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Temperatur_DS18B20.ino
Update-file: "+_argumentValue+"<br>"; s += "Don't turn off power during update!<br><br>"; s += "After update, the reconnection only via IP, without arguments behind it!<br><br>"; s += "<a href=\"http://"+WiFi.localIP().toString()+"\">
in „ESP Temperaturmodul mit DS18B20 und Web-Ansicht“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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schaltplan_fin.pdf
.MODEL Qmj15003 npn +IS=1e-09 BF=226.431 NF=0.85 VAF=43.4348 +IKF=10 ISE=1e-08 NE=1.79698 BR=1.65466 +NR=1.5 VAR=434.348 IKR=4.42319 ISC=5.49997e-09 +NC=3.18751 RB=43.922 IRB=0.1 RBM=0.1 +RE=0.0001 RC=0.20765 XTB=0.746102 XTI=1 +EG=1.05 CJE=9.62276e-08 VJE=0.505131 MJE=0.650363 +TF=9.99972e-
in „class ab - verstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TS3A24159.pdf
V = Open, 25°C –10 10 INC(ON), NC NO COM Switch ON, ON leakage NO(ON) or See Figure 12 Full 3.6 V –100 100 nA current VNC or VNO = 3 V, COM = Open, COM V or V = Open, V = 1 V, 25°C –10 10 NC NO COM Switch ON, ON leakage ICOM(ON) or See Figure 12 Full 3.6 V –100 100 nA current VNC or VNO = Open, VCOM
in „ANALOG SWITCH Problem“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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APT34F100B2_L_D-1593638.pdf
Website - http://www.microsemi.com 0 Static Characteristics TJ= 25°C unless otherwise specified APT34F100B2_L Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Unit VBR(DSS) Drain-Source Breakdown Voltage VGS = 0, D = 250μA 1000 V ∆V /∆T Reference to 25°C, I = 250μA BR(DSS) J Breakdown Voltage Temperature Coefficient
in „SMA SB4200TL-MS Reparatur“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DAC904_14-Bit_165MSPS_Digital-to-Analog_Converters.pdf
40.0 50.0 2 5 10 20 Frequency (MHz) IOUTFS(mA) THD vs fCLOCKAT OUT = 2.1MHz SFDR vs TEMPERATURE AT 100MSPS, 0dBFS –70 85 80 –75 75 2.1MHz 2HD –80 ) c B70 B ( ( –85 4HD R65 10.1MHz D X D T X X X S60 –90 55 –95 3HD 40.4MHz 50 X X X X X X X –100 45 0 25 50 100 125 150 –40 –20 0 25 50 70 85 fCLOCK(MSPS)
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Formelsammlung_BWLT_2010_04_26_1_.pdf
Mensch/Betriebsmittel Q MR/BR= RealerKapazitätsbestanddesMenschen/Betriebsmittels Unterdeckung besteht wenn der Kapazitätsbedarf größer ist als realer Kapazitätsbestand. (Es sind zu viele Aufträge vorhanden. Auslastung größer 100
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LED-_Treiber.sch.pdf
1 2 3 4 5 6 A A BR1 R3 A 2 XP2 + 0,27R BR2 3 2 R2 K D 0,15R XP1 R1 BR3 V 0,1R C3 1 12 VDC + B 1 7 100n B L 4 IC1 D 3 PT4115 VIN CSN SW DIM GND C1 C2 100µ (entfällt) 100n C XP3 C GND GND D D 1 2 3 4 5 6
in „LED Treiber! Fehler suche.“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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TRC103_Transceiver_RFM_121129.pdf
R is the Freq_Dev register value,DEVand FXTALare in kHz, 0 ≤ R ≤ 255 Freq_Dev default = 3, FDEV= ±100 kHz for FXTAL= 12,800 kHz Table 15 0x03 - MCFG03 [default 0x07] Name Bits R/W Description - 7 Not used BR = F XTAL(64*(D + 1)), where D is the Bit_Rate value and bit rate BR XTALare in kHz Bit_Rate
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bq29200.pdf
CHARACTERISTICS CD CHARGE CURRENT ICD DISCHARGE CURRENT vs vs TEMPERATURE TEMPERATURE -80 80 -90 75 -100 ) 70 )-110 A ( t n-120 e 65 r u u C e-130 g 60 r a h-140 c D D 55 I D -150 I 50 -160 -170 45 -180 40 -40 -20 0 20 40 60 80 100 -40 -20 0 20 40 60 80 100 Temperature (°C) Temperature (°C) G001 G002 Figure
in „2S LiPo-Akku Ladung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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main.c
eigentliche Kommunikation mit dem Mobiltelefon erfolgt dabei über die serielle UART Schnittstelle *<br> des Mikrocontrollers. Zur Vereinfachung wurde dabei die Standardein und -ausgabe auf die üblichen *<br> C Funktionen wie printf, gets, scanf, etc. umgeleitet. *<br> Neben der Kommunikation mit dem angeschlossenen Mobiltelefon, besteht zudem die Möglichkeit einen *<br> digitalen I2C Sensor anzusteuern. Beispielhaft ist durch die Verwendung des TWI Interfaces des *<br> Mikrocontrollers eine Buskommunikation mit dem Temperatursensor DS75LV (und äquivalente) in diesem
in „UART von Mega32 auf Mega168 anpassen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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listqc2.c
#define FMAX 20 #define BMAX 100 #include <stdio.h> #include <string.h> #include <stdlib.h> int Ofs; // Offset=Minwert Bereich int RecursionF;//Anzeige der Rekursivaufrufe int NoOutF; //Anzeige ohne Ergebnisausgabe int DownF; //Richtung
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P14NK60Z.pdf
voltage ± 30 V D Drain current (continuousC at T = 25°C 13.5 A D Drain current (continuousC at T =100°C 8.5 A I (1) Drain current (pulsed) 54 s )A PM Total dissipation at T = 25°C 160 c t ( W TOT Derating factor C 1.28 u W/°C Gate-source human bodymodel o d ESD (R= 1.5 kΩ, C= 100pF) P r4 kV dv/dt2)
in „MOSFET (K4097) Ersatztyp“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tlc5947.pdf
HTSSOP DAP 32 2000 Green (RoHS CU NIPDAU Level-3-260C-168 HR & no Sb/Br) TLC5947DAPRG4 ACTIVE HTSSOP DAP 32 2000 Green (RoHS CU NIPDAU Level-3-260C-168 HR & no Sb/Br) TLC5947RHBR ACTIVE QFN RHB 32 3000 Green (RoHS CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR & no Sb/Br) TLC5947RHBRG4 ACTIVE QFN RHB 32 3000 Green (RoHS CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR & no Sb/Br) TLC5947RHBT ACTIVE QFN RHB 32 250 Green (RoHS CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR & no Sb/Br) TLC5947RHBTG4 ACTIVE QFN RHB 32 250 Green (RoHS CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR & no Sb/Br) (1) The marketing status
in „SPI Timing ATmega8 und TLC5947“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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sn74hc02.pdf
Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74HC02DE4 ACTIVE SOIC D 14 50 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74HC02DR ACTIVE SOIC D 14 2500 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74HC02DRE4 ACTIVE SOIC D 14 2500 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74HC02DRG4 ACTIVE SOIC D 14 2500 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74HC02DT ACTIVE SOIC D 14 250 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74HC02DTE4 ACTIVE SOIC
in „Ersatztype CD4001“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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SMAJx.pdf
86.7 95.8 1.0 78 126 3.2 1.0 SMAJ85A SMAJ85CA RV ZV 94.4 104 1.0 85 137 2.9 SMAJ90A SMAJ90CA RX ZX 100 111 1.0 90 1.0 146 2.7 SMAJ100A SMAJ100CA RZ ZZ 111 123 1.0 100 1.0 162 2.5 SMAJ110A SMAJ110CA SE VE 122 135 1.0 110 1.0 177 2.3 SMAJ120A SMAJ120CA SG VG 133 147 1.0 120 1.0 193 2.1 SMAJ130A SMAJ130CA
in „Was für ein Bauteil ist das?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Preview_of__io.h_.pdf
definitions as documented \ref avr_signames "here". Finally, the following macros are defined: - \b RAMEND <br> The last on-chip RAM address. <br> - \b XRAMEND <br> The last possible RAM location that is addressable. This is equal to RAMEND for devices that do not allow for external RAM. For devices that allow external RAM, this will be larger than RAMEND. <br> - \b E2END <br> The last EEPROM address. <br> - \b FLASHEND <br> The last byte address in the Flash program space. <br> - \b SPM_PAGESIZE <br> For devices with bootloader support, the flash pagesize
in „µC am Mac mit C programmieren“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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DAC8562_3.pdf
25°C ) 2.503 +125°C z 300 t 2.502 / ) n 250 ( 2.501 ( T i 200 O2.500 o E e 150 VR2.499 a l 2.498 V 100 2.497 50 2.496 0 2.495 10 100 1k 10k 100k 1M 2.7 3.1 3.5 3.9 4.3 4.7 5.1 5.5 Frequency (Hz) AV DD(V) Figure 6. Internal Reference Noise Density vs Frequency Figure 7. Internal Reference Voltage vs Supply
in „Problem mit Positionsrückmeldung bei GRBL“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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txb0108.pdf
Samples & no Sb/Br) TXB0108RGYR ACTIVE VQFN RGY 20 3000 Green (RoHS Call TI Level-2-260C-1 YEAR Request Free Samples & no Sb/Br) TXB0108RGYRG4 ACTIVE VQFN RGY 20 3000 Green (RoHS Call TI Level-2-260C-1 YEAR Request Free
in „Logic Level Converter / Adafruit 8 Channel“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Infineon-IPA50R190CE-DS-v02_04-EN.pdf
area Safe operating area 102 102 1 µs 1 µs 1 10 µs 1 10 10 10 µs 100 µs 100 µs ] ] A 0 1 ms A 0 D 10 D 10 I I 1 ms 10 ms 10 ms -1 -1 10 10 DC DC -2 -2 10 10 100 10 1 102 10 3 100 101 102 103 VDS[V] VDS[V] ID=f(VDS; T C25 °C; D=0; parameter: t p D =f(VDS; TC=80 °C; D=
in „Mosfet 5R190CE“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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sdkconfig.h
define CONFIG_BTDM_CTRL_MODE_BTDM 1 #define CONFIG_BTDM_CTRL_BLE_MAX_CONN 3 #define CONFIG_BTDM_CTRL_BR_EDR_MAX_ACL_CONN 2 #define CONFIG_BTDM_CTRL_BR_EDR_MAX_SYNC_CONN 0 #define CONFIG_BTDM_CTRL_BR_EDR_SCO_DATA_PATH_PCM 1 #define CONFIG_BTDM_CTRL_BR_EDR_SCO_DATA_PATH_EFF 1 #define CONFIG_BTDM_CTRL_PCM_ROLE_EDGE_CONFIG
in „ESP32 sdkconfig.h ändern, bloss wie?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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schematics.pdf
GND U_can FAULT FAULT H2_LOW H2_LOW PIP014 5V can.SchDoc H3_LOW H3_LOW PIP013 CAN_H CAN_RX CAN_RX BR_SO1 BR_SO1 B PIP012 CAN_L CAN_TX CAN_TX BR_SO2 BR_SO2 GND B PIP011 DC_CAL DC_CAL P0 GND SH1_A P53 B4B-PH-K-S SH1_B P54CO5 P1 U_hall_filters P054 PIP106 GND hall_filters.SchDoc GND PIP105 HALL3_IN HALL3
in „BLDC Motorcontroller 200A 48V basierend auf VESC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC337.pdf
= 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Current gain -16up 100 160 250 -25 V CE =1 V,CI = 100 mA 160 250 400 -40 250 400 630 DC Current Gain hFE — Current gain -16up 60 130 — -25 V CE =1 V,CI = 300 mA 100 200 — -40 170 320 — BC337 V CE= 45 V — 2 100 nA Collector-Emitter Cutoff Current338 CES V CE= 25 V — 2 100 nA BC337 VCE= 45 V,amb = 125°C — — 10 µA BC338 VCE= 25 V,amb = 125°C — — 10 µA BC337 45 — — Collector-EmitterBreakdownVoltBC338 V(BR)CEO IC= 10 mA 20 — — V BC337 50 — — Collector-EmitterBreakdownVoltBC338
in „Relais oder Transistoren?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A100_BC337_BC338_VIS.pdf
= 25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Current gain -16up 100 160 250 -25 V CE =1 V,CI = 100 mA 160 250 400 -40 250 400 630 DC Current Gain hFE — Current gain -16up 60 130 — -25 V CE =1 V,CI = 300 mA 100 200 — -40 170 320 — BC337 V CE= 45 V — 2 100 nA Collector-Emitter Cutoff Current338 CES V CE= 25 V — 2 100 nA BC337 VCE= 45 V,amb = 125°C — — 10 µA BC338 VCE= 25 V,amb = 125°C — — 10 µA BC337 45 — — Collector-EmitterBreakdownVoltBC338 V(BR)CEO IC= 10 mA 20 — — V BC337 50 — — Collector-EmitterBreakdownVoltBC338
in „LED-Flasher - Findet jemand einen Fehler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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email.txt
;elektronik GmbH & Co. KG</b><br />Elektronikring 1<br />26452 Sande (Germany)</p></div> <div style="float:left;width:25%;margin-top:28px"><p>Tel.: +49 (0)4422 955-333<br/>Fax : +49 (0)4422 955-111</p></div><div style
in „Hilfe: Outlook 2007 SP2 zeigt in Emails keine Bilder an“ · PC Hard- und Software ·
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Line_Receiver.pdf
no Sb/Br) AM26C32IPWG4 ACTIVE TSSOP PW 16 90 Green (RoHS CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM Purchase Samples & no Sb/Br) AM26C32IPWR ACTIVE TSSOP PW 16 2000 Green (RoHS CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM Purchase Samples
in „Encoderauswertung, Verständnisfrage und Schaltplan“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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UMW-SMBJ.pdf
t t ) e c P r p ( P 50 a e n C w g i V , Measured at Stand-Off P t c 100 Voltage V e r u WM l e 25 - P D J Uni-Directional TJ= 25 °C k C Bi-Directional f = 1.0 MHz e Vsig= 50 mVP-P P 0 10 1 10 100 200 0 25 50 75 100 125 150 175 200 T J Initial Temperature (°C) V WM - Reverse
in „TVS Diode gefälscht?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF4905.pdf
trr Reverse Recovery Time 89 130 ns T J 25°C, F = -38A Q Reverse Recovery Charge 230 350 nC di/dt = -100A/µs rr on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdDminated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ -38A, di/dt ≤ -270A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction
in „P Kanal Mosfet schlägt immer wieder mal Durch.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irfiz34n.pdf
16A. (See Figure 12) I ≤ 16A, di/dt ≤ 420A/µs, V≤ V , Uses IRFZ34N data and test conditions SD DD (BR)DSS TJ≤ 175°C IRFIZ34N 1000 1000 VGS TOP 15V TOP 10V 10V 8.0V 7.0V ) 6.0V A 6.0V ( 5.5V t 5.5V n BOTTOM 4.5V n BOTTOM 4.5VV r r u 100 u 100 C C c c u u o S - o - - i 10 i 10 r r 4.5V , , D 4.5V D I I
in „Mosfet Treiber Baustein“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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lmh6642.pdf
continued) + − V = +5, V = −5V, R = R = 2 FΩ. UnLess otherwise specified. 1000 90 A = +1 VS= 5V V 80 100 AV= +10 70 + PSRR 60 ) 10 B ( ( 50 U R O R 40 Z 1 P - PSRR 30 20 0.1 10 0.01 0 1k 10k 100k 1M 10M 100M 10k 100k 1M 10M 100M FREQUENCY (Hz) FREQUENCY (Hz) Figure 31. Closed Loop Output Impedance Figure 32. PSRR vs. Frequency vs. Frequency A = +1V 100 100 90 90 80 80 ) ) d 70 d ( j 70 R r M 60 ( 60 C C 50 50 40 V S 5V 40 A V +6 Receive CH.: V = +2, f =gR = 510 30 30 100 1k 10k 100k 1M 10M 1k 10k 100k 1M 10M FREQUENCY (Hz) FREQUENCY (Hz) Figure 33
in „Funkentstörung mobiler Kopfhörerverstärker“ · HF, Funk und Felder ·
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index.php
;<span dir="ltr">|</span> <span dir="ltr"><a href="http://commons.wikimedia.org/wiki/Template:GFDL/br" title="Template:GFDL/br">Brezhoneg</a></span> <span dir="ltr">|</span> <span dir="ltr"><a href="http://commons.wikimedia.org/wiki/Template:GFDL/bs" title="Template:GFDL/bs">Bosanski</a></span>&
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tsc2046.pdf
A t 350 ( e n100 u 300 r C u l y p 250 p 80 u u C 200 S C f = 12.5kHz 60 + SAMPLE 150 40 100 −40 −20 0 20 40 60 80 100 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 Temperature (°C) +VCC (V) IOVDD SUPPLY CURRENT vs IOVDD MAXIMUM SAMPLE
in „Touch Display Hong Kong“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bcm846s.pdf
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO 65 - - V I = 10 mA, I = 0 A C B Collector-base breakdown voltage V 80 - - (BR)CBO IC= 10 µA, E = 0 A Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CES 80 - - I = 10 µA, V = 0 A C BE Emitter-base breakdown
in „BC547 matched“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LOG_RATIO_-_log102.pdf
2 C I2= 1mA C C 50pF 45 kHz Step Response Increasing I2= 1µA to 1mA (3 decade) CC= 150pF 11 µs I2= 100nA to 1µA (1 decade) CC= 150pF 7 µs I2= 10nA to 100nA (1 decade) CC= 150pF 110 µs Decreasing I2= 1mA to 1µA (3 decade) CC= 150pF 45 µs I2= 1µA to 100nA (1 decade) CC= 150pF 20 µs I2= 100nA to 10nA (1
in „Logarithmic and log ratio amplifier“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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plaques-vitro.pdf
9000275513 -- 9000250942 NIB672T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- #N/A EH845EB11E SE.4I.80.BAS.BW.X 9000275525 9000275513 -- 9000250942 NIB675T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- 9000270673 EH845TE11E SE.4I.80.BAS.WP.X 9000274564
in „induktionsofen Kurzschluss da Sicherungen fliegen“ · Haus & Smart Home ·
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Induktionsherde_Serviceanleitung.pdf
9000275513 -- 9000250942 NIB672T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- #N/A EH845EB11E SE.4I.80.BAS.BW.X 9000275525 9000275513 -- 9000250942 NIB675T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- 9000270673 EH845TE11E SE.4I.80.BAS.WP.X 9000274564
in „Induktionskochfeld Bauknecht defekt?“ · Haus & Smart Home ·
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Induktionsherde_Serviceanleitung.pdf
9000275513 -- 9000250942 NIB672T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- #N/A EH845EB11E SE.4I.80.BAS.BW.X 9000275525 9000275513 -- 9000250942 NIB675T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- 9000270673 EH845TE11E SE.4I.80.BAS.WP.X 9000274564
in „Bosch Induktionsherd geht nicht mehr“ · Haus & Smart Home ·
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Induktionsherde_Serviceanleitung.pdf
9000275513 -- 9000250942 NIB672T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- #N/A EH845EB11E SE.4I.80.BAS.BW.X 9000275525 9000275513 -- 9000250942 NIB675T14E BO.4I.60.POL.BR.X 9000275525 9000274537 -- 9000270673 EH845TE11E SE.4I.80.BAS.WP.X 9000274564
in „Serviceanleitung Induktionsherde Bosch, Siemens, Neff u.a“ · Haus & Smart Home ·
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IRLN540.pdf
Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V VGS = 0V, D = 250µA V(BR)DSSTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C,DI = 1mA ––– ––– 0.044 VGS = 10V, D = 18A RDS
in „HEXFET als Widerstand?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf540n.pdf
Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V VGS = 0V,DI = 250µA ∆V /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient––– 0.12 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1mA (BR)DSSJ D RDS(on) Static Drain-to-Source
in „Mosfet vor negativer Spannung / Wechselspannung schützen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRL540N.pdf
Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V VGS = 0V, D = 250µA V(BR)DSSTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C,DI = 1mA ––– ––– 0.044 VGS = 10V, D = 18A RDS
in „Welcher R_DS(on) stimmt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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162537-da-01-en-IRF_9540_N.pdf
Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -100 ––– ––– V VGS = 0V, D = -250µA V(BR)DSSTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– -0.11 ––– V/°C Reference to 25°C,DI = -1mA R DS(on) Static Drain-to-Source
in „iMax B6 defekt“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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JSMSEMI-S8050.pdf
Base C 0.890 1.110 Collector Current: IC=0.5A 2 Emitter D 0.370 0.500 G 1.780 2.040 A L H 0.013 0.100 J 0.085 0.177 3 Top View B S K 0.450 0.600 1 2 L 0.890 1.020 MARKING: J3Y S 2.100 2.500 V G V 0.450 0.600 All Dimension in mm C H D K J MAXIMUM RATINGS (T A=25 Cunless otherwise noted) Symbol Parameter
in „Relaischaltung entwerfen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FB180SA10.pdf
Characteristics @ T = 25°C Junless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V (BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 100 ––– ––– V VGS = 0V, D = 250µA DV(BR)DSSDJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.093 ––– V/°C Reference to 25°C,DI = 1mA R DS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance
in „Strom bis 200A schalten mit Power MOSFET“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl2203n.pdf
Reverse Recovery Time ––– 56 84 ns TJ= 25°C, F = 60A Q rr Reverse Recovery Charge ––– 110 170 nC di/dt = 100A/ s ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdoDinated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 60A, di/dt ≤ 110A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction
in „Saito Pro Charger Batterieladegerät - Mikrocontroller ATmel ATTINY26L defekt?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl2203npbf.pdf
trr Reverse Recovery Time 56 84 ns TJ= 25°C, F = 60A Q rr Reverse Recovery Charge 110 170 nC di/dt = 100A/ s ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdoDinated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 60A, di/dt ≤ 110A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction
in „IRL2203N defekt?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLZ34.pdf
1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED ) BY R DS(on) ( t e r A u ( C 100 n 100 i e 10µs r u D T = 175°C C e J n r a e TJ= 25°C r 100µs e , R 10 D 10 , I D IS 1ms T C = 25°C T J = 175°C 10ms VGS = 0V Single Pulse 1 A 1 A 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 1 10 100 VSD ,
in „einzellzellen entladung für nimh akku“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRL1004.pdf
recommended current-handling of the package refer to Design Tip #93-4 SD ≤78A, di/dt ≤ 370A/µsDD≤ V(BR)DSS TJ≤ 175°C 2 www.irf.com IRL1004 10000 VGS 1000 TOP 15V TOP 15V 7.0V 10V ) 5.5V ) 5.5V 1000 4.5V ( 4.5V n 3.5V n 4.0V e BOTTOM2.7V e BOTTOM 2.7V u u100 C C c100 c u u o o - - - 10 - i i r r 10 2.7V
in „Mosfet als Schalter 100W“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irl3705n.pdf
Reverse Recovery Time ––– 94 140 ns TJ= 25°C, F = 46A Q rr Reverse RecoveryCharge ––– 290 440 nC di/dt = 100A/µs ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is SomDnated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 46A, di/dt ≤ 250A/µsDDV≤ V(BR)DSS max. junction
in „Anschluss MOSFET IRL3705N“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF3205.pdf
OPERATION IN THIS AREA LIMITED ) BY R DS(on) ( T J 175 C n e100 A000 u t C n i r 10us r u D 10 C100 e i 100us r r v , e TJ= 25 C D , 1 I 10 1ms D IS ° 10ms TC= 25 C TJ= 175 C V GS = 0 V Single Pulse 0.10.2 0.8 1.4 2.0 2.6 1 1 10 100 1000 VSD ,Source-to-Drain Voltage
in „Hohe Ströme aus Akku Entladen ?!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irlz34npbf.pdf
rr Reverse Recovery Time 76 110 ns TJ= 25°C, F = 16A Qrr Reverse RecoveryCharge 190 290 nC di/dt = 100A/µs on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is SomDnated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 16A, di/dt ≤ 270A/µsDD≤ V(BR)DSS max. junction
in „MOSFET defekt (evtl. durch Ohmmeter)?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·