. Speicher. > Seriell: SST25VF064C, Page-Write (256 Byte) in 1.5ms > Parallel: SST39VF6402B, 4M x 16bit. Wäre auch ne Option, aber da ich nen kommerziellen compiler hab und n extra Programmiergerät bräucht für PIC24 oder dsPIC wollt
Na, WENN ichs in TTL mach, dann komplett, ohne µC, oder eben n PIC 18 mit vielen Pins und I2C-Hardware dran.
TEMPERATURE RANGE LT1013DS8#PBF LT1013DS8#TRPBF 1013 8-Lead Plastic SO 0°C to 70°C LT1013IS8#PBF LT1013IS8#TRPBF 1013I 8-Lead Plastic SO –40°C to 85°C LT1013ACN8#PBF LT1013ACN8#TRPBF LT1013ACN8 8-Lead PDIP 0°C to 70°C LT1013CN8
Spannungsteiler mit 2 Widerständen) Relais Überwachung (einen der beiden Wechselkontakt des Relais am µC angeschlossen) 4 Menü tasten (die blauen tasten rechts) aktuelle Uhrzeit (DS 1307 Real Time Clock) Outputs: 4 mal 7-Segment-Anzeige rot (SA 23-12 RT, 56,9mm hoch) 10 mal Alphanumerischer Display
über 14 kleine Relais angesteuert. Es werkelt im Gegensatz zur Relais-Nixieuhr aber ein Renesas R8C/13 Mikrocontroller, in Kombination mit einem aus dem Gehäuse herausgeführten Maxim DS18B20. Die "Hochspannung" für die Segmente (ca. 30 V) wird über eine Villard-Schaltung erzeugt, die Uhr wird mit 9V
1 • I ac is set to 1A (not to worry, used after linearization) • Capacitance is calculated from: 1 C out = 2 π frequency vds 'frequency' -> PSPICE variable VDS Cout C out Upper trace: C outas a function of DS Lower trace: C outas a function of frequency for various DS values. • About 1 nF at 50V • For
parameters for selection of a MOSFET are: 1. Minimum threshold voltage, V (MTH) 2. On-resistance, R (DS) 3. Total gate charge, Q g 4. Reverse transfer capacitance, C RSS 5. Maximum drain to source voltage, V DS(MAX) The off-state voltage of the MOSFET is approximately equal to the output voltage. V DS(
I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C
Stefanus schrieb im Beitrag #3479229: > Ich fand' auch den 80C535 interessant, nur leider hatte der kein Flash. > Das "SAB 80C535 users manual" ist dennoch sehr empfehlenswert, denn es > erklärt die Programmierung der Peripherie und den Assembler Befehlssatz
noch, wenn man keine riesigen Datenfelder verarbeitet. 2k XRAM auf dem Chip hatten wiederum die 80C517A, dann aber wiederum kein Flash. Mein olles Opto-Net-Mini Eval-Board mit 80C517A hat je 64k RAM und ROM, wenn auch extern. Aber da kommt dann deswegen keine Spaßbremse auf.
I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C
R is of no practical value for what amount of energy is stored in the capacitor C or for how this is transferred to the device under test. Integrated circuits are usually tested according to MIL-STD-883. Here R Cis 1 - 10 MΩ, R Ds 1.5 kΩ and C iS 100 pF. This is the so-called Human
MOSFET, and a junction capacitor of a secondary diode. d d id D i diode reverse recovery current t C j Vds V i+nVo n:1 L lk2 + resonance between V in Lm im iD Llk1and Coss Vo t (b) CCM operation Llk1 d + d d V ds D Coss id iD (a) Configuration with parasitic components resonance between t Lm and C oss
Hat da schon jemand bestellt und kann hier berichten? http://www.elecrow.com/services-c-73/
gegen Luftfeuchtigkeit vor dem Löten. http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/0b78/0900766b80b78e6f.pdf (Seite 1) http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/0e9a/0900766b80e9af6b.pdf (letzte Seite) http://docs-europe.electrocomponents.com/webdocs/0e77/0900766b80e77ce4.pdf (Seite 1
ich z.b. das SLOPE trigger auf "<" und 500us (wert entnommen aus der messung im bild6), stelle auf 400us/DIV und wieder single shot. Da das DSO jetzt mit 400MS/s sampled, sollten alle erfassbarn details drin sein. Wenn ich rein zoome (bild8) sehe ich die schwingungen und die from der spikes die grob
Richtung drehen. Und verstehen, dass ein Triggern auf eine Pulsbreite nicht unbedingt den Anfang der I2C Kommunikation triggert.
≤ 1% Starting ch TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE D.U.T. IG = 2 mA RL PG. 50 VDD 2 Data Sheet D13338EJ2V0DS 2SK3115 ★ TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C) A DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS TOTAL POWER DISSIPATION vs. SAFE OPERATING AREA CASE TEMPERATURE 100 80 % - W e - w 80 n o t 60 P a t s a 60 i R D o r 40
50 100 150 1 3 10 30 100 300 1,000 Case Temperature T (°C) Drain to Source Voltage V (V) C DS Typical Output Characteristics Typical Transfer Characteristics 5 5 10 V 6 V V = 20 V 5 V Pulse Test DS Pulse Test 4 4 ) ) ( ( D I 3 4.5 V ID 3 t t e n r r u u C 2 C 2 i i TC= –25°C r r 25°C D D 1 4 V 1 75°C VGS = 3.5 V 0 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8 10 Drain to Source Voltage DS (V) Gate to Source Voltage GS (V) 4 2SK1402, 2SK1402A Drain to Source Saturation Voltage
SLES242E –DECEMBER 2009–REVISED NOVEMBER 2013 www.ti.com TYPICAL CHARACTERISTICS EFFICIENCY NORMALIZED R DS(on) vs vs SWITCHING FREQUENCY (DRV8432) GATE DRIVE 100 1.10 90 TJ= 25°C ) 1.08 V 80 1 t 70 ) 1.06 ( % D – 60 R 1.04 y / n 50 n i S i D 1.02 E 40 R e 30 l 1.00 a Full Bridge r 20 Load = 5 A o PVDD = 50 V N 0.98 10 T = 75°C C 0.96 0 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0 10.5 11.0 11.5 12 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 f – Switching Frequency – kHz GVDD – Gate Drive – V Figure 1. Figure 2. NORMALIZED R vs DS(on) DRAIN TO SOURCE
On-Resistance vs. Drain Current 100 1 k ) Ω e n 80 t 800 i n e a - G 60 n g VGS(off)–3 V e 600 l r V = –2 V o o GS(off) – –2 V - V 40 g R i 400 A A + fs L r V 1 ) R L os D –3 V ) 20 Assume VDD = 15 V,DS = 5 V ( 200 D R + 10 V r L ID 0 0 0.01 0.1 1 0.01
On-Resistance vs. Drain Current 100 1 k ) Ω e n 80 t 800 i n e a - G 60 n g VGS(off)–3 V e 600 l r V = –2 V o o GS(off) – –2 V - V 40 g R i 400 A A + fs L r V 1 ) R L os D –3 V ) 20 Assume VDD = 15 V,DS = 5 V ( 200 D R + 10 V r L ID 0 0 0.01 0.1 1 0.01
Refer to the MPASM User's Guide for additional information on * ; features of the assembler (Document DS33014). * ; * ; Refer to the respective PIC data sheet for additional * ; information on the instruction set. * ; * ;********************************************************************** ; * ; Filename
= 45V ( ( C OUT = 0.5A C E 85 I 85 VIN= 75V IOUT I I 2A/DIV F F E 80 E 80 75 VOUT = 12V 75 VOUT= 5V VIN= 50V 50µs/DIV 3703 G03 f = 300kHz f = 250kHz VOUT = 12V PULSE SKIP DISABLED PULSE SKIP ENABLED 1A TO 5A LOAD
Da habt ihr einen Vergleich zwischen den einzelnen gängigen C-Compiler in Bezug auf Codegröße etc. http://www.mikrocontroller.net/articles/PIC_C-Compilervergleich
ein 4550 mit einer USB-HID Funktionalität programmiert (zum testen), PC-Software mit Visual Studio C#, PIC-Software mit MPLABX+XC8 und MikroC. Bei MikroC war es dank der fertigen Lib und des Beispielprogramms eine Sache von ein paar Minuten. Schnell noch mit dem HID-Deskriptor-Tools eine c-Datei erstellen
XTmrCtr_SetResetValue XTmrCtr_Reset -Der System-Takt ist hier leider nicht mit einbezogen. (1.5 MHz to 400 MHz) Mein erster Ansatz für den Delay via Timer. .Sniplet.. [c] #include "stdio.h" #include "math.h" #include "xparameters.h" #include "xtmrctr.h" #define TMRCTR_DEVICE_ID XPAR_TMRCTR
A 6 IN M M ) 700 M 80 ( / 80 T 600 M V IN1.2V VIN 2.5V E ) % R A Y 70 Y 70 VIN 1.25V C 500 3.3V MODE 5V MODE C N U X I I T 400 I I O 7 E 60 E 60 M 300 U 5 X 200 50 50 A 7 M 100 40 40 0 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000
150V 0.1µs, 50 3b +25V +50V +75V +100V 4 -4V -5V -6V -7V 100ms, 0.01 5 +26.5V +46.5V +66.5V +86.5V 400ms, 2 ISO T/R - 7637/1 Test levels Test levels Test levels Test levels test pulse result I result II result III result IV 1 2 3a C C C C 3b 4 (1) 5 E E E 1. For load dump exceeding the above value a
Hi, >werte zwischen 36°C und 99°C. du hast nicht zufällig die Pullups aktiv? Mache mal auch 18K von A5 nach GND. Aus dem Datenblatt: "Choose R1 = −VS/50 μA" Übrigens reichen auch 0,6V= 1x1N4148 für -60°C..ok -40°C Ein Spannungsteiler
[c] import struct f = open('eep.hex','rb') while f: d = f.read(4) u = struct.unpack('>2H',d) print u [/c] ergibt [c] (161, 161) (150, 151) (150, 151) (150, 151) (151,
DURATION = 80µs PULSE DURATION = 80µs DUTY CYCLE = 0.5% MAX VGS = 10V DUTY CYCLE = 0.5% MAX V = 9V VDS> D(ON)x DS(ON)MAX ) 8 GS ) 8 ( VGS = 8V ( T T E VGS = 7V E R 6 VGS = 6V R 6 R U C C 125oC N V = 5V N A 4 GS A
Terminals Rating Uni t B :Filament Voltage‡ Ef F+-F- 4.8 W b :Logic Supply VoltageDD VDD |0.3 ‘ 6Vdc h C :Driver Supply Voltage V |0.3 ‘ 3Vdc W b N M ü:Logic Input VoltageVIN SI,CLK,LAT |0.3 D+V.3Vdc Û ¶ :Storage TemperatureTstg | -55 ‘ {80 â ˛ ¯ å Ł i F u ‰ Ł ˘ à · ƒ ˜ ˝ ¨ ç ¨ ¢ K i ¯ Ł A Œ ð · Absolute
BAT ) vs. Ambient Temperature (T ). A Supply Voltage (V DD ). ) 0.40 516 A RPROG= 2 kΩ t 0.35 +85°C A 514 n 0.30 m 512 r t u 0.25 -40°C e 510 e r 508 a 0.20 +25°C C a 0.15 e 506 e r 504 t 0.10 h p C 502 u 0.05 O 0.00 500 4.50 4.75 5.00 5.25 5.50 5.75 6.00 3.00 3.20 3.40 3.60 3.80 4.00 4.20 Battery
Super! Kann jemand ein kleines Demo (C Code) dafür veröffentlichen. So als Wegweiser. Danke!
W.S. schrieb im Beitrag #4260681: > Aber wie kommst du bei der Beleuchtung auf I2C ? Na, wird es denn irgendwie anders gemacht heutzutage? Habe nach Chips gesucht und auf folgende Dinger gestoßen: - LP8553 :: 4-Ch. Ausgang: 50mA@0V-40V/Ch. http://www.ti.com/lit/ds
specification Text specification Meaning 0 reserved "SENSOR T" Description of sensor 1 40 "Temper 1",“°C“ Temperature 1 = 4.0°C 2 80 "Temper 2",“°C“ Temperature 2 = 8.0°C Data packet transmits information about temperature measured on input 1 and input 2. Text packets describe meaning of those data together
Torsten C. schrieb im Beitrag #3378176: > Torsten C. schrieb im Beitrag #3377754: >> Jörg Wunsch schrieb: >>> aktuell AT86RF212B >> Ich glaube, da muss ich mir bei Jakob erstmal zwei oder drei Breakouts >
commons.wikimedia.org/wiki/File:English_length_units_graph.svg http://de.wikipedia.org/wiki/Angloamerikanisches_Ma%C3%9Fsystem Noch Fragen?
angekurbelt werden muß. 5-10 Uhren hat heute jeder Haushalt in irgend einer Form. Die Umrechnung c0 und Wellenlänge bei Funkwellen funktionierte dann auch nicht mehr ohne einen neu eingeführten Korrekturfaktor. Edit: Halt, beim letzten Satz habe ich mich wohl geirrt. c0 müßte wohl nur geändert
Diode ist genau das richtige. Wie kommst du auf 50W? Lädst du mit 80A? Der Verlust an der Diode ist 0,7*Ladestrom in A. Nimm ne BYV32, beide Dioden parallel und gut ist.
Eine Diode 1N400x (1N4002) wird bei 0,7-1W schon ein bisserl mehr als handwarm. Das ist ja eine 1A Diode. Wie man in Datenblatt sieht (http://www.diodes.com/datasheets/ds28002.pdf) beginnt das derating bereits bei
for output D block 19 V Power Supply for output C block M C 20 OUT C\ Output C\ pin 21 RS C Channel C current pin 22 PGND Power GND pin 23 OUT C Output C pin 24 STROBE CD CD STROBE (latch) signal input pin 25 CLK CD CD clock input pin 26 DATA CD CD
(V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 1.6 e I = 6.3A n D ) t VGS = 4.5V ( s 1.4 t e e n u 10 O C e )1.2 e u e u TJ= 25°C o l o - m - TJ= 150°C - o1.0 - i
angibst, dann ist das Eingangssignal eben -38dB (20*log 0.012), deine Verstärkung noch immer 52dB (20*log400) und am Ausgang hast du 52dB-38dB=14dB. Alles richtig! Auch dein kleines Signal wird um Faktor 400 verstärkt. Ansonsten sieht dein Schaltplan ganz gut aus, wenn man davon absieht, dass man 80nF,
Texas-Instruments/OPA350UA/?qs=sGAEpiMZZMsko7UDAsUSIch3u%2fkN0pq9q4vqzsPhuro%3d http://www.mouser.com/ds/2/405/sbos099c-92750.pdf Was meinst du? Ist der für die Anwendung geeignet? Übrigens danke für deine letzten Tipps und Klarstellungen. Berus
die aus beta-layouts Reflow-Shop nehmen: Felder ISO-Cream Clear (n96,5Ag3Cu0,5, Schmelzpunkt 217–219°C. Der Ofen ist noch nicht angekommen, die Umbautips sind mir aber bekannt und werden durchgeführt: - DS18B20 - Kapton-Tape bzw. No-Name-Altenative (eBay-Artikelnummer: 401115692759) - UnifiedEngineering-Firmware
A 6 IN M M ) 700 M 80 ( / 80 T 600 M V IN1.2V VIN 2.5V E ) % R A Y 70 Y 70 VIN 1.25V C 500 3.3V MODE 5V MODE C N U X I I T 400 I I O 7 E 60 E 60 M 300 U 5 X 200 50 50 A 7 M 100 40 40 0 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000
Torsten C. schrieb im Beitrag #3357279: > Ich gebe mir mal 'ne 20%-Chance. Dieses Forum ist echt gut (also einige spezielle Mitglieder). Inzwischen bin ich bei 80%. Turbonator schrieb im Beitrag #3357337
Warum haben die denn bitte schön enn 80C51 Controller drin... Nen 2. ARM wäre mir lieber... so brauch man ja noch einen Programmer... Mein J-Link kann den zumindest anscheinend nicht... Achja wie ist die Belegung des Funk Moduls
S IOUT= – 3 A Tj= 25°C – 500 m Ω 6 V <V < 18 V S 350 500 m Ω VS ON<V S≤ 6 V T = 25°C j – 800 m Ω VS ON<V S≤ 6 V Sink RDS ON L– 230 350 m Ω 6 V <VS <18 V IOUT= 3 A Tj= 25°C – 500 m Ω 6 V <V <18 V S 400 600 m Ω VS ON<V S≤ 6 V T = 25°C j – 1000 m Ω VS ON<V S≤ 6 V Note: Values ofDS ONfor S ON< VS≤ 6 V are guaranteed by design. Overcurrent Source shutdown trippoint –ISDH – – 10 A Tj= – 40C – 8 – A Tj= 25°C 6 – – A T = 150°C j Sink shutdown
