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PWM BUZ11 Vorwiderstand
einem Spannungsteiler. Der Ausgang der SPS wird, wie üblich, ein PNP sein. Der kann das Gate des MOSFET aber nicht entladen. Und die 24V sind sowieso zu viel für das Gate des MOSFET. Nimm einen Spannungsteiler mit zwei mal 470 Ohm und begrenze die Frequenz der PWM auf wenige 100Hz. Der BUZ11 benötigt
Spannungsteiler. > > Der Ausgang der SPS wird, wie üblich, ein PNP sein. Der kann das Gate > des MOSFET aber nicht entladen. Und die 24V sind sowieso zu viel für das > Gate des MOSFET. > Nimm einen Spannungsteiler mit zwei mal 470 Ohm und begrenze die > Frequenz der PWM auf wenige 100Hz. > >
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8kW Wasserkraftwerk wiederbeleben und direkt einspeisen
Über Triac zusätzich zugeschaltete Kondensatoren könnte noch nachgedacht weden, aber das geht mit Mosfets heutzutage besser.
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Drei Lüfter batteriebetrieben mit Raspberry Pi steuern
, über die Du ja anscheinend hartnäckig nicht nachdenken willst. Danke dein Vorschlag mit dem Mosfet sagt mir sehr zu. Wenn es obsolet ist, seine HDD zu kühlen. Dann verzichte ich aber drauf. Ich könnte nunmal in Erfahrung bringen, dass das Kühlen die Lebensdauer erhöht. Aber wenn dem so nicht,
Bahtiyar schrieb im Beitrag #7673070: > Danke dein Vorschlag mit dem Mosfet sagt mir sehr zu. Wenn es obsolet > ist, seine HDD zu kühlen. Dann verzichte ich aber drauf. Ich könnte > nunmal in Erfahrung bringen, dass das Kühlen die Lebensdauer erhöht. Würde die permanent
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Gate Trafo für 3,85MHz
bringen? ;-) Wenn du nur so kleine Treiber verwenden kannst, blieben eigentlich nur noch kleinere Mosfets, vernünftig gekühlt. Ist nur leider verpönt, man möchte heute lieber alles mit den stärksten Mosfets aller Zeiten totschlagen.
kein Makerprojekt! Die viel größere und kritischere Verlustleistung sind die Schaltverluste der MOSFETs selber!
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SQJQ184ER-T1_GE3 Footprint
nicht. Wenn ich den bestelle passt dieser sicher nicht auf den Footprint. Der Pin 1 Punkt auf dem Mosfet im Datenblatt weist ja darauf hin, dass dieser von der Topseite her gelötet und Bottomseitig gekühlt wird. Auf dem PCB muss also ein Board Cutout sein, so wie ich das verstehe.
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Sicheres Schalten von MOSFET-Relais
Wenn ich ein optisches MOSFET-Relais, hier ein Omron G3VM[1] schalte, ist der Schaltzustand dann garantiert, wenn kein Strom mehr durch die LED fließt? Normalerweise muss man die Gate-Kapazität über Pull-Down-Widerstände entladen
Wenn ich statt dem MOSFET-Relais ein elektromagnetisches Relais zum Schalten des Türsummers bzw. der Klingel verwenden würde, wäre hier auch eine TVS am Ausgang des Relais erforderlich, oder dann nur die Freilaufdiode an der
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Schaltnetzteil Verständnisfrage
Guten Abend, Ich beschäftige mich aktuell mit Mosfets und der DC-DC Wandlung. In dem angehängten Schaltplan habe ich ein Bereich markiert, bei dem mir nicht klar ist, für was die Kondensator-Widerstands-Dioden Kombi gut ist. Die Dioden parallel zur Induktion fungieren als Schutzdiode für den Mosfet das wäre soweit klar, aber was hat das mit den Wiederständen und dem Kondensator zusätzlich auf sich,.. Entstörung ? Danke😉
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Defekter Miele Induktionsherd
Herzchen. Platinen zerstören, ohne es zu müssen, ist nie eine gute Idee. Ausserdem sind die beiden MOSFet mit Sicherheit defekt, also müssen sie eben sowieso raus. Du hast also nach deiner Methode dann eine geflickte Platine und einen immer noch defekten Herd - Supersache, das. Ausserdem sieht das nach
Herzchen. Platinen zerstören, ohne es zu müssen, ist nie > eine gute Idee. Ausserdem sind die beiden MOSFet mit Sicherheit defekt, > also müssen sie eben sowieso raus. Du hast also nach deiner Methode dann > eine geflickte Platine und einen immer noch defekten Herd - Supersache, > das. > > Ausserdem
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Step-Up Regel-IC mit "MOSFET-Überwachung"
Alles was ich sonst noch gefunden habe benötigt Shunts und überwacht nicht wirklich den Drop am MOSFET.
Christof R. schrieb im Beitrag #7670100: > Drop am MOSFET Das heutige Chips den nicht mehr überwachen liegt auch daran, dass dieser zu ungenau ist, d.h. die Mosfet zu sehr streuen und temperaturabhängig ist.
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Bauteilsuche: MOSFET eines BMS
Beitrag #7670097: > BQ7694003. Also gibt es einen Shunt, und es wird nicht der Kanalwiderstand der MOSFETs dafür missbraucht. Baugröße der MOSFETs wird D2PAK sein? Für wieviel Zellen in Reihe, und mit welcher Chemie, wird das BMS verwendet?
sollen, dann müssen es LL-MOSFETs sein. Für 100V sind das rare Teile. Heute kann ich dir keinen Vorschlag mehr machen.
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[V] Hitachi-MOSFETs 2SK176/2SJ56
Hallo, noch so´ne Regalleiche... Aus unvollendetem Projekt hier je 15 Stück der "guten" MOSFETs. Waren schon mal verbaut, aber nie in Betrieb. Ca. 50% der Transistoren habe ich eben stichprobenartig geprüft und für funktionstüchtig befunden. Sollte im Nachhinein doch ein defektes Exemplar dabei
Hallo, die MOSFETs sind reserviert. Gruß Andreas
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Eigene Platine minimalsten notwendigen Bauteilen
SO-8 aus, z.B. ATtiny85. Der kann direkt ohne Spannungsregler an eine LiPo. Als 0,4A Treiber ein MOSFET im SOT-23, z.B. PMV37ENEAR (max 3,5A). Wie oft Du laden mußt, kannst Du leicht ausrechnen. Was verbraucht der Sensor und wie oft und lange müssen die 0,4A eingeschaltet werden. Den Verbrauch des
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ESP32 3,3V auf 1,5V reduzieren
Hier skizziere ich mal drei Möglichkeiten. Ehrlich gesagt nutze ich für solche Anwendungen SMD-MOSFETs auf eigenen Platinen, die es in entsprechender Ausführung problemlos gibt. Daher soll das nur als Skizze und Anregung für die eigene Beschäftigung dienen, ohne Gewähr auf Richtigkeit. Wie bereits
Spannungsspitzen beim Abschalten nicht abkriegt. Das mögen die nämlich eher nicht so. 1) Günstiger MOSFET 2N7000. Achtung: Der FET wird wahrscheinlich im Grenzbereich betrieben, da die Spannung oft nicht ausreicht, um ihn genügend durchzuschalten. Gebenenfalls funktioniert es nicht, weil der Motor zu
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Exklusives ODER-Gatter (XOR) - Erklärung
Das ist ein MOSFET. Ich würde das nicht nachbauen. Es ist eine Prinzipschaltung, viel teurer und in jeder Hinsicht viel schlechter, als ein normales Logik IC.
Harald S. schrieb im Beitrag #7668360: > Liegt der MOSFET nicht, daher lass ich das auch. Dann nimm BJTs oder Relais ;-) https://hackaday.io/project/8449-hackaday-ttlers/log/150147-bipolar-xor-gate-with-only-2-transistors https://www.mikrocontroller.net
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MCP23017 und UDN2981A
aus irgendeinen Grund die Durchbruchsspannung dieser Dioden überschritten wird, fängt der Ausgangs MOSFET wieder zum Leiten an und begrenzt so die Spannung auf etwas über 50V. So weit ist alles in Ordnung. Die intrinsische Ausgangsdiode zwischen DRAIN und SOURCE verhindert negative Spannungsausflüge.
die Schutzbeschaltung des 595 besser geeignet, wenn es so schnell wie möglich gehen muß, weil der MOSFET erst bei über 50V wieder leitend wird und den Strom durch die Spule verringert. Das lässt die Armatur schneller abfallen. Langer Rede kurzer Sinn ist, daß diese Schutzbeschaltung kein Luxus ist
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12V an TIP131 mit BC548 schalten
MOSFET würdest du empfehlen und wie würde die Schaltung mit einem MOSFET aussehen? Was ich noch rumliegen hätte wäre folgendes: https://www.ebay.de/itm/123743761834?mkcid=16&mkevt=1&mkrid=707-127634-2357-
Wahl? Der TIP131C oder der Mosfet?
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IRF1405PBF Mosfet wird zu heiss und verabschiedet sich
>> reinen Lowside-Treiber. Einen mit mehr Power. Und dann, weil es besser >> ist, bekommt jeder Mosfet seinen eigenen Gatewiderstand verpasst. Ist >> bei Parallelschaltung von Mosfets eher besser. Das Spiel mit zwei >> Widerständen und Diode ist eher nicht nötig, ein Gatewiderstand (pro >> Mosfet
die Definition von VGSthreshold an. Da fängt der MOSFET gerade erst an zu leiten, und es bedeutet nicht, dass der MOSFET bei dieser Spannung schon niederohmig durchschaltet.
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Wassermelder WA03, Reverse Engineering
Transistor NPN Q2=Q3 SOT-23 1AM Z = MMBT3904 Transistor NPN Q8 SOT-23 12W 04 = 2N7002 N-Ch Mosfet U1 SOT-89 7136-1 = LDO 7136 3,6V D1 M4 = 1N4004 D2 = Universaldiode Z1 = Z-Diode 5,6V (ausgebaut und gemessen) 1. Stimmen die Bauteile so wie ich oben aufgelistet habe? 2. Erkennt
nicht. Aber wieso ist das für dich wichtig? Die entscheidende Schaltung befindet sich ja rund um den MOSFet oben links. Wird der Sensor nass, geht Drain des MOSFet auf low.
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ULN2803(A) am ESP32
Aufsatz geschrieben, auf den ich leicht verweisen kann: http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#mosfet
mit Anschlussklemmen und Gehäuse für 15 Mäuse auch gar nicht so teuer ist, statt da mit DPAK/D2PAK MOSFets selber rumzuhantieren.
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MOSFET: Gate-Source-Widerstand vs Widerstand unmittelbar von Gate zu Ground
mal floaten kann (z.B. im Reset). Der Widerstand gehört dann zwischen Gate und Source des MOSFET. Denn die Gate-Source Spannung ist es, die den Zustand des MOSFET steuert. Nur im Fall, daß Source auf GND liegt (der Normalfall für n-Kanal MOSFET) liegt der Widerstand zwischen Gate und GND. In
Axel S. schrieb im Beitrag #7665296: > Der Widerstand gehört dann zwischen Gate und Source des MOSFET. Denn die > Gate-Source Spannung ist es, die den Zustand des MOSFET steuert. Nur im > Fall, daß Source auf GND liegt (der Normalfall für n-Kanal MOSFET) liegt > der Widerstand zwischen Gate und
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Wechselrichter Balkonkraftwerk Solar Grid KS-800 defekt
ströme beides erfordert ein gewisses Grundwissen. Du könntest ja mal zumindest die Dioden und Mosfet alles Durchmessen. Auch mal die Großen Elkos Auslöten und vermessen.
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IGBT
steigender Temperatur verglichen mit einem FET. Nachteile des IGBT. Zum schnellen Schalten wird wie beim MOSFET ein starker Gatetreiber benötigt. Kann unter bestimmten Umständen (zu großes dU/dt) wie ein Thyristor zünden (Latch-Up Effekt). Der Strom ist hier nicht mehr kontrollierbar. Das wird bei modernen Typen
dadurch regelmäßig erweitert und ggf. durch ein FAQ ergänzt werden. Siehe auch. Leistungselektronik Mosfet-Übersicht Zwischenkreiskapazität FET TRIAC Kühlkörper Treiber
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Spannungsversorgung EL Folie
wachsend" oder was. Man könnte aber noch einen (für Akkubetrieb am besten synchronen, also zweiter Mosfet statt Diode - Wandler für sowas gibt's z.B. als "single liion cell to 5VDC" - wenn man sucht wohl auch mit Synchrongleichrichtung) Step-Up dazwischenschalten. Einen einfachen Schalter zur Abtrennung
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Ladeschaltung für 2x NiMH Zelle - wo passiert die Strombegrenzung
Akkuspannung ca. 71mV, also steigender Strom je voller der Akku wird. Und das über 1MOhm zum MOSFET, da reicht doch die 470pF Kondensator nicht zur Kompensation, der wird doch schwingen. Murksschaltung, Tonne auf, Schaltung rein, Tonne zu.
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Keramik Vape-Wasserbong mit ESP32-C3, Temperaturanzeige über APP
Heizelement wird mit Gleichspannung betrieben, dass kann man relativ einfach via PWM über einen N-MOSFET regeln. Der FET richtet sich nach der Leistung deines Heizelements. Eddy J. schrieb im Beitrag #7664086: > Meine Absicht ist es, dieses System zu verbessern, indem die > Temperatur direkt am
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BDX53 Transistor
gut klingen wie bei Audiotransistoren gewünscht. In vielen Fällen wird ein winzigen aktueller MOSFET den Job auch tun.
BDX53C z.B. von Reichelt für 50 ct nehmen. ;-) Ich wundere mich übrigens, das hier als Ersatz MOSFETS vorgeschlagen werden, in Anbetracht der damit einhergehenden Änderungsmaßnahmen. ciao Marci
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Labornetzgeräte
linear) Rigol DP832(A), Kora KA3005P schalten die Ausgänge nicht physisch/galvanisch ab. Die Power-MOSFETs der Ausgangsstufe werden lediglich auf Soll-NULL gesetzt. Dies kann bei Drift auch durchaus ungleich 0,00 Volt bedeuten! Selbstbau. Das Projekt "Labornetzgerät" zählt zu den typischen, insbesondere
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Herangehensweise LED Komponenten
verzichten, oder eine andere Frequenz wählen. Mit dem PWM Ausgang vom ATtiny kannst Du über einen Mosfet direkt Deine LEDs ansteuern. Gruß Carsten
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Samsung LC49HG90DMUXEN Bild Problem
Markus schrieb im Beitrag #7663274: > Transistor Mosfet sitzt mit der Bezeichnung G64. Passt der P-FET hier? https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/836454/DIODES/DMP3050LVT.html
Jahr. Dann ist das wohl schon der von Wolf17 erwähnte: https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_Diodes-Incorporated-DMP3050LVT-7_C397951.html
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MOSFET im StepUp-Regler wird zum vollständigen Kurzschluss über D G und S
In meinem StepUp ist mir der Original MOSFET explodiert. Der hat auch etwas Hünerfutter von der Vorstufe mit ins Nirvana gerissen. Das konnte ich soweit wieder rekonstruieren. Habe in meiner Bastellkiste natürlich nicht den passenden MOSFET.
immer den Überstrom. Bei einem richtig satten Kurzschluss fliegen aber auch die Bonddrähte im Mosfet weg.
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Probleme mit Bootstrap Halbbrücke
installieren möchte. Jedenfalls passen auch die genannten, anderen Probleme zum Durchschießen beider Mosfets.
Rund 20mA Stromberbrauch sollten bereits fuer das Umladen der Mosfet drauf gehen.
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Hilfe beim bestimmen dieser SMD (Diode?!)
20SERIES_L2103.pdf Passt doch EDL = ES1DL 3WY = Date/Factory Code Dafür spricht auch, das der Mosfet ebenfalls von TSC ist.
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Treiberstufe für Pumpenmotor dimensionieren
mit 3kW (125A) für eine Hydraulikpumpe > mittels PWM ansteuern. Sportlich, sportlich! > Als Mosfet habe ich mir den AUIRFS8409-7P > ausgesucht, bei denen 5 oder 6 parallel geschalten werden sollen. Ein 0,75mOhm MOSFET, nicht schlecht. Der kann bis zu 240A schalten. Warum willst du da 5-6 parallel
empfindlicheren OpAmps. Dann braucht man auch nicht unbedingt 10 von deinen (veralteten 13nF) MOSFETs parallel.
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ADC als Input eines verstärkten Audio Signals
Widerstand Die so erzeugte Spannung würde ich gerne auf einen ESP ADC Chip geben um damit einen Mosfet zu steuern, welcher nachher die Spannung für die LEDs durchschaltet. Leider komme ich hier nicht so recht weiter,... Ideen sind absolut willkommen und vielen Dank im Voraus.
LEDs zusammen einen Strom von 1,4A bei 12V. Daher war auch meine Überlegung das ganze über einen Mosfet zu schalten, da dieser höhere Ströme abkann. 7. Der Subwoofer in der 3-Wege Box hängt an einer Frequenzweiche und wird bei ca 800Hz getrennt. 8. Der WeMos schaltet in der Box nur Relais, mit denen
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Watch Dog Software Architektur
nächstes werde ich noch die Strom überwachung einbauen. Dadurch kann ich auch feststellen ob ein MOSFET (im leitenden Zustand) defekt ist.
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Chip ohne Datenblatt
Metallisierungslage sog. Pinchdioden zu erzeugen, d.h. diese so geschickt zu gestalten, dass man damit "MOSFETs für Arme" bekam. Die Spannungsfestigkeit des Dielektrikums unter der Metallisierungslage war nämlich deutlich höher als die der eigentlichen Halbleitersperrschichten. Mein ehemaliger Kollege hatte
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Ersatztyp gesucht
Hallo zusammen, ich suche SI4980DY Mosfet's. Leider gibt es die wohl nicht mehr. Weiß jemand einen passenden Ersatztyp dafür oder woher ich die noch bekomme?
4DF60L verbaut. Der Mosfet sitzt links neben dem Roten Kabel unter dem Kondensator.
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Soundmodul Dampflok mit RC gesteuert
Basis ist? Wenn ich eine Spannungssteuerung für die Lautstärke haben wollte, bräuchte ich einen Mosfet, oder? Grüße Thomas
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20SQ060 bricht bei 59 bis 60 V schon durch
60,00001 V darf das Teil leiten. Schottkys sind über 20 V sowieso suboptimal, da sind gesteuerte MOSFets geschickter. https://diotec.com/de/applikation/application-note-reverse-polarity-protection-2455.html?file=files/diotec/files/pdf/service/applications/Reverse%20Polarity%20Protection.pdf Butzo
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Monostabile Kippstufe mit NE555 und Pause
und ein anderer einen Schmitt-Trigger zuschaltet. Damit mußte nicht unbedingt ein LowLevelLogic-Mosfet verwendet werden.
einfachere Version im Anhang. ... Es gäbe das Monoflop in der Komplementärvariante mit Transistor und Mosfet diskret realisiert. Da konnte das IC weggelassen werden. Diese Schaltung hat aber den Nachteil, dass der Kondensator bipolar sein sollte. Um die 1V in die falsche Richtung mögen die SuperCaps nicht
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IPM für 400VAC
man keine Reserve mehr. Die nächsten sind dann 1200V, mit wesentlich höherem Vf(IGBT) bzw. Rdson (MOSFET). 750V wären wohl ideal für diese Applikation, da man noch Reserve hat zum Choppern. Das ganze soll eine Servomotor Steuerung werden (maximal 35A Phasenstrom peak, 10% duty, 20A nominal). -->