Transistor

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Kunstwort aus "transfer resistor", was etwa so viel bedeutet wie "übertragener Widerstand".

In den 1950-ern als praktische Anwendung des Halbleiter-Effekts erfundenes "solid state" Schalt- und Verstärkerelement, welches sehr klein ist, ohne bewegte Teile auskommt (anders als ein klassisches Relais) und keine energiefressende Heizung benötigt (anders als eine Röhre).

Vom "bipolaren Transistor" (PNP, NPN) weiterentwickelt zum "Feldeffekt-Transistor" (FET), der heute - gefertigt mit einem preiswerten Verfahren unter Verwendung von Metall-Oxid-Schichten (MOS) - ein wesentliches Element integrierter Schaltkreise (ICs, integrated circuits) darstellt, und damit natürlich auch von Mikrocontrollern, um die es in diesem Wiki hauptsächlich geht (bzw. gehen sollte).

Schaltzeichen[Bearbeiten]

transbce.gif

  • E: Emitter
  • B: Basis
  • C: Collector


In ASCII Schaltplänen sehen Transistoren so aus:

 
                       |>                 |/
NPN      |>   oder    -|       oder      -|
                       |\                 |>

                       |<                 |/
PNP:     |<   oder    -|       oder      -|
                       |\                 |<

Um zu erkennen, ob ein NPN oder PNP Transistor im Schaltplan verwendet wird, gibt es Eselsbrücken:

  • Für Dichter: Tut der Pfeil der Basis weh, handelt's sich um PNP.
  • Für Praktiker: PNP heisst "Pfeil Nach Platte".
  • Mit Dialekt: NPN "'naus, Pfeil, 'naus".
  • ..und für Gleichberechtigungsverfechter: NPN means "Not Pointing iN".


JFET: Transistor JFET.png

MOSFET: Transistor MOSFET.png

  • S: Source
  • G: Gate
  • D: Drain

Eigentlich haben MOSFETs noch einen vierten Anschluss namens Bulk. Der ist aber nur bei Spezialtypen als Pin herausgeführt. Im Normalfall kann man ihn vergessen, da er nicht gesondert beschaltet werden muss, er ist praktisch und auch im Symbol mit Source verbunden.

Achtung: Die NPN/PNP Eselsbrücken funktionieren bei FETs nicht, denn bei einem P-Kanal FET zeigt der Pfeil weg vom FET! Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen. Der BJT wird mittels eines elektrischen Stroms gesteuert und wird zum Schalten und Verstärken von Signalen ohne mechanisch bewegte Teile eingesetzt.

Bipolare Leistungstransistoren sind für das Schalten und Verstärken von Signalen höherer Stromstärken und Spannungen ausgelegt.

Typbezeichnungen[Bearbeiten]

Neben den Typbezeichnungen wie 2Nxxxx, TIPxxx, MJxxx, MJExx gibt es noch die in Europa geläufigere Kennzeichnung bestehend aus zwei Buchstaben und drei Ziffern. Die diversen Kennzeichnungsmöglichkeiten sind in einem eigenen Artikel (Kennzeichnung von Halbleitern) zusammengefasst.

Kenndaten/Parameter[Bearbeiten]

Im Beitrag: Transistorparameter Erklärung sind Links zu Erläuterungen spezieller Kürzel.

Transistor Grundschaltungen[Bearbeiten]

Generell gilt, dass Strom vom Kollektor zum Emitter nur dann fließen kann, wenn die Basis positiver (NPN) bzw. negativer (PNP) wird als der Emitter. Dabei darf die Basis nicht direkt mit Vcc (NPN) oder GND (PNP) verbunden werden, da der Basisstrom sonst zu gross wird. Es muss jeweils ein geeigneter Basiswiderstand (R_Basis) gewählt werden.

Weitere Links:

Es gibt drei Grundschaltungen. Der Name beschreibt den Anschluss, welcher sich auf einem festen Potential (Spannung) befindet. Die beiden anderen Anschlüsse haben bedingt durch die Schaltung ein veränderliches Potential.

Kollektorschaltung (Emitterfolger)[Bearbeiten]

Anwendung:

  • Impedanzwandler
  • Darlington-Schaltung
  • Schalter

Eigenschaften:

  • Keine Phasendrehung
  • Hohe Stromverstärkung
  • Keine Spannungsverstärkung

Beispiel: Transistor als Schalter

  • NPN: Kollektor mit Vcc verbinden, Last an Emitter
  • PNP: Kollektor mit GND verbinden, Last an Emitter

In diesem Fall regelt der Transistor die Spannungen am Emitter, daher wird die Last am Emitter angeschlossen. Die Spannung am Emitter entspricht immer der an der Basis minus 0,6V, sie folgt der Basisspannung, deswegen auch der Name Emitterfolger. Daher ist diese Schaltung nicht geeignet, um 12V mit 5V zu schalten.

NPN Transistor in Kollektorschaltung

Wird R_{Poti} (Spannungsteiler) erhöht, steigt die Spannung U_{Last} letztlich bis auf Vcc-0,6V (Basis-Emitter-Übergang).

PNP Transistor in Kollektorschaltung

Wird R_{Poti} (Spannungsteiler) erhöht, sinkt Spannung an U_{Last} letztlich bis auf 0,6V (Basis-Emitter-Übergang).


Weitere Links:

Emitterschaltung[Bearbeiten]

Die Emitterschaltung bietet hohe Spannungs- und Stromverstärkung.

Anwendung:

  • NF- und HF-Verstärker
  • Leistungsverstärker
  • Transistor als Schalter

Eigenschaften:

  • Phasendrehung 180°
  • Hohe Spannungsverstärkung
  • Hohe Stromverstärkung


Beispiel: Transistor als Schalter

Die Last liegt am Kollektor. Der Strom durch den Schalter oder an U_Schalt steuert den Strom zwischen Kollektor und Emitter. Wird der Schalter geschlossen, fließt ein Strom.

NPN Transistor als Schalter
                   ___                                          ___
Vcc/+ o-----------------------+          Vcc/+ o-----------------------+
                              |                                        |
                     ___    |<            U_schalt (-)       ___     |<  PNP             
             +------|___|---|  PNP             o------------|___|----|
             |     R_Basis  |\                             R_Basis   |\
    Schalter \                |                                        |
             |       ___      |                               ___      |
GND/- o------+------|___|-----+          GND/- o-------------|___|-----+
                   R_Last                                    R_Last     


Weitere Links:

Basisschaltung[Bearbeiten]

Die Basisschaltung findet sich vor allem in Eingangsstufen in der HF-Technik. Im Schaltbetrieb wird sie praktisch nur zur Pegelwandlung für nachfolgende Stufen verwendet.

Eigenschaften:

  • Geringe Eingangsimpedanz
  • Keine Phasenverschiebung
  • Hohe Bandbreite

Weitere Links:

FAQ aus dem Forum[Bearbeiten]

PNP/NPN als Schalter, wohin mit der Last?[Bearbeiten]

Für viele einfache Anwendungen kann man sich merken: Bei Schaltanwendungen darf der Basisstrom nicht durch die Last fließen. Normalerweise kommt dabei die Emitterschaltung zum Einsatz, die Last kommt also an den Kollektor.

 Vcc o-------------+                  Vcc o-----------+
                   |                                  |
                  .-.               An: GND   ___   |<
                  | | R_Last             o---|___|--|   PNP
                  '-'               Aus: Vcc        |\
                   |                                  |
An: Vcc  ___     |/                                  .-.
    o---|___|----|   NPN                             | | R_Last
Aus: GND         |>                                  '-'
                   |                                  |
 GND o-------------+                  GND o-----------+

Siehe Basiswiderstand zur Berechnung des notwendigen Basiswiderstandes bei gegebener Last R_Last für einen Transistor als Schalter.

Siehe auch Threads im Forum:

Wie kann ich mit 5V vom Mikrocontroller 12V und mehr schalten?[Bearbeiten]

Schau mal hier:

oder in diesen Threads:

Bei der Kollektor-Schaltung entspricht die Spannung am Emitter immer der an der Basis, daher ist sie nur bedingt geeignet. Zum Schalten können die folgenden Emitter-Schaltungen verwendet werden. Achtung: In der zweiten davon arbeitet T1 in Basisschaltung.

Schalten gegen GND

 +12V o------------------------+
                               |
                              .-. 
                             ( X )  
                              '-'
                               |
                    ___      |/ T1,NPN   
        uC PIN o---|___|-----| BC547     
                   R2,4K7    |>
                               |
  GND o---------o--------------+


Schalten gegen +12V

 +12V o--------------+----------------------+
                     |                      |
                     |   ____              |< T2, PNP
                     +--|____|----+--------|  BC557
                        R1,4K7    |        |\
                                |/T1,NPN    |
         Vcc/+5V o--------------| BC547     |
                                |>          |
                        ___       |        .-. 
          uC PIN o-----|___|------+       ( X )  
                       R2,4K7              '-'
                                            |
  GND o----------o--------------------------+

Transistor an µC ohne Vorwiderstand[Bearbeiten]

Normalerweise sind IO Pins vom µC nicht in der Lage, große Ströme zu treiben, beim AVR maximal ~20mA. Für einen kleinen Transistor ist das immer noch zu viel und es wäre auch Stromverschwendung.

Deshalb kann man den IO-Pin des AVRs einfach als Tristate Eingang einstellen (Portpin als Eingang und Pullup deaktivieren), damit kein Basisstrom fließt.

Aktiviert man nun den internen Pullup-Widerstand des AVRs, agiert dieser als Basisvorwiderstand, und es fließt nur ein geringer Basisstrom (die Pullups eines AVRs liegen irgendwo bei 50k bis 100k Ohm - siehe Datenblatt).

Nur sollte man bei kleinen Transistoren aufpassen, dass man den Portpin in der Software nie als aktiven Ausgang schaltet.

Wenn der verwendete µC zuschaltbare Pulldown-Widerstände an seinen Pins besitzt, kann man das gleiche auch mit einem PNP-Transistor machen (natürlich nur den Pulldown aktivieren).

Eine Anwendung wären z. B. Nixie-Röhren-Kathodentreiber (geringe Stromverstärkung nötig).

Wann bipolare (NPN/PNP) und wann FETs (insbesonders, wenn LEDs im Spiel sind)?[Bearbeiten]

Oft sind bipolare Transistoren (NPN/PNP) schon ausreichend, vor allem wenn "normale" LEDs (20mA) verwendet werden. FETs sind u.a. dann gut, wenn mit geringen Eingangsströmen hohe Ausgangsströme (über 300 mA) geschaltet werden sollen, also bei den Power-LEDs (Luxeon...).

Ein Grenzfall: 500mA/5V schalten, siehe http://www.mikrocontroller.net/topic/62327.

Wieso gehen bei einer Multiplex-Anzeige mit Schieberegister 74HC595 und (Darlington-)Transistor als Zeilentreiber die LED nicht ganz aus?[Bearbeiten]

Das liegt an der Miller-Kapazität des übersteuerten (Darlington-)Transistors. Der braucht erst mal einige 10µs, um zu sperren. Du mußt also erstmal beide Zeilen ausschalten, dann etwas warten und dann die nächste Zeile an. Oder Du ersetzt die Darlington durch P-FETs. [1]

Wie steuert man ein Relais?[Bearbeiten]

Normalerweise verwendet man zur Ansteuerung von Relais NPN-Transistoren in Emitterschaltung. Freilaufdiode nicht vergessen!

Siehe auch:

Was ist die Spannung U_{BE\_sat} (lt. Datenblatt max. 1,2V)?[Bearbeiten]

Bekanntlich verhält sich die Basis-Emitter Strecke eines Transistors wie eine Diode und U_{BE\_sat} ist die bei maximal zulässigem Basisstrom anliegende Vorwärtsspannung.

Was bewirkt ein Kondensator (100µF-1nF) parallel zur Basis-Emitter-Strecke nach Masse?[Bearbeiten]

Er wirkt mit dem Basisvorwiderstand als RC-Tiefpass. Damit wird der Transistor eigentlich nicht mehr als Schalter, sondern als Linearregler betrieben. Manche Verstärker-Schaltungen sind, gerade bei hohen Lasten, sehr schwingfreudig. Deswegen ist bei PWM so ein C nicht sinnvoll.

Gibt es einen IC, der wie mehrere Transistoren funktioniert?[Bearbeiten]

Gibt es! Beispielsweise der ULN2803 ist ein 8-fach Darlington Transistor Array mit Open-Collector Ausgang. Damit lässt sich z. B. ein Leistungstreiber zur Ansteuerung von Schrittmotoren, Relais und anderen induktiven Lasten aufbauen.

Gibt es ein Transistor-Array wie ULN28xx, das gegen Vcc schaltet?[Bearbeiten]

Such mal nach UDN29xx, z. B. UDN2981, UDN2987 ...

Allegro hat zwischenzeitlich seinen Source-Treiber umbenannt. Die Bauteile heißen jetzt A2981, A2982 usw... Die Datenblätter sind identisch geblieben.

Nachteil eines Darlington-Source-Treibers ist die hohe Sättigungsspannung (VceSat) von typisch 1,2 V. Die Eingangsspannung sollte dementsprechend höher ausgelegt werden oder gleich ein Source-Treiber mit MOSFET-Transistoren gewählt werden (z.B. Infineon ProFETs).

Wann setzt man einen MOSFET, Bipolartransistor, IGBT oder Thyristor ein ?[Bearbeiten]

siehe Leistungselektronik

Die Summe allen Übels ist konstant. Man muss wissen, welches Bauteil sich wofür besonders eignet.

MOSFET[Bearbeiten]

Vorteile

  • Bei niedrigen Spannungen <100V sehr gut geeignet, <200V gut geeignet, sehr geringe R_DS-ON Widerstände möglich (einstelliger mOhm-Bereich)
  • Hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich
  • Geringe An- und Ausschaltverluste
  • Statisch praktisch leistungslos steuerbar
  • Bodydiode kann als Freilaufdiode in H-Brücken verwendet werden
  • 2. Durchbruch bei Überschreiten der max. Drain-Source Sperrspannung zerstört das Bauteil nicht, wenn der Strom sowie die Energie begrenzt werden. (Verhalten wie Z-Diode)

Nachteile

  • Antiparallele Diode (Bodydiode) ist in nahezu allen MOSFETs unvermeidlich, daduch Sperren nur in einer Polarität möglich, Stromfluss über den MOSFET aber in beiden Richtungen möglich (Inversbetrieb, Synchrongleichrichter)
  • Bei Sperrspannungen >100V deutlich steigende Einschaltwiderstände (R_DS-ON)
  • Schnelles Umschalten erfordert hohe Lade-und Entladeströme (MOSFET-Treiber)
  • Leitverluste quadratisch proportional zum Strom, Pv = I²*R_DS-ON

Bipolartransistor[Bearbeiten]

Vorteile

  • Hohe Spannungsfestigkeiten möglich, bis zu 2000V
  • Sehr hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich
  • Leitverluste etwa linear proportional zum Strom und Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, Pv = I * Uce-sat, U_CEC-sat typ 0,1...2.5 V

Nachteile

  • Stromgesteuert, damit wird immer eine gewisse Ansteuerleistung benötigt
  • Bei grossen Kollektorströmen nimmt die Stromverstärkung deutlich ab, dann wird ein großer Basisstrom benötigt
  • 2. Durchbruch bei Überschreiten der max. Kollektor-Emitter Sperrspannung zerstört das Bauteil

IGBT[Bearbeiten]

Vorteile

  • Hohe Spannungsfestigkeiten möglich, bis zu 6600V, in üblichen Bauformen bis ca 1700V gut verfügbar
  • Statisch praktisch leistungslos steuerbar
  • Mit oder ohne antiparallele Diode zur Kollektor-Emitter-Strecke verfügbar
  • Leitverluste linear proportional zum Strom und Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, Pv = I * Uce-sat, U_CE-sat typ. 2V

Nachteile

  • Nur mäßige Schaltfrequenzen möglich (typ. <30..50kHz)
  • Schnelles Umschalten erfordert hohe Lade-und Entladeströme (MOSFET-Treiber)
  • 2. Durchbruch bei Überschreiten der max. Kollektor-Emitter Sperrspannung zerstört das Bauteil

TRIAC/Thyristor[Bearbeiten]

Vorteile:

  • Sehr hohe Spannungsfestigkeiten möglich (800V...mehrere kV, Thyristoren bis 12kV)
  • Mit kurzen Pulsen einschaltbar, danach Selbsthaltung des Stromflusses
  • Leitverluste linear proportional zum Strom, Pv = I * Uak, Uak typ. 0,8...1,5 V

Nachteile

  • Auf niedrige Schaltfrequenzen beschränkt (kHz-Bereich, Schaltzeit im Bereich von µs)
  • Anstiegsgeschwindigkeit des Stromes muss begrenzt werden, sonst kommt es zu Bauteilschäden
  • Anstiegsgeschwindigkeit der Spannung muss begrenzt werden, sonst kommt es zum ungewollten Zünden
  • Stromfluss kann nicht ausgeschaltet werden, damit meist nur Einsatz an Wechselspannung
Bauteil optimales Einsatzgebiet Kommentar
MOSFET 0..200V, 0..500A im Kleinspannungsbereich meist die beste Wahl als Schalter
Bipolartransistor 0..1000V, 0..10A wird mehr und mehr von MOSFETs verdrängt
IGBT 200..1700V, 0..500A optimal für hohe Spannungen und hohe Ströme
Triac/Thyristor 230V, 400V, 680V, bis mehrere kV, 0..100A meist für Wechselspannung, im Pulsbetrieb einige kA. Thyristoren bis 1000A im Dauerbetrieb (Scheibenzelle)

Wie finde ich den richtigen Transistor für eine LED-Ansteuerung?[Bearbeiten]

Quelle: Beiträge [2] und [3] von yalu

Um am Anfang wenigstens ein bisschen den Durchblick im Transistordschungel zu behalten, kannst du folgendermaßen vorgehen:

Nomenklatur

Nach der amerikanischen Nomenklatur beginnen die Transistornamen meist mit 2N (z. B. 2N2222 oder 2N3055) und nach der japanischen mit 2S (z. B. 2SC1815). Für den Anfang kann man sich auf europäische Transistoren beschränken, da es diese in ausreichender Auswahl gibt und die Bezeichnungen relativ gut den Transistortyp wiedergeben:

Der erste Buchstabe bezeichnet das Halbleitermaterial (A=Germanium, B=Silizium). Germaniumtransistoren werden heute nur noch selten verwendet.

Der zweite Buchstabe steht für den Einsatzzweck (C=Universal, D=hohe Leistung, F=Hochfrequenz, U=hohe Spannung).

So ist also ein ACxxx ein Germaniumuniversaltransistor und ein BDxxx ein Siliziumleistungstransistor.

Auswahl

Wenn du dich für einen Grundtyp entschieden hast (für die LED ist ein BC-Typ das Richtige), gehst du auf die Webseite eines Elektronikhändlers (Reichelt, Kessler usw.), schlägst die Seite mit den BC-Transistoren auf. Da gibt es natürlich sehr viele davon, und du brauchst jetzt eine Suchreihenfolge. Als erstes Auswahlkriterium nimmst du den Preis, denn:

  • Zuviel Geld hast wahrscheinlich nicht einmal du.
  • Billig ist meist das, was in großen Stückzahlen hergestellt wird. Was für die Masse gut ist, ist (zumindest in diesem Fall) meist auch für dich gut.
  • Was billig und damit in Massen verkauft wird, bekommst du auch bei anderen Händlern und auch noch in 10 Jahren. Das ist wichtig, wenn deine Schaltung irgendwann einmal in Serie gefertigt werden soll.

Gleich als nächstes überlegst du, ob du einen NPN- oder einen PNP-Typ brauchst. Das ergibt sich aus der Anordnung der Bauteile in deiner Schaltung. Hast du die Möglichkeit, die Schaltung wahlweise für einen NPN- oder einen PNP-Typ auszulegen, wählst du die Variante mit dem NPN-Typ. Um einfach eine LED über einen Mikrocontroller einzuschalten, ist i.Allg. ein NPN-Typ in Emitterschaltung richtig.

Ein weiteres wichtiges Kriterium ist die Befestigungstechnik: Wenn dir die SMD-Löterei etwas suspekt ist, lässt du die entsprechenden Modelle erst einmal alle außen vor. Ein typisches Nicht-SMD-Gehäuse für Universaltransistoren ist TO-92. Es gibt im Internet bebilderte Listen mit den einzelnen Gehäuseformen (IC-Gehäuseformen#Weblinks)

Wenn du jetzt also bei Reichelt die BC-Transistoren nach Preis aufsteigend sortiert hast, siehst du erst einen Schwung SMD-Tranistoren. Dann kommen ein paar Transistoren im TO-92-Gehäuse, die sind aber PNP. Etwas weiter unten kommt der erste NPN-Transistor in TO-92, nämlich der BC547C. Netterweise stehen gleich ein paar Eckdaten dabei:

BC547C  45V  0,1A  0,5W

Die 45V sind die maximale Kollektor-Emitter-Spannung, in deinem Fall also die Spannung, die du maximal schalten kannst. Da die LED bei Weitem keine 45V braucht und deine Versorgungsspannung eher in der Gegend von 5V liegt, bist du auf jeden Fall auf der sicheren Seite.

Deine LED wird typisch mit 20mA (max. 30mA) betrieben. Der BC547C kann 100mA, also ist auch hier noch Luft.

Zur maximalen Verlustleistung (0,5W): Wenn deine LED eingeschaltet ist, fließen bspw. 20mA. Ist der Transistor voll durchgesteuert (in Sättigung) beträgt die Kollektor-Emitter-Spannung bei diesem geringen Strom typischerweise zwischen 0,1V und 0,2V (Genaueres steht im Datenblatt). Am Transistor wird also maximal die Leistung 20mA·0,2V=4mW in Wärme umgesetzt. Bis zu 500mW dürfen es sein, also ebenfalls ok.

Nachdem du den Transistor in engere Auswahl gezogen hast, lohnt sich auf jeden Fall ein Blick ins Datenblatt. Aus den Tabellen und Diagrammen erfährst du bspw., wie hoch der Basisstrom sein muss, um den Kollektorstrom von mindestens 20mA bei ausreichend geringer CE-Spannung bereitzustellen. Dort ist auch erklärt warum es einen BC547A, BC547B und BC547C gibt. Der letzte Buchstabe gibt nämlich die Stromverstärkungsklasse an. Da eine hohe Stromverstärkung meist wünschenswert ist und in diesem Fall keinen Aufpreis kostet, ziehst du den BC547C den anderen beiden vor.

Da in deiner Anwendung HF- und Rauschverhalten keine Rolle spielen, bist du schon am Ziel angelangt.

Würde deine LED 100mA statt 20mA benötigen, wären die max. 100mA des BC547 etwas knapp bemessen. Du blätterst also in der Reichelt-Liste weiter und stößt auf den BC337-40 mit 45V, 0,5A und 0,525W. Das ist genau das, wonach du suchst. Bei diesem Transistor sind die Stromverstärkungsklassen durch die Endungen -16, -25 und -40 gekennzeichnet. Es wäre ja auch zu einfach, wenn immer nur A, B und C verwendet würde ;-)

Bei Strömen ab etwa 500mA kommt man an die Grenze der Leistungsfähigkeit der BC-Typen. Dann geht es weiter mit BD. Der BD135 geht bspw. schon bis 1,5A. Das Problem bei solchen größeren Transistoren: Die Stromverstärkung ist nicht besonders hoch, so dass irgendwann der Mikrocontroller nicht mehr den benötigten Basisstrom liefern kann. Dann muss dem großen Transistor ein kleiner vorangeschaltet werden, um den erhöhten Basisstrom bereitszustellen. Man kann diese Kombination von zwei Transistoren auch fertig als Darlington-Transistor kaufen, von denen ebenfalls einige in der BD-Reihe zu finden sind (z. B. BD647). Ein Transistortyp, der sich sehr gut zum Schalten höherer Ströme eignet, ist der MOSFET.

Wie schon oben angedeutet: Wenn die 30-80V die die meisten BC- und BD-Transistoren abkönnen, nicht ausreichen, suchst du weiter bei BU.

Steigst du in die HF-Technik ein, sind BF-Transistoren eher das Richtige, wobei bei HF-Anwendungen die Auswahl der Transistoren nicht mehr das Schwierigste ist ;-)

Und wie geht's weiter?

Man könnte natürlich noch viel mehr zu diesem Thema schreiben. Ich hoffe aber, dass das Geschriebene dir wenigstens grob zeigt, wie man bei nicht allzu speziellem Anforderungen relativ schnell zu einem gewünschten Transistortyp kommt, der nicht nur die technischen Anforderungen erfüllt, sondern auch leicht beschaffbar ist.

Werden die Anforderungen spezieller, helfen oft die Selektionstabellen auf den Webseiten der einschlägigen Hersteller weiter. Auch Händler wie Farnell haben teilweise ganz gute Auswahlwerkzeuge.

Wenn du dich intensiv mit Elektronik beschäftigst, wirst du wahrscheinlich noch viele Schaltungen von Leuten zu Gesicht bekommen, die vielleicht schon etwas weiter fortgeschritten sind. Dabei wirst du immer wieder auf bestimmte Standardtypen von Transistoren (und auch anderen Bauteilen wie Operationsverstärker u.ä.) stoßen und sehen, welche Standardbauelemente "man" üblicherweise für bestimmte Anwendungen einsetzt. Mit der Zeit setzt sich dann eine Auswahl von bspw. 10 oder 20 verschiedenen Transistoren und 5 bis 10 verschiedenen OpAmps im Kopf fest, von denen man die wesentlichen Parameter auswendig kennt, so dass man ohne aufwendige Suche eine schnelle Auswahl treffen kann. Auch hier in der Artikelsammlung gibt es eine solche Transistor-Übersicht.

Wo ist die Antwort auf meine Frage?[Bearbeiten]

Vielleicht im Forum? Falls du sie da findest, dann pack das ganze doch hier rein.

Gegen Vcc oder GND schalten

Siehe auch[Bearbeiten]

Gehäusebauformen von Transistoren[Bearbeiten]

TO-92[Bearbeiten]

Ein kleiner Aufsatz über TO-92 Transistorgehäuse und Footprints findet sich unter: Media:TO-92-Gehaeuse_RevB2.pdf.


Weblinks[Bearbeiten]