Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 2 D Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH LOT CODE 8024 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 02 LINE L For GB Production THIS IS AN IRF530S WITH LOT CODE 8024 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE LOT CODE www.irf.com 9 IRL3713/S/L TO-262 Package Outline Dimensions are
0 1 2 3 4 5 6 7 8 A A B B Vcc V2 C1 12V 3V C 10µF U1A C 3 8 Q1 R2 1 IRF530 V1 2 100Ω 2V LM358N 4 C3 C2 1nF D D VDD 10µF R1 -12V 10kΩ R3 1Ω E E F F G G 0 1 2 3 4 5 6 7 8
trotzdem: http://www.conrad.ch/ce/de/product/162410/MOSFET-HEXFET-FETKY-International-Rectifier-IRF530N-N-Kanal-Gehaeuseart-TO-220-ID-12-A-UDS-100-V Muss ich dann einfach doppelt so viele MOSFETs nehmen und wie in folgendem Link zusammenschalten: http://www.mikrocontroller.net/topic/81834#683813
Welche(n) FET(s) willst du nehmen? Sieh dich bei den ganzen Amateurbauten um. Meist nur IRF510, IRF530, und (vernünftig) ist meist nicht mehr als 14MHz zu erwarten. Die begrenzenden Faktoren sind die Kapazitäten, besonders das Gate-C. Schau dir Datenblätter von IRF510/530 an, nimm dann nur mal einen
Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 2 D Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH LOT CODE 8024 INTERNATIONAL PART NUMBER ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER LOGO F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" DATE CODE ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 LINE L For GB Production THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO LOT CODE DATE CODE 10 www.irf.com IRF3205ZS/L TO-262 Package Outline Dimensions are
Steuerspannung fließen kann. In diesem http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/17798/PHILIPS/IRF530N.html Datenblatt ist es Figure 7: 5V ermöglicht 6A bei 25°C. In diesem http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/93649/IRF/IRLU024N.html Datenblatt ist es Fig. 3: 5V ermöglicht ca. 25A bei
B 3 6 D+ µ l D- 2 1 0 h N C 1 S G D N 5 4 G R1 R100 / 3W C2 100n GND 8 C C 2 5 V Q1 PB0 1 6 PB1 IRF530 7 PB2 3 2 U1 R2 PB3 10k 3 PB4 Microcontroller 1 ATTiny-13 RESET/PB5 ATTiny-25 ATTiny-45 C N ATTiny-85 C R 0 G (ATMega-328P different pinout) 1 4 GND GND J3 1 V DEBUG + GND Michael Buesch <m@bues.ch
://forum.arduino.cc/t/unsure-of-how-to-code-mosfet-rgb-led-setup/564432 "nothing happens bei IRF530" Später dann IRL530. https://forum.arduino.cc/t/10w-led-driver-for-data-transmission/658599 (IRFZ44) Dummerweise hat er ja alles mögliche beschrieben, inklusive dem Treibertransistortyp, aber
doch diese Schaltung ist immer noch drin. Auch funktioniert kein uC an 16V, kann kein uC einen IRF530 direkt schalten, die Probleme werden also mehr, nicht weniger.
10k FB 51k 0.1 F GND VC C T DS 1N4148 3 1 1.24k 0.47 F 1% Z5U LTC1153 100k 100k 1k STATUS STATUS G IRF530 1 F 12V GND SD 12V/1A + 0.22 F 47 F 16V LTC1153 • TA13 13 LTC1153 O U TY I P CA L PP IC I L AT S Auto-Reset Circuit Breaker with Programmable (1-6) Number of Retries Using Binary Counter 5V TO 18 V
, dafür kann man dann gleich loslegen. Für die endgültige Schaltung nimmt man dann Mosfets z.B. IRF530N wobei 8 Stück dann insgesamt 3.6€ bei Reichelt kosten oder man baut die gleich auch dazu und der Aufbau ist sicher besser/günstiger für jemand, welcher wenig Ahnung hat. Beim fertigen Aufbau hat
andere Layouts (Gatetreiber direkt an den Mosfets) - andere Gatetreiber - andere Mosfets (IRFB4410, IRF530N, IRFB3607, IRFB4127) - andere Tastköpfe - Tektronix Oszi anstatt dem Agilent mit passendem 100MHz Differenztastkopf. - niedrigere Verriegelungszeit - rein ohmsche Last (50W Lastwiderstand, hier
MOSFETs und akzeptierst, dass du einen Gate-Treiber brauchst. Nehmen wir statt dem steinalten IRF530 mal was moderneres aber ebenfalls im grobmotorischen TO220 PSMN1R9-40PL Der hat 1.7mOhm und bei 30A gerade mal 1.5W Verlust, das hält der ohne Kühlung aus, bei 3A quasi gar keinen Verlust.
nochmal eine andere Geschichte. Habe hier aber auch durchaus brauchbare Power-Mosfets, z.B. den IRF 530N und IRF 640. Die zu beherrschen ist aber eine Aufgabe für Spezialisten, würde ich einem Newcomer nicht empfehlen.
Moment: du hast aber verstanden, dass der 2SC1971 nur der Treiber ist, in der PA werkeln zwei IRF530. Auch die werden aber nicht nur 1 W als Treiberleistung brauchen. (Nicht, dass ich ihm ohne Messung nun unbedingt die 45 W abkaufen würde, aber 20 W könnten gut und gern drin sein damit.)
Platzeinschränkungen. Vielleicht aber auch eine Art rigoroser > "SMD-Ablehnung", man weiß es nicht.) Die IRF530 hatte ich relativ günstig bekommen und sie vermögen - allerdings mit Kühlkörper - bis zu 17A zu schalten .. grade richtig für die 350mA meiner LEDs ;-) In der Tat habe ich eine rigorose SMD Ablehnung
ansonsten gleichen Daten auch noch Unterschiede bei RDSon etc ... Ok, bin am Suchen, z.B. sehen IRF530 / IRF9530 erst mal gut aus ...
): * .model IRF530 VDMOS(Rg=3 Vto=4 Rd=50m Rs=12m Rb=60m Kp=5 lambda=.01 Cgdmax=1n Cgdmin=.26n Cgs=.2n Cjo=.4n Is=52p mfg=International_Rectifier Vds=100 Ron=160m Qg=26n) In dem Topf, wo's kocht, ist das aber noch
flach auf der Platine liegen. D882 B772 D882 D882 B772 B772 D882 B772 1.8. Installieren Sie den FET IRF530 Auch hier ist die Beschriftung oben und der FET liegt flach auf der Leiterplatte. 1.9. Installieren Sie die Spindeltrimmer 3296. Die Beschriftung ist oben, die Trimmer liegen flach auf der Platine.
Leben schnell genug geschaltet bekommen um auf 100ns Min-Dutycycle zu kommen. Das habe ich schon mit IRF530 probiert ;-) Das gibt eine ganz fiese Sauerei. 3. H-Brücken Der Shunt-Widerstand muss mit unbedingt(!) ein niederinduktiver Widerstand sein. Hier bieten sich Metalloxidschichtwiderstände an. Benutze
die Motoranschlüsse, falls erforderlich. IRF840 hat relativ hohen RDSon, VGs würde passen. Ggf. IRF530, aber kann später noch geändert werden, wenn Motoren klar sind. Einige Kontenpunkte fehlern. Layout: Habe ich nur oberflächlich angekuckt! der 470µF C ist auf jedem Fall mechanisch zu klein
Danke habe es endlich gefunden. :) Und nun die Ergebnisse. Ich habe es mit einem IRF530 und einem IRF9540 (der 9530 war nicht verfügbar) probiert. Also je ein N-Channel und P-Channel-FET. Achja und einem BD139-Transistor. Mit dem 530 ging es bis 6.6V gut. Dann war Schluß. Mehr war
Spannungsstabilisierung Schaltplan Verpolschutz. Der Verpolschutz besteht aus den drei Bauteilen T1 (N-Kanal MOSFET, IRF530), Z-Diode D1 und Vorwiderstand R5. Bei richtiger Polung ist immer ein Stromfluss möglich. Dieses geschieht durch die immer vorhandene parasitäre Diode innerhalb des MOSFET, die für ca. 2A ausgelegt
Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) D Pak Part Marking Information THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE YEAR 0 = 2000 ASSEMBLY WEEK 02 LOT CODE LINE L 8 www.irf.com IRL2203NS/
einfaches Netzeil? Halte ich für > Overkill. Evtl. kann man eine Einfache Stromsenke mit einem IRF530N basteln der die Leistung verbräht... M. G. schrieb im Beitrag #2649568: > Endstufenmodule für größere Leistungen würde ich nicht selber bauen. Das > können andere besser. Und Leute die sich eigene
2SJ401 A IR IRF530A 100 0.11 14 55 TO-220AB 2SK2314 A Samsung IRF530FI 100 0.16 10 TO-220FP 2SK2391 A ST Revised 1Q '99 - 18 - A:Nearest, B:Different Package Power MOSFETs Cross Reference Alphanumerically Part V DSS R DS(ON) D P D Package Toshiba Note Vender Number (V) (ohm) (A) (W) Replacement IRF530N 100 0.11 15 60 TO-220AB 2SK2314 A IR IRF530NS 100 0.11 15 63 D2PAK 2SK2789 A IR IRF530S 100 0.16 14 88 D2PAK 2SK2789 A IR IRF531(R) 80 0.16 14 TO-220AB 2SK2314 A Harris IRF532(R) 100 0.23 12 TO-220AB
2SJ401 A IR IRF530A 100 0.11 14 55 TO-220AB 2SK2314 A Samsung IRF530FI 100 0.16 10 TO-220FP 2SK2391 A ST Revised 1Q '99 - 18 - A:Nearest, B:Different Package Power MOSFETs Cross Reference Alphanumerically Part V DSS R DS(ON) D P D Package Toshiba Note Vender Number (V) (ohm) (A) (W) Replacement IRF530N 100 0.11 15 60 TO-220AB 2SK2314 A IR IRF530NS 100 0.11 15 63 D2PAK 2SK2789 A IR IRF530S 100 0.16 14 88 D2PAK 2SK2789 A IR IRF531(R) 80 0.16 14 TO-220AB 2SK2314 A Harris IRF532(R) 100 0.23 12 TO-220AB
Schaltung von Ulf. Der Wirkungsgrad der Schaltung ist hervorragend, in der Simulation liefern zwei IRF530 rund 40W in eine Last und verheizen dabei je nur etwa 0,4W. Das entspricht etwa 98% Wirkungsgrad. Das einzige Problem ist eben die Spule mit Mittelanzapfung, sowie die hohe Spannung an den Transistoren
Bild
Bild
Bild
Bild
Bild
