range TA −55 to +125 °C A = Assembly Location WL = Wafer Lot Storage Temperature Range
in „Unterschied CD4528 zu CD4538 ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PH2925U.pdf
Conditions Min Typ Max Unit Static characteristics V(BR)DSS drain-source ID= 250 µA; V GS = 0 V; Tj= -55 °C 22.5 - - V breakdown voltage ID = 250 µA; VGS = 0 V; Tj= 25 °C 25 - - V VGS(th) gate-source threshold ID= 1 mA; V DS = V GS; Tj= -55 °C; - - 1.2 V voltage see Figure 6; see Figure 7 ID = 1 mA; VDS
in „Mosfet IRFP4568PbF wird extrem heiß - warum?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BUW84.PDF
saturation voltage C = 1 A;BI = 200 mA − − 1.1 V I collector-emitter cut-off currentV = V ; V = 0; − − 200 A CES CEM CEMSmax BE note 1 VCEM = CEMSmax; VBE= 0; − − 1.5 mA Tj= 125 °C; note 1 EBO emitter-base cut-off current VEB
in „Hochspannung Regeln für eine Bildverstärker Röhre“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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hlm8619.pdf
If= 5 mA 130 150 cd/m 2 Viewing Direction 6:00 o’clock NOTE 1 : Definition of optical response time DATA DISPLAY GmbH & Co. KG AUGUST 98 TEL. : +49-89-894450-0 Industriestr. 1 82110 Germering HTTP://WWW.DATADISPLAY.DE
in „320x240 LCD“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LM10.PDF
mV Shunt gain (Note 7) 1.2V (1.3V) ≤V ≤40V, 14 33 10 33 V/mV OUT RL=1.1 k 0.1 mA≤IOUT≤5 mA 6 6 V/mV 1.5V≤V ≤40V, R =250 8 25 6 25 V/mV L 0.1 mA≤IOUT≤20 mA 4 4 V/mV Common-mode −20V≤V CM≤19.15V (19V) 93
in „Suche Batteriewächter“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ST62T65_Datasheet.pdf
Supply Current in STO(3) LOAD =0mA 500 Mode, with LVD enabled VDD=5.0V Retention EPROM Data Retention T = 55°C 10 years A Notes: (1) Hysteresis voltage between switching levels (2) All peripherals running (3) All peripherals in stand-by
in „External RC Network / ST62T65“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ST6265C.pdf
Supply Current in STO(3) LOAD =0mA 500 Mode, with LVD enabled VDD=5.0V Retention EPROM Data Retention T = 55°C 10 years A Notes: (1) Hysteresis voltage between switching levels (2) All peripherals running (3) All peripherals in stand-by
in „Code Space Overlap Fehler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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VMM1500-0075P.pdf
Dual Power VMM 1500-0075P V DSS = 75 V ID25 = 1500 A MOSFET Module R DS(on) = 0.55 m Ω Phaseleg Configuration Preliminary data 3 8 9 1 11 10 2 MOSFET T1 + T2 Features Trench MOSFETs Symbol Conditions Maximum Ratings – low R DSon – optimized intrinsic reverse diode VDSS TVJ 25°C to
in „Impulsströme“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Datenblatt_Eurola_8-24kW.pdf
3 34,01 MJ/m Erdg(s LL ă8,13 kWh/m 3 m /h 1,41 1,92 2,31 3,08 29,25 MJ/m 3 Flüssigg(s 12,79 kWh/kg kg/h 0,90 1,22 1,47 ĊĊ 46,04 MJ/kg - )ei Trinkw(ssererwärmung mit G(s mit H uB Erdg(s E ă9,45 kWh/m 3 m /h 2,02 2,02 2,42 2,65 34,01 MJ/m 3 Erdg(s LL ă8,13 kWh/m 3 m /h 2,32 2,32 2,82 3,08 3 29,25 MJ/m Flüssigg(s 12,79 kWh/kg kg/h 1,47 1,47 1,47 ĊĊ 46,04 MJ/kg Abgas *2 Temper(tur ▯)rutto ▯ )ei - t /t āā=āā40/30 ▯C ▯C 55 55 55 55 V R -
in „Schaltplan/Hilfe bei Steuerung Eurola OC“ · Haus & Smart Home ·
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APM2601.pdf
On-Resistance vs. Drain Current 1.50 0.18 -DS=250uA ) 0.16 ( 1.25 ) e ( 0.14 t c -VGS=2.5V o d1.00 n 0.12 V z s l l s 0.10 -VGS=4.5V h m0.75 e e o - 0.08 h N n - (0.50 ) 0.06 ( ( G D 0.04 - 0.25 R 0.02 0.00 0.00 2 4 6 8 10 -50 -25 0
in „SMD-Bauteilbestimmung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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LD242-3.pdf
100 mA VF 1.3 ( 1.5) V IF= 1 A, tp= 100 s VF 1.9 ( 2.5) V Sperrstrom, V R = 5 V R 0.01 ( 1) A Reverse current Gesamtstrahlungsfluß e 16 mW Total radiant flux IF= 100 mA, tp= 20 ms Temperaturkoeffizient von Iebzw. e, TC I – 0.55 %/K IF= 100 mA Temperature coefficient of Ieor e, IF= 100 mA Temperaturkoeffizient von V ,I = 100 mA TC – 1.5 mV/K F F V Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von peakIF= 100
in „Teile einer Lichtschranke gesucht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Mega8-88_ADR_doc2553.pdf
C P P O O T C C B B 1 i S – – – – – – – – 1 – – 2 – F – – I – B A O O I I C C K A B B A t L M 1 1 2 2 B X – – – – – – C – M O O M – – – – – – E A C F F C 1 1 7 M 1 1 2 2 B – – – – – – T – – M O O M – – – – – – C F F C 8 B
in „Einstellbarer Frequenzgenerator für 0.12 Hz - 8 MHz mit Atmega 8 und Bascom“ · Projekte & Code ·
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Atmega8_nach_Atmega88_doc2553.pdf
C P P O O T C C B B 1 i S – – – – – – – – 1 – – 2 – F – – I – B A O O I I C C K A B B A t L M 1 1 2 2 B X – – – – – – C – M O O M – – – – – – E A C F F C 1 1 7 M 1 1 2 2 B – – – – – – T – – M O O M – – – – – – C F F C 8 B
in „I2C master libraryVON pfleury [Fehlersuche]“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Replacing_ATmega8_by_ATmega88.pdf
C P P O O T C C B B 1 i S – – – – – – – – 1 – – 2 – F – – I – B A O O I I C C K A B B A t L M 1 1 2 2 B X – – – – – – C – M O O M – – – – – – E A C F F C 1 1 7 M 1 1 2 2 B – – – – – – T – – M O O M – – – – – – C F F C 8 B
in „AVR-Board Schaltplan“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Wattmeter.c
(Flag_m) { Second_tmp = Second; Flag_m = False; MCUCR ^= (1<<ISC00); // Toggle Edgetrigger for measuring the pulse duration } break; } } return 0; } void Timer1_init(void) { // Clear OC1A/OC1B on Compare Match
in „3 versch. Impulse Zählen mit Atmega8“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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05_TLV272CS-13.pdf
www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version. SOT25 A SOT25 Dim Min Max Typ B C A 0.35 0.50 0.38 B 1.50 1.70 1.60 C 2.70 3.00 2.80 D ⎯ ⎯ 0.95 T H 2.90 3.10 3.00 C H J 0.013 0.10 0.05 U K 1.00 1.30 1.10 K L 0.35 0.55 0.40 D N M O M 0.10 0.20 0.15 R N 0.70 0.80 0.75 J α 0° 8° ⎯ P D L All Dimensions in
in „TLV272 Rail to Rail Problem DIODES“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ad620.pdf
0.9 1.3 mA to ±18 V Overtemperature 1.1 1.6 1.1 1.6 1.1 1.6 mA TEMPERATURE RANGE For Specified Performance −40 to +85 −40 to +85 −55 to +125 °C 1See Analog Devices military data sheet for 883B tested specifications
in „Probleme mit AD620 EKG“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TAS6424-q1.pdf
F 1 nF OUT_2M 38 2 k 2 k 20 37 1 ▯F SCL BST_2M 21 GND 36 SDA 22 I2C_ADDR0 BST_1P 36 1 ▯F 23 3.3 ▯H I2C_ADDR1 34 Micro 24 OUT_1P MUTE 33 1 ▯F 1 nF 25 GND 4 STANDBY 3.3 ▯H1 ▯F 1 nF 26 OUT_1M 32 WARN 27 31
in „Eagle lib für TAS6424“ · Platinen ·
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PSMN4R8-100PSE.pdf
-55 175 °C Tj junction temperature -55 175 °C T peak soldering temperature - 260 °C sld(M) Source-drain diode IS source current Tmb = 25 °C [1] - 120 A ISM peak source current pulsed; p ≤ 10 µs; Tmb = 25
in „Problem mit N-MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TCETDLSANF-10.0MHz_bei_RS.pdf
Femtocell , Base Stations - WLAN/WiMax/WIFI, Wireless Communications - Mobile Phone TC D IM EN SIO N (m m) SO LD ER PAD L AYO U T (m m) [ TOP VIEW ] [ BOTTOM VIEW ] 7.0 ± 0.2 5.08 ± 0.2 Pad Function VCON:VCTCXO 4 1 GND:TCXO 5.7 0 0 #6 #7 #8 #9 #10 0 2 NC ± 4 3 NC 5 2 #5 #4 #3 #2 #1 4 NC . 1 1 5 GND 2 0
in „Zähler HP5300A Ersatz Zeitbasisquarz“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Dump_SD.txt
a0 fd 7d eb e6 a0 fc 7d eb .........}....}. 00f0 e1 cd 16 cd 19 26 8b 55 1a 52 b0 01 bb 00 00 e8 .....&.U.R...... 0100 3b 00 72 e8 5b 8a 56 24 be 0b 7c 8b fc c7 46 f0 ;.r.[.V$..|...F. 0110 3d 7d c7 46 f4 29 7d 8c d9 89 4e f2 89 4e f6 c6 =}.F.)}...N..N
in „SD Karte lässt sich nicht initialisieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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504925-panasonic-aqz202-photomos-relais-1-st-1-schliesser-60-vdc-60-vac-3000-ma-polzahl-4.pdf
Maximum VF 1.5 V IF= 50 mA Typical 0.05 Ω 0.081 Ω 0.34 Ω 1.06 Ω IF = 10 mA On resistance R on IL =Max. Maximum 0.09 Ω 0.17 Ω 0.55 Ω 1.6 Ω Within 1 s on time Output IF = 0 mA Off state leakage current Maximum — 10
in „Suche Halbleiterelement als Ersatz für Relai in Radar-Bewegungsmelder“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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504925-panasonic-aqz202-photomos-relais-1-st-1-schliesser-60-vdc-60-vac-3000-ma-polzahl-4.pdf
Maximum VF 1.5 V IF= 50 mA Typical 0.05 Ω 0.081 Ω 0.34 Ω 1.06 Ω IF = 10 mA On resistance R on IL =Max. Maximum 0.09 Ω 0.17 Ω 0.55 Ω 1.6 Ω Within 1 s on time Output IF = 0 mA Off state leakage current Maximum — 10
in „Welche Eigenschaften haben Solid State Relais, SSR ?“ · Offtopic ·
