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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
290A/µDD ≤ (BR)DSS, max. junction temperature. ( See fig. 11 ) T ≤ 175°C J Starting T = 25°C, L = 3.6mH Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%. J RG= 25 , IAS = -10A. (See Figure 12) IRF9Z34N 100 VGS 100 VGS TOP - 15V TOP - 15V - 10V - 10V ) - 8.0V A - 7.0V ( - 6.0V ( - 6.0V t - 5.5V n - 5.5V e - 5.0V
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CFAG320240CFMIT.pdf
Gray Y STN Positive, Yellow Green M STN Negative, Blue F FSTN Positive E LCD Polarize Type/lective, N.T, 6: 0ransflective, W.T,6:00 Temperature range/ D Reflective, N.T, 1 :00nsflective,W.T,12:00 View direction G Reflective, W. T, :00nsmissive, N.T,6:00 J Reflective, W. T, 2:00nsmissive, N.T,12:00 B Transflective, N.T 6:00nsmissive, W.T.6:00 E Transflective, N.T 12:00missive, W.T,12:00 j Special Code T: Built in Negative Voltage&Temperature Compensation Crystalfontz America, Inc. 15611 East Washington Fax:e: (509
in „SP14Q002-A1 aus eBay - Erfahrungsaustausch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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CFAG320240CFMIT.pdf
Gray Y STN Positive, Yellow Green M STN Negative, Blue F FSTN Positive E LCD Polarize Type/lective, N.T, 6: 0ransflective, W.T,6:00 Temperature range/ D Reflective, N.T, 1 :00nsflective,W.T,12:00 View direction G Reflective, W. T, :00nsmissive, N.T,6:00 J Reflective, W. T, 2:00nsmissive, N.T,12:00 B Transflective, N.T 6:00nsmissive, W.T.6:00 E Transflective, N.T 12:00missive, W.T,12:00 j Special Code T: Built in Negative Voltage&Temperature Compensation Crystalfontz America, Inc. 15611 East Washington Fax:e: (509
in „Sammelbestellung Grafik-LCD 320x240 blau/weiß“ · Markt ·
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dimmer6.pdf
DIP-Schalter 10 in die Stellung OFF. ü Wählen sie über die DIP-Schalter 1-9 die DMX-Startadresse aus. O n 12 34 56 78 9 10 WORK CONFIG Pin10: Off Pin10: On Pin1-9: DMX-Address Pin1-6: On: Switch Off: Dimmer Pin9: Off: Signalerkennung aus On: Signalerkennung ein Tabelle 1: Übersicht der Konfiguration © 2003
in „12V Halogenlampen dimmen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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HX8340-B_T__DS_preliminary_v01_080313.pdf
)*(20/23) V55 P/N VgP/N5 V24 P/N VgP/N4+(VgP/N3-VgP/N4)*(19/23) V56 P/N VgP/N6+(VgP/N5-VgP/N6)*CB1 V25 P/N VgP/N4+(VgP/N3-VgP/N4)*(18/23) V57 P/N VgP/N6+(VgP/N5-VgP/N6)*CB2 V26 P/N VgP/N4+(VgP/N3-VgP/N4)*(17/23) V58 P/N VgP/N6+(VgP/N5-VgP/N6)*CB3 V27 P/N VgP/N4+(VgP/N3-VgP/N4)*(16/23) V59 P/N VgP/N6+(VgP/N5-VgP/N6)*CB4 V28 P/N VgP/N4+(VgP/N3-VgP/N4)*(15/23) V60 P/N VgP/N6+(VgP/N5-VgP/N6)*CB5 V29 P/N VgP/N4+(VgP/N3-VgP
in „SAMMELBESTELLUNG: 2"2 TFT Display mit 16bit digital interface“ · Markt ·
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irl630.pdf
and -55 to + 150 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Mounting torque, 6-32 or M3 screw. 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. Units R θJC Junction-to-Case –––– –––– 1.7 R θCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface –––
in „Kontrolle der Kühlkörperberechnung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DS_UJ3N120070K3S-1530204.pdf
25°C 60 1.E-03 Vgs = 2V Vgs = 0V 50 ) Tj = -55°C Vgs= - 2V ( Tj = 25°C ) Vgs = -4V D1.E-04 ( Vgs = -6V t Tj = 125°C ID40 Vgs = -8V n t r Tj = 175°C e Vgs = -10V u r 30 C1.E-05 C g n k r 20 e D L i1.E-06 10 r D 0 1.E-07 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 200 400 600 800 1000 1200 Drain-Source Voltage,DS (V) Drain-Source
in „SiC Kaskoden Body Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DSI_Spezifikation_V20_d_.pdf
ein linearer Dimmverlauf resultiert. Der logarithmischen Dimmkennlinie liegt folg. Formel zugrunde: n−1 X(n) =10 127 n ........ dezimaler Dimmwert [1 ... 255] X(n) ... Arc-Leistung in Prozent [1% ... 100%] Sonderfall n = 0: Standby (Licht aus) Beispiele: n = 1 ............ 1% Arc-Leistung n = 128 ...
in „DSI Schnittstelle eines Elektronischen Vorschaltgerätes“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Espier_III.pdf
_2 65 DIN VCCO_0 VCCAUX 53 +3.3V U6 1 1 2 3 9 4 4 DSEN1 IO_L3P_0 139 SDRAM_A8 B IO_L3P_D0_DIN_MISO_MISO1_2 64 MOSI 103 VCCAUX 90 0 IO_L3N_0 138 SDRAM_A9 IO_L3N_MOSI_CSI_B_MISO0_2 62 IRDA 76 VCCO_1 VCCAUX +1.2V R8 4.7k SDRAM_CKE 37 D D
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FM1216.pdf
This brochure may be ordered using the code number 9398 393 40011. WRITE mode BITS BYTE 7 0 (1) MSB 6 5 4 3 2 1 LSB A Address byte 1 1 0 0 0 MA1 MA0 0 A Program divider byte 1 0 n14 n13 n12 n11 n10 n9 n8 A Program divider byte 2 n7 n6 n5 n4 n3 n2 n1 n0 A Control information byte 1 1 CP T2 T1 T0 RSA RSB
in „Radio mit TV/FM-Tuner von Philips“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FM1216.pdf
This brochure may be ordered using the code number 9398 393 40011. WRITE mode BITS BYTE 7 0 (1) MSB 6 5 4 3 2 1 LSB A Address byte 1 1 0 0 0 MA1 MA0 0 A Program divider byte 1 0 n14 n13 n12 n11 n10 n9 n8 A Program divider byte 2 n7 n6 n5 n4 n3 n2 n1 n0 A Control information byte 1 1 CP T2 T1 T0 RSA RSB
in „Autoradio selber bauen.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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dip204-4.pdf
Kontrastspannung, Eingang 12 D5 (D1) H / L Display Data 4 RS (CS) H / L Umschaltung Befehl / Daten 13 D6 (D2) H / L Display Data 5 R/W (SID) H / L H=Read, L=Write 14 D7 (D3) H / L Display Data, MSB 6 E (SCLK) H Enable (fallende Flanke) 15 - - frei (siehe EA DIP122-5N) 7 D0 (SOD) H / L Display Data, LSB
in „LCD Display Ansteuern“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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RK7Segment-Testsheet.pdf
( ) * + , - . / 0 48 1 49 2 50 3 514 52 5 53 6 54 7 558 56 9 57 : 58 ; 59 < 60= 61 > 62 ? 63 3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 : ; < = > ? @ 64 A 65 B 66 C 67D 68 E 69 F 70 G 71H 72 I 73 J 74 K 75 L 76M 77 N 78 O 79 4 @ A B C D E F G H I J K L M N O P 80 Q 81
in „S: 7 Segment lookup Table für Buchstaben“ · Softwareentwicklung ·
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schematic.pdf
A B C D E +1.2V +2.5V U1A 35 U1M 36 U1K +3.3V U1J +2.5V +3.3V 1 DS_C 37 VCCA1 GNDA1 139 9 R10 4.7k DSEN4 IO_1 2 DS_G VCCD_PLL1 VCCIO8 130 nSTATUS 14 R11 4.7k DSEN3 IO_2 3 DS_DP 107 108 VCCIO8 nCONFIG 92 R9 4.7k 4 7 3 9 DSEN2 1 IO_3 6 EPCS_ASDI 109 VCCA2 GNDA2 122 CONF_DONE 12 EP_DCLK +
in „Sequentielle Anweisung: Takt wird nicht richtig verarbeitet“ · FPGA, VHDL & Co. ·
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Cyclone4_schematic_v200.pdf
A B C D E +1.2V +2.5V U1A 35 U1M 36 U1K +3.3V U1J +2.5V +3.3V 1 DS_C 37 VCCA1 GNDA1 139 9 R10 4.7k DSEN4 IO_1 2 DS_G VCCD_PLL1 VCCIO8 130 nSTATUS 14 R11 4.7k DSEN3 IO_2 3 DS_DP 107 108 VCCIO8 nCONFIG 92 R9 4.7k 4 7 3 9 DSEN2 1 IO_3 6 EPCS_ASDI 109 VCCA2 GNDA2 122 CONF_DONE 12 EP_DCLK +
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schematic_v200.pdf
A B C D E +1.2V +2.5V U1A 35 U1M 36 U1K +3.3V U1J +2.5V +3.3V 1 DS_C 37 VCCA1 GNDA1 139 9 R10 4.7k DSEN4 IO_1 2 DS_G VCCD_PLL1 VCCIO8 130 nSTATUS 14 R11 4.7k DSEN3 IO_2 3 DS_DP 107 108 VCCIO8 nCONFIG 92 R9 4.7k 4 7 3 9 DSEN2 1 IO_3 6 EPCS_ASDI 109 VCCA2 GNDA2 122 CONF_DONE 12 EP_DCLK +
in „Board EP4CE6E22C8N Altera mit Quartus2 13 ansprechen“ · FPGA, VHDL & Co. ·
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162537-da-01-en-IRF_9540_N.pdf
25°C, L = 7.1mH Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%. R G 25 , IAS = -11A. (See Figure 12) IRF9540N 100 VGS 100 VGS TOP - 15V TOP - 15V - 8.0V - 8.0V ) - 7.0V ) - 7.0V ( - 6.0V ( - 6.0V n - 5.0V n - 5.0V e BOTTOM - 4.5V e BOTTOM - 4.5V u r C C e e r r u u S 10 o 10 - - - - i i r r D D , , ID ID -4.5V
in „iMax B6 defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLN540.pdf
Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.6 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA
in „HEXFET als Widerstand?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL540N.pdf
Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.6 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA
in „Welcher R_DS(on) stimmt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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P14067EJ2V0DS00.pdf
DRAIN CURRENT 24 VDS= 2 V VDS = 2 V f = 12 GHz 15 ID= 10 mA Ga Ga 20 14 ) ) ) B ) B d ( d ( ( 13 G ( G N n N 16 n e 2.0 12 a e a u G u G i e i e e 1.5 11 i e 1.0 12 i i c i o N o N 1.0 A A 0.5 8 0.5 NF NF 0 10 20 30 0 4 1 2 4 6 8 10 14 20 30 Drain CurrentD(mA) Frequency f (GHz) 4 Data Sheet P14067EJ2V0DS00
in „Vorverstärker für magnetische Loop“ · HF, Funk und Felder ·
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dac8512.pdf
m NO LOAD T G T E T N2.4 J60 L R R V R Y E U L I Y1.6 P40 O 10 CODE = FFFH= 409510 L U N 0% BW = 630kHz P S U SCALE = 100X U E P S0.8 W20 U 2mS TA= +258C O O P TIME = 2ms/DIV 0.0 0 0 1 2 3 4 5 10 100 1k 10k 100k LOGIC VOLTAGE
in „µC soll Strom rausgeben“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Grasshopper_Adapter_Rev.A.pdf
100nF 100nF 100nF 01100nFI1 P1 91 A_GND A_GND A_GND A_GND D D Title Size Number Revision A3 Date: 17.06.2008 Sheet of File: D:\Entwicklung\..\Audio.SchDocDrawnBy: 1 2 3 4 5 6 7 8 1 2 3 4 5 6 7 8 VCC_BAT VCC
in „Grasshopper und TFT Display“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlz34npbf.pdf
2%. RG= 25Ω, IAS= 16A. (See Figure 12) IRLZ34NPbF 1000 1000 TOP 15V▯ TOP 15V▯ 12V 12V 8.0V 8.0V A 6.0V A 6.0V t 4.0V t 4.0V n 100 BOTTOM 2.5VV n 100 BOTTOM 2.5VV r r u u C C c c u 10 u 10 o o - - - - 2.5V i i r r , 1 2.5V , 1 D D I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH 0.1 TJ= 25°C A 0.1 T J 175°C A
in „MOSFET defekt (evtl. durch Ohmmeter)?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf540n.pdf
SEE FIGURE 13 0 1 10 100 0 0 20 40 60 80 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-SourceVoltage Gate-to-SourceVoltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA ) ) LIMITED BY RDS (on) ( ( n100 n100 r r u T = 175 C u C
in „Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Class-D_PWM_Amplifier_V2_0.pdf
U10A a 7 9 9 7 2 OPA1656 m U10B U11A 2 2 1 2 _ Max. 1,736V 2,17V Vin High U9 RV2 C C 4 4 OPA1656 4 . R139 TLV3601 1,31V Vin Low 1 1 STDRIVEG600TR 2 3 + R 1 R 1 R42 C n. 470R GND R_POT 1 5 16k2 3 Q6 Q7 3 + + GND IXTH60N20X4 3 3 IXTH60N20X4 GND GND f 2 - 7 6 - 1 AD-Modulation R 4 1k 6n8 6 - 7 4 - _ R 0 R43
in „Class D Amp. Schaltplan überprüfen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203n.pdf
and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 0.85 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl3705n.pdf
Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 0.90 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA
in „Anschluss MOSFET IRL3705N“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl3705n.pdf
Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 0.90 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 ––– °C/W RθJA
in „Ventilansteuerung mit Mosfet - Temperatur?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Transistor_Dual_PushPull_ZXTC2045E6.pdf
@T A +25°C, unless otherwise specified.) Characteristic Symbol Value Unit (Notes 6 & 10) 0.7 5.6 (Notes 7 & 10) 0.9 7.2 Power Dissipation 1.1 W Linear Derating Factor (Notes 7 & 11) PD 8.8 mW/°C (Notes 8 & 10) 1.1 8.8 (Notes 9 & 10) 1.7 13.6 (Notes 6 & 10) 179 (Notes 7 & 10) 139 Thermal
in „Push/Pull in spannungsgeregelter Stromquelle / Frage zur Auslegung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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main.c
*) disk_info.product); uart1_putc('\n'); uart1_puts("rev : "); uart1_putc_hex(disk_info.revision); uart1_putc('\n'); uart1_puts("serial: 0x"); uart1_putdw_hex(disk_info.serial); uart1_putc('\n'); uart1_puts("date : "); uart1_putw_dec(disk_info.manufacturing_month
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JASA2003XiangSchroeder.pdf
excita- 22 4 194 303 9.763E-4 9.76E-4 tion MLS and the system response to the MLS 1,7by 23 8 388 607 6.904E-4 6.90E-4 24 16 777 215 4.882E-4 4.88E-4 h5MY, ~12! 2756 J. Acoust. Soc. Am., Vol. 113, No. 5, May 2003 N. Xiang and M. R. Schroeder: Reciprocal maximum-length sequence IV. PERMUTATION MATRIX OF RECIPROCAL MLS PAIR If$ i is a characteristic MLS of degree n generated by a PP f(x) and n is a primitive element over GF(2 ), which satisfies f(n21 )50, then the MLS matrix A can be factored using Eqs. ~4!–~6! in terms of the trace operator and the 7 TOB as FIG
in „Simulation mit Audiosignale“ · Digitale Signalverarbeitung / DSP / Machine Learning ·
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infineon-irf1010e-mosfet.pdf
) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.0 ID= 84A c A n t s 2.5 n TJ= 25 C s r e u n 2.0 C TJ= 175 C O d c e z u r la S100 o m 1.5 o - o - t N( i i 1.0 r r D D ,D ,) I o 0.5 S V DS = 25V D V =10V 20µs PULSE WIDTH R 0.0 GS 10 4 5 6 7 8 9 10 11 -60 -40 -20
in „DC Wandler wiederbeleben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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MITSUBISHI_CV-0MW7B51.pdf
statevariationdetectconclusion 10~13,113~116,134 16,17,24, bypass tocontrollers 25,132 SDI SDO l r o o Decoder o n r n n c t n n l u n 26~29 t c e e DSP c t h n m t m l o e Memory l u u c s m 39,40,43,44 o D e D D t t U o F Z A o F 30~32 changeover 34,37,38 EMC 4 0 1 , 8 ~ 9 6 1 2 0 1 ~ , 1 , 8 , , 0 9 6 5 7 , 6
in „Verstärker reparieren“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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telegramm.c
t bitzaehler = 0; bitzaehler++; switch (bitzaehler) { case 1: case 2: case 3: case 4: case 5: case 6: /* 6 Synchronisationsbits High */ if (!(PIND & (1<<PD4))) { bitzaehler = 0; } break; /* Genau 6 High Signale vor der Rahmensynchronisation auswerten */ /* Es könnten vor den 6 Synchronisationsbytes, High Signale anliegen sodass es mehr als 6 High's sind*/ /* sodass nachfolgend wenn nach 6 Highs immer noch ein High anliegt der bitzähler auf 6 gesetzt wird*/ /* bis eine "0" empfangen wird, dann wird der bitzähler inkrementiert. */ case 7:
in „sporadische Fehler mit Interrupt“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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UPC1676G.pdf
AND OUTPUT GAIN vs. FREQUENCY RETURN LOSS vs. FREQUENCY |S1|2 20 8 0 ) ) ( ) d B F d , Output ( 15 6 N , s -10 S e s o G NF u L n i i n u a 10 4 F u et -20 G i e R Input o R u 5 2 N u t n u -30 I O 0 0 -40 50 100 200 500 1000 2000 50 100 200 500 1000 2000 Frequency, f (MHz) Frequency, f (MHz) UPC1676G
in „ATmega8. Umbau als 2GHz Frequenz-Logger“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf3205.pdf
dt ≤ 290A/µsDD≤ V(BR)DSS TJ≤ 175°C IRF3205 1000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 7.0V 8.0V A 6.0V A 6.0V t 5.5V ( 5.5V n 5.0V n 5.0V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u r C C e e r c u 100 u 100 o o - - t t n n a a r r , , 4.5V D I 4.5V ID 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TC= 25°C T C 175°C 10 A 10
in „Schaltung zu Kondensatorentladungsschweißen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS_IRLZ44N-IR.pdf
0V, TJ= 150°C Gate-to-Source Forward Leakage 100 VGS = 16V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage -100 nA VGS = -16V Qg Total Gate Charge 48 D = 25A Qgs Gate-to-Source Charge 8.6 nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge 25 VGS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 d(on) Turn-On Delay Time 11 VDD = 28V r Rise
in „IRLZ44N Logic Level? Welcher Parameter?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLZ44N-IR_Reichelt.pdf
0V, TJ= 150°C Gate-to-Source Forward Leakage 100 VGS = 16V GSS Gate-to-Source Reverse Leakage -100 nA VGS = -16V Qg Total Gate Charge 48 D = 25A Qgs Gate-to-Source Charge 8.6 nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge 25 VGS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 d(on) Turn-On Delay Time 11 VDD = 28V r Rise
in „PWM-Drehzahlregelung Wasserpumpe mit DC bürstenloser Motor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Siemens_NTC_Databook.pdf
NTC B57820-M561-A5 Curve 1009 B 25/100= 3930 B value tolerance | B/B| = 1,5 % Rated temperature T =N100°C Rated resistance R N R 100 = 39,6 Resistance tolerance at 100°C | R /R | = 5 % N N Unknown: Resistance value at 35°C (R T R )35 Resistance tolerance at 35°C (| R /R | = | R /R |) T T 35 35 a) Calculation
in „Hellblauer Temperatursensor“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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EC_60.pdf
Leerlaufstrom mA 733 304 4 Nenndrehzahl min -1 4960 2680 5 Nennmoment (max. Dauerdrehmoment) mNm 747 830 6 Nennstrom (max.Dauerbelastungsstrom) A 9.38 5.85 7 Anhaltemoment mNm 11800 6820 8 Anlaufstrom A 139 46.4 9 Max.Wirkungsgrad % 86 85 Kenndaten 10 Anschlusswiderstand Phase-Phase W 0.345 1.03 11 Anschlussinduktivität
in „Netzeil für Servoverstärker und Motor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlml2502.pdf
Cgs + Cgd ,Cds SHORTED C rss= Cgd V VDS = 10V 1000 C = C + C ( oss ds gd g 8 F l ( 800 o e Ciss V n r 6 i u c 600 S p o a - 4 , 400 a C G , G 2 200 C V oss Crss 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 VDS , Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge
in „suche Transistor 5V 2A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3205.pdf
value limitJd to T = 175°C. 2 www.irf.com IRF3205 1000 1000 VGS TOP 15V ) TOP 10V ) 10V ( 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V e 5.0V e 5.0V u BOTTOM4.5V u BOTTOM4.5V 100 C00 c c u u S S o o 4.5V n n a 10 a 10 D 4.5V D , , I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ= 25 C TJ= 175 C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V DS , Drain-to-Source
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf3205.pdf
value limitJd to T = 175°C. 2 www.irf.com IRF3205 1000 1000 VGS TOP 15V ) TOP 10V ) 10V ( 7.0V ( 7.0V n 6.0V n 6.0V e 5.0V e 5.0V u BOTTOM4.5V u BOTTOM4.5V 100 C00 c c u u S S o o 4.5V n n a 10 a 10 D 4.5V D , , I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ= 25 C TJ= 175 C 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V DS , Drain-to-Source
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203npbf.pdf
Current µA DS GS 250 VDS= 24V, VGS = 0V, J = 125°C Gate-to-Source Forward Leakage 100 V = 16V IGSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage -100 VGS = -16V Q Total Gate Charge 60 I = 60A g D Qgs Gate-to-Source Charge 14 nC VDS= 24V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge 33 VGS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 td(
in „IRL2203N defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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manual_20digilab_201kx208.pdf
J6_B11 12 J6_B12 11 J6_A11 12 J6_A12 13 J6_B13 14 J6_B14 13 J6_A13 14 J6_A14 15 J6_A15 16 J6_A16 17 J6_A17 18 J6_A18 J6C 19 GND 20 N/C 1 VIAUX 2 GND 21 J6_A21 22 GND 3 VREF 4 GND 23 J6_A23 24 GND 5 GND
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schaltplan.pdf
VDDLED VDD3V3 470 R23 R20 U4 R22 R21 CD74HC4050M96 D D D L R 0 E E 1 16 T 7 1 3 7 1 0 L 4 L 2 VCC N.C 15 I 4 R - 4 R - X D E X 3 1Y 6Y 14 _ 3 5 A T L L R 4 1A 6A 13 E GPIO2 LED 5 K A 5 2Y N.C/212 M LED6 1 C 2 X USB_TXD 6 2A 5Y 11 T E R E Y 7 3Y 5A 10 L S L 1 USB_RXD 8 3A 4Y 9 GPIO2 2 - GND 4A 7 C 1
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162399-da-01-en-IRF_4905.pdf
38A. (See Figure 12) IRF4905 1000 VGS 1000 VGS TOP - 15V TOP - 15V - 10V - 10V ) - 8.0V ) - 8.0V ( - 6.0V ( - 6.0V t - 5.5V n - 5.5V n - 5.0V e - 5.0V r BOTTOM - 4.5V r BOTTOM - 4.5V u 100 u 100 C C e e r r u u S S - - t - n i -4.5V a 10 -4.5V a 10 r r , , D D - - 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T =
in „High Side Switch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF4905_TO220.pdf
38A. (See Figure 12) IRF4905 1000 VGS 1000 VGS TOP - 15V TOP - 15V - 10V - 10V ) - 8.0V ) - 8.0V ( - 6.0V ( - 6.0V t - 5.5V n - 5.5V n - 5.0V e - 5.0V r BOTTOM - 4.5V r BOTTOM - 4.5V u 100 u 100 C C e e r r u u S S - - t - n i -4.5V a 10 -4.5V a 10 r r , , D D - - 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T =
in „FET Frage (n oder p)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlml6302.pdf
Leakage Current µA -25 VDS = -16V, GS = 0V, J = 125°C Gate-to-Source Forward Leakage -100 VGS = -12V GSS nA Gate-to-Source Reverse Leakage 100 VGS = 12V Qg Total Gate Charge 2.4 3.6 ID= -0.61A Qgs Gate-to-Source Charge 0.56 0.84 nC VDS = -16V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge 1.0 1.5 VGS = -4.5V, See Fig
in „LCD-Hintergrundbeleuchtung dimmen (PWM)“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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R 6 1 5 IC9B C 1 R49 R35 K NE5532N 1 2 7 3 IC10A +35V 5 IC7B 5 R K 6 20K 1 C18 20K 7 GNDA 8 100n NE5532N NE5532N 8 K 2 +UB +35V Frontplatte Drehgeber 1µ 6 6 C16 4 0 NE5532N C90 +C87 4 NE5532N R 1 +UB 3 0
in „Hilfe beim Programmieren vom Verstärker“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·