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ATTiny85 an einer einzelnen AAA Batterie 1 Jahr mindestens
TPS6122X ʘ SLEEP ist das DONE auf der linken Seite. So wie es ausschaut kann aber doch der TPS22860 die niedrige Batteriespannung nicht schalten nach Datenblatt - oder?
Fritz F. schrieb im Beitrag #4967463: > So wie es ausschaut kann aber doch der TPS22860 die niedrige > Batteriespannung nicht schalten nach Datenblatt - oder? Ein weiteres Problem könnte sein, dass der Taster potentiell den Ausgang vom TPS22860 an die Batterie legt, also quasi die
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Suche speziellen Transistor
Sorry, Schreibfehler: TPS22860 von TI Blackbird
@ TPS22860 macht leider nur 5V :-( Aber DANKE erstmal allen ! Ich muss mich da mal durcharbeiten ... lg, Jonny
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Suche kurzschlussfesten Line Driver 5V mit mind. 100mA source fähigkeit
Ich habe mir aus Verfügbarkeitsgründen jetzt den TPS22860DBVR herausgesucht, der schaltet in <20ns, was für mich eigentlich viel zu schnell ist.
da der TPS22860 nur sourcen kann aber nicht sinken, machst du das sinken per pulldown - oder nicht notwendig, weil so langsam?!
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N-Kanal-Mosfet als Schalter in Plus-Leitung?
Es gibt dafür auch fertige Schalter-ICs, z. B. den TPS22860 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps22860.pdf
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mit µC eigene Betriebsspannung schalten
Bis 5V: TPS22860 Ultra-Low Leakage Load Switch DCDC-Wandler weglassen und nur eine LiPo-Zelle verwenden. Gibt es im SOT-23 und SC-70 Gehäuse. Blackbird
5V aus einer LiPo-Zelle (nach dem Load Switch TPS22860): LTC3531-3.3 (z. B.) Das sind nur 2 Bauteile mit den üblichen Abblock-Cs und einer minimalen Außenbeschaltung. Spart eine Zelle und das Laden ist auch einfacher. Blackbird
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P Kanal MOSFET mit hohem Widerstand.
> Ich will nämlich eine Schaltung die nur ca. 100 uA zieht von der > Versorgung trennen. TPS22860, 20nA.
wenigen IOs dafür aber zeitlich versetzt mehrere Werte. MaWin schrieb im Beitrag #6309668: > TPS22860, 20nA. Genial! Vielen Dank, wird eingebaut.
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P-Channel High-Side Switch 3,3V
Es gibt dafür auch fertige Schalter-ICs, z. B. den TPS22860 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps22860.pdf
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Sperrstrom, Transistor vs Mosfet, Batterieanwendung
@ 25 GradC, 5uA @ 150GradC) PBHV8115T (120V SOT23 100nA @ 25 GradC, 10uA @ 125 GradC, NXP BISS) TPS22860 (5V high side power switch 2nA) Dennoch reichen auch MOSFETs, auch wenn deren Sperrstrom mit der Temperatur DEUTLICH ansteigt, es wird ja nicht gerade dauernd 100 GradC haben.
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Selbstmordschaltung
Alternativen aufzuzeigen: Google mal nach "ultra low leakage load switch". Da findet man z.B. den TPS22860 von Ti. Der hat Leckstrom im zweistelligen nA Bereich. Dafür kann er keine großen Lasten schalten. Als Alternative zu Mosfets lohnt auch mal ein Blick auf die BISS Transistoren von NXP. Die haben
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Stromverbrauch 74 Logic ICs
@ 25 GradC, 5uA @ 150GradC) PBHV8115T (120V SOT23 100nA @ 25 GradC, 10uA @ 125 GradC, NXP BISS) TPS22860 (5V high side power switch 2nA) hochsperrende MOSFETs: Ohne Bulkdiode. ALD1107 (400pA max., 4nA bei 125 GradC) SD5000 BSS83 (10nA max.) vs. BS170 (500nA) BSS295 (1uA max., 50uA bei 125 GradC)