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Induktivität von Leiterstrukturen bestimmen.
herausfinden, ob Schaltung bei die 62kHz/50A auch ohne externen 10mF-Elko arbeitet, ohne TVS-Dioden und Mosfets zu überhitzen. Man erkennt die 4 Mosfets. Oben im Bild ist 50V unten 0V. Auf der "Rückseite" sind Wago-Klemmen und Kupfer zur Verstärkung der Strompfade. (75µm-Kupfer) In der Mitte erkennt man
Hoppla! Bei welcher Spannung? > auch ohne externen 10mF-Elko arbeitet, ohne TVS-Dioden und > Mosfets zu überhitzen. Da fehlt noch der Schaltplan. > Man erkennt die 4 Mosfets. Oben im Bild ist 50V unten 0V. Auf der > "Rückseite" sind Wago-Klemmen und Kupfer zur Verstärkung der Strompfade.
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Wie funktioniert Diseqc-Umschalter
überlagerte HF durchschalten. Die parallelgeschalteten Transistoren für die beiden LNBs könnten p-MOSFETs sein. Die Stromquelle in der Ansteuerung lässt mich im Nachhinein doch eher PNPs vermuten. Unklar ist mir die Funktion des "mittleren" Transistors. Schaut auch aus wie eine Stromquelle, die den
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MR760 Diode Ersatz für PFC Kreis
Hallo, ich suche Ersatz für MR760 Diode. PFC Mosfet und die Diode ist defekt gegangen. Es ist ein Netzteil mit 460W max. Eingangsspannung 230V. Bei ebay gibt's viele Fälschungen, Mouser/TME hat sowas nicht mehr. Danke.
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Wechselspannung Nabendynamo begrenzen
Daniel B. schrieb im Beitrag #7701566: > Heute kam mein Deplition Mode Mosfet an. Die erste Probefahrt eben war > ein voller Erfolg. Sehr gut! Du kannst ja nochmal schreiben, welchen FET du nun bestellt hast und wie Du ihn verbaut hast. So als Zusammenfassung/Fazit.
Hallo. Kann ich machen, wenn Interesse besteht :-) Mosfet ist ein DN3535N8-G, wegen seiner geringen Größe im SOT-89 Format habe ich mich für den entschieden, recht Teuer, aber für ein Einzelprojekt im Privatsektor voll ok. Auch die anderen Parameter schienen
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Reparatur SNT NFN90-7630 aus HP 54645A - Bauteilidentifikation
NFN90-7630 aus einem HP 54645A Oszilloskop zu reparieren. Einige defekte Bauteile (Transistor und MOSFET) habe ich lokalisiert und bereits getauscht. Aktuell fehlt mir die Startspannung für den Schaltregler UC3842AN. Ich habe jetzt ein mir unbekanntes Bauteil aus der Vergussmasse ausgegraben, welches
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Schaltplan einer H-Brücke mit MOSFETs und Transistoren
+10V, C10, 100n, IC8E, PWM1, 74106D, BC817, Q11, R10, C8, R5, 5mA, Q3, Q4, BC817, BC807, C1, 100n, HIGH1, BSP171P, T1, C3, T3, BSP3205, T4, HIGH2, C4, 100n, Q6, BC817, Q9, BC807, PWM2, IC5D, 74106D, Q8, BC817, Q7, BC807, Q10, BC807, Q12, BC817, R2, C7, PWM_B, +10V, GND, +10V, Q2, BC817, Q5, BC807, C2, 100n, LOW1, LOW2
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Cmos H-Brücken Inverter saugt Quelle leer
bekomm ich auf die chnelle nicht zusammen. Die CMOS sind zwei Si4559ADY, dargestellt als N- und P-MOSFET.
/technics-base-circuits-h-bridge_ge.htm Noch ein paar Beispiele: https://blasted.de/threads/mosfet-aktive-motorbremse-active-breaking-system.5645/ https://www.arduinoforum.de/attachment.php?aid=7216
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(S) PNP-Transistorarray
keine Freilaufdioden. Braucht der lt App-Note nicht. Der limitiert Vout auf -1.3V, der wird den Mosfet dann wieder leicht öffnen bis der Strom abgeklungen ist.
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Schaltplan einer Gate-Treiber-Schaltung mit MOSFETs
Vcc D3 V3 30V U2 HO high1 M1 Vdd C7 100n VB IR2110 R3 10k HIN SD VS Source1 C8 100n LIN COM R_mot1 0.6 L_mot1 1.5m COM1 low1 irfbsl3206pbf M2 R4 10k D1 1N4148 low1 D2 1N4148 COM1 R1 100k C2 10n U1 VCC GND DIS TRIG THRS OUT CONT RST C1 1n C3 100n D4 PDZV15B R2 3k
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Relaisansteuerung mit ESP32 macht mich völlig ratlos
unterschiedlich reagieren. Morgen fange ich nochmal mit dem Steckbrett an. Wird nur schwierig, weil ich SMD MOSFET verwendet habe.
Uwe S. schrieb im Beitrag #7695550: > weil ich SMD MOSFET > verwendet habe. Zum Testen auf einem Steckbrett könntest du auch einen NPN-Transistor (bedrahtet) verwenden.
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Verstärkerschaltung von DC 3-5v 0,5A auf 5-12v 2A
trotzdem den bot nicht wegschmeissen möchte.. deshalb danke für deine Hilfe und Geduld. Welchen mosfet würdest vorschlagen? Ja läuft nur vorwärts.
dass Du die Motorreglung komplett neu > erdenken musst. Warum? Statt dem 5V Motor kommt da ein MOSFET dran. Fertig.
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Schaltplan einer MOSFET-Treiberbeschaltung
Vcc V1 V2 D3 C6 U2 high1 IR2110 VD D C7 100k Q1 VB VS VCC 100n COM1 low1 M1 irfbsl3206pbf 30V R3 100k Source1 R_mot1 L_mot1 0.6 1.5m SD LIN COM VSS LO Q2 M2 irfbsl3206pbf low1 R4 100k D1 1N4148 C2 10n D2 1N4148 COM1 VCC GND DIS TRIG THRS OUT CONT RST C1 1n C3 100n D4 TDZV15 R2 3k V6 V7 5 0
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Handgezeichneter Schaltplan eines Audio-Konverters
Frequenzen (z.B. 20m-Band) werden auf beispielsweise 1,6MHz konvertiert und können dann mit dem Dualgate-MOSFET-Audion in einer "bequemen Frequenzlage" empfangen und demoduliert werden. Ant. 8p 2p7 L Cx NE602 1 4 2 5 6V 10k 20k 10k 100n 2p7 BF961 1K 47uH 22n 1uF NF out 30p 30p 70p 100n ca. 50uH 10% 220R 470R
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Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, Q1, HIN, VB, VS, C8, Source1, VCC, COM1, low1, IR2110, Q2, LIN, COM, LO, VSS, R3, 100k, irfbsl3206pbf, M1, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, irfbsl3206pbf, M2, low1, R4, 100k, COM1, trig1, R1, 100k, C2, 10n, D1, D2, D, D, D4, D, R2, 22k, C3, 100n, TLC558, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, C1, 1n
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Schaltplan einer Treiberschaltung mit MOSFETs
D3, Vcc, C6, 100n, IR1, high1, U2, Vdd, C7, 100n, Q1, HIN, VB, VS, SD, VCC, COM, LO, LIN, VSS, IR2110, Source1, M1, irfbsl3206pbf, R3, 100k, R_mot1, L_mot1, 0.6, 1.5m, V3, 30V, low1, M2, R4, 100k, COM1, irfbsl3206pbf, low1, IR1, D1, C2, 10n, D2, D, trig1, R1, 100k, U1, GND, VCC, DIS, TRIG, THRS, OUT, CONT, RST, TLC555, C3, 100n, D4, D, R2, 22k, C1, 1n
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Text und Schaltplan eines MOSFET-Audio-Verstärkers
5.6.4. MOSFET-Audion Bild 5.34 MOSFET-Audion für MW-Sender-Nahbereich Bild 5.35 a KH (1 kΩ) T1 SMJ103/104 SMJ12 GA100 aa 10 kΩ 250 Ω 10 Ω 10 nF C1 C2 C3 C4 C5 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF 10 nF
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Handgezeichneter Schaltplan und MOSFET-Bauteil
+40V DC (PV) R rein ohmsch 50 Ω +15V G 1 kΩ 1 MΩ E DG30X07T2 dosemi TEPDGAF02
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Überlastschutz Solid State Relais / PhotoMOS
Halbleiter einsetzen, optisch getrennt > ("PhotoMOS"). Ungeeignet für induktive Lasten. Ein MOSFET kann bei Maximalstromüberschreitung (gemessen per shunt und Komparator) in Mikrosekunden abgeschaltet werden, ein PhotoMOS nicht, der braucht Millisekunden und brennt dabei durch. TRIACs sind deutlich
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H-Brücke mit 100% Duty-Cycle
Danke Matthias für die schnelle Antwort. Leider soll/muss ich N-Kanal Mosfets verwenden. Du schreibst, dass das Gate des Highside Mosfets zu viel Spannung sieht. Das hab ich mir auch schon überlegt. Wäre es möglich die Ladungspumpe auf Source des Mosfets zu legen? Dann würde
CONT-Eingangs messe, liegt hier eine Spannung von 14,4V an. An Vcc liegen bei schaltendem Highside Mosfet 30V an. Das passt dann doch? Noch eine weitere Frage: Die Pulldown Widerstände der Mosfets, sind diese notwendig bzw verbessern diese das ansprechverhalten der Mosfets? So wie ich es verstanden
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Schaltplan einer Heizungssteuerung mit NTC und MOSFET
VIN (5V) R11 18k C11 0.1uF U11C TS912 R13 10k R15 120k U11A TS912 3 2 1 R12 10k NTC 3435K R14 10k GND UNDERTEMP Q11 IRF7413 D R16 1K D11 LED C12 0.1uF Heater+ J11 Heater (5V, max. 0.6A) Heater- U11B TS912 5 6 7 GND
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SMD Bauteilbezeichnung gesucht
Hallo, das Teil in Bild 1 ist als Gate-Treiber eines (ST)P80NF06 Power MOSFET verschaltet. Der MOSFET ist explodiert und hat den Gate-Treiber mit gerissen. Das Teil ist mehrfach auf der Platine vorhanden (Bild 2). Mit "1B" fange ich nun so gar nichts an. Wer kann helfen?
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suche nach geeignetem Optokoppler
Ich muss einen ESP32-C3 mit einem PIC16LF1825 ein- und ausschalten, dazu nutze ich einen P-Channel MOSFET, das funktioniert schon gut. Jetzt möchte ich aber noch Daten zwischen PIC und ESP und vice versa übertragen solange der ESP aktiv ist, es werden nur ein paar Bytes übertragen, 9600 Baud reicht
muss einen ESP32-C3 mit einem PIC16LF1825 ein- und ausschalten, dazu > nutze ich einen P-Channel MOSFET, das funktioniert schon gut. > > Jetzt möchte ich aber noch Daten zwischen PIC und ESP und vice versa > übertragen solange der ESP aktiv ist, es werden nur ein paar Bytes > übertragen, 9600
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Verkaufe Konvolut an IC´s und LED´s/ IC´s Identifizieren
MK48H64-120 (SRAM) 2€ ICM2812DC (First in First out Memory)2€ TMS2708 2€ SN75370N (Vierfach Mosfet)2€ MM1702AQ 5€ PAL16L8ANC 3€ T74L39B1 (Zähler IC)1€ SN74S283 (Zähler IC)3€ Wenn euch die preise nicht passen bin ich gern offen für Verhandlungen, aber übertreibts nicht ;) Das
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Freiberufliche Tätigkeit im Embedded SW-Bereich
Hardwareentwicklung beschäftigt. Dort habe ich BLDC-Treiber designt, zum Teil sogar mit diskreten MOSFET-Treibern. Gesteuert werden die Treiber mit einem ATTiny 8-Bit Mikrocontroller. Ich bin sehr geübt im Bestücken. Zudem habe ich einen sehr starken Feinmechanik-Background aus der Lehre. In meiner
Hardwareentwicklung beschäftigt. > Dort habe ich BLDC-Treiber designt, zum Teil sogar mit diskreten > MOSFET-Treibern. Gesteuert werden die Treiber mit einem ATTiny 8-Bit > Mikrocontroller. Ich bin sehr geübt im Bestücken. Es ist eher uninteressant, mit welcher µC-Familie du gearbeitet hast. Und wenn,
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Kalten Akku bei angeschlossener Stromquelle vorheizen
sind für den gewählten Komparator (der TS912 kann max. 130mA am Output), benötigt ich noch einen MOSFET als Schalter, damit Heizelement und Indikator-LED von der Stromquelle direkt betrieben werden. Die Wahl fiel auf dem IRF7413 (n-Channel, schaltbar mit 5V, mind. 2A I_D). Also konkret: * Kann man das alles grundsätzlich so machen oder liege ich völlig daneben? * Sind Komparator und MOSFET adäquat gewählt? * Wie rechne ich um zwischen Temperatur und Widerstand bei der Hysterese? Besten Dank! Edit: Schaltplan doppelt hochgeladen und jetzt weiß ich nicht, wie man einen davon löscht
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Schaltplan einer Heizungssteuerung mit MOSFET und Operationsverstärkern
VIN (5V) Heater+ R16 1K C12 0.1uF J11 Heater (5V, max. 1.6A) 1 2 D11 LED Heater- Q11 IRF7413 G D S U11A TS912 3 + 1 2 - R15 120k UNDERTEMP R14 10k R13 10k R12 10k NTC 3435K U11C TS912 8 4 V- C11 0.1uF R11 18k GND GND GND U11B TS912 5 + 6 - 7 GND
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Nahaufnahme einer bestückten Leiterplatte mit Bauteilbeschriftungen
NC7SZ125 U4 R61 C65 R62 000 000 R57 R63 R64 000 54C R36 000 R58 C66 84J 18C U7 R69 B8LC 010 R68 U5 n-MOSFET 000 R65 SN74LVC1G04
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Lüftersteuerung mit Poti für Wohnwagen
meinem Holzkohlegrill arbeitet ein 12V 120mm Lüfter mit PWM - Poti, ATTiny mit 78L05, Logiclevel-Mosfet. Das funktioniert prächtig. Sollten sich die Lüfter gegenseitig stören, kann man ja auch für jeden Lüfter einen Transistor oder Mosfet vorsehen.
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Gibt es diskrete Schaltungstechniken, die erst in jüngerer Zeit entwickelt wurden?
Ich glaube Leistungs MOSFET mit Innenwiderständen im Milliohm Bereich sind relativ neu, obwohl es schon lange CMOS ICs und schwache diskrete MOSFET gibt. Erfunden wurden sie vor ca. 100 Jahren.
obwohl MOSFET zuerst erfunden wurden.
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Schaltplan und Simulationskurven eines MOSFETs
MOSFET_langsam.asc MOSFET_langsam.raw V(gate) 15V 13V 11V 9V 7V 5V 3V 1V -1V V(drain) V(ds) V(esw) I(d(M1)) 3.3kW 300V 270V 240V 210V 180V 150V 120V 90V 60V 30V 0.3kW -30V 50A 45A 40A 35A 30A 25A 20A 15A
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Schaltplan und Oszilloskop-Messkurven eines MOSFETs
MOSFET_langsam.raw R1 S drain esw V2 1N4148 1Meg M1 IXTH8N30P B1 250 V(gate) 14V 12V 10V 8V 6V 4V 2V 0V V(drain) 440V 400V 360V 320V 280V 240V 200V 160V 120V 80V 40V 0V V(esw) V(M1) 66A 64A 62A 60A 58A 56A
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Schaltnetzteil läuft nicht an UCC3818
beim Abschalten zusammenbricht. Also scheint die anlaufschaltung in Ordnung zu sein. Der große Mosfet Treiber (IRFP450) scheint auch in Ordnung zu sein. nun bin ich mit der restlichen Analyse etwas überfragt. Habt ihr ein Tipp für mich, was ich als nächstes Prüfen könnte?
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defekter POE Splitter
zu den anderen Bauteilen geben was diese sein könnten oder > sind? Ein paar hatte ich schon. MOSFET stimmt allerdings nicht. Rest kommt noch.
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Welches Bauteil (Diode?) ist das?
Edit: Sorry, dachte das wäre naheligend ein Allegro motortreiber, ist aber wohl ein AP4951GM Mosfet.
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Frage zur Schaltung
auch aus "Schottkymaterial"? Ganz dicht scheinst du nämlich auch nicht. Die Body-Diode eines MOSFET ist einfach nur der pn-Übergang von Drain zum Substrat. Kein Schottky-Kontakt. Und was dein ominöses "Schottkymaterial" sein soll würde mich auch mal interessieren. https://de.wikipedia.org/wiki
Das Diodensymbol im MOSFET-Schaltzeichen ist übrigens das amerikanische Symbol einer Zenerdiode.
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Schaltplan mit Mikrocontroller, MOSFET und LED
+5V R10 560 R11 22k D1 LED RED 2 Q4 FDD8880 1 R8 1k R9 10k PIC16F1508 GND
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IGBT (mit Diode) geht immer wieder defekt
David schrieb im Beitrag #7693577: > Aber es war auch die Rede, dass dies auch bei MOSFETs passieren kann. MOSFETs und IGBTs sind hier sehr ähnlich. > Aber MOSFETS sind doch auch als Linearregler oder Verstärker nutzbar. IGBTs auch, wenn gleich das nur selten gemacht wird. >
David schrieb im Beitrag #7693356: > Und kann das auch bei einem reinen MOSFET (Power Mosfet) derart > passieren Ja, natürlich. Mosfets und IGBT im Schaltbetrieb werden im Idealfall von einem aktiven Treiber angesteuert, damit das Umschalten in beide Richtungen schnell
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Handgezeichneter Schaltplan und MOSFET-Bauteil
+40V DC (PV) R rein ohmsch 50 Ω +15V G 1 kΩ 1 MΩ E DG30X07T2 dosemi TEPDGAF02
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Voltage Drop bei angeschlossenen Verbrauchern
eigentichen Thema: wenn das Eingangssignal nur 5V oder gar nur 3,3V hat, dann wird das mit dem genannten Mosfet eh nichts, da der ein paar Volt mehr zum sicheren Durchschalten braucht.
Thema: wenn das Eingangssignal nur 5V oder gar nur 3,3V > hat, dann wird das mit dem genannten Mosfet eh nichts, da der ein paar > Volt mehr zum sicheren Durchschalten braucht. Liest Du nicht? Diesen Hinweis hat der TO bereits 15 Minuten nach Eröffnung des Threads erhalten. Michael B. schrieb
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SOT23 N-Channel mosfet mit unkonventionellen Pinout gesucht.
Mal angenommen jemand hätte in Kicad den falschen Footprint für N-Channel Mosfets im SOT23 Gehäuse ausgewählt, und jetzt einige Platinen hier liegen die gerne logiclLevel Mosfets mit Pin 1 = Drain, Pin 2 = Gate, Pin 3 = Source erwarten: Gibt es da eine bezahlbare Option, oder
im Beitrag #7691607: > angenommen jemand hätte in Kicad den falschen Footprint für > N-Channel Mosfets im SOT23 Gehäuse ausgewählt Das ist doch einfach: dann muß er den MOSFET nehmen, für den der Footprint ursprünglich gezeichnet wurde. Was sagst du? Da steht gar kein Typ dabei? Das ist ein "generischer
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Relais über Treiber mit MC steuern
gleichzeitig einschalten. Meine erste Überlegung bestand aus einer Schaltung bei der jeweils ein n-Mosfet (Anreicherungsmodus) ein Relais schaltet. Gleichzeitig wird ein Verarmungsmosfet geschaltet, um die Masse für das 2te Relais zu trennen. Nun würde ich das Paket gerne als IC haben. Sprich 12V Versorgungsspannung
Thomas schrieb im Beitrag #7690683: > aus einer Schaltung bei der jeweils ein n-Mosfet (Anreicherungsmodus) ein > Relais schaltet. Gleichzeitig wird ein Verarmungsmosfet geschaltet, um > die Masse für das 2te Relais zu trennen. Vergiss das mit den selbstleitenden Mosfets. Das ist
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Schaltplan und Kennlinien eines MOSFETs
D1 Q2 DN 2540 R1 GND Typical Performance Curves Output Characteristics VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V ID (amperes) VDS (Volts) Saturation Characteristics ID (miliamps) VGS = 1.0V 0.5V 0V -0.5V -1.0V VDS (volts)
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Leistungs-MOSFET auf Kühlkörper mit Verkabelung
IRFP360 IZR 928P -08
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MPP Tracker mit IGBT - wie Steuerspannung für IGBT generieren
deutlich besser. Siehe Anhang. Nahezu Null Ruhestrom und bis 600V nutzbar. Es funktioniert jeder 650V MOSFET oder IGBT.
Ich würde das mit dem IGBT lassen. Den Bereich, den man da braucht, erreicht man locker mit MOSFETs. IGBTs sind was die Ansteuerung angeht manchmal ziemliche Divas, etwa daß sie beim Sperren kurz nochmal leitend werden können und solche Späße. Außerdem bleiben über ihnen etwa 2..3 Volt im komplett
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[S] Netzteil EA-PS 7150-04A Schaltplan/Unterlagen (Elektro-Automatik)
Buchse habe ich nun. Die Schaltpläne der 2 dort passen aber leider nicht zu meinem. Die sind mit MOSFET geregelt, mein Netzteil aber mit Thyristor. Werde ich wohl doch mal beim Hersteller nachfragen müssen.
