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irf3205.pdf
recommended current-handling of the package refer to Design Tip # 93-4 SD ≤ 59A, di/dt ≤ 290A/µsDD≤ V(BR)DSS TJ≤ 175°C IRF3205 1000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 7.0V 8.0V A 6.0V A 6.0V t 5.5V ( 5.5V n 5.0V n 5.0V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u r C C e e r c u 100 u 100 o o - - t t n n a a r r ,
in „Schaltung zu Kondensatorentladungsschweißen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL1004_IR.pdf
recommended current-handling of the package refer to Design Tip #93-4 SD ≤78A, di/dt ≤ 370A/µsDD≤ V(BR)DSS TJ≤ 175°C 2 www.irf.com IRL1004PbF 10000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V ) 7.0V ) 10V ( 5.5V A 5.5V n000 4.0V t 4.5V e 3.5V e 3.5V u BOTTOM2.7V r BOTTOM 2.7V C C100 e100 e u r o o - - - 10 t i i r r
in „Schon wieder: Verpolungsschutz-MOSFET und LogicLevel-FET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRL1004_IR.pdf
recommended current-handling of the package refer to Design Tip #93-4 SD ≤78A, di/dt ≤ 370A/µsDD≤ V(BR)DSS TJ≤ 175°C 2 www.irf.com IRL1004PbF 10000 VGS 1000 VGS TOP 15V TOP 15V ) 7.0V ) 10V ( 5.5V A 5.5V n000 4.0V t 4.5V e 3.5V e 3.5V u BOTTOM2.7V r BOTTOM 2.7V C C100 e100 e u r o o - - - 10 t i i r r
in „Schon wieder: Verpolungsschutz-MOSFET und LogicLevel-FET gesucht“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irlz34n.pdf
1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED ) BY R DS(on) ( t e r A u ( C 100 n 100 i e 10µs r u D T = 175°C C e J n r a e TJ= 25°C r 100µs e , R 10 D 10 , I D IS 1ms T C = 25°C T J = 175°C 10ms VGS = 0V Single Pulse 1 A 1 A 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 1 10 100 VSD ,
in „IRLZ34N anschliessen ?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irl3705n.pdf
Reverse Recovery Time ––– 94 140 ns TJ= 25°C, F = 46A Q rr Reverse RecoveryCharge ––– 290 440 nC di/dt = 100A/µs ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is SomDnated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 46A, di/dt ≤ 250A/µsDDV≤ V(BR)DSS max. junction
in „Ventilansteuerung mit Mosfet - Temperatur?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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irf3205.pdf
OPERATION IN THIS AREA LIMITED ) BY R DS(on) ( T J 175 C n e100 A000 u t C n i r 10us r u D 10 C100 e i 100us r r v , e TJ= 25 C D , 1 I 10 1ms D IS ° 10ms TC= 25 C TJ= 175 C V GS = 0 V Single Pulse 0.10.2 0.8 1.4 2.0 2.6 1 1 10 100 1000 VSD ,Source-to-Drain Voltage
in „Erzeugt ein 9V-Printtrafo mehr als 750V?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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infineon-irf1010e-mosfet.pdf
igIre≤ 50A, di/dt ≤ 230A/µs, ≤ V , Calculated continuous current based on maximum allowable SD DD (BR)DSS junction temperature. Package limitation current is 75A. TJ≤ 175°C 2 www.irf.com IRF1010E 1000 1000 TOP 15V TOP 15V 10V 10V ) 8.0V ) 8.0V ( 6.0V ( 6.0V n 5.5V t 5.5V e BOTTOM 4.5V e BOTTOM 4.5V u100
in „DC Wandler wiederbeleben“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TestArmTurtorialDeu.pdf
oder r0, # 2 str r0, [r1] @ Setzen Sie CNF8: MODE8 in GPIOA_CRH auf 2 ldr r1 = 0x40010810 ldr r0, = 0x100 str r0, [r1] @ Setzen Sie BS8 in GPIOA_BSRR auf 1, um PA8 hoch zu setzen ldr r1 = 0x40010810 ldr r0, = 0x1000000 str r0, [r1] @ Setzen Sie BR8 in GPIOA_BSRR auf 1, um PA8 auf Low zu setzen b 0x8000104
in „ARM-Assembler-Tutorial“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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NEC-Content.htm
a name='quest'></a> <div id='wholeQuestionCont'><div id='questionNumText' align='left'><h1>Article 100 Definitions. Grounded Conductor.</h1>Below is a Real Question from our Electrical Continuing Education Courses for Electrical License Renewal:<br></div> <div id='theQuestionText'><p><strong>Which of
in „"grounded conductor" Definition im Deutschen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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S9018.pdf
specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V I =100μA,I =0 25 V (BR)CBO C E Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO C =0.1mA,B =0 18 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO E =100μA,C =0 4 V Collector cut-off current ICBO VCB20V,I E0 0.1 nA Collector
in „Suche Infos zum Eigenbau eines Dip Meter“ · HF, Funk und Felder ·
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LM311_APPLICATIONS.PDF
TI Level-1-NA-UNLIM 0 to 70 ( LM311H ~ LM311H) & no Sb/Br) LM311M NRND SOIC D 8 95 TBD Call TI Call TI 0 to 70 LM 311M LM311M/NOPB ACTIVE SOIC D 8 95 Green (RoHS CU SN Level-1-260C-UNLIM 0 to 70 LM & no Sb/Br) 311M LM311MX NRND SOIC D 8 2500 TBD Call TI Call
in „Nochmal LC-Meter nach AADE: dessen Oszillator“ · HF, Funk und Felder ·
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MOSFET-irfiz34v.pdf
Reverse Recovery Time ––– 70 110 ns TJ= 25°C, F = 30A Q rr Reverse Recovery Charge ––– 99 150 nC di/dt = 100A/ ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdoDinated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 30A, di/dt ≤ 250A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction temperature
in „Frage zur Optokoppler“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irf9z34n.pdf
Recovery Time ––– 54 82 ns T = 25°C, I = -10A rr J F Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 110 160 nC di/dt = -100A/µs t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L +L ) on S D Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ -10A, di/dt ≤ -290A/µDD ≤ (BR)DSS, max. junction
in „IRF9Z34N als Ersatz für BUZ171“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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DS_IRLZ44N-IR.pdf
rr Reverse Recovery Time 80 120 ns TJ= 25°C, F = 25A Qrr Reverse RecoveryCharge 210 320 nC di/dt = 100A/µs on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is SomDnated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 25A, di/dt ≤ 270A/µsDDV≤ V(BR)DSS max. junction
in „IRLZ44N Logic Level? Welcher Parameter?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRLZ44N-IR_Reichelt.pdf
rr Reverse Recovery Time 80 120 ns TJ= 25°C, F = 25A Qrr Reverse RecoveryCharge 210 320 nC di/dt = 100A/µs on Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is SomDnated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 25A, di/dt ≤ 270A/µsDDV≤ V(BR)DSS max. junction
in „PWM-Drehzahlregelung Wasserpumpe mit DC bürstenloser Motor“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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P-MOSFET_IRF9Z34N.pdf
Recovery Time ––– 54 82 ns T = 25°C, I = -10A rr J F Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 110 160 nC di/dt = -100A/µs t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L +L ) on S D Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ -10A, di/dt ≤ -290A/µDD ≤ (BR)DSS, max. junction
in „Pegelwandler 0/5V zu 5V/-9V“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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irfp260n.pdf
Recovery Time ––– 268 402 ns TJ= 25°C, F = 28A Q rr Reverse Recovery Charge ––– 1.9 2.8 C di/dt = 100A/ s ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdoDinated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 28A, di/dt ≤ 486A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction
in „Strom bei 50 A begrenzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRLIZ44N_IR.pdf
25°C, L = 470µH t=60s, =60Hz DD J RG= 25Ω, IAS= 25A. (See Figure 12) SD ≤ 25A, di/dt ≤ 270A/µDD ≤ V(BR)DSS Uses IRLZ44N data and test conditions T ≤ 175°C J IRLIZ44NPbF 1000 VGS▯ 1000 VGS▯ TOP 12V TOP 12V 10V 10V ) 6.0V ) 8.0V ( 4.0V ( 4.0V n BOTTOM 2.5VV n 3.0V r e BOTTOM 2.5V u 100 u 100 C C c e u r
in „Toggle Schaltung mit NE555 schaltet ein, aber nicht aus“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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listqc.c
#define FMAX 20 #define BMAX 100 #include <stdio.h> #include <string.h> #include <stdlib.h> int Ofs; // Offset=Minwert Bereich int RecursionF;//Anzeige der Rekursivaufrufe int NoOutF; //Anzeige ohne Ergebnisausgabe long Counter; //
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162399-da-01-en-IRF_4905.pdf
Recovery Time ––– 89 130 ns T = 25°C, I = -38A rr J F Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 230 350 µC di/dt = -100A/µs t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L +L ) on S D Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ -38A, di/dt ≤ -270A/µDD ≤ (BR)DSS, max. junction
in „High Side Switch“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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IRF4905_TO220.pdf
Recovery Time ––– 89 130 ns T = 25°C, I = -38A rr J F Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 230 350 µC di/dt = -100A/µs t Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L +L ) on S D Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ -38A, di/dt ≤ -270A/µDD ≤ (BR)DSS, max. junction
in „FET Frage (n oder p)“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRFP_3703.pdf
20V v000 tp 0.01 A e l P000 e Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit g 1000 , S A E 0 25 50 75 100 125 150 175 V (BR)DSS Starting T , Junction Temperature ( C) t J p Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Vs.DrainCurrent AS Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms Current Regulator Same Type as D.U.T. 50K
in „[Projekt] Einstellbares Netzteil 12V/60A auf 0,5-2,5V/250A“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A100_IRF3415_IF.pdf
keherse kecoher9 TiJe BBB 2)0 3m0 ns TJ= 25°C, F = 22A µrr keherse kecoher9Cyarge BBB 2/2 3/3 "C diGdt = 100AG"s :dteCD kepetitihe ratingx pulse widty liJited 9 SD ≤ 22A, diGdt ≤ 20AG"DD ≤ V(BR)DSS Ja%/ Qunction teJperature/ 6 ±ee (ig/ 11 M TJ≤ 1f5°C VDD = 25V, startinJ T = 25°C, L = 2/4Jz Pulse widty ≤ 300
in „Suche IR 513H“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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A100_IRF7413_IR.pdf
Reverse Recovery Time ––– 74 110 ns TJ= 25°C, F = 7.3A Q Reverse Recovery Charge ––– 200 300 nC di/dt = 100A/µs rr Notes: Repetitive rating; pulse width limited by ISD≤ 7.3A, di/dt ≤ 100A/DD,≤ V(BR)DSS max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ≤ 150°C StartingJT = 25°C, L = 9.8mH Pulse width ≤ 300µs; duty
in „MOSFET - Verständnisfrage“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LatFET2019_09_27_THD20kHz.asc.txt
12 MJE=0.35 VJE=0.75 CJC=8e-12 MJC=0.35 VJC=0.55 FC=0.5 TF=900e-12 XTF=10000 VTF=35 ITF=20 TR=1e-9 BR=1.6 IKR=0.09 EG=0.6 XTB=0.9 XTI=3 NC=2 ISC=3.2e-10 VAR=100 mfg=CA031111\n* 2SC3503C - created March 11, 2011 copyright Cordell Audio\n.MODEL 2SC3503C npn IS=40e-15 BF=170 VAF=769 IKF=0.08 ISE=200e-15
in „Class AB Audioverstärker“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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6.5.2013_Code_Forum.txt
synchronous Mode,3 pin SPI, (4 pin SPI, old), Master Mode, MSB first UCB3CTL1|=UCSSEL_2; // SMCLK UCB3BR0|=0x02; // Rate, UCA3BR0 and UCA3BR1, (UCAxBR0 + UCAxBR1 ? 256) UCB3BR1=0; UCB3IE|=UCRXIE + UCTXIE; // Interrupts enable UCB3CTL1&=~UCSWRST; // Initialising of the State machine // spi_senden_CONFG()
in „MSP430 mit ADXL345 kommunizieren lassen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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AL5802-DIO.pdf
— — 50 nA BL Base Cutoff Current VCE = 30V, EB(OFF) 3.0V — — 50 nA C = 100µA, CE = 1.0V 40 — — hFE DC Current Gain C = 1.0mA, CE = 1.0V 70 — — — C = 10mA, VCE= 1.0V 100 — 300 Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 9) — — 0.20 V VCE(SAT) C = 10mA, B = 1.0mA VBE(SAT) Base-Emitter
in „Dimensionierung von LED-Dimm-Schaltung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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BC548.pdf
general purpose amplifiers andswitchesrequiringcollectorcurrentsto300mA.Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VCES Collector-Base Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage
in „BC548 im Grenzbereich ?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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IRF7416_datasheet.pdf
Reverse Recovery Time ––– 56 85 ns TJ= 25°C, F = -5.6A Q rr Reverse RecoveryCharge ––– 99 150 nC di/dt = 100A/µs Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ -5.6A, di/dt ≤ 100A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ≤ 150°C Starting J = 25°C, L = 25mH Pulse width ≤ 300µs; duty
in „Datenblatt / Prinzip richtig verstanden?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Infineon-IRFZ44N-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Reverse Recovery Time ––– 63 95 ns TJ= 25°C, F = 25A Q rr Reverse Recovery Charge ––– 170 260 nC di/dt = 100A/ s ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on isSdoDinated by L +L ) Notes: Repetitive rating; pulse width limited by SD ≤ 25A, di/dt ≤ 230A/µDD ≤ V(BR)DSS max. junction
in „Mosfet IRFZ44N 12V schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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FMMT620.pdf
SEMICONDUCTORS 2 FMMT620 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 0.7 ) ) ( 0.6 ( n n i 0.5 e 1 a r DC i 0.4 C 1s s r 100ms D 0.3 100m 10ms r e e 0.2 o 1ms o C 100µs P 0.1 C Single Pulseamb=25°C a I 10m M 0.0 100m 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 V CE Collector-Emitter Voltage (V) Temperature (°C) Safe Operating
in „"intelligenter" Open-Kollektor?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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FMMT620.pdf
SEMICONDUCTORS 2 FMMT620 TYPICAL CHARACTERISTICS 10 0.7 ) ) ( 0.6 ( n n i 0.5 e 1 a r DC i 0.4 C 1s s r 100ms D 0.3 100m 10ms r e e 0.2 o 1ms o C 100µs P 0.1 C Single Pulseamb=25°C a I 10m M 0.0 100m 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 140 160 V CE Collector-Emitter Voltage (V) Temperature (°C) Safe Operating
in „Suche Transistoren mit kleinerem Spannungsübergang“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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panasonic-lithium-br2330-br3032.pdf
Poly-carbonm onofluorideLithiumCoinBatteries: Individual SpecificationsBR3032 BR2330 BR3032 ■ Dimensions(mm) ■ Dimensions(mm) Weight:3.2g Weight:5.5g ■ Specification ■ Specification Nominal voltage (V) 3 Nominal voltage (V) 3 Nominal capacity (mAh) 255 Nominal capacity (mAh
in „Gesucht: Extra Long Life Knopfbatterien“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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2N3866.pdf
Characteristics Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Units Volts Collector-Base Breakdown Voltage V (BR)CBO IC= 100 µA 60 Volts Collector-Emitter Breakdown Voltage V (BR)CEO IC= 5 mA 30 Volts Emitter-Base Breakdown Voltage V (BR)EBO IE= 100 µA 3.5 Collector-Emitter Cutoff Current ICEO V CE= 28 Volts 20 µA Collector-Emitter Cutoff Current CES1 V CE= 55 Volts 100 µA CES2 V CE= 55 Volts, A = 150°C 2 mA On Characteristics Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0% Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Units h I = 50 mA, V = 5 Volts 15 200 FE1 C
in „Gegentakt vs. Eintaktvorverstärker“ · HF, Funk und Felder ·
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Roland_G-70_Service_Notes_.pdf
PANEL 6 2-2/3' 7 2' (CN9) 8 1-3/5' 9 1-1/3' 10 1' 11 53015-1110 REF C7 C8 C9 C10 C11 C12 C13 C14 C15 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF REF REF REF REF REF REF REF REF REF 124 125 Downloaded from www.Manualslib.com manuals search engine Feb.2005 G-70 CIRCUIT BOARD & CIRCUIT DIAGRAM (
in „Roland G-70 fährt nicht hoch.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Roland-G-70-Service-Manual.pdf
PANEL 6 2-2/3' 7 2' 8 1-3/5' (CN9) 9 1-1/3' 10 1' 11 53015-1110 REF C7 C8 C9 C10 C11 C12 C13 C14 C15 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF 100nF REF REF REF REF REF REF REF REF REF 124 125 Feb.2005 G-70 CIRCUIT BOARD & CIRCUIT DIAGRAM (POWER) IC1 uA7812CV CN1 B10B-PH-K-S 1 IN OUT 2 +12V 10 10
in „Roland G-70 fährt nicht hoch.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ADS_8323_sbas224c.pdf
kSPS Aperture delay 10 10 ns Aperture jitter 30 30 ps Small-signal bandwidth 20 20 MHz Step response 100 100 ns Overvoltage recovery 150 150 ns DYNAMIC CHARACTERISTICS Total harmonic distortion VIN= 5VPP at 100kHz –90 –93 dB SINAD VIN= 5VPP at 100kHz 81 83 dB Spurious free dynamic range VIN= 5VPP at 100kHz
in „Logger für Strom und Spannung im Selbstbau“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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ads8323.pdf
kSPS Aperture delay 10 10 ns Aperture jitter 30 30 ps Small-signal bandwidth 20 20 MHz Step response 100 100 ns Overvoltage recovery 150 150 ns DYNAMIC CHARACTERISTICS Total harmonic distortion VIN= 5VPP at 100kHz –90 –93 dB SINAD VIN= 5VPP at 100kHz 81 83 dB Spurious free dynamic range VIN= 5VPP at 100kHz
in „AD 8323 : Analog Digital Wandler 16-Bit, Parallel, 500kSPS“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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dap-audio_p400_p500_p700_p900_p1200_p2000_schematic.pdf
. J2 TJC3 3A R20 D18 VR2 102 2SA1943 1 1 S 5 1 2 3 1 FR157 J5 2 R9 30K/1W 124J100 CF10/CF11 222J100 3 5 C2 1 1 C20 TJC3 3A GND10R-1/4W 7 104J250 C3 6 U1B 471/1KV R8 5532 GND1 3 2 1 J3 CF8/CF9 7 C8 4 104J250 150R-1/4W 1 R58 R59 R1 6 101/100V U1A TJC3 3A D19 1 10R-3W 10R-3W 5 2 1 FR157
in „PA Verstärker Reparatur DAP Palladium P-2000 Vintage“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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qrc.pdf
curves Extraneous light Is/% 100 1 90 80 2 70 60 50 40 3 30 2 20 / 0 10 1 7 0 λ / nm 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 Is/% QRC1 Flames 100 40 20 4 10 4 2 1 5 0,1 0,01 6 4 6 7 0,001 0,0001 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 λ
in „suche einen möglichst empfindlichen Fotowiderstand für meinen Pelletbrenner.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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TDA1023.pdf
13VEE TDA1023 UR 7 unbuffered reference input PR 5 12 TB QR 8 output of reference buffer CI 6 11 VZ BR 9 buffered reference input UR 7 10 PW PW 10 pulse width control input QR 8 9 BR V Z 11 reference supply output MBA484 TB 12 firing burst repetition time control input V EE 13 ground V CC 14 positive supply
in „TDA1023 oder Ersatz“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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257____SN74lvc257a-q1.pdf
Drawing Qty CLVC257AQPWRG4Q1 ACTIVE TSSOP PW 16 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74LVC257AQDRG4Q1 ACTIVE SOIC D 16 2500 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74LVC257AQDRQ1 ACTIVE SOIC D 16 2500 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM no Sb/Br) SN74LVC257AQPWRQ1
in „Max Übertragungsfrequenz mit SN74LVC257“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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1-5KE_TVS_Dioden.pdf
69 10.5 1350 1.5KE100A 1.5KE100CA 1 85.5 95.0 100 105 1 137 11 178 56 10.6 1150 1.5KE120A 1.5KE120CA 1 102 114 120 126 1 165 9.1 212 47 10.7 1000 1.5KE150A 1.5KE150CA 1 128 143 150 158 1 207 7.2 265 38 10.8 850 1.5KE180A
in „Verstärker TAS5630“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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LF-SMCJ.pdf
incremental surge to reflow soldering E230531 resistance guaranteed: 260°C/40sec • Typical R less than 1μA • BR@T =JV @BR°C Maximum Ratings andThermal Characteristics when V min>12V x (1+ α T x (T - 25)) (T =25 C unless otherwise noted) BR J A • For surface mounted (α T:Temperature Parameter Symbol Value Unit
in „Welches Bauteil ist das?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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KTC2026-2.pdf
specified) A Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Test Condition Collector to Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 60 - - V IC=0.1mA, I E0 Collector to Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO 60 - - V IC=50mA, I B0 Emitter to Base Breakdown Voltage V(BR)EBO 7 - - V IE=0.1mA, I C0 Collector Cut-Off Current I - - 100 µA V =60V, I =0 CBO CB E Emitter Cut-Off Current EBO - - 100 µA V EBV, I C0 DC Current Gain hFE 100 - 200 V CEV, I =C.5A Collector to Emitter Saturation Voltage V CE(sat) - - 1 V IC=2A, IB=0.2A Base to Emitter Voltage V BE(on) - - 1 V V CEV, I =C.5A Transition
in „E-Magnet mit Transistor schalten“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tlc5947.pdf
HTSSOP DAP 32 2000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-3-260C-168 HR no Sb/Br) TLC5947RHBR ACTIVE QFN RHB 32 3000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) TLC5947RHBRG4 ACTIVE QFN RHB 32 3000 Green (RoHS & CU NIPDAU Level-2-260C-1 YEAR no Sb/Br) TLC5947RHBT ACTIVE
in „SPI Entstören“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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JW5068A_DC_DC_EvalBoard.pdf
BILL OF MATERIALS Qty Designator Value Description Package Manufacturer Manufacturer P/N 2 C1, C8 100nF Ceramic capacitor 0603C SAMSUNG CL10B104K08NNNC 50V ,X7R 1 C2 10pF Ceramic capacitor 0603C MURATA GRM31BR72H223KW10L 50V ,X7R 4 C3,C4,C5, 22uF Ceramic capacitor 1206C MURATA GRM31BR72H225KW10L C6 16V ,X7R 0 C7 NC 4 C9,C10, 10uF Ceramic capacitor 1206C MURATA GRM31BR73A222KW01L C11,C14 50V ,X7R 1 C12 1uF Ceramic capacitor 0603C MURATA CL21B105KOFVVVE 16V ,X7R 1 C13 2.2uF Ceramic capacitor 0603C MURATA GRM31BR72H33KW10L 16V ,X7R 0 CE1 NC 1 L1 1.5uH/17A Inductor WURTH
in „DC-DC Wandler was für ein IC?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ACC__4_wire_SPI.txt
einstellen , Master Modus eingestellt, MSB zuerst UCB3CTL1|=UCSSEL_2; // Zeitgeber ausw hlen, SMCLK UCB3BR0|=0x02; //Zeitgeber einstellen, UCA3BR0 und UCA3BR1, (UCAxBR0 + UCAxBR1 ? 256) UCB3BR1=0; // spaeter ncoh einmal die Berechnung bedenken und mit den Angaben im Datenblatt vergleichen UCB3IE|=UCRXIE +
in „MSP430 mit ADXL345 kommunizieren lassen“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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rfm63dw.PDF
BER of 0.1.% Table 8: Receiver Specification Symbol Description Conditions Min Typ Max Unit 868MHz, BR=25 kb/s, Fdev - -105 - dBm =50 kHz, fc=100 kHz 868 MHz, BR=66.7 kb/s, Fdev=100 kHz, fc=200 kHz - -101 - dBm RFS_F Sensitivity (FSK) 915 MHz, BR=25 kb/s, - -103 - dBm Fdev=50 kHz, fc=100 kHz 915 MHz, BR = 66.7 kb/s, - -99 - dBm Fdev=100 kHz, fc=200 kHz 868 MHz, 2kb/s NRZ fc-fo=50 kHz, fo=50 kHz - -111 - dBm 868 MHz, 16.7 kb/s NRZ - -104 - dBm RFS_O Sensitivity (OOK) fc-fo=100 kHz, fo=100 kHz 915 MHz
in „JDY-40 ein neuer Geniestreich aus China?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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bq24070.pdf
voltage(6) VI(OUT) VI(BAT) V(DO-MAX) 2.47 2.50 2.53 V VI(BAT) V(LOWV) K Charge current set factor, BAT 100 mA ≤ IO(BAT)≤ 1.5 A 375 425 450 (SET) 10 mA ≤ I ≤ 100 mA (7) 300 450 600 O(BAT) USB MODE INPUT CURRENT LIMIT ISET2 = Low 80 90 100 I(USB) USB input port current range mA ISET2 = High 400 500 BAT PIN
in „Akku-Typ Entscheidung“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·