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Zahnbürste ladegerät USB defekt
reparieren. Vergiß es. Ich sehe da einen unidentifizierbaren µC (PIC oder noch billiger), einen MOSFET, zwei Kondensatoren und einen Widerstand. Kaputt ist entweder der MOSFET (zu 95%) oder der µC (4.99%). Der rechnerische Rest zu 100% ist für die anderen Bauteile. Den MOSFET könnte man zwar ersetzen
#7705868: > Vergiß es. Ich sehe da einen unidentifizierbaren µC (PIC oder noch > billiger), einen MOSFET, zwei Kondensatoren und einen Widerstand. > > Kaputt ist entweder der MOSFET (zu 95%) oder der µC (4.99%). Der > rechnerische Rest zu 100% ist für die anderen Bauteile. > > Den MOSFET könnte
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Verpolungschutz für MCU und PHY
kein Problem. Ist natürlich nicht der eleganteste Weg! Oder sollte ich besser mit nem P-Kanal Mosfet arbeiten, hier habe ich ja nen echt kleinen Voltage Drop. Mit einer Schotty Diode oder normalen Standart Diode, welche bei Verpolung leitend wird sollte man das ja auch machen können, ähnlich wie
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[V] OPA2333AID SOIC8 40Stk.
kein Bastler. Und die Profis >> kaufen lieber beim Händler. > > Ach was.. > > Beitrag "[V] MOSFET-Treiber UCC23514SDWVR" > > Falk B. schrieb: >> .. >> Ich hab davon 1000 Stück auf Rolle, alles noch original eingeschweißt >> .. >> Die große Rolle will ich ungern aufreißen Ja eben, der
kein Bastler. Und die Profis >> kaufen lieber beim Händler. > > Ach was.. > > Beitrag "[V] MOSFET-Treiber UCC23514SDWVR" > > Falk B. schrieb: >> .. >> Ich hab davon 1000 Stück auf Rolle, alles noch original eingeschweißt >> .. >> Die große Rolle will ich ungern aufreißen DU wagst es,
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Frage zu Funktion der Schaltung
Ein Mosfet, dessen G-S-Strecke kurzgeschlossen ist, hat keine Funktion, bzw. wirkt nur als simple Diode. Ich sehe auch keinen Bezug zum genannten Link.
wird der PMOSFET eingeschaltet wenn die 5V ausfallen (abgeklemmt werden). Dadurch überbrückt der MOSFET seine interne Body-Diode und kostet nicht 0.7V Spannungsabfall. Sind die 5V angelegt, sperrt der MOSFET und lässt somit rückwärts keinen Strom in den Akku. Die Schaltung wird über die Schottky-Diode
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Schaltplan mit MOSFET, Widerständen und Messwerten
I(37.0 mA) I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(do): 37.0 mA I(freq): -- Q1 IRLML2244TRPBF V: 3.86 V V(SS): 0 V V(eff): 0 V V(do): 3.86 V V(freq): -- A TK1 A TK2 TK3 S1 I: 13.4 nA I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(do): 13.4 nA I(freq): -- Taste i chen 10 kOhm [4108R-1-103] R1A Netzteil 5V R2A 100 Ohm [4108R-1-101] LIPO 4.2V
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Schaltplan mit MOSFET und Messpunkten
I: -77.2 nA I(SS): 0 A I(eff): 0 A I(dc): -77.2 nA I(freq): -- Q1 IRLML2244TRPBF V: 5.00 V V(SS): 0 V V(eff): 0 V V(dc): 5.00 V V(freq): -- TK1 TK2 TK3 LIPO 4.2V S1 Taste ichen 10 kOhm [4108R-1-103] R1A Netzteil 5V R2A 100 Ohm [4108R-1-101]
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Geeigneter N-MOSFET für mind. 6A-Schaltvermögen bei 24V?
MOSFET. MFG Manuel
https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht
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Port-Expander PCF8574
gewählt werden, nur begrenzt durch die Spannungsfestigkeit von Q2 P4 - Relaisansteuerung mit P-Kanal MOSFET. Hier muss die Versorgungsspannung des ICs gleich der Nennspannung der Relais sein (3,3-5V) und beide aus der gleichen Spannung versorgt werden (VCC). Der MOSFET muss ein Logic Level Typ sein, der
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Impedanz-Fehler :-( wie 4 kW Netz-Wechselrichter an 5kW Insel-Netz
Die beiden Gleichrichter Schottky Dioden sind nun die Reverse-Dioden von zwei 23 mOhm 650V n-Ch Mosfets https://www.lcsc.com/datasheet/lcsc_datasheet_2308251140_VBsemi-Elec-STP12NM50-VB_C7524940.pdf , die mit TLP250 geschaltet werden, welche die +15V von zwei 1W DCDC Konvertern bekommen. Dann kann
Schaltung mit Darlingtons, die vielleicht funktioniert. Ich bevorzuge aber eh die zweite Version mit Mosfets.
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PWM-Frequenzwandlung mit Arduino?
> Als Treiber z.B. sowas hier, kostet im 2€-Bereich: > > https://www.amazon.de/JZK-MOS-Modul-MOSFET-Modul-MOSFET-Steuermodul-Feldeffektmodul/dp/B0BTHXS62P Chinamurks. Ein 08/15 MOSFET und ein Optokoppler?. Der OP will eine 10kHz PWM mit 20A machen!
auch R2 auf etwa 15k verkleinern. Ist der Ansatz richtig? Die Alternative wäre für Q1 ein P-MOSFET und für Q2 ein N-MOSFET. Wäre diese Lösung sinnvoller?
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Elektronische Strombegrenzung für LED
mit PWM dimmen. Dazu habe ich einen Arduino mit 4kHZ PWM programmiert und die LED wird über einen MOSFET angeschlossen. Die LED beginnt ab ca. 2,8V zu leuchten. Wenn ich einen "herkömmlichen" Widerstand von ca. 5-10 Ohm nehme funktioniert das zwar, aber der verbratet viel Leistung und wird ziemlich
www.mikrocontroller.net/topic/461002?goto=new#5588355 PT4121 step down 6-50V mit externem LogicLevel MOSFET 0.2V high side shunt, externe Diode, SOT23-6 QX5241a step down 5.5-36V externe MOSFET, externe Diode, SOT23-6 dimmbar, enthält 5V/5mA Linearregler RT8471 hysteretic step down 7-36V 1A 0.1V fb externe
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kompakte, fertige H-Brücke als Modul
und powerSTEP01 (85V 10A) "System-in-package integrating microstepping controller and 10 A power MOSFETs" Gehäuse VFQFPN 11x14 mm https://www.st.com/en/motor-drivers/powerstep01.html
Infineon. Das ist eine 100V-30A Halbbrücke inkl. Treiber. Zwei davon ergeben eine Vollbrücke. Die Mosfets haben 16mOhm und müssen bei 4A definitiv nicht gekühlt werden. https://de.farnell.com/infineon/irsm005-301mh/ipm-modul-mosfet-100v-30a-pqfn/dp/2580782 3€ pro Stk Einzelpreis
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SEG Fernseher geht nicht an aber Standby LED leuchtet
Lieblingsfirma ;-) Der Fehler wird also eher auf dem Mainboard liegen, evtl. ein Powerswitch in Form eines MOSFets oder eine Einlötsicherung o.ä. Oben rechts auf dem Mainboard ist der Eingang vom Netzteil, darunter ist irgendein verklebter Jumper, beschriftet mit ''Power' oder so. In der Gegend würde ich mal nach Defekten suchen. Da sind einige MOSFet Schalter zu sehen im SOT-89 Gehäuse. Ganz unten rechts ist die Audio Endstufe.
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Transistoren Austausch
üblicherweise ein Sperrschicht-FET bezeichnet, der doch deutlich andere Eigenschaften als die meisten MOSFETs besitzt. Eigentlich ist aber auch die Bezeichnung MOSFET vielfach falsch, sondern es müsste häufig eigentlich MISFET heißen, da neben Oxyden auch andere Isolatoren zum Einsatz kommen. Da es hier
zusammenhängend gibt es ausschließlich Verarmungstypen, wohingegen heutzutage(!) die allermeisten MOSFET/MISFETs als Anreichungstypen realisiert sind. Sperrschicht-FETs werden gerne als leckstromarme Dioden verwendet, was natürlich mit MOSFET/MISFET nicht geht. Auf Grund der Verwechslungsgefahr findet
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Weidezaun gegen Schnecken mit Netztrafo und Rohr DN160 für Hobbygärtner
6V usw. *Version2* T5 R14 D8uvlo *ohne Spannungsstabilisierung* Diese Version verwendet einen MosFET T5 AO3400 im SOT23 Gehäuse mit Widerstand R14 100k 0805 (10-40uA@11-14V) gegen GATE+GND und Zenerdiode D8 ZMM9,1 MM0204 (8,5-9,6V@5mA 5% Diotec.com) (+1,05Vgs_th) was den MosFet Drain-Anschluss unter
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"Class A/B" versus "Class D" Verstärker für HiFi-Anlagen
Class D auch nur eine CD wiedergeben können, 16 bit mit 44ksps = 1 bit mit 2.884Gsps müssten seine MOSFETs auf 347ps genau schalten. Vergiss es bei der Leistung. Zudem gilt das nur bei 0.01% stabiler Versorgungsspannung, sonst müsste er in der Zeit nämlich nachregeln können. Kannste ganz vergessen
auch nur eine CD > wiedergeben können, 16 bit mit 44ksps = 1 bit mit 2.884Gsps müssten > seine MOSFETs auf 347ps genau schalten. Irgendwie ... hab' ich noch nicht so ganz verstanden, welcher Religionsgemeinschaft man angehören muss, um dieser Gleichung > 16 bit mit 44ksps = 1 bit mit 2.884Gsps
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Oszilloskop Stromverlauf messen
Triggern lässt du das Oszi sinnvollerweise auf den Stromanstieg. Und als Schalter könntest du einen MOSFET nehmen, der high-side deinen großen Widerstand überbrückt. Den steuerst du sinnvollerweise mit einem sauberen Rechteckpuls an.
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Unterschiedliche Power MOSFET kompatibel?
wären da 4 oder 5 Stück parallel auf einem dicken Kühlkörper. Aufgrund der Daten 30V 5A und einem Mosfet mit 600V Spannungsfestigkeit tippe ich aber auch auf Schaltnetzteil
schaltzeichen-bedeutung-in-der-elektronik/ Da was Kurzes zum Thema Body-Diode: https://www.powerelectronictips.com/remember-mosfet-body-diode-faq/
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Schaltplan eines MOSFETs mit Zener-Dioden
D(2, TAB) G(1) S(3)
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
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Zeitschaltuhr Aquariumlampe
LED-Leuchtmittel nicht eine kapazitive Last? Dann würde ich keinen Triac, sondern einen passenden Mosfet (mind. 600V Udsmax) plus Gleichrichter zum Schalten nehmen, das würde die Probleme mit dem Haltestrom beseitigen.
Mit Gleichrichter und Mosfet gab es das mal in der Make: https://www.heise.de/select/make/2020/1/1583018117790727
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Stromspannung - wie viele Meter? Gesperrt
eine Membran von rund 5nm dicke. Macht 200000000 V/m :-) Bei Dielektrika in miniaturisierten MOSFETs dürften da noch ein oder zwei Nullen mehr sein. Jedenfalls sieht man daran, dass diese Feldstärke alleine der Schnecke nichts anhaben kann. Ich denke der Effekt rührt daher, dass aus dem Metall
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2, TAB) G(1) S(3)
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Schaltplan eines MOSFETs mit Schutzdioden
D(2) G(1) SC15010 S(3)
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Impedanz-Fehler :-( wie 4 kW Netz-Wechselrichter an 2kW Insel-Netz
Drum wird der wohl trotzdem das "Phasenrennen" gewinnen. Ich könnte den Heizstrahler mit zwei Mosfets jeweils nur dann zuschalten, wenn der Betrag der Amplitude ansteigt. Dann "quetsche" ich den Sinus zwar steiler, aber die Frequenz bleibt gleich. Vielleicht gibt sich der Wechselrichter damit ja
auch helfen. Dann einfach an den Kondensator ein Brückengleichrichter und von da pwm gesteuert eine mosfets einen x kW Heizstab die überschüssige Leistung sinnvolle nutzen. Die Frequenz kann man mit simplen widerstand und 3V zener diode digital erfassen, und per Optokoppler-IC den mosfet treiben.. Vielleicht
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[S] LCD Thermometer mit ICL7106 (Conrad Bausatz)
mal genauer angesehen. Ein Fehler ist mir aufgefallen: die Schaltung ist nicht für einen BS170 MOSFET, sondern für einen J-FET wie BF245. Wenn man einen BS170 passend gedreht einbaut kann man den Elko durch eine Brücke ersetzen.
verstanden habe, schaltet dein Vorschlag mit LM339 nur das LOBAT Segment. Das per Transistor/Mosfet(wie im ICL Datenblatt) invertierte Backplane Signal für die fest eingeschalteten Segmente ist da noch nicht mit drin, oder? Oder ich übersehe da was grundsätzlich🤔
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Komisches Verhalten von LM5642MTCX
Platine: Wenn VIN über 23V ist, startet es nicht. Beim starten gibt's paar Impulse am Gate von Mosfet, dann sofort aus. Unter 23V startet es, aber die Schaltfrequenz ist bei 60kHz. Drossel fiept, je höher VIN desto lauter. LM5642MTCX getauscht, jetzt startet es sogar bei 25V. Über 25V kein Start
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Transistor
naus, Pfeil, 'naus". ..und für Gleichberechtigungsverfechter: NPN means "Not Pointing iN". JFET: MOSFET: S: Source G: Gate D: Drain Eigentlich haben MOSFETs noch einen vierten Anschluss namens Bulk. Der ist aber nur bei Spezialtypen als Pin herausgeführt. Im Normalfall kann man ihn vergessen, da er nicht
ElKo schalten-mit-transistoren oder in diesen Threads: Transistor als Schalter Vcc schalten mit MOSFET Schalten mit PNP-Transistor Transistorschalter für Versorgungsspannung 7-50V strombegrenzt schalten P-Kanal MOSFET ansteuern 5V/15mA mit 3,3V schalten High Side Treiber mit Ladungspumpe minus -12V
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Alter Automatiköffner: Motor dreht zu schnell
Versorgungsspannungen: 12 - 24 VDC oder 12 VAC - Der MOSFET wurde mit dem Kurzschluss sehr heiß, schaltet aber noch Doch warum dreht der Motor zu lange? Beim Ausfahren schiebt er den Bolzen fast aus dem Gehäuse, beim Einfahren drückt es die Zahnräder aus
Vielleicht wird ja dennoch jemand schlau draus. Kann auch noch Fehler beinhalten. Edit: Was den MOSFET betrifft, da muss ich was übersehen haben. Der bezweckt so ja gar nichts.
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DC-AC Converter
viel Aufwand willst Du treiben? Habe hier was mit 74HC4060 u. 74HC112. Quarzgenau. Und mit MOSFet IRF4905 / IRF3205. P=150W Trafo ist normaler Netztrafo /50Hz
Vollbrücke aus zwei P-Fets oben, sowie zwei N-Fets unten. Jetzt noch die Gates der übereinander liegenden Mosfets verbinden, hier jeweils einen der Gatterausgänge anschließen. Fertig. Sind ganze 7 Bauteile. Ok, mit Elko über der Brücke und Kerko überm IC ganze 9. Das hat man schneller gebaut, als die Suche und
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Lipo Abschaltung (Schutzschaltung)
Dir verlinkten Artikel sind MosFets, die typischerweise als Schalter eingesetzt werden. Wenn die MosFets nicht leitend, also "aus" sind, also trennen, dann fließt kein Strom. Wenn die MosFets leiten, fällt etwas Spannung an ihnen ab, sie erwärmen sich ein wenig. Im Übergang von nicht leitend zu leitend erwärmen sich die MosFets stärker, als wenn sie "ganz auf", also leitend sind. Ohne Hysterese fängt die Schaltung an zu schwingen, wenn die Akkuspannung in die Nähe der Abschaltspannung abfällt. Die Abschaltung führt
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Reverseengeneering von Nebelmaschienen Protokoll
erreichen? DMX? Unter anderem... Könnte ich nicht eigendlich auch einfach an die schon vorhandenen Mosfets für Led und Rauch meinen Esp anschliessen? An der 5v Line von orginellen Reciver kann ich schauen ob aufgeheizt wurde.
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Diode Ersatztyp Makita DC18RA D4
Thomas D. schrieb im Beitrag #7699282: > Kann es sein das der NCS1206 am Ausgang den Mosfet überlastet hat Eher umgekehrt. MOSFET entweder wegen zu viel Spannung (Snubber defekt) oder zu viel Strom (shunt niederohmig, Trafo Windungsschluss) zerplatzt und NCP1216 mitgerissen. Schaltplan
Ja mit dem Mosfet muss ich euch rechtgeben. Das dieses Ladegerät mal eine 110V Version war hatte der Mosfet VGS500V. Der neue hat jetzt 800V. Ersatztyp 2SK3679. Ich habe jetzt Skizzen von Schaltbild des DA18RA.
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Led an OpenCollector invertieren
um eine einzige LED zum Leuchten zu bringen, mutiert echt zu einem Trauerspiel – man sollte einen MOSFET (TO92/SOT23/SOT89/SOT223) oder ein CMOS-Gatter (SOT23-5), alternativ einen OP-Amp (auch klein in SOT23-5 oder DIP8) als z.B. Spannungsfolger oder Komparator nehmen und gut ist, damit der Ausgang nicht
daß durch die LED der Pegel nicht einbrechen soll. Mein Vorschlag war daher, die LED mit einem MOSFET zu treiben.
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Feedback gestützt Schaltung eines Mosfets via passive Servo Drehung
Basis angebracht der Emitter ist an Ground angeschlossen. Der Kollektor ist an das Gate vom N Kanal Mosfet angeschlossen. Dadurch wird die Schaltung bei aktiver Spannung der n Kanal mosfet immer auf GND gezogen. Der Servo ist am Gate vom N Kanal angeschlossen. Damit es etwas übersichtlicher ist: NPN-Transistor: Basis: Pull-Up-Widerstand zur Spannungsquelle 1 Emitter: GND Kollektor: Gate des N-Kanal MOSFETs N-Kanal MOSFET: Source: GND Gate: Verbunden mit Kollektor des NPN-Transistors und einem Pull-Down-Widerstand zu GND Drain: Verbunden mit dem P Kanal Mosfet Servo-Motor: Vcc: Spannungsquelle
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Schaltplan zur Aktivierung eines Servos
Wake up Servo ServoVCC R19 1k +3V3* R18 10k Schalter P - Mosfet D +3V3* N - Mosfet D Q1 AO3400A G S Q3 AO3401A G S R17 10k +3V3* R16 10k +3V3 NPN2 S9013 J3 GND
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Schaltplan zur Aktivierung eines Servos
Wake up Servo ServoVCC R19 1k +3V3* R18 10k Schalter P - Mosfet D N - Mosfet Q1 AO3400A Q3 AO3401A G S +3V3 R16 10k NPN2 S9013 J3 GND +3V3* R17 10k
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Tabelle mit Spezifikationen von P-Channel MOSFETs
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS Part No. | V(BR)DSS Volts Min | V(BR)GSS Volts Min | V(BR)DG Volts Min | Power Dis. 25°C Amb mW Max | IDSS nA Typ | ICSSf nA Typ | ID(on) mA Typ | VGS(th) Volts Min/Max | RDS(on) Ohms Typ | Yfs uHm
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Datenblatt eines p-Kanal MOSFETs
M104 enhancement-type p-channel MOSFET designed for... Analog Switches Digital Switching BENEFITS High Off-Isolation ID(off) < 100 pA IS(off) < 100 pA Very High Impedance Cgs < 100 pA IGSS < 100 pA Rugged Zener Protected Input ABSOLUTE
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[S] Einen FET : MEM556C
Lt schaltplansymbol sieht das nach nem p-Kanal MOSFET aus, oder? Warum J-FET? Würde da ein SMY51 passen? Hätt‘ ich da. Würde ich zweie zum Testen abgeben.
Masseanschlüssen in dem von mir eingefügten Zeichnungsausschnitt. Werden die nicht erst beim Schalten des Mosfets zusammengeführt? We nicht extra gewollt wäre könnte man ja jeden kleinen P-Mosfet mit geringem Leckstrom nehmen und die beiden Anschlüsse permanent verbinden.
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STM32 SWD Pins nutzen. Trotzdem programmierbar?
Ernst M. schrieb im Beitrag #7697437: > An den Pin soll ein MOSFET als Relaistreiber. > Wie seht ihr das? Verrenne ich mich? Alle Pegelwechsel an diesem Pin werden dann während der Programmierung über den MOSFET an die Relaisspule takt- und frequenzmäßig 1:1 weitergegeben
diese Diode jedoch sehr langsam, weil z.B. 1N4007 genommen wurde, könnte die Spannung am Drain des MOSFETs trotzdem so weit ansteigen, dass er zerstört wird. Bekommt der MOSFET einen Durchbruch in allen drei Anschlüssen, so könnte diese Spannung kurzzeitig auch an den µC und den Programmer gelangen und
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Leiterplatte eines Netzteils mit Bauteilbeschriftungen
DC18RA-T-220V vesrision 22uF 400V 0.33Ω 3W MOSFET K3799 Q11=C3209 Q12=A1281 VS1=TVR10471 0.33uF 275V TH1=SCK055 D1=KBJ408G L8=inductor? L7=inductor? 56KΩ 2W 56KΩ 2W R92= 0.1Ω 2W 150uF 400I
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Datenblatt eines N-Channel 30 V MOSFETs
VISHAY Si2300DS www.vishay.com N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES TrenchFET power MOSFET 100 % Rg tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS DC/DC converter for portable devices Load switch
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Einbauposition Kondensator
Natürlich mit eigener Platine. Ich hab da mal einen Schaltplan gezeichnet. Darin sind zwei MOSFET´s enthalten. Der P-MOSFET schaltet die +12V zu dem externen DC-DC Step-Down, der macht daraus +5V und 10A. Der LED Strip läuft ja mit 5V. Angesteuert durch den HmIP-Schaltaktor, der beim einschalten GND durchschaltet. Der N-MOSFET wird durch einen GPIO Pin vom ESP8266 angesteuert und soll GND auf den LED-Stripe schalten. Nun hab ich zwei Fragen an euch. 1. Passt das mit den MOSFET´s so? 2. Der LED Strip (braucht) einen
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Schaltplan in KiCad mit ESP8266 und LED-Treiber
F1 Fuse 5A, 12V Batterie, GND, P MOSFET, R2 10k Pull-Up, 12V Eingang, +12V, DC-DC Step-Down, +5V, GND, Fuse 2A, Injektor 2, Fuse 2A, Injektor 1, Fuse 2A, LED Stripe 2, C2 1000uf, Variante 2, C2 auf geschaltet GND, LED Stripe 1, C1 1000uf, Variante 1, C1 dauerhaft auf GND, GND, Wemos_D1_mini ESP8266, P1 470 Ohm, Q1 N MOSFET, 10k Pull-Down, GND, Sheet: WLED Gartenbank.kicad_sch, Title:, Size: A4, Date:, Rev:, Id: 1/1
