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Rauscharme JFETs im SOT23-Gehäuse
ist der "verbesserte" Nachfolger TL072H CMOS, natürlich mit mehr Rauschen. Aber, ganz frisch: JFE150 (0.8 nV/√Hz), im SC70-Gehäuse.
Sofern ich mich nicht geirrt habe oder es neue Informationen gibt, bliebe da nur noch der teure JFE150.
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Verstäkerschaltung in Realität und Simulation
Wozu ist R4 in der Schaltung? Bist du dir sicher, dass der JFE150 überhaupt in seinem richtigen Arbeitspunkt betrieben wird? Bis jetzt kenne ich die Schaltung nur mit R3. Du willst offensichtlich auch eine Verstärkung von 1000 erreichen. (R6/R7 siehe Kapitel 9.1.4 im DB des JFE150) Würde mich also nicht wundern, wenn da irgendwas nur wild überkoppelt und dann verstärkt wird. Und in der Simulation wird die Überkopplung anders aussehen als im praktischen Aufbau. Denn auch in der
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Schutz von OPAmp gegen 300V - aber rauscharm und ohne Quelle zu belasten
Sieht doch auf den ersten Blick ganz gut aus. Mit TI JFE2140 oder JFE150 hätte man dann eine recht kompakte rauscharme Lösung mit Schutzdioden nach VEE/VCC. < https://www.ti.com/lit/ds/symlink/jfe2140.pdf > Wie sehen denn die Schwinger aus: Innenwiderstand /
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Empfehlung für Phono-Vorverstärker-Schaltplan?
Und es kommen auch immer noch neue interessante Bauteile raus: https://www.ti.com/product/JFE150 Applications: • Microphone inputs • Hydrophones and marine equipment • DJ controllers, mixers, and other DJ equipment • Professional audio mixer or control surface • Guitar amplifier and
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Audiophile Elektrotechnik Gesperrt
Halbleiter als rauscharme BCxxx: Bipolar: Ultra-Low Noise PNP Expitaxial Transistor 2SV888 JFET: JFE150 Ultra-Low Noise, Low Gate Current, Audio, N-Channel JFET Ein Beispiel mit JFET, bzw. mehrere JFET parallel: https://circuitcellar.com/cc-blog/a-look-at-low-noise-amplifiers/ Beispiel einer fachlichen