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Eigene Platine minimalsten notwendigen Bauteilen
SO-8 aus, z.B. ATtiny85. Der kann direkt ohne Spannungsregler an eine LiPo. Als 0,4A Treiber ein MOSFET im SOT-23, z.B. PMV37ENEAR (max 3,5A). Wie oft Du laden mußt, kannst Du leicht ausrechnen. Was verbraucht der Sensor und wie oft und lange müssen die 0,4A eingeschaltet werden. Den Verbrauch des
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ESP32 3,3V auf 1,5V reduzieren
Hier skizziere ich mal drei Möglichkeiten. Ehrlich gesagt nutze ich für solche Anwendungen SMD-MOSFETs auf eigenen Platinen, die es in entsprechender Ausführung problemlos gibt. Daher soll das nur als Skizze und Anregung für die eigene Beschäftigung dienen, ohne Gewähr auf Richtigkeit. Wie bereits
Spannungsspitzen beim Abschalten nicht abkriegt. Das mögen die nämlich eher nicht so. 1) Günstiger MOSFET 2N7000. Achtung: Der FET wird wahrscheinlich im Grenzbereich betrieben, da die Spannung oft nicht ausreicht, um ihn genügend durchzuschalten. Gebenenfalls funktioniert es nicht, weil der Motor zu
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PCB-Layout und Schaltplan eines MOSFET-Treiberboards
D4184 N Channel Mosfet driver board Amazon: https://www.amazon.com/dp/B07XJSRY6B https://www.amazon.com/dp/B07TX1J44 Vin + - LED GND Q1 D4184 R2 Q2 D4184 R3 TRIG/PWM Vout + - Vout - Q1 N G1 D4 D4 AOD4184 S3 Q2 N G1 D4 AOD4184
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Unbekanntes Bauteil oder Konstruktion auf Holzboden
Mosfet_mit_Kuehlkoerper_seitlich.jpg
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Zwei Leistungstransistoren mit Kühlkörpern und Kabeln
Mosfet_mit_Kuehlkoerper.jpg
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Exklusives ODER-Gatter (XOR) - Erklärung
Das ist ein MOSFET. Ich würde das nicht nachbauen. Es ist eine Prinzipschaltung, viel teurer und in jeder Hinsicht viel schlechter, als ein normales Logik IC.
Harald S. schrieb im Beitrag #7668360: > Liegt der MOSFET nicht, daher lass ich das auch. Dann nimm BJTs oder Relais ;-) https://hackaday.io/project/8449-hackaday-ttlers/log/150147-bipolar-xor-gate-with-only-2-transistors https://www.mikrocontroller.net
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MCP23017 und UDN2981A
aus irgendeinen Grund die Durchbruchsspannung dieser Dioden überschritten wird, fängt der Ausgangs MOSFET wieder zum Leiten an und begrenzt so die Spannung auf etwas über 50V. So weit ist alles in Ordnung. Die intrinsische Ausgangsdiode zwischen DRAIN und SOURCE verhindert negative Spannungsausflüge.
die Schutzbeschaltung des 595 besser geeignet, wenn es so schnell wie möglich gehen muß, weil der MOSFET erst bei über 50V wieder leitend wird und den Strom durch die Spule verringert. Das lässt die Armatur schneller abfallen. Langer Rede kurzer Sinn ist, daß diese Schutzbeschaltung kein Luxus ist
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12V an TIP131 mit BC548 schalten
MOSFET würdest du empfehlen und wie würde die Schaltung mit einem MOSFET aussehen? Was ich noch rumliegen hätte wäre folgendes: https://www.ebay.de/itm/123743761834?mkcid=16&mkevt=1&mkrid=707-127634-2357-
Wahl? Der TIP131C oder der Mosfet?
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Leiterplatte mit Lötstellen und neue MOSFETs
Neue Mosfets vor dem Einbau
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Excel-Tabelle zur Berechnung der Mosfet-Verlustleistung
Mosfet Verlustleistung IRF1405PBF P 1000 W ton 1.90E-07 s U 36 V toff 1.10E-07 s I 35.6 A Tj 175 °C Duty-Cycle 0.5 Tamb 60 °C Gateansteuerung 12 V Pv 10 W Gatewiderstand 33 Ohm Rthjc 0.45 °C/W PWM freq 20000
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IRF1405PBF Mosfet wird zu heiss und verabschiedet sich
>> reinen Lowside-Treiber. Einen mit mehr Power. Und dann, weil es besser >> ist, bekommt jeder Mosfet seinen eigenen Gatewiderstand verpasst. Ist >> bei Parallelschaltung von Mosfets eher besser. Das Spiel mit zwei >> Widerständen und Diode ist eher nicht nötig, ein Gatewiderstand (pro >> Mosfet
die Definition von VGSthreshold an. Da fängt der MOSFET gerade erst an zu leiten, und es bedeutet nicht, dass der MOSFET bei dieser Spannung schon niederohmig durchschaltet.
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Schaltplan einer Motorsteuerung mit MOSFET und PWM
1u 4u7 1000u ECA-1HM102 +36V D3 V35PWM10HM3/I MOTOR 1 2 J5 TP12 Drain D4 BZX84C51LT1G T3 BC817-40,215 +12V TP15 R16 390R R17 TP17 T4 IRF1405PBF T6 IRLML0040TRPBF TP19 R15 1k TP20 T8 IRLML0040TRPBF T7 BC807-40,215 R19 10R R25 10k TP25 GND uC PWM
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Wassermelder WA03, Reverse Engineering
Transistor NPN Q2=Q3 SOT-23 1AM Z = MMBT3904 Transistor NPN Q8 SOT-23 12W 04 = 2N7002 N-Ch Mosfet U1 SOT-89 7136-1 = LDO 7136 3,6V D1 M4 = 1N4004 D2 = Universaldiode Z1 = Z-Diode 5,6V (ausgebaut und gemessen) 1. Stimmen die Bauteile so wie ich oben aufgelistet habe? 2. Erkennt
nicht. Aber wieso ist das für dich wichtig? Die entscheidende Schaltung befindet sich ja rund um den MOSFet oben links. Wird der Sensor nass, geht Drain des MOSFet auf low.
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ULN2803(A) am ESP32
Aufsatz geschrieben, auf den ich leicht verweisen kann: http://stefanfrings.de/transistoren/index.html#mosfet
mit Anschlussklemmen und Gehäuse für 15 Mäuse auch gar nicht so teuer ist, statt da mit DPAK/D2PAK MOSFets selber rumzuhantieren.
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MOSFET: Gate-Source-Widerstand vs Widerstand unmittelbar von Gate zu Ground
mal floaten kann (z.B. im Reset). Der Widerstand gehört dann zwischen Gate und Source des MOSFET. Denn die Gate-Source Spannung ist es, die den Zustand des MOSFET steuert. Nur im Fall, daß Source auf GND liegt (der Normalfall für n-Kanal MOSFET) liegt der Widerstand zwischen Gate und GND. In
Axel S. schrieb im Beitrag #7665296: > Der Widerstand gehört dann zwischen Gate und Source des MOSFET. Denn die > Gate-Source Spannung ist es, die den Zustand des MOSFET steuert. Nur im > Fall, daß Source auf GND liegt (der Normalfall für n-Kanal MOSFET) liegt > der Widerstand zwischen Gate und
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Wechselrichter Balkonkraftwerk Solar Grid KS-800 defekt
ströme beides erfordert ein gewisses Grundwissen. Du könntest ja mal zumindest die Dioden und Mosfet alles Durchmessen. Auch mal die Großen Elkos Auslöten und vermessen.
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IGBT
steigender Temperatur verglichen mit einem FET. Nachteile des IGBT. Zum schnellen Schalten wird wie beim MOSFET ein starker Gatetreiber benötigt. Kann unter bestimmten Umständen (zu großes dU/dt) wie ein Thyristor zünden (Latch-Up Effekt). Der Strom ist hier nicht mehr kontrollierbar. Das wird bei modernen Typen
dadurch regelmäßig erweitert und ggf. durch ein FAQ ergänzt werden. Siehe auch. Leistungselektronik Mosfet-Übersicht Zwischenkreiskapazität FET TRIAC Kühlkörper Treiber
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Spannungsversorgung EL Folie
wachsend" oder was. Man könnte aber noch einen (für Akkubetrieb am besten synchronen, also zweiter Mosfet statt Diode - Wandler für sowas gibt's z.B. als "single liion cell to 5VDC" - wenn man sucht wohl auch mit Synchrongleichrichtung) Step-Up dazwischenschalten. Einen einfachen Schalter zur Abtrennung
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Ladeschaltung für 2x NiMH Zelle - wo passiert die Strombegrenzung
Akkuspannung ca. 71mV, also steigender Strom je voller der Akku wird. Und das über 1MOhm zum MOSFET, da reicht doch die 470pF Kondensator nicht zur Kompensation, der wird doch schwingen. Murksschaltung, Tonne auf, Schaltung rein, Tonne zu.
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Schaltplan einer Ladeschaltung mit MOSFET
+3.8V F1 1A 2 R52 10K00 2 T5 IRLM1902 54 23 4 Vbat Bat + Bat - GND R58 240K0 R51 240K0 charge +10V C69 100N 25V IC17 LM358D 8 4 GND 1 2 C67 10N 63V 2 R50 10K00 2 3 2 1M R59 1M 2 1M C58 470P 100V R53 560K0 2 550K0 2
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Keramik Vape-Wasserbong mit ESP32-C3, Temperaturanzeige über APP
Heizelement wird mit Gleichspannung betrieben, dass kann man relativ einfach via PWM über einen N-MOSFET regeln. Der FET richtet sich nach der Leistung deines Heizelements. Eddy J. schrieb im Beitrag #7664086: > Meine Absicht ist es, dieses System zu verbessern, indem die > Temperatur direkt am
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BDX53 Transistor
gut klingen wie bei Audiotransistoren gewünscht. In vielen Fällen wird ein winzigen aktueller MOSFET den Job auch tun.
BDX53C z.B. von Reichelt für 50 ct nehmen. ;-) Ich wundere mich übrigens, das hier als Ersatz MOSFETS vorgeschlagen werden, in Anbetracht der damit einhergehenden Änderungsmaßnahmen. ciao Marci
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Labornetzgeräte
linear) Rigol DP832(A), Kora KA3005P schalten die Ausgänge nicht physisch/galvanisch ab. Die Power-MOSFETs der Ausgangsstufe werden lediglich auf Soll-NULL gesetzt. Dies kann bei Drift auch durchaus ungleich 0,00 Volt bedeuten! Selbstbau. Das Projekt "Labornetzgerät" zählt zu den typischen, insbesondere
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Herangehensweise LED Komponenten
verzichten, oder eine andere Frequenz wählen. Mit dem PWM Ausgang vom ATtiny kannst Du über einen Mosfet direkt Deine LEDs ansteuern. Gruß Carsten
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Samsung LC49HG90DMUXEN Bild Problem
Markus schrieb im Beitrag #7663274: > Transistor Mosfet sitzt mit der Bezeichnung G64. Passt der P-FET hier? https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/836454/DIODES/DMP3050LVT.html
Jahr. Dann ist das wohl schon der von Wolf17 erwähnte: https://www.lcsc.com/product-detail/MOSFETs_Diodes-Incorporated-DMP3050LVT-7_C397951.html
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MOSFET im StepUp-Regler wird zum vollständigen Kurzschluss über D G und S
In meinem StepUp ist mir der Original MOSFET explodiert. Der hat auch etwas Hünerfutter von der Vorstufe mit ins Nirvana gerissen. Das konnte ich soweit wieder rekonstruieren. Habe in meiner Bastellkiste natürlich nicht den passenden MOSFET.
immer den Überstrom. Bei einem richtig satten Kurzschluss fliegen aber auch die Bonddrähte im Mosfet weg.
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Probleme mit Bootstrap Halbbrücke
installieren möchte. Jedenfalls passen auch die genannten, anderen Probleme zum Durchschießen beider Mosfets.
Rund 20mA Stromberbrauch sollten bereits fuer das Umladen der Mosfet drauf gehen.
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Hilfe beim bestimmen dieser SMD (Diode?!)
20SERIES_L2103.pdf Passt doch EDL = ES1DL 3WY = Date/Factory Code Dafür spricht auch, das der Mosfet ebenfalls von TSC ist.
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Treiberstufe für Pumpenmotor dimensionieren
mit 3kW (125A) für eine Hydraulikpumpe > mittels PWM ansteuern. Sportlich, sportlich! > Als Mosfet habe ich mir den AUIRFS8409-7P > ausgesucht, bei denen 5 oder 6 parallel geschalten werden sollen. Ein 0,75mOhm MOSFET, nicht schlecht. Der kann bis zu 240A schalten. Warum willst du da 5-6 parallel
empfindlicheren OpAmps. Dann braucht man auch nicht unbedingt 10 von deinen (veralteten 13nF) MOSFETs parallel.
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ADC als Input eines verstärkten Audio Signals
Widerstand Die so erzeugte Spannung würde ich gerne auf einen ESP ADC Chip geben um damit einen Mosfet zu steuern, welcher nachher die Spannung für die LEDs durchschaltet. Leider komme ich hier nicht so recht weiter,... Ideen sind absolut willkommen und vielen Dank im Voraus.
LEDs zusammen einen Strom von 1,4A bei 12V. Daher war auch meine Überlegung das ganze über einen Mosfet zu schalten, da dieser höhere Ströme abkann. 7. Der Subwoofer in der 3-Wege Box hängt an einer Frequenzweiche und wird bei ca 800Hz getrennt. 8. Der WeMos schaltet in der Box nur Relais, mit denen
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Watch Dog Software Architektur
nächstes werde ich noch die Strom überwachung einbauen. Dadurch kann ich auch feststellen ob ein MOSFET (im leitenden Zustand) defekt ist.
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Chip ohne Datenblatt
Metallisierungslage sog. Pinchdioden zu erzeugen, d.h. diese so geschickt zu gestalten, dass man damit "MOSFETs für Arme" bekam. Die Spannungsfestigkeit des Dielektrikums unter der Metallisierungslage war nämlich deutlich höher als die der eigentlichen Halbleitersperrschichten. Mein ehemaliger Kollege hatte
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Ersatztyp gesucht
Hallo zusammen, ich suche SI4980DY Mosfet's. Leider gibt es die wohl nicht mehr. Weiß jemand einen passenden Ersatztyp dafür oder woher ich die noch bekomme?
4DF60L verbaut. Der Mosfet sitzt links neben dem Roten Kabel unter dem Kondensator.
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Soundmodul Dampflok mit RC gesteuert
Basis ist? Wenn ich eine Spannungssteuerung für die Lautstärke haben wollte, bräuchte ich einen Mosfet, oder? Grüße Thomas
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20SQ060 bricht bei 59 bis 60 V schon durch
60,00001 V darf das Teil leiten. Schottkys sind über 20 V sowieso suboptimal, da sind gesteuerte MOSFets geschickter. https://diotec.com/de/applikation/application-note-reverse-polarity-protection-2455.html?file=files/diotec/files/pdf/service/applications/Reverse%20Polarity%20Protection.pdf Butzo
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Monostabile Kippstufe mit NE555 und Pause
und ein anderer einen Schmitt-Trigger zuschaltet. Damit mußte nicht unbedingt ein LowLevelLogic-Mosfet verwendet werden.
einfachere Version im Anhang. ... Es gäbe das Monoflop in der Komplementärvariante mit Transistor und Mosfet diskret realisiert. Da konnte das IC weggelassen werden. Diese Schaltung hat aber den Nachteil, dass der Kondensator bipolar sein sollte. Um die 1V in die falsche Richtung mögen die SuperCaps nicht
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IPM für 400VAC
man keine Reserve mehr. Die nächsten sind dann 1200V, mit wesentlich höherem Vf(IGBT) bzw. Rdson (MOSFET). 750V wären wohl ideal für diese Applikation, da man noch Reserve hat zum Choppern. Das ganze soll eine Servomotor Steuerung werden (maximal 35A Phasenstrom peak, 10% duty, 20A nominal). -->
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Last schalten mit schwachem Steuergerätausgang
Michael B. schrieb im Beitrag #7657651: > Nimm einen N-Kanal MOSFET, der belastet deinen Analogausgang nicht Munteres Rätselraten ohne fachliche Basis. Mike muß beschreiben, wie das Signal an seinem Analogausgang aussieht. Dazu, welche Art Last / Spannung im
Spannung langsamer hochfahren, damit die Gate > Kapazität geladen werden kann, Nein. Bei MOSFETs mit kleiner SOA sollte der Umschaltvorgang so schnell wie möglich erfolgen sonst löst sich das SOT23 in Wohlgefallen auf.
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Messen von Dioden mit Multimeter
keinen Schaden anrichten. Das stimmt bei Dioden, aber nicht pauschal bei beliebiger Elektronik. MOSFET werden von Überspannung zerstört, dagegen hilft keine Strombegrenzung.
Schaden anrichten. > > Das stimmt bei Dioden, aber nicht pauschal bei beliebiger Elektronik. > MOSFET werden von Überspannung zerstört, dagegen hilft keine > Strombegrenzung. Kommt drauf an, wo Du die Überspannung anlegst. Die DS-Strecke jedenfalls ist da ziemlich robust.
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DC/DC Abwärtswandler hohe Spannung VIN bei externer Spannung am Ausgang
messen, aufbaut. Eine andere Variante ist, dass zyklisch der Wandler im Idle Modus die beiden Mosfet am Ausgang mit kurzen Impulsen bedenkt, d.h. die Bootstrapping-Spannung mit der Hilfe von C13 aufrecht erhält. In dem Falle könnte L1 in Verbindung mit der Bodydiode des internen Mosfets von U1 eine
Beitrag #7656966: > Eine andere Variante ist, dass zyklisch der Wandler im Idle Modus die > beiden Mosfet am Ausgang mit kurzen Impulsen bedenkt, d.h. die > Bootstrapping-Spannung mit der Hilfe von C13 aufrecht erhält. In dem > Falle könnte L1 in Verbindung mit der Bodydiode des internen Mosfets von
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Schaltplan eines Gate-Treiber-ICs mit MOSFET-Ausgang
EG3013S VB max 90V HIN 15K 15K Vcc 电平移 脉冲滤波 驱动 死区时间电路 闭锁电路 8 VB +15V 75V B0515S (trafo) 60V V+ 10 R6 2 IRF3206 Q2 6 VS Out2 1 Vc 5 LO 4 GND
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Diagramm der typischen Ausgangskennlinien eines MOSFETs
Fig 1. Typical Output Characteristics 1000 100 10 1 0.1 ID, Drain-to-Source Current(A) TJ = 175°C TJ = 25°C VDS = 25V ≤ 60µs PULSE WIDTH 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
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BCV26 als Schalter. Richtig gerechnet?
BCV26 von Faichild/Onsemi zu nehmen. Der kann bis zu 1,2A. Ich bin jetzt aber am gucken, wie das mit MOSFETs gehen kann.
so ein kleines Gehäuse nie los wird, es würde 627 GradC warm. Daher verwenden die Leute heute MOSFET wie IRLML5203 um solche Ströme zu schalten.
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Nixie Netzteil 5V->170V
https://blog.csdn.net/u012388993/article/details/121723574 da sind ein MAX668EUB benutzt und ein MOSFET AON7508 https://www.aosmd.com/sites/default/files/res/datasheets/AON7508.PDF Der chinesische Text lässt sich mit translate.google,com übersetzen, man muss nur das Laden der Seite rechtzeitig abbrechen
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Unbekanntes IC
ich kann dieses IC mit dem Code XC nicht in dieser Form identifizieren. Ich nehme an es ist ein Mosfet, aber ich bekomme nur welche mit vier Beinchen mit meiner Laiensuche. Es ist die Treiberplatine für ein LCD und ich weiß, dass dieses Bauteil defekt ist. Nur kann ich kein neues besorgen, weil ich
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(Fehlersuche) Wechselrichter 24V - 230V durch Überspannung an Ausgangsseite defekt
Da sind in der Ausgangsstufe je zwei MOSFETs bzw IGBTs parallel geschaltet. > Die Zwischenelkos, Zwischenkreiselkos! Das sind die in der Mitte der Platine, und die sind unverdächtig.
H. H. schrieb im Beitrag #7656331: > Da sind in der Ausgangsstufe je zwei MOSFETs bzw IGBTs parallel > geschaltet. > >> Die Zwischenelkos, > > Zwischenkreiselkos! Das sind die in der Mitte der Platine, und die sind > unverdächtig. Bitte entschuldige meine Unkenntnis
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Welcher Mosfet ist das?
Guten Abend zusammen! Ich brauche mal die Hilfe von euch um den MOSFET?!? zu identifizieren. Das Dingen stammt auf jeden Fall aus einer LED Platine, aber ich finde dazu leider kein passendes Datenblatt oder ähnliches. Kommt jemandem das Dingen bekannt vor? Soweit
Ich glaube nicht, dass das ein MOSFET ist, sondern erwarte einen ganzen LED Stromregler. Zudem könnte mehr unter dem flussmittelabgedeckten Teil stehen
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Schaltplan mit ESP32-C3 und MOSFET-Treiberstufe
J1 GND 5V SDA SCL J2 GND 5V SDA SCL U1 ESP32_C3_Super_Mini GPIO5 GPIO6 GPIO7 GPIO8 GPIO9 GPIO10 GPIO20 GPIO21 GPIO4 GPIO3 GPIO2 GPIO1 GPIO0 3.3V GND 5V V_in Vo C1 4,7uF C2 0,1uF C3 1uF V+15V V+ U2 B0515S J3 V+ J4 Out1 J5 Out2 U3 TLP250 R3 1k R4 3k Q1 IRF3206 Out1 U4 TLP250 R5 1k R6 3k Q2 IRF3206 Out2 GND V+
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basiswiderstand
10kΩ, Faktor 3 -> Basiswiderstand 3k3 oder bei Faktor 4.x dann 2k2. Und nimmt man dafür einen MOSFET, dann erübrigt sich diese Betrachtung komplett. Beim Beispiel mit 500mA Laststrom sollte man das auch dringend in Erwägung ziehen. Dafür muss man schauen, dass die Gatespannung reicht.
