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Last schalten mit schwachem Steuergerätausgang
Michael B. schrieb im Beitrag #7657651: > Nimm einen N-Kanal MOSFET, der belastet deinen Analogausgang nicht Munteres Rätselraten ohne fachliche Basis. Mike muß beschreiben, wie das Signal an seinem Analogausgang aussieht. Dazu, welche Art Last / Spannung im
Spannung langsamer hochfahren, damit die Gate > Kapazität geladen werden kann, Nein. Bei MOSFETs mit kleiner SOA sollte der Umschaltvorgang so schnell wie möglich erfolgen sonst löst sich das SOT23 in Wohlgefallen auf.
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Messen von Dioden mit Multimeter
keinen Schaden anrichten. Das stimmt bei Dioden, aber nicht pauschal bei beliebiger Elektronik. MOSFET werden von Überspannung zerstört, dagegen hilft keine Strombegrenzung.
Schaden anrichten. > > Das stimmt bei Dioden, aber nicht pauschal bei beliebiger Elektronik. > MOSFET werden von Überspannung zerstört, dagegen hilft keine > Strombegrenzung. Kommt drauf an, wo Du die Überspannung anlegst. Die DS-Strecke jedenfalls ist da ziemlich robust.
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DC/DC Abwärtswandler hohe Spannung VIN bei externer Spannung am Ausgang
messen, aufbaut. Eine andere Variante ist, dass zyklisch der Wandler im Idle Modus die beiden Mosfet am Ausgang mit kurzen Impulsen bedenkt, d.h. die Bootstrapping-Spannung mit der Hilfe von C13 aufrecht erhält. In dem Falle könnte L1 in Verbindung mit der Bodydiode des internen Mosfets von U1 eine
Beitrag #7656966: > Eine andere Variante ist, dass zyklisch der Wandler im Idle Modus die > beiden Mosfet am Ausgang mit kurzen Impulsen bedenkt, d.h. die > Bootstrapping-Spannung mit der Hilfe von C13 aufrecht erhält. In dem > Falle könnte L1 in Verbindung mit der Bodydiode des internen Mosfets von
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Schaltplan eines Gate-Treiber-ICs mit MOSFET-Ausgang
EG3013S VB max 90V HIN 15K 15K Vcc 电平移 脉冲滤波 驱动 死区时间电路 闭锁电路 8 VB +15V 75V B0515S (trafo) 60V V+ 10 R6 2 IRF3206 Q2 6 VS Out2 1 Vc 5 LO 4 GND
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Diagramm der typischen Ausgangskennlinien eines MOSFETs
Fig 1. Typical Output Characteristics 1000 100 10 1 0.1 ID, Drain-to-Source Current(A) TJ = 175°C TJ = 25°C VDS = 25V ≤ 60µs PULSE WIDTH 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
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BCV26 als Schalter. Richtig gerechnet?
BCV26 von Faichild/Onsemi zu nehmen. Der kann bis zu 1,2A. Ich bin jetzt aber am gucken, wie das mit MOSFETs gehen kann.
so ein kleines Gehäuse nie los wird, es würde 627 GradC warm. Daher verwenden die Leute heute MOSFET wie IRLML5203 um solche Ströme zu schalten.
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Nixie Netzteil 5V->170V
https://blog.csdn.net/u012388993/article/details/121723574 da sind ein MAX668EUB benutzt und ein MOSFET AON7508 https://www.aosmd.com/sites/default/files/res/datasheets/AON7508.PDF Der chinesische Text lässt sich mit translate.google,com übersetzen, man muss nur das Laden der Seite rechtzeitig abbrechen
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Unbekanntes IC
ich kann dieses IC mit dem Code XC nicht in dieser Form identifizieren. Ich nehme an es ist ein Mosfet, aber ich bekomme nur welche mit vier Beinchen mit meiner Laiensuche. Es ist die Treiberplatine für ein LCD und ich weiß, dass dieses Bauteil defekt ist. Nur kann ich kein neues besorgen, weil ich
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(Fehlersuche) Wechselrichter 24V - 230V durch Überspannung an Ausgangsseite defekt
Da sind in der Ausgangsstufe je zwei MOSFETs bzw IGBTs parallel geschaltet. > Die Zwischenelkos, Zwischenkreiselkos! Das sind die in der Mitte der Platine, und die sind unverdächtig.
H. H. schrieb im Beitrag #7656331: > Da sind in der Ausgangsstufe je zwei MOSFETs bzw IGBTs parallel > geschaltet. > >> Die Zwischenelkos, > > Zwischenkreiselkos! Das sind die in der Mitte der Platine, und die sind > unverdächtig. Bitte entschuldige meine Unkenntnis
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Welcher Mosfet ist das?
Guten Abend zusammen! Ich brauche mal die Hilfe von euch um den MOSFET?!? zu identifizieren. Das Dingen stammt auf jeden Fall aus einer LED Platine, aber ich finde dazu leider kein passendes Datenblatt oder ähnliches. Kommt jemandem das Dingen bekannt vor? Soweit
Ich glaube nicht, dass das ein MOSFET ist, sondern erwarte einen ganzen LED Stromregler. Zudem könnte mehr unter dem flussmittelabgedeckten Teil stehen
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Schaltplan mit ESP32-C3 und MOSFET-Treiberstufe
J1 GND 5V SDA SCL J2 GND 5V SDA SCL U1 ESP32_C3_Super_Mini GPIO5 GPIO6 GPIO7 GPIO8 GPIO9 GPIO10 GPIO20 GPIO21 GPIO4 GPIO3 GPIO2 GPIO1 GPIO0 3.3V GND 5V V_in Vo C1 4,7uF C2 0,1uF C3 1uF V+15V V+ U2 B0515S J3 V+ J4 Out1 J5 Out2 U3 TLP250 R3 1k R4 3k Q1 IRF3206 Out1 U4 TLP250 R5 1k R6 3k Q2 IRF3206 Out2 GND V+
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basiswiderstand
10kΩ, Faktor 3 -> Basiswiderstand 3k3 oder bei Faktor 4.x dann 2k2. Und nimmt man dafür einen MOSFET, dann erübrigt sich diese Betrachtung komplett. Beim Beispiel mit 500mA Laststrom sollte man das auch dringend in Erwägung ziehen. Dafür muss man schauen, dass die Gatespannung reicht.
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Schaltplan und Tabelle für Transistor-Schaltstufen
für kleine Lasten Schaltstufe für kleine Lasten mit NPN-Bipolartransistor (links) oder N-Channel-MOSFET (rechts) als Low-Side-Schalter VCC, D2, 1N4148, K2, Steuereingang, Q2, R2, GND, D1, 1N4148, K1, Steuereingang, Q1, R1, 100k, GND Schaltstrom [mA], Transistor, Steuerspannung [V], R2 [Ω] 500, BC337
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Transistor Kollektor-Kapazität (Cc) Vergleichstyp
Schaltgeschwindigkeit an. Ich glaube aber nicht, dass ich in Spice die Abschaltzeiten im Fehlerfall für den Mosfet real nachvollziehen kann. Der PWM taktet mit 80kHz.
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DC/Dc Wandler selber bauen
rein_theoretisch_ (ach was, GAR NICHT) auch anwendbaren sog. *Sperrspannung* /laut/ *Datenblatt* ... des Mosfets GEGENÜBER (also beim Boost des FETs am Ausgang, beim Buck des FETs am Eingang) - echt totaler Quatsch. Und dann ist noch nicht mal gewiß, ob sie nicht statt dem "Dauerstrom bei praktisch idealer
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Suche 50V DC 1000W Netzteil, Rückspannungsfest bis ca 70V
Diode, wenn gleich die bei 20A schon ein gut gekühlte Schottky sein sollte, ggf. ein gesteuerter MOSFET (ideal diode controller).
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Relais-Ansteuerung: Transistor brennt durch
uber Kollektor 33mA. Da ist es egal wie falsch das Bauteil ist, ob NPN oder PNP, ob Doppeldiode, MOSFET oder Thyristor, es raucht nicht. Und da ja deine Diode angeblich in Ordnung ist, erzählst du hier einen vom Pferd.
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Zwei 24v Motoren laufen nicht gleichzeitig
sein. Auf dem Bild : Img3665 vom 24.04 sind 3 Gruppen drauf. Bei ALLEN 3 sind jeweils der rechte Mosfet aufgeplatzt. Also sollte es 3 Motoren, oder 2 plus Irgendwas geben. Die Frage die sich stellt, ist: sind die gemeinsam gestorben? Und warum? War eine schwere Last auf dem Tisch, beim Heben?
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Absicherung von Digitalen Ausgängen
Peter D. schrieb im Beitrag #7663030: > Wir sind daher zurück zu klassischen > MOSFETs in Konstantstromschaltung (Impulsschutz) und Polyfuse > (Dauerschutz). Wie geht Konstantstromschaltung mit MOSFETs? Ich kenne die Varianten mit 2 bipolaren Transistoren, J-FETs oder MOSFET + Shunt und Opamp. Ok, Depletion Mode MOSFETs kenne ich auch, das würde ich dann aber schon nicht mehr "klassische MOSFETs" nennen...
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Wie 20-40A high side (n-Ch 2,4 mOhm) bei 20-60V und 2 kHz 50% duty pwm ?
weglassen und mit 40mA / 3,3V auf das > Gate hat nachher mindestens 10 fache Verlustleistung im > Mosfet zur Folge. Hab ich doch sogleich vorgerechnet ? > - Mosfet 60V für 60V ZWischenkreis, Null Reserven Der 60V mosfet ist für meine 7s 24V Batterie Der andere mosfet kann bis 75V und könnte
/GND komplett mit Kupfer angeschlossen sein ? Wobei ich -1 und -2 lieber so nah an die beiden Mosfets lege, dass beim Löten des Anschlusskabels der Mosfet gleich mit angelötet wird. Auf die 2mm GND Anschlüsse der beiden Mosfets löte ich auch gern nochmal Kupferdraht.. Das Footprint der beiden
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Alte Elektronik Basteleien Gesperrt
DCDC-Wandler im nichtlückenden Betrieb. Einer der Thermoschalter diente zur Abschaltung, wenn der Mosfet zu warm werden sollte.
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Schaltplan für PWM Signalgenerator der AZ-Delivery Vertriebs GmbH
Danke, dem ist so. Der Transistor Q1 hat die Beschriftung "7002" und ist somit wohl ein n-Kanal MOSFET vom Typ 2N7002. Der Sourceanschluss des Transistors ist direkt mit VIN- verbunden. Der Drainanschluss des Transistors ist über den 1 kOhm Widerstand (SMD, Baugröße 1206) mit VIN+ verbunden. Der Verbindungspunkt
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lohnen sich mehr Zellen beim Balkonkraftwerk?
kommt es auf den Wechselrichter an. Manche schalten den Strom aus den Solarmodulen kurz (PWM) mit MOSFETs durch und die MOSFETs oder Ruckstromverhinderungsdioden am Eingang sind nur für den im Datenblatt angegebenen Spitzenstrom ausgelegt. Beim doppelten Strom gehen sie kaputt. Andere bekommen das mit
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Schaltplan einer MOSFET-H-Brücke
+5V, R4, 4,7K, D, Q2, PMOS, S, D1, PWM, G, Q3, NMOS, S, G, R5, 4,7K, GND
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High Side Switch Mosfet
bezüglich der Schwankungen über Temperaturänderungen. Des Weiteren bin ich mir unsicher mit dem Mosfet da ich doch gerne Id =2-3A hätte. Die Rohm Serie S8M41 würde gehen, ist aber sehr teuer. BSS84 geht auch, ist aber Strom technisch begrenzt. Welchen Mosfet würdet Ihr wählen? Das Problem viele sind
Kollektorleitung ist nicht nur überflüssig, sondern sogar schädlich, weil er den Spannungshub am Mosfet-Gate deutlich reduziert und damit schlechteres Schaltverhalten entsteht.
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Schaltplan mit Transistor und MOSFET
V1 5V R1 3.3k Q2 BC847A R2 3.3k V2 IRF7404 M2 R3 2.2k out2 .tran 1 PULSE(0 3.3 1ns 1ns 100ms 300ms 3)
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Schaltplan, PCB-Layout und 3D-Modell eines ESP32-C3 Super Mini
J1, I2C, SDA, SCL, GND, 3.3V, GPIO21 bis GPIO0, U2, UCC37324, En_A, En_B, IN_A, IN_B, Out_A, LO, MosfetA, MosfetB, USB
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Auto Fussraumleuchte (LED) nachleuchten lassen
Mosfet mit Widerstand und Elko parallel, beides zur zur Masse und ans Gate. Die Zeit berechnet sich über die Zeitkonstante R*C.
J. S. schrieb im Beitrag #7653402: > Mosfet mit Widerstand und Elko parallel, beides zur zur Masse und ans > Gate. Die Zeit berechnet sich über die Zeitkonstante R*C. Schaltplan. Sind nur Beispielwerte und das Ganze ist natürlich reichlich
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Elko-Größe und Typ bestimmen
mich der Lötwahn gepackt. Grund dazu ist ein abgetauchtes NAS (Synology DS214play). Die beiden Mosfets habe ich da, der Elko ist am Boden "undicht". Ich sehe dort einen Spalt und möchte diesen ebenfalls austauschen. Kann mir jemand auf die Sprünge helfen? (Hersteller,Typ usw.) Ich finde irgendwie
Alexander P. schrieb im Beitrag #7652927: > Die beiden Mosfets habe ich da, der Elko ist am Boden "undicht". Ich > sehe dort einen Spalt und möchte diesen ebenfalls austauschen. Meinst du zwischen dem Alubecher und dem viereckigen schwarzem Kunststoffplättchen
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Wie aus 52V 3.3V machen?
Thomas schrieb im Beitrag #7653263: > einen Stepdown, mit einem TL494 einen MOSFET und einer Induktivität > aufbauen. Er wollte doch tauglichen Wirkungsgrad.
Thomas schrieb im Beitrag #7653263: > einen Stepdown, mit einem TL494 einen MOSFET und einer Induktivität > aufbauen. Ohma ist schon über 40 Jahre alt, laß sie in Ruhe :)
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Selectable 3.3v or 5v im Bezug auf ESP8266
or 5v)" Beschreibung aus diesem Link: https://www.tindie.com/products/mostlyrobots/4-channel-mosfet-shield-for-wemos-d1-mini-esp8266/ In den Fotos sehe ich auf PCB dass 3.3V bereits mit dem mittleren Pin verbunden ist. Wenn 5V mit den mittleren Pin verlötet wird, bekäme dann 3.3V nicht auf einmal
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Pollin: 3 Phasen Schrittmotor MOONS 24HC2016-03 Uni-Polar?
productdownloads/D310868D.PDF Ist der hier Uni-Polar? Die Frage ist eigentlich: Kann ich den einfach mit 3 Mosfets treiben, oder brauche ich H-Brücken für die "exciting sequence"? Oder auch: Ist der "Pin 5" beschalten? Lässt sich die Mitten-Anzapfung ggf. anders herausführen? (Schon mal auf gemacht? LOL) Ich suche
Tim S. schrieb im Beitrag #7652665: > Kann ich den einfach mit 3 Mosfets treiben, Nein.
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Schaltplan eines Schaltreglers mit Induktivitäten und MOSFETs
1mH 1mH 1mH 1k 40kHz
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Reparatur Schaltnetzteil Receiver
Widerstand zwischen den beiden Pins an C4151 ist > 5 MOhm - Der Switcher ist ein TOP268VG der den Power Mosfet eingebaut hat. Dieser ist nicht durchlegiert. - Die Wicklungen am Übertrager haben gegeneinander keinen Schluss - D4140 und D4141 sind OK Somit scheint ja der weitere Primärteil der Schaltung
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12V PWM sicher mit D1 Mini Pro steuern?
pull up und pull down Widerstände korrekt eingesetzt Sie teilen die 5V auf 2,5V, so dass beide MOSFET voll ein schalten -> Kurzschluss Das gleiche passiert, wenn dein Steuersignal von LOW nach high geht oder zurück. Es gibt immer eine analoge Übergangsphase dazwischen. Ergo: So geht das gar nicht. Du musst die MOSFET mit zwei einzelnen Signalen ansteuern, die einige Nanosekunden zeitlich versetzt arbeiten. Oder du nimmst einen Treiber IC, der das für dich erledigt.
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Blei-Starterbatterie und Lifepo4-Wohnraumbatterie einfach machbar?
selbst geladen werden kann, noch selber die Starterbatterie lädt. Im schlimmsten Fall gehen die Mosfets des BMS kaputt. Ob die beim kaputtgehen trennen oder durchschalten, weiß ich nicht.
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[V] Tektronix 2213 Oszilloskop
mit dem DVM auskommt, den ich nicht so stehen lassen konnte. Und was Messungen an schaltenden PowerMOSFETs betrifft - das ist nun mal ein ganz anderes Thema.
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Bauteil Identifizierung die zweite
Nach der zweiten Antwort dort soll das Bauteil ein P- und N-Kanal MOSFET als Ausgangstreiber sein. Sind das nicht schon die beiden anderen Achtbeiner auf der anderen Seite der großen Widerstände?
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MPPT-Laderegler nahe Volllast betreiben?
einen hohen Leerlaufverbrauch, vor allem, da sich Ferritkerne generell erwärmen und Kapazitäten an Mosfets umgeladen werden müssen. Also macht es durchaus Sinn, kein zu großes Gerät einzusetzen. Genau diesen Fehler machen übrigens reihenweise Bastler, wenn sie viel zu starke Mosfets in schnell getakteten
so gut wie nie zielführend, aber ohne Ahnung schielt man automatisch nur auf den stärksten aller Mosfets...
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Wie würde man eine Spannungsversorgung (5V=) konzipieren, die mit AC & DC (3V -18V) funzt ?
, V_MOSFET = Vin + Vout, I_MOSFET = Iin + Iout, deshalb hat SEPIC weniger Effizienz als Buck-Boost. Aber SEPIC hat auch Vorteile: weniger kompliziert, man kann die meisten Up-Wandler-IC dafür benutzen, man
reichlich überdimensioniert. Oder gleich einen Gleichrichter aus "idealen" Dioden, eben gesteuerten MOSFETs.
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Taster einer Digitalkamera mit ESP32 steuern
Stichwort: Opto-Mos oder Photo-Mos oder MOSFET Relais. z.B. https://www.mouser.de/ProductDetail/IXYS-Integrated-Circuits/CPC1010NTR?qs=j9taHssHEsh53TO5I7W4QQ%3D%3D Ob das in deinem Aufbau klappt gilt es per Versuch rauszufinden.
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ESP8266 mit Berührungssensor
Leider wird > in diesem Fall keine Spannung mehr am Ausgang ausgegeben. Da wird wohl ein N-Kanal Mosfet verbaut sein - es wird Minus geschaltet
Ein N-Kanal Mosfet benötigt natürlich irgendeine Last. Häng mal einen 1- 10k dran damit Du ein sauberes PWM Eingangssignal erhältst. Hier mal ein Beispiel Code wie du das PWM Signal messen könntest: [c] #define
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Probleme beim Schalten von 12 V Pumpe mit Step Up Konverter
unterdimensioniert. g) Funkentstörung am Pumpenmotor könnte nicht schaden h) statt Relais könnte ein MOSFET mit Freilaufdiode sparsamer mit dem wertvollen Akkustrom umgehen. i) auch am Relaiskontakt schadet eine Freilaufdiode nicht (hat aber mit deinem Anlaufproblem nichts zu tun). Anders gesagt: bei
. > > g) Funkentstörung am Pumpenmotor könnte nicht schaden > > h) statt Relais könnte ein MOSFET mit Freilaufdiode sparsamer mit dem > wertvollen Akkustrom umgehen. > > i) auch am Relaiskontakt schadet eine Freilaufdiode nicht (hat aber mit > deinem Anlaufproblem nichts zu tun). > >
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Welches Smart Home System zum selbst erweitern ?
nun genau- drittens. Ich denke nämlich daß ich da keine ungewöhnlicheren Lösungen als Transistor, Mosfet, Relais und SSR verwende. Le X. schrieb im Beitrag #7659649: > Wieso ist es für die Zentrale wichtig, viele Pins zu haben? > Hast du da soviel Sensorik drangehängt? Ursprünglich war ich leider
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Step Down converter mit Arduino steuern
H. H. schrieb im Beitrag #7647648: > Der µC liefert ja nicht genug Strom um den MOSFET mit mehr als 25kHz > ansteuern zu können. Kannst du mir erklären was du damit meinst? Meinst du, dass der Arduino allgemein nicht mehr als 25kHz schafft oder meinst du, dass der MOSFET zu viel
: > Bisher dachte ich, dass 100kHz beim Arduino kein Problem wäre. Aber er kann das Gate des MOSFET nicht so schnell wie dafür nötig auf- und entladen. Dein MOSFET verhält sich in der Hinsicht wie ein Kondensator von knapp 10nF, vereinfacht gesagt.
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Schaltplan mit TLP152 und NCE3080A MOSFETs
U10 L78L10_SOT89 V_FET IN OUT GND V_LED C11 470nF / 50V C10 100nF U1 TLP152(TPL,E GPIO24 R10 150R V_FET VCC C1 100nF VO R11 100R GND GND_LED U2 TLP152(TPL,E GPIO22 R20 150R V_FET VCC C2 100nF VO R21 100R GND GND_LED Q1 NCE3080A Q2 NCE3080A U3 TLP152(TPL,E GPIO20 R30 150R V_FET VCC C3 100nF VO R31 100R GND GND_LED Q3 NCE3080A U4 TLP152(TPL,E GPIO18 R40 150R V_FET VCC C4 100nF VO R41 100R GND GND_LED Q4 NCE3080A R32 R42 Conn_01xD8 J1
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DC DC Spannungswandler 24 auf 12 40A stribt
Nur eines von vielen Beispielen wie dein Wandler aufgebaut sein könnte. Das Ansteuern des N-Kanal-Mosfet im unteren Zweig ist nun mal viel einfacher als High-Side.
Und der Strom wird gemessen über die Spannung an R14 am Drain der Low-Side-MOSFETs. Der Schaltplan sieht ziemlich schlampig aus. Die Z-Diode U5 mit drei Anschlüssen verstehe ich überhaupt nicht.
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Pioneer Autoradio mit Kabelbaum
Pioneer DEH-4700MP MOSFET 50W x 4 TA AF SEEK SCAN RANDOM REPEAT PAUSE LOCK DISM REC WMA MP3 BAND LOUD AUDIO DISP CH SRC
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step-up-Wandler 5V zu 19V@1,2A
mit Stromquadrat wachsen. Andererseits sind zu hohe Eingangsspannungen auch unbequem, da Ron von MOSFET wächst. 24 Volt würde auch noch gehen, aber für 12 Volt gibt es viel größere Auswahl von Akku (und deshalb günstigere Preise).
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