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Versorgung über mosfet
bs250 meine ich. Und als smd alternative habe ich jetzt den bss84 genommen.
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Stromsensor Schaltung mit OPV
Ein kleiner P-Kanal MOSFET wie BS250
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Lautsprechersignal optisch anzeigen
100uF 100k | | | | |S 9V +---+---|I BS250 | | | | o-------|I BS170 +-|>|--1k--+ Lautsprecher |S LED | o--------+-------------------+ [/pre] Kann man auch eine Batterie für alle
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Step down DC/DC Konverter mit Strombegrenzung
| | +---------+ | | | | S| /-|--+ | BS250 I|--< | | o.ä. | \+|-----+ | +--------------- Spannungsabfall am SHUNT * 20 | 20k | GND [/pre] Der OpAmp muß dabei aber an der
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MOSFET vs BJT
auch lieber FETs, das spart Strom und Bauteile. Meine Standard-FETs in 5V-Schaltungen sind BS170/BS250. Bei 3,3V muß man andere nehmen. Peter
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Spannung mit LM6484N vervielfachen - wie?
, und die Schaltung von IC2A ist alles, aber kein Differenzverstärker. Beim Schaltzeichen vom BS250 muss man sich fragen, ob denn der Erbauer überhaupt weiss, welcher Anschluss der Source ist, ob P-MOSFET und N-MOSFET einen Unterschied machen, und welcher Dämliche hat einen Optokoppler eingebaut
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Stromspiegel mit OP schwingt
nt-power-modul.html Unten im rot markierten Teil sieht man den Highside-Shunt von ca. 0.1R. Der OP steuert den BS250 so auf/zu, dass der Strom durch ihn am 1k Widerstand den gleichen Spannungsabfall erzeugt wie über dem Shunt. Dieser Strom fliesst dann durch den 10K Widerstand und erzeugt im Endeffekt einen 10x so
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Durchschalten von 24V
dann extra geschaltet werden: [pre] +24V +24V | | 1k | | |S BC +---|I BS250 oder stärker 547 | | ---|< Last |E | 390R | | | GND GND [/pre]
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Messen von 530mV über einen Widerstand mit µC
| | +---------+ | | | | S| /-|--+ | BS250 I|--< | | o.ä. | \+|-----+ | TL071 +--------------- Spannungsabfall am SHUNT * 5 | 50k | GND
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Kein Platz für Relais - PNP als Schliesser
5 sek 100uF + 220uF. Und wenn du anstatt eines PNP einen P-Kanal-Mosfet nimmst, ala BSS84 ode BS250, kannst du noch deutlich hochohmiger werden.
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transistor steuern MSP430
Einen Kleinleistungs-FET kann man mal direkt über den µC-Pin ansteuern. Wie bei mir der BS250 am µC-Pin des 80C517A. Steuert dort den LWL-Transmitter an, der 30mA benötigt. Wobei der µC-Pin selbst nur 1,6mA treiben kann. Größere FET brauchen eine Treiberstufe vorne dran.
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Gate-Vorwiderstand
übervorsichtige Frage: Ich will mit einem AVR (Ub = 5 V) Kleinleistungs-MOSFETs, wie BS170 / BS250 ansteuern. Um unkontrollierte Zusände zu vermeiden, werde ich Gate-Pull-Up/Down-Widerstände von z.B. 47 kOhm einbauen. Welche Nachteile könnt ihr euch vorstellen, wenn ich auf Gate-Vorwiderstände
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Wie Versorgungsspannung mit FET schalten?
handelte und der FET eine maximale UGS von 20V aushält. Für kleinere Spannungen kann R2 entfallen. BS250 kann allerdings nur 0.25A (0.5A Peak)
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HDSP2000 an Atmega48 einfaches Bsp.
fall column driver verbauen, entweder 5 kleine smd fets, oder einen udn, oder aus dem stehgreif: 5 bs250 könnten auch weiterhelfen. hier gab es auch schon viele threads über high side driver bei gemuxten anzeigen, speziell die smd versionen. ich denke die ideale spannung von rund 3,5V datenblatt seite
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Pt1000 Vierleiter Ratiometrisch
anzulegen. Über einen weiteren Port-Pin (noch besser: über einen davon angesteuerten MOSFET (z.B. BS250) könntest du den Anschluss +Ub nur für die Zeit der Messung einschalten.
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Pull-up am DS1812
etwa 10 Sensoren gespeist werden. Ansonsten nimmt man einen extra Transistor nach VCC, z.B. den BS250. Den Transistor braucht man immer, wenn der 100 Ohm in Reihe ist (s.o.). Peter
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LEDs mit gemeinsamen GND schalten
wird. Ein Digitaltransistor wie PDTA143E spart den 4k7 Widerstand, ebenso wie ein P-MOSFET wie BS250, oder gleich ein Doppeltransistor PEMB2.
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Festo-Akkus defekt / Zellen austauschen?
| | | | | |S Akkuzelle3 +---+---+--|SET1 HYST1|--+---)--|I BS250/BSS84 | | | | | GND | | | | Akkuzelle4 82k 10M 10M +----------+ 120k | | - | | | | | | | | | | | +-------(--------+ | |
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Mosfet MTH35N15(Motorola)
resigniere. Ich habe hier einen StepUP-Wandler in diskreter Bauweise(4017er,2 Treiberstufen(Bs170+Bs250)die je einen MTH35N15 ansteuern welcher mir dann jeweils eine Hälfte der Primärwicklung auf Masse schaltet,Betriebsspannung 12V)Frequenz 40khz Nun habe ich vor diese eher schwächelnden Typen gegen
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p-Mosfet mit (sehr) kleiner Schaltschwelle
definiert ein sein (mit lustigen Effektn wenn die 5V und 3.3V noch nicht anliegen). Selbst ein BS250 sperrt bei 1.7V nicht sicher (und hätte immer noch 1mA Stromfluss). Du brauchst also so oder so einen Pegelwandler der aus 3.3V/0V saubere 0V/5V macht, per NMOSFET und pull up an 5V. Grundlagen
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Reichelt-Bestell-Liste für Gelegenheitsbastler-Bauteilsortiment bei einem Budget von 100 Euro.
500mA 1A 4A in flink und träge Trasistoren: bipolar BC547 BC557 Fets BS170 BS250 in to220 irfxxxx npn und pnp Treiber: ULN2804 UDN2981 Register: 74HC595 74HC573 / 574 Wandler: max232 Spannungsregler 7805 to220 und auch in to92 7812 to220 LF 33 CV
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Welcher Transistor
500mA bestehst: N-FETs: 2n7002 (smd) UGS 2V, 300mA, BS170 2V,500mA P-FETs: BSS84 (smd) -2V, 130mA, BS250P -3.5V, 250mA
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Energieverbrauch messen 12V
| | +---------+ | | | | S| /-|--+ | BS250 I|--< | | o.ä. | \+|-----+ | +--------------- Spannungsabfall am SHUNT * 20 | 20k | GND [/pre] Der OpAmp muß dabei aber an der positiven
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XOR-Gatter in CMOS
Hi, ich habe mir soeben mit p-kanal(Bs250) und n-kanal(Bs170) Mosfet's ein xor-Gatter aufgabaut, welches auf folgender Schaltung basiert: http://www.cdrnet.net/projects/cmos/xor2.gif Allerdings kommen immer Spannungswerte um die 2 V am
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7-Segment ANzeigen ansteuern
Das ist ein BCD to 7 Segment chip. Er hat low aktive ausgänge. Dann habe ich meine Anzeigen per BS250 gemultiplext.
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Stromimpuls auswerten, ohne eigene Energieversorgung
Impuls kommen. [pre] TIC106 Imp --+--+--+--|>|--+---+ S| C2 R2 \ | | BS250 I|-+--+ | | | | | | C3 | +--(--------+ | LED | | | | R1 +--|>|-R3--+-->I 2N5432 | 1N4148 | R4 GND --+-------------+---+ [/pre
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Buck-Boost mit µC steuern
Bastelkiste zur Verfügung stehen würden: Transistoren: BC547C, BC557C, 2N2222, BD136 P-Kanal Fets: BS250, IRF4905, IRF5305 N-Kanal Fets: BS170, IRLZ24N, IRLZ34N Treiber: ICL7667, Max627 ICL7660
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Rechtecksignal verstärken
und bekomme im Ausgang immer konstante Spannung "VDD max" > (keine wechsel). Kein Wunder, beim BS250 leitet die Body-Diode. > ich habe ein rechtecksignal 50% duty C. min=0V und max=4.5V. Ich wollte > dieses Signal auf 100V max bringen und Strom sollte momentan egal sein. > kann jemand mir helfen
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FT232: "Bus Powered" + eigene 3V3 Versorgung
Spannungsabfall über dem Transistor beachten, Limits für VCCIO nachschlagen! Spontan fällt mir z.B. ein BS250 P-MOSFET ein. Bertolt
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Hilfe bei SMD-Bauteilbestimmung (MX und WCM)
BS250FTA und NX7002AK.
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Verwendung MOSFETs für "digitalen Poti"
verwenden. Die sind zwar SMDs aber damit kann man ja gut Platz sparen, sie sind sehr billig und den BS250 welchen man als Komplementär zum BS170 ansehen könnte bekomme ich nirgends. Deshalb habe ich auch nur mal die "high"-Strecke gebaut. Nun bitte ich euch um Hilfe: Versteht wer, warum da überhaupt
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Spannungen mit einem Operationsverstärker erzeugen
richtig lese, 10x schneller. Wenn das noch nicht reicht, dann kann ich vielleicht noch etwas mit dem BS250 erreichen. So viel langsammer als die BC 547 können die gar nicht sein.
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Küchenwaage mit seriellem Port?
dargestellt... die OnOffschaltung ist im bild 224 - 2451, sie besteht aus einem BS170 und einem BS250 und schaltet die spannung für pic und max232 dann mit dem rest der waage zusammen.... das bild 224 - 2449 ist die übersicht des displays, es hat 16 anschlüsse welche oben von 1 bis 16 numeriert
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Duo LED Steuerung via 0-10V
mit beiden LED an Masse kauft, dann ebenso: [pre] +Ub |S +-----|I BS250 | | | 1k | | 10k +--|>|--+ \ | LED +-- GND >--+--1k-----|>|--+ / [/pre]
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Meßverstärker für 1/f-Rauschen 0.1 - 10 Hz
Grenzfrequenz heraufsetzen und verkürzt damit auch entsprechend die Startzeit. Die Eingangskapazität des BS250 übernimmt die Frequenzgangkorrektur, indem sie an dem Hochimpedanzknoten einen Pol erzeugt. Leider ist damit die obere Grenzfrequenz vom BS250-Exemplar abhängig, liegt aber hoch genug. Falls gewünscht
besteht aus nur einem p-Kanal-Mosfet mit den entsprechenden Parametern), weil ich so einen E-Line-BS250 hatte. Damit verhält sich die Schaltung (ausgenommen Bandbreite) wie erwartet. Ergänzen kann ich noch: (gemessen) SlewRate: 7V/µs obere Grenzfrequenz bei 50R-Last: 110kHz Aussteuerbarkeit bei
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FET Empfehlung
durch den FET sollte nicht über 20mA kommen. BSS84 sollte reichen, P-Kanal im SOT23 Gehäuse. BS250 könnte mit 5V auch klappen.
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Diskussion zum Artikel "Batteriewächter" 2. Mikrocontroller.net Artikelwettbewerb
sein als die Restspannung des TL062. Notfalls würde ich einen Gate-Source Widerstand vorsehen. Ein BS250 ist gut erhältlich und sollte funktionieren. T2 (BSS138) ist kritischer. Der RDS,on sollte möglichst niedrig sein und die Gate Schwellenspannung sehr niedrig. Der BSS138 hat maximal 1.5V. Für
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Vierquadrantensteller / B-Brücke für Nix
wird. :-) Frage: Was tun? Mir fehlt der Überblick. Es gibt ein paar Mosfets in TO-92-Gehäuse (BS250, BS170, 2N7000). (Schön wäre es, wenn nur eine Sorte verbaut würde. Geht das?). Alternativen? Danke!
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LTspice: simple Schaltung überraschendes Ergebn
nicht. Wie gesagt: ein MOSFET wie BS170 statt des Transistors tuts auch. Oder in der pnp-Variante ein BS250. > Alex, wenn Du 'nen professionellere Entwurf für ein Netzteil (ca. 0 bis > 30V, ca 2A) zur Hand hast und hier posten könntest, nicht nur ich würde > mich darüber freuen. Also Netzteil-Schaltungen
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Schafft mein Mega32 das?
Kannst Du nicht anstatt den BC337 ein BS250 nehmen? Also P-FET's im TO92 Gehäuse? Strom = 0 mA
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Transistor/Widerstand Wahl atmega2560 LEDs
man den Widerstand an der Basis sparen will, kommen auch BS107 oder BS170 (MOS-N-Channel-Typ), und BS250 (MOS-P-Channel-Typ) in Frage. Bei diesen Transistortypen heisst der Steuereingang Gate. Statt Emitter gibts Source und statt Collector heisst es Drain. Der N-Channel-Typ wird wie ein NPN verdrahtet
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74HC595 mit 5V und BS170 als Treiber für 12V. Geht das?
heisst dann aber , dass dein erster Schaltplan wohl vollkommener Murks ist. (es sei denn du meinst BS250) Die Frage ist doch jetzt, ob du die Minusse schalten kannst, oder ob es die Plusse sein müssen. Sag doch mal genau, um was es geht und korrigiere deine Pläne mal. Gruss Klaus
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I2C Expander und damit Relais schalten
probiers mal mit BS170 / BS250, Reichelt hat ein Datenblatt
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MOSFET
BS250 bzw. BS170 (komplementär)
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P-Kanal Äquivalent zum 2n7000
so ganz grob kannst du dir mal BS250 ansehen. vielleicht passt es ja k.
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bistabiles Relais an Batterie-Aktor
es die N- und P-FETs nicht ganz so gut abgestimmt zu geben. Ich dachte da an die Kombi BS-170 / BS-250 oder ZVN-4206 / ZVP-2106 (reichelt.de). Wenn das klappt möchte ich damit über das Relasis (parallel zum Programm der digit. Schaltuhr) meine Heizung z.Bsp. an Feiertagen/Urlaub automatisch zusätzlich
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Audiodedector Treiberstufe
RC-Tiefpaß einfügen, um kurze Störimpulse auszusieben, am besten in Verbindung mit einem BS170 oder BS250 als Relaisschalter. >Ich werde heute noch mal versuchen, mit EMV-Klebeband, den Verstärker zu >isolieren. Mach das besser mit einem mit Signalmasse verbundenen Abschirmblech, das du zwischen
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Standard MosFet
Der BS170 scheint so ein Feld-Wald-Wiesen MOSFET zu sein. Welches ist ein Komplementärtyp? Könnte BS 250 hinkommen? 2. Der oben genannte Typ ist ziemlich "schwachbrüstig". Ich wollte für eine H-Brücke noch etwas stärkere haben. Diese sollten mit Logikpegeln ansteuerbar sein (müssen allerdings nicht
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Retro Fieber: Z80 oder 68000 ?
einen einzelnen BS250 ohne weitere Bauteile? Source an VCC, Gate an en Eingang eines Negators, Drain an den Ausgang des Negators..ferdsch. Sieht sogar auf dem Oszillograf chick aus. Gruß, Holm
Holm Tiffe schrieb im Beitrag #3806694: > Was hast Du gegen einen einzelnen BS250 ohne weitere Bauteile? > Source an VCC, Gate an en Eingang eines Negators, Drain an den Ausgang > des Negators..ferdsch. Und was ist daran einfacher, als der Negator ohne BS250? ;-)