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Korrekte Ansteuerung P-Kanal Mosfet mit TTL-Pegeln
-Tonner zum Bäcker. Man kann ihn nehmen, ist aber schon "ein wenig" Overkill. Versuchs mal mit IRF7416, siehe MOSFET-Übersicht. Ist zwar SMD, aber SO8 ist noch leicht lötbar. Der hat bei 2A weniger als 100mV Spannungsabfall, dein dicker IRF5305 aber gut 200mV. MfG Falk
Hilfsspannungen verzichten. Trotzdem allen Antwortenden vielen Dank für die Infos! Ich werde das mit dem IRF7416 ausprobieren... Viele Grüße! Sven
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Layout in Ordnung
es (durch 180 Grad Drehung der Elkos) deutlich verbessert. Ich hab eher 2 andere Fragen: Der IRF830 wird nicht gekühlt ? Zumindest sitzt er so gedreht, daß man niemals was kühlendes an ihn dranschrauben könnte. Dann täte es vielleicht ein kleinerer MOSFET. Die Spule ist nicht wirklich eine Stabspule
den Takt, der vom IC kommt. Habe mal selbst Takt-Geber gespielt und auch eine Spannung von ca. 140V hingebracht. Sprich der Teil der Schaltung ab dem Gate funktioniert definitiv. Vor der Gegentaktstufe kommt auch ein sauberes 12V-Taktsignal vom IC an! Gibt es eine Erklärung, dass der Transistor
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MOSFETs in TO-92 o.ä.
Jörg Wunsch schrieb: > Ich habe hier kürzlich schon einmal IR's AN-994 zitiert: > > http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-994.pdf > Das ist gut, danke!
Ohne nähere Lastbedingungsangaben des OT eh alles lulles. D uschreibst: "TO-39 (BC140): 200K/W zur Umgebung." Ohne jetzt nachzusehen ist Umgebung für mich die Luft. Normalerweise fallen da die Begriffe Air und Case.
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Erfahrung mit Desulfatisierung von Bleiakkus
einmalig auf vielleicht 1500 RpM hochtouren, danach wird permanent bei ca. 14,1V geladen. Limas mit 140A u.ä. sind keine Seltenheit, dreistellig ist sogar eher normal. Wie stark allerdings in die Batterie geladen wird, hängt von deren Ladezustand ab. Hat bei weitem nicht nur mit ihrem Innenwiderstand
45Ah Minibagger 2006, 35 Ah Minibagger 2007, 90 Ah Bosch silver Traktor 2005, 130Ah Multicar 2010, 140Ah Bagger 2009, 140Ah Ameise 2005, 2*180Ah Stapler(2008+2010), 54Ah Traktor 2004 ,90Ah Traktor 2007 Mir ist sehr deutlich aufgefallen, das bei den Automatikladern egal teuer oder Billig sie meist
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Probleme bei OP Schaltung
einem Tiefpass mit 1kOhm und 100nF. Vielen Dank für eure Hilfe! Der MOSFET ist übrigens ein IRF3205.
noch mal 64 Ohm. Da faellt ja mehr Spannung ab im Inneren des Ops als aussen. Also 140 Ohm sind entschieden zu niederohmig fuer den TL084. Du schlepps ja auch keinen Zentner mit dir rum. Auch soll die Leerlaufverstaerkung nicht gerade mal etwas mehr als die Gegengekoppelte Verstaerkung
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Mosfet mit NE555 ansteuern
umzuladen bedeutet unter Umständen eine recht hohe >Verlustleistung. Mal gerechnet? Das Ding hat 140nC Total Gate Charge. Q = I * t Also müssen 140A für eine Nanosekunde fliessen. Bissel viel ;-) OK, oder halt 1A für 140ns. Oder wenn der NE555 "nur" 200mA bringt dann halt 700ns. Kurzzeitig
> mit 4 IRF3205 (je 98A/60V, 8mOhm, 146nC) Nanana, der IRF3205 hat Vdss = 55V. Hat was von 'russisch Roulette', den mit 60V zu fahren. Da würde ich schon eher den IRFP2907Z in die Runde werfen, http://www.reichelt.de
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Layout entwerfen - Ströme bis 100A
vielleicht wär das ja auch noch eine Alternative: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf6718l2pbf.pdf ähnliche Daten. aber 0.5mR ideal und sehr gute thermische und elektrische Anbindung.
pq schrieb: > vielleicht wär das ja auch noch eine Alternative: > http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf6718l2pbf.pdf > ähnliche Daten. aber 0.5mR ideal und sehr gute thermische und > elektrische Anbindung. Ist zwar etwas größer aber könnte sich noch ausgehn. Bezüglich
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Labornetzgerät - Fragen zum Schaltplan
could equally well be used. The particular n-channel MOSFET devices used are not critical: a BUZ21, IRF540, IRF542 or 2SK1428 could be used for T1, for example, and a BS170 could be used in place of the 2N7002. The capacitors should all be rated for a voltage of 35 V or higher, and R15 and R17 must be
O. schrieb im Beitrag #5187187: > In meinem 30V/10A LNG nach FS12/73 verwende ich drei parallele IRF120 > MOSFETS und hatte keine Regelprobleme. Das tut schon seit 1987 seinen > Dienst ...und mein 2x 0...36V, 0..4A LNG mit jeweils einem IRF250 ist seit Jahren im Dienst. :-)
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Kfz - Wechselrichter
meisten modernen Ladegeräte haben ein Schaltnetzteil, das mit ca. 100...260V Sinus-Spannung bzw. ca. 140...370V Rechteck-Spannung funktioniert. Dieser Wandler liefert ja eine eher rechteckförmige Spannung, also sollte es ok sein. Und die Nennleistungsangabe bei Trafos ist immer die Sekundärleistung
ein Ringkerntrafo dürfte auf 90...95% kommen. Wenn du starke Mosfets mit wenig Rds nimmst (z.B. IRF1404, ist aber schon fast Overkill), dann dürften die Mosfets sogar ohne Kühlkörper auskommen, die Verlustleistumg in den Mosfets dürfte ziemlich vernachlässigbar sein. Ein kleines Kühlblech schadet
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Anfängerfrage: Wie finde ich geeigneten Transistor?
oder Spannung am GATE..ok. Aber wie bzw. wählt man zum Beispiel zwischen einem IRLZ 34N oder einem IRF 530 aus. Kann mir das einer erklären, ohne zu sagen schau halt ins Datenblatt. Bezogen auf die beiden Typen gibs wohl keine großen Unterschiede,oder? MfG Achim
großen Unterschiede,oder? IRLZ ist 55V, 35mOHm, IRF530 ist 100V, 160mOhm. Für LED & Co eher der erstere. MFG Falk
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[suche] Vergleichstyp für RFP40N10
eines Inverters (24V= / 230V~) verbaut sind. Davon sind ein paar hops gegangen. Frage: ist der IRF1310 ein verwendbarer Vergleichstyp für den RFP4010? Letztgenannten gibt es nicht bei Reichelt, ich wollte da demnächst was bestellen. Oder hat jemand ca. 10 RFP4010 im Keller, die er/sie mir verkaufen
Der *RFP40N10* ist bei RS erhältlich. Ersatztypen: -> HUF75637P3 -> HUFA75637P3 -> IRFP140A -> STP45N10 MfG, Mosh
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V: 700W RMS Audioendstufe Bausatz
3x Diode 1N4148 4x ZDiode 12V 10x Leistungsmosfet IRFP9240 10x Leistungsmosfet IRFP240 2x IRF510 16x MPSA56 16x MPSA06 4x LM334 TO92 2x LF 411CN 4x ELKO 100uF35V 2x ELKO 0.1uF100V 02x Kerko 1,5n 04x Kerko 150p 02x Kerko 68p 04x Kerko 82p 04x Kerko 220n 01x Leistungsgleichrichter
für 2000Watt ausgelegt (entsprechend ca 20 kilo oder sowas schwer) Er hat afaik original verklebte 140 Primärwicklungen und ist sekundärseitig ziemlich lumpig auf irgendwas um die 4x 20-40V RMS gewickelt (könnte ich nochmal nachmessen, ich würde aber dringenst empfehlen den nochmal anständig zu wickeln
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Energie kontaktlos übertragen
Bei 140-148,5kHz haben wir 37,7dbµA/m. Höher würde ich nach dieser Tabelle nicht gehen, denn dann sinken die Werte extrem ab. Kann mir jemand erklären? Wie ich mit der Einheit umzugehen habe? DB ist
@ A. R. (redegle) >Bei 140-148,5kHz haben wir 37,7dbµA/m. >DB ist doch normlerweise immer eine Abschwächung bezogen auf eine >Referenzgröße. Es sind hier aber dbµA/m, nicht einfach dB. >Haben wir eine solche? Ja.
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LAING DDC Pumpe µC gesteuert *help/beratung*
wenig die verfügbaren Bauteile. Das einzige was ich gesehen hatte auf der Seite Keiag.de wurde ein (IRF 5305, P-Kanal MOSFET) verwendet um eine LAING pumpe zu drosseln. http://img225.imageshack.us/img225/7249/pumpextensionsch.gif
454 LPH) Connection Size: 3/8" barbs Maximum Pressure: 22 PSI (1.5 BAR) Temperature Range: Up to 140°F (60°C) Noise Level (Swiftech's Results): 30 ~ 32 dBA in a quiet room @ 2' Electrical Connector: 4pin Molex Weight: 7.3 oz (207 gr.) RPM Sensor: 3 pin connector
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MOSFET-Treiber: low-side statt high-side?
man dann noch High-Side-Treiber für die drei "oberen" MOSFETs verwenden (wie z.B. in der AN985 von IRF vorgeschlagen)? Man könnte doch genausogut Low-Side-Treiber verwenden, die i.A. eine kürzere Verzögerung haben. Um diese mit Spannung zu versorgen, kann man doch auch eine bootstrap-Schaltung verwenden
relativ große Verzögerung (on/off delay-time im Datenblatt), beispielsweise ca. 130 ns (IR2110) oder 140ns (FAN73901). Verwendet man aber eine Potentialtrennung (z.B. ISO7220 mit 25 ns) und einen Low-Side-Treiber (z.B. EL7202 mit 25ns), so ließe sich die gesamte Verögerung stark reduzieren, auf 50 ns in
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Wer hat Erfahrung mit Induktionsöfen >1kW
°C Kühlkörper-Temperatur) bereits bei 47 Watt Verlustleistung die 140°C erreicht. Also sinkt die abführbare Leistung in diesem Fall auf unter die Hälfte ab. Ich habe mich mit dieser Problematik mal intensiver beschäftigt, weil ich ein Linear-Netzteil bauen wollte.
Curie Ade! Bin ich jedenfalls der Meinung. Habe noch ein wenig C dazu geklemmt und arbeite nun bei ~140 kHz. Brutto 2,2 kW. Alles noch mit IRFP350. Hört sich doch erst mal gut an, oder?
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Mos Fet als Schalter bei 100kHz
Der IRF540 könnte geeignet sein. Der verträgt 100V und hat 0,055 Ohm Rds. Oder der IRF530(100V, 0,16Ohm Rds, aber weniger Gate-Kapazität). Mit einem IRF540 habe ich schon mal 3,5MHz geschaltet. Auch das
IPP100N10 aber auch, da schiebt man die Verluste vom Schalter in den Treiber ... klasse. Guck mal IRF540Z ... http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf540z.pdf 100V 26,5mOhm 1,8nF ;-)
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Layout überprüfen
Die Leiterbahnbreite des GND(?)-Signals (geht über Q5 hinweg an die BD140) paßt nicht so ganz, ist irgendwie unlogisch. Von der Anschlußklemme gehts nach rechts über den Transistor Q5 mit relativ kleiner Bahnbreite, zu den Tasten wirds wieder breiter, am BD140 wirds
nicht. Führ den GND der Tasten lieber vom GND des Prozessors aus. Und den GND der Transitoren (BD140) ruhig breiter, da fließt wahrscheinlich gut Strom drüber, oder?
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Verständnisfrage: Last über Transistor schalten
Mosfet brauchst du einen Logik-Level kompatiblen Mosfet der mit 5V Gatespannung durchgeschaltet ist. IRF.com ist da ein bekannter Hersteller.
. Bei einer PWM-Anwendung 24V/10A (LED)reichte ein Kühlkörper PR32/25,4 Reichelt. Der FET war ein IRF1010N 55V/68A und GS=3,3V.
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Transistor + Kühlung für elektronische Last (ca. 80.150 Watt)
stark vom verwendeten Typ abzuhängen und ob man zufällig MOSFETs der selben Charge etc. erwischt. IRF z.B. (http://irf.custhelp.com/cgi-bin/irf.cfg/php/enduser/std_adp.php?p_faqid=214&p_created=1019728945&p_sid=pt9ITiCj&p_accessibility=0&p_redirect=&p_lva=&p_sp=cF9zcmNoPTEmcF9zb3J0X2J5PSZwX2dyaWRzb3J0PSZwX3Jvd19jbnQ9MTQsMTQmcF9wcm9kcz0mcF9jYXRzPSZwX3B2PSZwX2N2PSZwX3BhZ2U9MSZwX3NlYXJjaF90ZXh0PWxpbmVhcg
<<(Temp.-Unterschiede, Spannungen, Einzelströme der Fets) aus Deinen Tests <<<mit den Buz12 u. den irf 3205 schuldig. Oder hast Du das zufällig <<<überlesen. Grüsse Peter
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Besteht Interesse an einfacher Experimentierplatine fuer den Xmega128a1? Gesperrt
zu wollen, aber ich wollte den Umfang jetzt nicht mehr erweitern, denn momentan passt das ganze auf 140 x 100mm. Gruss, Michael
Ach ja, warum eigentlich 100 x 140 und nicht Eurokarte? Das bringt auch Platz.... Viele Grüße, egberto
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Schottky Freilaufdiode
gibt keinen Schaltregler, etc. Was schwingt: Die Lampe, antiparallel zur ihr ist die Diode (MBRS140). Jetzt suche ich eine schnellere Freilaufdiode.
Also der Fet ist der IRF1010N. Ich meinte etwas von 3210 pF gehört zu haben... Das mit den Kabeln kann schon sein: Von den Lampen zum FET ist das schon ein ganzschönes Stück. (Siehe erstes Bild). Das gewünschte Foto von
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Zeigt her Eure Kunstwerke! Gesperrt Bilder
Hier die "Entwicklungumgebung" eines 140-230MHZ UKW PLL Synthesizer, Baujahr 1990. Das Chipset ist MC12017 und MC145152. Ein 15.36MHz TCXO stellt die Referenzfrequenz bereit. Obwohl nicht sehr schoen aussehen, die durchgehende Kupferflaeche
hatte ich eben mal die Idee, das Ding als Ladungspume zu realisieren, mit Hochstrom-Elkos und paar IRF3205 (die nötigen Gleichrichter sind auch nur geschaltete IRF3205 im Inversbetrieb). Immer zwei IRF's parallel (hatte auf der Leiterplatte notfalls bis zu 5 vorgesehen, war aber nicht nötig) Bei rund
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IRFZ44N 12V 5A an Atmega8 PWM
Transistoren als komplementaere Paare bekomme ich hier nur einige ausgewaehlte. zB. BC557/547 BD139/140. Kann ich mein Vorhaben damit realisieren. Und hat mir jemand einen Link oder einen Vorschlag wie ich das bewerkstelligen kann. Vielen Dank Ju
Transistoren als > komplementaere Paare bekomme ich hier nur einige ausgewaehlte. > zB. BC557/547 BD139/140. > > Kann ich mein Vorhaben damit realisieren. Wenn du dir das Ausgangskennlinienfeld des IRFZ44N ansiehst, dann sättigt er bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V (zweite Kurve von unten) typisch
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Transistortester mit AVR Gesperrt
paar Messwerte: gemessen, Datenblatt (min, typ, max) BSS98: 1.53V, 0.8V, 1.2V, 1.6V IRF1405: 3.62V, 2.0V, - , 4,0V BS170: 2.45V, 0.8V, 2.1V, 3.0V BUK555: 1.69V, 1.0V, 1.5V, 2.0V Der Drainstrom liegt mit etwa 4-5mA etwas höher als die Angaben im Datenblatt (250µA-1mA),
Kapazität wird erstaunlich genau (auch mit Dummy Kapazität) gemessen. Getestet habe ich sämtliche IRF Typen. Bin begeistert! Lg, Thomas
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Ersatz für BUZ 349
Sowas wie Isotop-Gehäuse wäre nicht schlecht. Gibt es MOSFETs im Isotop? Und wie heisst das noch, bei IRF finde ich kein derartiges Gehäuse?
Ähnlich ist wohl der IRFP140. Die Keramikscheiben haben trotz der größeren Dicke oft bessere Wärmeleitwerte als 0,05mm starke Glimmerscheiben. Guck mal, ob du einen im isolierten Gehäuse findest, die können mit etwas WLP direkt