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Problem mit Mosfet IRL540 an 52V, öffnet nicht mehr
Muss es Reichelt sein? Bei TME würdest du echte IRL540N bekommen, oder auch IRLB4030 (bei dem eher 10kOhm parallel zu Gate-Source). Eine Freilaufdiode ist nicht nötig, wie auch die TVS nicht. Was kein Fehler wäre: eine 12V Z-Diode parallel zu Gate-Source.
von 12 bif 15V um > das Gate zu befeuern. Gerald B. hat einen geeigneten Mosfet genannt, den IRLB4030. LL-Typ, verfügbar (z.B. bei Mouser) und nicht zu teuer. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRLB4030-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604640258d Gerald B. schrieb im
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Austauschtyp für IRL 3803
wie wärs mit IRLB4030PbF 100V/180A/4,3mOhm
verschmerzbar ist, wär der IRF3708 ok (typisch) - wenn RDSon gleich oder besser sein soll - eher der IRLB4030
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Unstimmigkeit bei IRLB4030 Bestellung
Hallo, ich habe mir vor 1 Woche bei Reichelt 5 Transistoren vom TYP IRLB4030PbF bestellt: https://www.reichelt.de/de/de/shop/suche/irlb4030?GROUPINDEX=0&search=irlb4030 Geliefert wurden Transistoren mit der Bezeichnung IRLB4030H502/R (siehe "Geliefert.jpg") und einer völlig
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PDP8974 Ersatz gesucht
selbst da fällt mir kein > LL-MOSFET mit ausreichend ähnlichen Daten ein. Wie wärs mit dem IRLB4030PBF?
selbst da fällt mir kein >> LL-MOSFET mit ausreichend ähnlichen Daten ein. > > Wie wärs mit dem IRLB4030PBF? Nicht undenkbar, aber halt doppelt so große Gatekapazität. Kommt eben drauf an wofür die verwendet werden.
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Welche Isoscheibe leitet Wärme am besten?
IRLB4030 schrieb im Beitrag #3296509: > Aus Platzgründen ist leider keine Zwischenscheibe aus Kupfer möglich. Zwischenscheibe? Was ist dein Problem? Wenn du keinen Platz hast, dann montier den FET doch
@ IRLB4030 (Gast) >siehe Betreff. Möchte einen Mosfet mit relativ hoher Verlustleistung WIEVIEL? Siehe [[Netiquette]]. >Isoscheibe die Beste dazu ist, also die geringstmögliche >Temperaturzunahme
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0805 ausreichend als Gatewiderstand für größeren Mosfet?
einen 0805er Chipwiderstand als Gatewiderstand für einen großen Mosfet nehmen kann? Es wäre ein IRLB4030, der mit 20KHz getaktet wird (PWM). Treiber ist fast unendlich stark und schnell, und schaltet zwischen etwa 0,6 und 14V. Der Widerstand (5R6) ist bereits eingebaut und wird auch nicht nennenswert
einen 0805er Chipwiderstand als Gatewiderstand für > einen großen Mosfet nehmen kann? Es wäre ein IRLB4030, der mit 20KHz > getaktet wird (PWM). Treiber ist fast unendlich stark und schnell, und > schaltet zwischen etwa 0,6 und 14V. > Der Widerstand (5R6) ist bereits eingebaut und wird auch nicht
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Zwei IRLB4030 MOSFET Bauteile
IRLB4030 H502/R AA09
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defekter Mosfet - Pin geschmolzen (!)
ist?? Habe sowas gerade zur Reparatur hier zu liegen, und noch nie gesehen... Der Mosfet ist ein IRLB4030 (to220). Offenbar sind die Bonddrähte bei so starken Mosfets inzwischen beständiger als die Anschlüsse??
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Kann man verbleite Transistoren (to220) zuverlässig erkennen?
Elektrolytverzinnung aus. Angeblich sind die Teile aus 2011, und es ist auch ein recht starker Typ (IRLB4030). Denkbar wäre also, daß der vor 2005 noch gar nicht am Markt war. Da mir anfangs gleich "klar" war, daß der verbleit sein muss, wollte ich kurz mit anderen Typen vergleichen, und siehe da, noch
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Motortreiber mit MOSFET-Ring und Spitzenstromregelung
Baugleich mit meinem. https://www.youtube.com/watch?v=51UNOyQWxeI Alle Mosfets sind vom Typ IRLB4030 und sind in der Schaltung ringförmig angeordnet, sodass alle Verbindungen gleich lang sind. Das Prinzip wird im Video ab Minute 1:05 erläutert. Die Strommessung erfolgt über die Spannungsmessung
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Kennlinien von MOSFETs IRF3708, IRL3803 und IRLB4030
IRF3708, IRL3803, IRLB4030, ID, Drain-to-Source Current (A), VGS, Gate-to-Source Voltage (V), VDS, TJ = 25°C, TJ = 175°C, VGS = 10V, ID = 15A, VGS = 4.5V, ID = 12A, VGS = 2.8V, ID = 7.5A, VDS = 15V, 20us PULSE WIDTH, VGS =
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Kennlinie Drain-Source-Strom gegen Gate-Source-Spannung
Fig 1. Typical Output Characteristics 1000 100 10 1.0 ID, Drain-to-Source Current (A) TJ = 175°C TJ = 25°C VDS = 50V ≤60µs PULSE WIDTH 1 2 3 4 5 VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
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Diode im Mosfet als Freilaufdiode verwendbar?
Dauerstrom mehr Verlustleistung, als am Mosfet. Mosfets mit vernünftigen Dioden wären z.B. IRLB4030, IRFB7430, oder IPP030N10N3 G. Deren Daten sucht man bei normalen SI-Dioden wahrscheinlich vergebens. Schaut euch dazu mal insbesondere die Flussspannungen in den Diagrammen an, da träumen sogar die
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Dioden - Die-Bilder
abwärts gelistet: Mosfets IRFB7430 3 Bonddrähte (immer nur an Source betrachtet) IRLB4030 3 Bonddrähte IPP030N10N3G 3 Bonddrähte SPP80N08S2L-07 3 Bonddrähte B80NF55-08 2 Bonddrähte IRF2804S 3 Bonddrähte IRF4905
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Dicker MOSFET, dünnes Anschlusspin?
IRFB4110 z.b. kennt wohl jeder...IRLB4030...für Weitere frage man seinen Distri.
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Interesse an einer "Mikro-Wanderkiste"?
wenn es irgendwann mal eine Aussicht auf eine SINNVOLLE Wiederkehr der Kiste geben sollte): -20 IRLB4030PBF -20 IRFB7430PBF -20 IPP030N10 -20 IPB60R099CP -20 BTS555 -100 BUF654 -100 Polymer-Elkos 20V 150myF -100 Kerkos 35V 10myF 1210 -100 Kerkos 1000V 100nF 2220 -100 IHLP5050 2,2myH oder 7,8myH
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Eigenbau Einspeisewechselrichter
Drainspannng beim Netzscheitel höher wird als gedacht, musste ich den STP55NF06 durch einen vorhandenen IRLB4030 ersetzen. Dessen Gatecharge ist extrem hoch, aber läuft so. Ich werde einen STP80NF10 dafür besorgen. Hans W. schrieb im Beitrag #7204529: > Euch ist schon klar, dass das zu langsam sein wird
