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Klasse-D Verstärker
die Über-alles Gegenkopplung fehlt, der mkVI kommt aber noch ;) Als Lektüre sind die Appnotes von IRF ganz gut.
designen - wenn auch nur zum Spaß. Dabei will ich LFPAK Transistoren (u.A. von NXP, Infineon, Fairchild, IRF -> haben dann zwar andere Namen, sind mech. aber das selbe) verwenden. Die sind so groß wie SO8 (SMD) haben RDSon Werte im unteren Miliohmbereich bereich, extrem kleine Gatecharge und sind für schnelles
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Geiger Counter Sparkfun
recht, der hat 35mOhm gegenüber 4mOhm beim 2sk3142, ob das entscheidend ist ? denn schon lieber den IRF/L-1404, der hat auch nur 4mOhm, ob der passt ??? mir ist auch nicht klar welche dioden hier verwendet werden sollen (markiert), was hat die eingekreiste für eine funktion ? der festspannungsregler
jepp, jetzt auch auf dem board entdeckt. oben das falsche pdf erwischt, was ist der unterschied zw. IRF und IRL ? ich denke mal der 1404 ist schon ok. wenn sich interessenten für den nachbau finden werde ich mich mal um platinen kümmern !
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Maxim MAX1640 LiIon Zellen laden
IRF7309 ist der untere Transistor nicht falsch rum? So fließt ständig Strom durch die Diode.
komisch, ich verstehe nicht, dass da jetzt absolut nichts mehr passiert. Habe den IRF getauscht, hat aber auch nichts geholfen...
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High Side Level Schalter
Testumgebung, Später wird ein Atmega 328 das alleine machen), ein LM317 sowie folgende Mosfets: irf5305 P-Kanal BUZ11 Fairchild N-Kanal. Beide beim großen C geordert. Der Schaltungsplan ist mit Angehangen. Das Problem ist, das der LM nicht geschaltetn wird. Ergo der High Side Level Schalter
Schließ im ausgeschalteten Zustand beim P-Kanal Mosfet ( dem irf5305) beide äußeren Pins mal kurz (mit Pinzette / Draht). Schaltet dieser dann aus ?
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LED´s leuchten nur sehr schwach
Nimm doch einfach mal einen LogicLevel P-MOSFET wie IRF7416 oder IRLML5203 an Stelle des erst bei 10V Gate-Spannung aufsteuernden und deswegen an dieser Stelle vollkommen ungeeigneten Normal-P-MOSFETs IRF5305. Dann würden immerhin so um die 60mA LED
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zur Diskussion: PWM-Endstufe mit MOSFET
einfacher,hatte ihn früher schon mal angehangen. Der treibt bei mir einen 260KHz Schaltregler mit IRF4905 @10A. Der IRF hat ein "Sicherheitskülblech" von 1x2cm welches fast nicht warm wird.Allerdings fahre ich ohne Opto, aber ein PC817 müsste eigentlich reichen.(sind auch 4-fach zu haben) MFG Uwe
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DPS5005 Mosfet tauschen Abwärme reduzieren?
hi, naja, irf3205 wäre etwas besser, das hält sich aber in Grenzen. Die Diode ist schon garnicht so schlecht. ob sich der Umbau lohnt musst du selber entscheiden. viel Erfolg,Uwe
Uwe schrieb im Beitrag #6996090: > naja, irf3205 wäre etwas besser, Ist aber ein n-MOSFET, kein p-MOSFET!
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SMPS für H-Bridge Class D Endstufe
irgendwann, das das Steuer-IC nicht das Problem ist? Habe ich verstanden.... bei 1mhz (womit mehrere irf740 60A schaffen sollten) und 15%ripplecurrent brauche ich eine 7 uH spule. Das dürfte mit 2 3.9uH spule von mouser machbar sein.
irgendwann, das das Steuer-IC nicht das Problem ist? > > Habe ich verstanden.... bei 1mhz (womit mehrere irf740 60A schaffen > sollten) und 15%ripplecurrent brauche ich eine 7 uH spule. Das dürfte > mit 2 3.9uH spule von mouser machbar sein. 15% ripple bei 1MHz und 60A stelle ich mir interessant vor
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Power DC
//cgi.segor.de/user-cgi-bin/sidestep2.pl?foto=1&Q=irfp064&M=1 ist gerade noch erschwinglich. der IRF3205 ginge auch, hat aber "nur" ein TO220 Gehäuse. http://cgi.segor.de/user-cgi-bin/sidestep2.pl?foto=1&Q=irf3205&M=1 Oder von IXYS, kann gut 200A, sind aber teuer http://de.farnell.com/jsp/endecaSearch/partDetail.jsp?SKU=1300137 Der IRF2804 macht aber nur 40V! Vorsicht.. http://de.farnell.com/jsp/endecaSearch/partDetail.jsp?SKU=8657491 RICHTIG arbeiten kann man eigentlich nur mit den "richtigen" Moduln :-)) http://de.farnell.com
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FET-Schalter
Hi P-Kanal-MOSFET wie etwa IRF5210 von Reichelt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5210.pdf Source an Batterie Drain an die Last Mit der Gatespannung steuerst du dann genau wie beim N-Kanal-FET den Strom durch
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Thresholdvoltage eines MosFET in IDS/UDS Kennline
besten nimmst du den Schwellstromwert, der auch im Datenblatt verwendet wird. Beispiel: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7104.pdf VGS(th) Gate Threshold Voltage -1.0 ––– -3.0 V VDS = VGS, ID = -250μA
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FETs gesucht -/+ nicht smd
die irf5305 und irf1205 gibts beim reichelt beide in to220. auf kühlung achten! und ja, das sind n- und p-kanal, wie an den bauteilsymbolen ersichtlich. mehr zu fets, was ich dir dringend empfehlen würde
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Suche Mosfet für ~60v ~100A
kanidaten ? Hauptrelais abfallen lassen? Hast du kein Not-Aus? Oder es gehen auch 4-6 Stück IRFB/IRFS3207 parallel.
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRF100P218-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160e20d3eca4b83
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parasitäres Glimmen beim LED-Muxing. Transistoren? Einstreuungen?
Gatespannung gegen GND (max 5V) -Spannung über LED gegen GND (max 2,2V also) -10µS/div Zeitwert -FET: IRF7220 Also man sieht wie langsam die Spannung über die LED einbricht und wie langsam die Spannung übers Gate wieder ansteigt. Als "Mosfettreiber" hält ein 74HC245 her.
fritzler-avr.de) (fritzler) >PFET Logiclevel haben eine monströse Gatekapazität. Naja, OK, dein IRF7220 hat bis zu 125nC. Zum Vergleich ein IRLZ34N hat max. 25nC. >Also man sieht wie langsam die Spannung über die LED einbricht und wie >langsam die Spannung übers Gate wieder ansteigt. >Als "Mosfettreiber
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Intelligent high side switch
Tach, naja 65 A sind schon hart. Aber vielleicht hilft der Link trotzdem... http://www.irf.com/whats-new/nr070123.html Schöne Grüße...
Halli hallo, Danke für Deine Mail (Basstler). Auf der Homepage von IRF hatte ich auch geguckt. Der IPS6011 von IRF hat den Nachteil, dass er nicht einen proportional Wert zum Strom liefert, sondern ein H oder L, was nicht so schlimm wäre. Was mich stört ist, dass er als
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Kondensator über Transistor entladen.
. 17,5mOhm sind viel zu groß. Es gibt problemlos FETs mit einem RDSon von wenigen mOhm, wie den IRF1404 oder ähnliche. Die Schaltgeschwindigkeit heutiger FETs kann man denke ich vernachlässigen, denn der Stromanstieg wird hauptsächlich durch die parasitäre Induktivität begrenzt. Ich habe einen Bleiakkutester
wird um ein paar Mosfets parallel nicht herum kommen wenn das ganze sicher funktionieren soll. Der IRF1404 scheint von denen die ich verglichen habe, der beste zu sein (bei 100A sind 10ms lang 6V Spannungsabfall erlaubt). Hiervon könnte man ein paar parallel schalten, ich denke das sollte dann ausreichen
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P-Kanals mosfet zu hoher Rds
-4.3V (@ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V) hier mal das Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlml6401pbf.pdf
mosfets (Auf der Packung als IRLML6401TRPbF ausgewiesen) stellte als IRLML5103 herraus (http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlml5103.pdf) Also hat mir Conrad die falschen Bauteile geliefert. Nun die richtigen Mosfets drauf, und mein Cube läuft wunderbar. Hätte ich wohl auch schon
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9V - Block schaltet 12V Batterie (Arduino)
sein, sonst musst du noch einen Spannungsteiler für > diesen Transistor vorsehen. Also würde der IRF4905 auch passen?
Dennis B. schrieb im Beitrag #5859074: > Also würde der IRF4905 auch passen? Mit genügend Luft vor allem beim nötigen Strom...
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Blinkrelais für Torantrieb
24V benötigt werden und der Mosfet somit als Schalter > fungiert. Mit einem IRLZ34 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlz34n.pdf oder IRLZ44 http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlz44n.pdf Damit geht das direkt mit dem Ausgang des uC. Aber zeig doch mal noch deine
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Leistung eines Heizelementes mit µC regeln
anschließen kann, nur eben für kleinere Lasten bis 10W(12V Lüfter >etc.)? SMD oder bedrahtet? IRF7301 oder IRL530, siehe [[MOSFET-Übersicht]]. MFG Falk
und funktionieren dann ist gut. Der Vorschlag für die 150W war bisher der IRL3705N und für 10W IRF7301 oder IRL530. (bedrahtet würde ich bevorzugen) Gruß Jörg
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Verstärkerschaltung für 1,7MHz Signal
gibt im Gegensatz zu deinen paar 100 kHz aus dem SMPS-Bereich. Nimm als Entstufe einen MOSFET, z.B. IRF740. Wie meine Vorredner erwähnt haben, solltest du in diesem Fall die Klemmenkapazität 1.8 nF mit einer Seriespule von 4...5 e-6 H kompensieren. Das Ganze schaltest du dann mit 1.7 MHz im Class E-Betrieb
bauen. Hat zwar genebelt, aber die IGBTs wurden trotz Kühlkörpern sehr schnell sehr heiss. Mangels IRF740-MOSFETs wurde das Ganze erstmal vertagt.
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Fragen zu FETs die noch nicht im Wiki sind
verschiedene Anwendungsarten/Leistungen nennen. -> der gute alte BUZ11 (n-K. wohl 100V/36A oder so), IRF95xx als übliche p-K. - Je nach genauem Typ bis 20A oder so >5. Treiber: An veschiedenen Stellen wurde beschrieben, dass man zwischen >µC und FET einen Bipolartransistor bzw. einen Treiber setzen
anderen (kleineren) MosFet aus, der bei 3V Gatespannung schon gut leitet. Die üblichen Hersteller (IRF z.B.) bieten dafür Parametrische Suche auf ihren Homepages an... Einfach die gewünschten Eigenschaften eingeben=>und schon werden die passenden FETs ausgespuckt.
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Transmission Gate mit 2 N-Kanal Mosfets
negativ sein, das Transmissiongate funktioniert bidirektional. Ich verwende als Transistor den IRF5852 Aber warum funktioniert es?? Müsste man nicht, da immer ein Transistor "andersrum" betrieben wird, die Spannung der Source-Drain-Diode (in vielen Mosfets vorhanden) sehen? Damit ein FET durchschaltet
hm so langsam komm ich dahinter.. Wenn ich meine Schaltung aufbaue und z.B. den IRF5852 nehme (Vgs(th)= 0.6V - 1.25V), dann kann ich, wenn ich an die Gates 5V anlege, 4V problemlos durchschalten. für negative Spannungen gibts keine Grenze (außer die bauteilbedingten Grenzen). allerdings
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Problem mit Freilaufdiode
Der BUZ11 macht glaub' ich 1.6A bei 5V Ugs. Probier mal den IRF1404 oder IRF1010N.
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Transistor Array für 250V
der hat nen IRF830 anstatt des internen FETs genommen. das geht aber der ist mir leider viel zu groß :(
dem Bereich arbeitet der Schaltregler selbst. Erzeugen kann er aber natürlich schon mehr. Und der IRF830 hat einen einfachen Grund: Das Ding soll ja dann 200 V erzeugen. Und das hält der interne NPN-Transistor natürlich nicht aus! Deshalb ein High-Voltage FET (400V Durchbruch) extern.
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Include Mosfet Models in LT Spice - einer geht, einer nicht
vergleichen. Von der Herstellerseite habe ich mir die Modelle heruntergeladen. CSD88537ND (TI) irf7351pbf Ich füge die Modelle über den .include Befehl ein. Die Files liegen im selben Ordner wie die Simulationsdaten. Über ctrl+klick ändere ich den präfix auf X und trage den Name des Devices ein. Für den IRF funktioniert es, für den CSD bekomme ich eine Fehlermeldung mit verweis auf den Subcircuit. Hat jemand eine Idee was los ist? Bin in dem Thema leider nicht super tief drin. Angehängt die .asc + die
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Ansteuerung einer Anzeigetafel - Federal Vama Traffic Storm
IRF7342 Grüße
Danke Rein interessehalber, wie kommt man von IRP911G auf IRF7342?
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3.3 und 5V Umgebung, was tun?
an97055.pdf Seite 12 Was empfiehlt sich da als Baustein für? Tuts da ein einfacher N-MOSFET a la IRF1010N? Ich hab das System noch nicht ganz verstanden. Wenn nichts passiert oder ein 5V sendet ist es mir klar was passiert. Wenn aber ein 3.3V Device eine Leitung 'erdet', hat das System dann zu dem
StarkStrom schrieb im Beitrag #1815573: > Tuts da ein einfacher N-MOSFET a la IRF1010N? Das ist viel zu grober Klotz dafür. Vergiss die Gate-Source-Kapazität nicht, die hier voll auf der Leitung liegt und bei solchen Boliden zig Metern I2C-Leitung entspricht.
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welcher Transistor ist der richtige???
Ausgang unabhängig vom Eingangsstrom sein, richtig? Dann würde ich dir einen MOSFET empfehlen. z.B. den IRF520. Der ist billig und kann was du brauchst. Einfacher geht's fast nicht. Günther.
Der IRF520 ist kein Bipolartransistor sondern ein FET. Er hat daher keine Basis sondern ein Gate (sowie Source statt Emitter und Drain statt Kollektor). Demzufolge gibt es auch keine Basis-Emitterspannung sondern
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Emag Emmi 40HC Ultraschallreiniger liefert zu wenig Leistung
habe ebenfalls ein Emmy 40 aber eine andere Platine drinn als auf deinen Bildern und als Transistoren IRF840.Als Kondensatoren sitzen bei mir 4x4,7nf und 2x3,3uf. Das Emmy ist etwas älter.Bei mir verabschieden sich immer die Transistoren nach etwa 20 Minuten betrieb.
hier ebenfalls mit einem Emmi 40 eco (ca 15 Jahre alt), das nach 1-2 Minuten Betrieb die MosFets (IRF840) durchschiesst. Ich habe schon alle Kondensatoren gewechselt etc. Auf den Aktoren ist ebenfalls "37.9" drauf geschrieben, also kHz. Vermutlich dasselbe Modell wie bei Thomas. Den Zustand der Piezo-Aktoren
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Autobatterie Ladegerät Transistor defekt - Äquivalentes Bauteil
Ich schlag mal IRF9310 vor, aber besser wärs die Schaltung zu sehen.
sein. Der hat halt richtig viel mehr Ladung auf dem Gate, ich hatte ja schon Bedenken wegen des IRF9310.
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Schaltnetzteil eigenbau.
im Sandwich nehmen. Das Du keinen Volldraht nehmen kannst ist ja klar? Siehe: Skineffekt. Statt dem IRF740 nimm mal den IRFP240A, aber achte auf das "A". Bekommst Du auch bei Conrad. Die Ableitdioden würde ich trotzdem noch extern spendieren. 22 Ohm sind für Gatewiderstände hier etwas viel. Ich habe da
geeignet, jedoch kam der ETD34 mir besser bei dem Wicklungsaufbau entgegen. Hier nehme ich übrigens einen IRF840. Für den Trafo habe ich mich ebenfalls, wegen dem Wicklungsaufbau, für einen grösseren Kern entschieden, einen ETD49. Für diese Frequenz ist als Kernmaterial GL87 oder N87 geeignet. Kerne, Spulenkörper
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N-FET High Side Treiber für Schaltnetzteile
Welche Spannungen hast/brauchst du (PWM / High-Side Gate, Versorgung)? IRF, Micrel, Linear Technology, TI, ST, irgendwo wird schon was zu finden sein ("high side driver integrated charge pump")
db3a304327b89750012824712c6c6f2f Und die AN-978 - Seite 18 Figure 16 wirst du wohl auch kennen: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf Tja, der liebe Platzbedarf. Dann noch viel Erfolg...
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Dioden - Die-Bilder
3 Bonddrähte SPP80N08S2L-07 3 Bonddrähte B80NF55-08 2 Bonddrähte IRF2804S 3 Bonddrähte IRF4905 3 Bonddrähte Schottkys, alle ohne Bonddrähte: MBRB30H60CT MBRF25H60CT (isoliertes Gehäuse) MBRB2545CT MBR2545CT MBR1090 Eine leistungsschwächere
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Strom konstant halten
Eigenerwärmung ändert. Meine bisherige Schaltungsidee sieht so aus: Ein MOS-FET-Transistor (IRF... auf Kühlkörper 1) steuert den Strom. Der Verbraucher sitzt in der Drain-leitung. In der Source-leitung sitzt ein 4-Draht-Meß-Widerstand (auf Kühlkörper 2). Die Spannung wird mit einem OP verstärkt
0 bis 8 Ampere und genau ? Da scheint mir schon die Kühlung des/der IRF.. und Temperaturstabilität ein interessantes Experiment zu werden. http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht Bis obige Idee wunschgemäß genau läuft, würde ich für erste Versuche
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Ansteuerung eines Gleichstrommotors
Nimm doch einfach einen Logic-Level-Mosfet IRF3708 im TO220 Package. Für 7A und nur eine Drehrichtung reicht der doch. Du kannst noch zwischen Arduinoausgang und Gate einen 1k Angstwiderstand schalten und einen 10k nach GND, damit der Mosfet in
oder Anlaufstrom. Eure "Schätzung" ist also um mindestens Faktor 10 zu niedrig. Setzen 6! Der IRF3708 könnte im normalen Betrieb funktionieren, ob er aber einen Blockierfall an einem potenten Akku überlebt ist die Frage. Ein IRL 3803 wäre da etwas besser. @Matthias: Schau dir die Artikel hier
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Transistor inverter für mittlere Frequenzen
die HighSide total ~30 Volt liefern. (Oder habe ich hier einen Denkfehler?). Als FET habe ich den IRF1010N ausgesucht. Ich wollte den Treiber so aufbauen, wie in der Spice-Datei. Geht das so? Was kann man da noch verbessern? Die LowSide hätte ich in der von Jens beschriebenen Emitterfolger aufgebaut
should be at least 0.1 uf to 1 uf or at least 20 time >of the total gate capacitance of MOSFET. Der IRF1010N hat laut Datenblatt eine Eingangskapazität von typisch 3210pf, d.h. ab 100nF, besser etwas mehr, solltest du im grünen Bereich liegen. Gruß Reinhard Edit: zu langsam...
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10W LED Strombegrenzer
verwendete Mosfet scheint auf den ersten Blick etwas oversized (U *und* I), nicht halb so "starke" IRF9Z24 oder IRF9024 kosten aber fast dasselbe (ca. 70 Cent statt ca. 75 Cent ... bzw. << 10% weniger). (Der exakte Preis differiert natürlich je nach Quelle.) Und recht viel kleiner in Spannung und
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Der Spannungsregler 723 als Elektronische Last
die bei Schalt-FETs kaum angegeben wird. Wir haben vor ganz vielen Jahren Leistungsverstärker mit IRF540 gefertigt, von denen ich noch ein paar habe. Die lassen sich ziemlich zahm regeln, haben aber eine erhebliche Streuung. Einzeln gzt handhabbar, parallel muß man sie stark gegenkoppeln. Die Chinesen verkaufen Boards "for Arduino" mit dem IRF540, was bei U(GS) 10V natürlich Schwachsinn ist. Sollten die FETs ausnahmsweise mal echt sein, wären die aber als Last brauchbar.
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Sinn der Zenerdiode bei PNP
Händische Methode, wie oben beschrieben. Taster, PNP (2 A max.), MOSFET (IRF2804 mit 280 A max.) "21-22-23-ElkoGeladen"
: > Auch mit den IXFX180N10? Bin nicht zu Hause, kann ich grad nicht sagen, war aber etwas mit IRF....
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[V] SMD-Bauteile
2014, RoHS-konform. https://www.mouser.de/ProductDetail/STMicroelectronics/AIS328DQ?qs=yfAKDfcSIcIRf59GKaxesw%3D%3D https://www.mouser.de/datasheet/2/389/ais328dq-1849075.pdf ca 90 Stück im Gurtabschnitt vorhanden je 5 Stück EUR 5,- . * NXP FXLS8962AFR1 3 Achsen-Beschleunigungssensor
2014, RoHS-konform. https://www.mouser.de/ProductDetail/STMicroelectronics/AIS328DQ?qs=yfAKDfcSIcIRf59GKaxesw%3D%3D https://www.mouser.de/datasheet/2/389/ais328dq-1849075.pdf ca 90 Stück im Gurtabschnitt vorhanden je 5 Stück EUR 5,- . * NXP FXLS8962AFR1 3 Achsen-Beschleunigungssensor,
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MOSFET SOA verständisproblem
gezeichnet. Das sollte aber irgendwo stehen. Guck Dir mal dieses SOA-Diagramm an (Fig.8) http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf1404.pdf Da geht die Linie rDS limited durch 1V, 250A. Das heißt 4mOhm. Im Diagramm steht aber TJ = 175 Grad. Bei TJ = 175 Grad ist aber Rds normalized = 2, also
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Relais schalten wenn Supercap geladen (Raspberry PI USV)
Sache noch eine Hysterese spendieren und hätte die volle Betriebsspannung am FET-Gate (ja, mit dem IRF7220 geht's auch so).
Wie müsste denn die Schaltung von HildeK aussehen um anstelle des IRF7220 (an einen Mosfet komme ich hier nicht so schnell ran) einen einfachen PNP Transistor(BC557C) zu verwenden (der dann ein 5V Relais schalten würde).