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Mosfet-Driver-Spg-Spitzen-Problem
Hallo Zusammen, hab mal wieder ein kleines Problem....diesmal mit meinem Mosfet-Driver IR2110. Ich habe zwar auf der Hochspg-Seite meiner Schaltung "nur" 450V....das würde der Treiber auch aushalten.....aber laut Simulation habe ich beim Einschwingvorgang Spannungsspitzen von bis zu 1,3kV
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SMPS Chip rätsel, TOP258, TNY280 oder ähnliche
Ich habe noch die IGBT- Treiber IR2110 auf dem steuerboard erneuert und eins der Netzrelais, was abgebrannte kontakte hatte. Bist du sicher, dass das Snt am Zwischenkreis läuft und nicht nur das von Netz gespeiste Snt neben dem Platform-Board
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Verstärkung Audio Endstufe
mit 16V, die fertige Platine werde ich dann mit ca. 45 V für die Endstufe und 15V für den TL494 + IR2110 versorgen. Feedback wird mit JP3 oder JP4 verbunden. Mit welchem muss ich noch überlegen. Ich wollte aber zur Sicherheit beide Möglichkeiten vorsehen. Weiß jemand wieso R3 gebraucht wird? Meinen
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Suche Schaltkreis-Empfehlung Synchron.DC/DC bis 60V
wäre dann, daß der Highside-Treiber bis 60Vdc funktioniert oder daß man einen MOSFET-Treiber wie den IR2110 nachschalten kann. Bei den meisten ICs, die ich mir bislang so angeschaut habe, geht das leider nicht so gut. Die wollen gerne den Stromfluss durch den Highside-MOSFET messen und dadurch kann man
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Eagle3d Modellzuordnung rückgängig?
undzwar im Anhang hab ich mal die noch unfertige Platine eingefügt. Wie man sehen kann, sind die ICs IR2110 und IRFD014 verschoben bzw verdreht. Beides sind selbsterstellte Devices, allerdings mit Standarpackages, die ich von anderen Bauteilen herauskopiert habe bei der Bauteilerstellung. Weiss jemand
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Brückentreiber für D Verstärker
Der IR2110 ist dafür auch geeignet, hab ich selbst schon für Class D Verstärker verwendet und der wird auch in vielen DIY Schaltungen eingesetzt. Für eine Vollbrücke benötigst du dann 2 davon.
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MOSFET Ansteuern
/smps/smps.html Weit verbreitet ist der SG3525 als Controller. Zur Ansteuerung der MOSFET ist der IR2110 beliebt. Google mal nach diesen ICs dann hast Du schon einen guten Einstieg. Noch ein Tipp, ohne Simulation, ich habe LTSpice verwendet, wirst Du beim Entwickeln Probleme bekommen. Ein Oszi ist
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Motortreiber gesucht
Guck dir mal Bausteine wie den IR2110 (www.irf.com) an. Eigentlich ist das ein MOSFET-Treiber (den du bei einer MOSFET-H-Brücke auch bräuchtest), der kann aber auch ein paar Ampere schalten...
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H-Brücke: Ansteuerung mit Überlapp statt Totzeit
Lowside-Treiber". (Also welche ohne Totzeit etc., und keine sog. "Halbbrückentreiber". Geeignet wären z.B. IR2110/IR2113. Allerdings kenne ich Deine Eingangsspannung nicht...) Ein integrierter Treiber für alle Schalter einer stromgespeisten H-Brücke ist zumindest mir unbekannt. Problematisch für höhere Stückzahl
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Sinus mit PWM und tiny2313 - suche Codebeispiel
Danke, Michael. Klasse! Damit werde ich mal anfangen. Ich werde einen IR2110 mit IRF730 einsetzen.
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Ultrakeet CD Spot welder
kondensator beziehen, der aufgeladen wird wenn der source auf masseniveau liegt. ich kenne nur den IR2110 bzw IR2113, diese enthalten eine ansteuerung für einen low-side und einen high-side FET (halbbrücke). die high-side arbeitet nach diesem bootstrap-prinzip, kannst du dir im datenblatt mal zum verständnis
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High-side Mosfet Ansteuerung
Danke fuer den Tip. Ich moechte aber vorerst mit IR2110 versuchen, weil die andere Features haben, die MICs nicht haben. Interessant waere zu wissen, wie die Gate Spannung bei MICs funktioniert. Vielleicht gibt es den Kreis als IC separat zu kaufen.
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3 Phasen Inverter
erzeugen. Alles rein analog ohne µC. Für das Totzeit-Problem gibt es Schaltkreise, die das lösen. Der IR2110 z.B. hat für T-ein 120ns und für T-aus 90ns. Wenn 30ns reichen, braucht man sich da nicht weiter drum zu kümmern. Ansonsten kann man soweit ich weißt mit dem UC3715 z.B. eine Totzeit einfügen. Geht
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Erkennung IGBT Modul (diskrete DESAT Beschaltung?) am PV-WR
nur, wie erkennt der Wechselrichter, dass kein IGBT Modul drin ist? Der verwendete Treiber ist ein IR2113, welcher recht "dumm" ist. Allerdings hat er einen ShutDown Eingang, welcher auch auf Low ist, wenn der WR den Shutdown Fehler bringt. Den Tempsensor vom Modul habe ich durch einen festen R ersetzt
nicht verwendet wird) Treiber: https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/24/49/infineon-ir2110-datasheet-en.pdf Wie kann ich dem WR nun ein IGBT Modul vorgaukeln? Mittels Widerstände und Spannungsteiler, dass er die halbe PV Spannung am AC Ausgang misst? Das würde ja Symetrierungswiderständen
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50A 12V unter Last mit Relais abschalten
die abschaltung doch einfach in der H-bridge. die meisten dafür verwendeten treiber-ICs wie z.b. der IR2110 haben shutdown-eingänge mit denen sich die funktion eines relais ganz einfach realisieren läßt.
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High-Cap Kerko 100µF, Farnell fast 9x teurer als Reichelt?!
Nächstes Beispiel: IR2110 Reichelt: 1€75 Digikey: 3€18 Farnell: 2€66 Kauft Reichelt etwa soviel, dass die beträchtlichen Mengenrabatt bekommen? An ein Imitat (wie LM2576 von Taiwan Semiconductor) möchte ich nicht glauben, denn als Herstller ist IR speziell angegeben.
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Klasse-D-Amp carroAmpDmkV
aus! Wie ist denn die Taktfrequenz des Dreieck-Generators? Wie stellst du die Totzeit bei den IR2110 ein? Die rise/fall-Zeiten sind ja für die MOSFETs (so gut wie immer) unterschiedlich ... Beeinflusst das die Signalqualität am Ausgang? Konntest du mal eine Klirrfaktorbestimmung machen?
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Halbbrücke mit 200V
eigenbau? hab sowas mit 400V Realisiert is kein Problem, passende FETs suchen und IR2110 verbauen, sonst halt über "ansteuer" vorstufen die mit der Spannung klarkommen.
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Halbbrücke Highside Fet wird heiß
Hallo, habe ein Problem mit einer Halbbrücke. Als Treiber verwende ich den IR2110. Mosfet ist der STP140N6F7 welcher 80 Ampere schaffen sollte. Wird aber schon bei 6 Amps heiß. Geschalten wird mit 10Khz was auch kein Problem sein sollte... Der Einschaltvorgang beträgt ca 50ns
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Ansteuerung von Leistungstransistoren mit Mosfets
H-Brückentreiber-ICs von alleine. Man muss sie aber passend aussuchen, damit die Zeit zu den MOSFETs passt. IR2110 sehr schnell, HIP4080A einstellbarer turn on delay.
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High Site FET Problem in H-Brücke
BLDC Steuerung gebaut, und der High Site Fet macht probleme. Ich habe mal die Bilder angehängt. Der IR2110 wird über einen dsPic angesteuert. Deadtime ist ca. 800ns. Man sieht wie der Fet abgeschaltet wird, dan bleibt er bei der Versorgungsspannung der H-Brücke stehen. Sobald der Low Fet einschaltet
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230Volt Ladeschaltung für Kondensator
281825678187?_trksid=p2055119.m1438.l2649&ssPageName=STRK%3AMEBIDX%3AIT Damit könnte man vielleicht den IR2110-Teil ersetzen.
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Wechselrichter Unterspannungsabschaltung modifizieren?
Ist ja immer wieder erstaunlich, was so alles aus zweiter Quelle kommen kann. Es gibt jetzt also IR2110 auch als Klone. Der PIC macht vermutlich nur die Sinusmodulation und hat mit der Abschaltung nichts zu tun. Die HV Seite wird einfach dadurch abgeschaltet, das der TL494 auf der NV Seite still gelegt
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STM32F4 BLDC mit Hall Sensoren
bekommen. Dazu benutze ich: ein STM32F4Discovery, den Motor mit Hall-Sensoren, IRFP4310Z als FETs und IR2110 als FET-Treiber mit DCDC-Wandler für die High-Side-FETs. Die Software basiert auf [[STM32_BLDC_Control_with_HALL_Sensor]] jedoch TIM3 für die Hall Sensoren. Soweit sieht alles auch ganz gut auch
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Warum funktioniert mein Wechselrichter nicht?
empfehlen einen Gate-Treiber zu verwenden damit die FETs möglichst schnell schalten. Mein Favorit wäre der IR2110, dessen high side läßt sich auch für einen low side FET verwenden. Die Verwendung eines kleinen µC kann schon Sinn machen, bei 50Hz schafft man das Signal mit Totzeit oder besser gleich "modified
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vorstufe für h-brücke
gehts nur mit Optokoppler oder Steuertransformator. Vielleicht siehst Du Dir das Datenblatt des IR2110 mal an? Das ist ein Halbbrücken-SteuerIC. Zwei davon können eine Vollbrücke steuern. Da findest Du evtl. brauchbare Ansätze.
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Theorie Wechselrichter 12V DC -> 230V AC
obere halbwelle ausgibt und auf CCP2 die untere halbwelle . Das ganze über optokoppler auf zwei ir2110 die eine H-Brücke aus 4 IRFP360 ansteuern . Die zwischenkreißspannung wollte ich mit Gegetackt wandler auf TL494 basis aufbauen. Aber wie stelle ich jetzt sicher das nach der H-Brücke auch
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LTSpice Stepping Source/ Damped Pseudo-Transient Analysis
wurde die Beschaltung entsprechend angepasst. Danach habe ich die Schaltung auf den UC3825 und den IR2110 reduziert damit die Simulationsgeschwindigkeit erhöht wird. Hier die selben Merkwürdigkeiten. Es erhärtet sich das es am UC3825 liegt. Gibt es aus Deiner Sicht noch weitere Ursachen?. Gruss
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Layout für Schaltnetzteil verbessern
Ganze am Ende funktioniert. Die Funktion ist die Erzeugung der Wechselspannung für den Trafo mit 2 IR2110 und einer MOSFET Brücke. Leider soll das auf 10cm x 10cm passen. Anbei ein erster Entwurf. Ich habe darauf geachtet, die Stromschleifen möglichst klein zu halten, siehe Bild. Folgende Fragen: Muss
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NMOS als High-Side Switch
nicht mit dem Emitter an + anschliesst und den Kollektor gegen minus. Ladungspumpen ICs wie z.B. der IR2110 arbeiten deswegen für die Highside mit dem Bezugspunkt an der Source des NMOS und 'stapeln' darauf die Spannung der Ladungspumpe. Damit ist die Gate eindeutig auf höherem Pegel als die Source und
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Drehstrom aus Wechselstrom erzeugen? Gesperrt
erinnert) 1x Microcontroller ( scheiss egal was für einer, hab selber den AT89C2051 benutzt ) 3x IR2110/2113 6x Dicke N-MosFet's 1x Programmierer den man mit Programmierumgebung in ein Dunkles kämmerchen auf einige Stunden einsperrt. Und Tada: http://www.jankeytec.at/pics/schaltungen2/PICT0012
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Wärmeentwicklung am Transistor - kleiner Leitwiderstand vs. schnelle Schaltzeit
bastel zur Zeit an einer Motorsteuerung. Das Steuersignal hat 20kHz und wird von einem Mosfet-IC (IR2110) auf meine Transistoren übertragen. Diese sollen demnächst (aktuell verwende ich IRF520 für einen kleinen Testmotor) einen maximalstrom von 10A schalten. Mein Problem ist die vermutlich enorme Wärmeerzeugung
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Wie Bilder vom Smartphone auf den PC übertragen?
ja: welchen? > > A: habe ich > B: muss ich nachschauen Broadcom BCM2045B, USB\VID_0A5C&PID_2110
PC-Übertragung der Bilder. Gibt es sowas beim Smartphone nicht? So ganz früher ging nur Infrarot (IrDa) - aber dazu brauchte man z.B. ein passendes Empfängergerät.
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[S] Frequenzumrichter P<100W f<=50Hz
dann natürlich proportional, die Amplitude mit runtergeregelt. Davon angesteuert werden sollen über 4xIR2110 8 MOSFETS IRFBC40, dahinter noch L-C Tiefpass und dann zum Motor. In den Oszillogrammen habe ich letzteren mit R-C (5k,0,1µ) simuliert, daher noch mehr Restwelligkeit. Wenn Du möchtest, (Dir der
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Mosfet Halbbrücke hat starke Überspannungen am unteren FET
#2735800 Der Highside Treiber wird mit 12 Volt getrieben? Ich kann zu dem Chip nichts sagen, da ich die IR2110/2112 Serie benutze, bei denen das nicht so passiert. Ich weiss, das es wahrscheinlich nicht so einfach ist, aber evtl. wäre es eine gute Idee, versuchsweise einen anderen Highside Treiber einzusetzen. Die IR211X gehen hier vermutlich nicht, weil sie im Lockout Fall die Lowside brauchen um sich wieder freizuschalten, aber vllt. hast du noch was anderes rumliegen.
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Gegentaktflusswandler an 230V
IR2110/IR2113. Kannst Dir ja mal ein PC-Netzteil anschauen, die älteren Typen mit dem bekannten TL494 sind alles Halbbrücken-Gegentaktwandler.
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MOSFET-Schaltzeiten in einer H-Brücke bei 100 Khz
läuft und da sehen low und high side auch aus, als würden Sie exakt simultan geschaltet. Aber der IR2110 hat halt son paar ns Pause dazwischen. Die gehen in den µs unter.
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Reparaturbericht Curtis DC Motor Controller 1515-5201 (Golf Cart, Gabelstapler, eAuto)
N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 75 A, 14 mΩ defektes Treiber-IC (zerplatzt) ist: 942-IR2110STRPBF (U13) 2x 2,19 FET-driver low+high-side Ebenso erwischt hat es den Q15, da habe ich den komplementären mitbestellt: Transistorpaar 449 (Q13/Q15 def) / 549 (Q11 Q14): 522-FMMT449TA 3x
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MOSFET-Auswahl
nur in der Theorie: 1.Gatekapazität und entsprechende Gateladung:durch moderne Trieber IC (z.B.IR2110 oder ähnliche) dürfte das kein Problem sein. 2.RDSon ...desto weniger desto besser.. 3.ein kritischer Punkt scheint die parastäre Drain-Source Reversediode zu sein,desto mehr Spannung der Fet
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Ladungspumpe Frequenz
Ladungspumpenimpuls pro Schaltvorgang (so macht es ja die externe Ladungspumpe von der Last aus, wie beim IR2110 oder vielen Vollbrücken und Schaltreglern, nur darf da die Schaltfrequenz nicht 0 werden. Um bei langsamen Schaltvorgängen den Leckstrom nachzuliefern, und um vor dem ersten einschalten mal genug
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Kinex 3-Strangschrittmotor?
Synchronmotor, hab den gleichen zuhause und mit einem 3 Phasen Frequenzumrichter(= 3 Hbrücken) angesteuert mit IR1004 und IRL2110.
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ESP32 3.3V Logik Level Mosfet
Photomosrelais mit einem Vorwiderststand nur 2 Bauteile, AQV252g o.ä. bei 3mA wäre der R 680 Ohm vor der IR Diode und geschaltet wird die Plusleitung sekundär vom Photorelais.
Bauform B. schrieb im Beitrag #7442175: > ein FPF2110 reicht Hat doch keine Schraubklemmen...
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Schaltspitzen (Resonanzwandler)
nicht die MOSFETs. PIN 11 + 15 von U3 sind die Betriebsspannungsanschlüsse des "Leistungs"teils vom IR2110. (Oder war's 3+2? - nachsehen). Die nicht einfach mit VCC parallel schalten, sondern extra führen. Masseanschluss vom Leistungsteil bitte direkt an die Masseanschlüsse vom Q3, C4 und C47. Genau
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[Transistor Ansteuerung] Ausgang kein Rechteck?
kann hier nur aus Erfahrung sprechen. Vor kurzem hatte ich ein ähnliches Oszibild. Im Appnote zum Ir2110 (High und Lowside Gazetreiber) wird das ausführlich behandelt. Da ich sowieso nur 3-4 Werte an Kondensatoren rumliegn hatte habe ich einfach rumprobiert und mit 22pf das beste Ergebnis erziehlt.
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BLDC-Motorkontroller
Gatetreiber und Stromzuführungen. Ein paar parallelgeschaltete IRFB3207 sind eine gute Basis und der IR2110 ist ein kräftiger und gutmütiger Gatetreiber. Ich jedenfalls habe damit gute Erfahrungen gemacht (mit insgesamt 18 MOSFet) und treibe damit 4kW Motoren an. Blockkommutation ist simpel und unterfordert
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MOSFET-Treiber: low-side statt high-side?
nämlich eine relativ große Verzögerung (on/off delay-time im Datenblatt), beispielsweise ca. 130 ns (IR2110) oder 140ns (FAN73901). Verwendet man aber eine Potentialtrennung (z.B. ISO7220 mit 25 ns) und einen Low-Side-Treiber (z.B. EL7202 mit 25ns), so ließe sich die gesamte Verögerung stark reduzieren
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Halb Brücken MOSFET Treiber (kleiner 100ns Turn On) gesucht
suche einen Halbbrücken FET Treiber, der deutlich flinker als 100ns Turn on hat. Hab bislang mit einem IR2110 gearbeitet, aber der ist leider für meinen Fall nicht mehr schnell genug. Isolationsspannung braucht auch nicht größer als 70V sein. Idealerweise sollte das Bauteil bei TME, Reichelt oder Elpro