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BAV199 Dip-Alternative
Hi, ich bin auf der Suche nach einer Aternative zur BAV199 Diode, allerdings nicht SMD. Sie soll im Logiktester von Thomas Pfeifer verbaut werden. Es wäre auch nicht schlecht wenn die Diode gut zu bekommen wäre. Danke schon mal vorab.
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Wofür sind die Schottky Dioden hier?
die hat bei 25°C schon bis zu 2µA Leckstrom. An 10k sind das dann 20mV! Warum nimmt Lothar wohl eine BAV199??
für verbesserungen wäre ich offen :p Aber mir geht es eig nur um die Schaltung oben rechts mit den BAV199 Dioden :)
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ESD-Schutz für ADC
Schottky-Dioden klemmen: Besser mit Dioden mit geringem Leckstrom, sog. Picoamperedioden. Z.B. BAV199 als Doppeldiode in einem Gehäuse. Serienwiderstände vor und nach der Schutzbeschaltung !
sein Messergebnis versauen. Wenn, dann wenigstens eine richtige Diode die auch sperren kann BAV199 oder so.
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Diode BAS33 (I_R typ. 0,5nA) nur noch kurze Zeit erhältlich
BAV199 hilft in vielen Fällen dank geringen Sperrstrom auch
BAV199 =SMD SOT23 Low leakage current: typ. 3 pA Datenblatt: https://www.nexperia.com/product/BAV199
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Eingangsschutzbeschaltung
> Als Alternative habe ich mir überlegt, BAV199 Dioden gegen beide > Versorgungsspannungsleitungen zu schalten. Du liegst ziemlich richtig. http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.23 Hinter der BAV(1)99 kommt noch ein Widerstand
Hallo, Deine Überlegungen mit BAV199 sind prinzipiell richtig. Wichtig ist halt daß die TVS-Diode dann direkt am Eingang Deiner Schaltung bei den BAV199 sitzt. Ein Keramik-Kondensator kann auch helfen die Störungen verträglicher zu
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Analoge Audioeingänge vor Überspannung schützen - Dioden?
Andi B. schrieb im Beitrag #4473852: > Die BAV199 würde auch das Audiosignal clippen. Geht also nur für "leise" > Signale. 2 Veff (2,83Vp!) ist max. Standardaudiosignal. Das ist nicht richtig, bitte genau hinschauen. Die sind im Beistrag von
Der Andere schrieb im Beitrag #4473896: > Andi B. schrieb: >> Die BAV199 würde auch das Audiosignal clippen. Geht also nur für "leise" >> Signale. 2 Veff (2,83Vp!) ist max. Standardaudiosignal. > > Das ist nicht richtig, bitte genau hinschauen. Stimmt. Hab ich
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Interne oder externe Clamp Dioden ?
>>>Fragt sich nur welchen Typ man verden kann und wie man die Schaltung Signal-----100R---BAV199---100R----MCU LG Dirk
Die Frage war eher wieso jetzt die bei 100 Ohm die BAV199 vor den internen Dioden leitet.
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Eingangsschutz/Diode mit geringem Leckstrom für OPV zur Strommessung im KFZ
Weil man kaum Diodne findet, die alle Deien Wünsche erfüllen, landet man bei der (recht preiswerten) BAV199, schon wegen deren geringem Sperrstrom. Üblicherweise legt man deshalb den Eingsnschutz so aus, das man die altbewährte BAV199 nimmt,und damit die (überhöhte) Eingangsspannung clampt. z.B. auf
Pfad nach der BAV199 ein weiterer Widerstand, der dafür > sorgt beim Verstärker nie mehr als 10mA reinkommen. Danke für die Ausführungen! Genau so habe ich es nun umgesetzt, nur wie oben erwähnt mit der BAS416. Den
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ADC Eingang schützen vor Überspannung
quasi wie > ein Parallelwiederstand zw. 7K und 50K verhalten haben. Kommt auf die Dioden an. BAV199 geht für vieles, ansonsten die Lösung mit JFETs wie dem 2N4117 als Diode
>Fragen: Ich konnte nirgends rauslesen dass die BAV bei x+0,3 V schaltet, >ist das eine Charakteristik, oder ist die Durchlassschwelle einzig von >dem Widerstand abhängig.? Kannst du das näher erläutern? Ich gehe davon aus, daß an der BAV199
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Dioden in AD-Wandler Eingang
Reihenwiderstände vor den Eingängen + Dioden (u.U. reichen die internen). Je nach Anforderungen z.B. BAV199 o.ä. bzw. wenn die Leckströme noch geringer sein müssen (<< 1 pA) bipolare Transistoren oder JFETs als Dioden http://www.ti.com/lit/an/sboa058/sboa058.pdf
betragen. Aber auch kleinere Werte sind schon hilfreich. Zusätzlich zu den Caps verbaut man dann die BAV199 zu den Rails. Die Caps bremsen dann den ESD-Puls für die BAV199 und die BAV199 leitet die Überspannungen dann zu den Rails ab. Kurzzeitige Störungen, wie ESD, Burst und Surges können mit dieser
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ADC Schutz/Filter Reihenfolge
auch mal die Leckströme der dioden im Bereich -20V...+70C . Man(n) landet ziemlich schnell bei der BAV 199 als sehr guten Kompromiss für diese Schutzschaltung.
auch mal die Leckströme der dioden im Bereich -20V...+70C . >Man(n) landet ziemlich schnell bei der BAV 199 als sehr guten Kompromiss >für diese Schutzschaltung. Die BAV199 hat aber ein VF von 900mV bei 1mA - Ist das nicht schlecht? Die Spannung die schlechtesten Falle anliegen würde wären 5,9V bei
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Spannungsteiler: niedrigere Ausgangsspannung bei 90 °C
Falk B. schrieb im Beitrag #6314639: > SchnickSchnack. Nimm eine Doppeldiode ala BAV99 oder BAV199 und begrenze > gegen GND und VCC, das reicht locker und hat deutlich weniger > Verfälschungen durch Leckströme, auch bei höheren Temperaturen. Die BAV99 hat bei 0,4 mA ca. 0,525 V.
Ralf schrieb im Beitrag #6314663: > Falk B. schrieb: >> SchnickSchnack. Nimm eine Doppeldiode ala BAV99 oder BAV199 und begrenze >> gegen GND und VCC, das reicht locker und hat deutlich weniger >> Verfälschungen durch Leckströme, auch bei höheren Temperaturen. > Die BAV99 hat bei 0,4 mA ca. 0,525
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Schutzschaltung für hochohmige Eingänge
normale Transistoren sind sie auch nicht. Alternativ gibt es auch extra Dioden mit wenig Leckstrom (z.B. BAV199).
schrieb im Beitrag #2038193: > Alternativ gibt es auch extra > Dioden mit wenig Leckstrom (z.B. BAV199). Hab mir mal das Datenblatt der BAV199 angeschaut. Ich denke bei einem Leakage Current von 3 pA sind die 6 Cent gut investiert :-) Ulirch schrieb im Beitrag #2038193: > Die JFets sind so
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Messverstärker nach tangentsoft, Modifikationen
Die BAV199 sieht doch eh keine nennenswerte Spannung. Was soll sie also groß rauschen? Auch ihr thermisches Rauschen ist vernachlässigbar gegenüber den anderen Widerständen, da der differentielle Widerstand
Frank M. schrieb im Beitrag #3189859: > Daher die BAV199, 3pA, anstatt wie bei Christian zwei > 1N4148, 25nA. > Die wenigen JFETs die ich mal überflogen habe hatten mehr als 3pA. Naja, der Input Bias Current des AD797 ist mit typ. 250nA deutlich
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Überspannungsschutz von ICs
internen nicht einfach als Parallelschaltung die Hälfte ist, sondern signifikant weniger. Statt BAV99 auch besser BAV199, geringerer Leckstrom.
so? Scahu Dir mal den Sperrstrom bei höherer Temperatur an: https://www.vishay.com/docs/85718/bav99.pdf Sofern dich die mehreren uA nicht stören (Quellimpedanz = ?, Genauigkeit = ?) etc, dann ist das was Du vorhast ein erster Ansatz. BAV 199 wurde schon genannt. Wegen EMV ist ein Kondenstor
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Pick & place Datei: Rotation von Bauteilen auf der Unterseite
draufschaut. 1 3 2 D2 46.99 15.24 270.00 BAV199 SOT23 Wenn man im Layout die Eigenschaften anschaut, dann steht auch dort 270°. Mit "mirror" nach unten platziert. 1 3 2 D2 46.99 15.24 270.00 BAV199 SOT23 EAGLE speigelt also um die y-Achse nach unten. (Pin-3 der BAV199 zeigt weiterhin nach rechts, wenn man von unten draufschauen würde.) Wenn man im Layout die Eigenschaften anschaut, dann steht auch dort 270° und zusätzlich ist "mirror" angehakt. Erkenntnis
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Dioden mit niedrigem Leckstrom
wird mit der Spannung getrickst, also 5 Volt oder 15 Volt - Angaben. b) bei der NXP BAS116/416 und BAV199 ist die Differenz zwischen typischen und maximalen Wert größer als 1000, bei anderen Dioden nur Faktor 10. c) Die eher normalen Dioden wie BAS116 oder BAV199 liegen typisch besser als die Ultra
sieht es zumindest laut Simulation so aus, daß ich mit JFET/Transistor nichts gewinne (ggü BAS116/BAV199). Wobei 12 pA ja schon ein sehr gutter Wert sind.
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Schaltplan einer Strommessschaltung mit Operationsverstärkern
560R R139 7K5 R136 1k0 R134 1k0 R132 100k C132 4,7uF R130 0R5 R137 1k0 R135 100k C133 4,7uF R136B BAV199 D136A BAV199 D136B BAV199 D137B BAV199 D137A BAV199 VCC+15V** VEE-15V** VEE-15V** GND GND GND Shuntwiderstand 2,5uH
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jFET-Diode - Eigenschaften?
leckstromarme Dioden sind aber oft sehr träge und haben eine sehr große "reverse recovery time". Die BAV199 ist dafür ein gutes Beispiel: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAV199.pdf
recovery time" Was versteht man unter einer 'reverse recovery time'? Habe mal ins Datenblatt der BAV199 geschaut, in Fig.3 sieht es so aus, als hätte sie eine etwas größere Flussspannung als eine DUS!?
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OPV eingang vor Überspannung am Eingang schützen
Sperrstrom solcher Dioden bereits aus. Dafür gibt es Picoampere-Dioden. Z.B. die Doppel-pA-Diode BAV199, leider nur in SMD: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/FILES/bav199.pdf Ein zu diesem Thema passender Elektronik-Minikurs: "Überspannungsschutz von empfindlichen Verstärkereingängen
einsetzen kann. Es kommt dabei auch auf die Anwendung an, ob diese Methode ausreicht oder man besser tut BAV199, der sehr preiswert ist, einzusetzen. Die Idee der Transistor-pA-Diode entstand in einer Zeit, als pA-Dioden noch selten und sehr teuer waren. Gruss Thomas
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[S]Bedrahtete oder SMD Z-Dioden <3V
Dioden nach Masse, wenn es nur wenige Millivolt sind und nicht hunderte von Millivolt. Üblich ist BAV199, notfalls 1N4148. Z-Dioden unter 5V sind sehr schlecht, nicht viel besser als Dioden in Reihe. Aber ob man einen OpAmp wirklich schützen muss, ob man nicht besser Dioden nach VCC und GND nutzt
dazu ausführlich Hints abgegeben. Du meinst JFET oder daraus aufgebaute Picoamperedioden. Die BAV199 ist schon nicht schlecht und du brauchst nur eine davon, aber mit sehr hoher trr bestraft. Arno Nachtrag: Es gibt OPAmps, bei denen der Eingang schon mit 2 Dioden geschützt ist. Einer von den
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Picoampere Diode (nicht SMD)
. Kann jemand eine gut zu beziehende Picoampere Diode nenne, die ähnliche Eigenschaften wie die BAV199 hat, allerdings nicht als SMD. Möchte sie als Schutzdiode vor dem ADC einsetzen. Danke und Gruß Dirk
BAS45A Kommt aber nicht an die BAV199 ran.
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RTC mal wieder
Leckstrom, es gibt aber auch speziell für solche Zwecke gezüchtete Dioden. Wir setzen bei soetwas den BAV199 ein.
Danke Dir Stefan, aber die fast 1V Spannungsabfall über der BAV199 ist eher kontraproduktiv. Da bleibt ja fast nix mehr übrig!
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Hilfe beim verstehen einer Schaltung
T3. Beim IC verarscht man uns wieder, es handelt sich um eine doppeldiode mit Mittelanzapfung (BAV199?). Diese richten zusammen mit C1 und C2 den 40khzTon gleich und Transistor T1 bringt die entstandene Gleichspannung über die LED zur Anzeige.
nicht mit gerechnet, das die da tasächlicht eine DDR-Doppeldiode verwendet haben. deshalb schrieb ich BAV199, da mit SAL 41 sicher niemand was hätte anfangen können. axelr.
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Klemmschaltung mit niedrigem Leckstrom
Zenerdiode außerhalb des Signalweges und die Schutzdioden können Pikoamperedioden sein, obwohl meist BAV199 verwendet wird. Die Widerstände sind entsprechend dem zulässigen Strom vs. Eingangsimpedanz zu berechnen. Für hohe Frequenzen (USB) gibt es so was sogar fertig. Die durch die Dioden erlaubten
Universaldioden 1N4148. Sind kapazitätsarm und sperren > sehr gut. 1N4148: zu hoher Leckstrom. BAV199 seit mehr als 20 Jahren die bessere Wahl
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Basis mit Emitter zusammengeschaltet
: > Das dürften jene Typen sein, auf die sich der ELKO-Artikel bezieht: > schwer zu kriegen. Die BAV45 hat nicht einmal Digikey. Bürklin: BAV45: 2,80€ BAV170: 0,06€ Peter
>BAV45: 2,80€ BAV199: 0.04€, 3pA aber nicht ganz so eng spezifiziert, dafür aber bei Reichelt
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Überspannungsschutz ADC leakage current
ist eine Schutzbeschaltung für einen ADC mit Dioden, die einen geringen leakage current aufweisen (BAV199). Ist die folgende Berechnung für die Fehlerspannung richtig: Uerr = 2 * I_leak * R1 + I_adc_leak *(R1+R2) Uerr ... Fehlerspannung I_leak ... leakage current der BAV199 Dioden I_adc_leak
Quellimpedanz kann man aber gar nicht rechnen. Der Leckstrom aus dem IC fliesst ja ggf. gar nicht über die BAV199 sondern nur in die Quelle, und wenn die 1MegOhm hat, gibt das einen deutlcihen Spannungsoffset. Es kann auch der Leckstrom aus der positiven Diode und dem IC Eingang zusammen in die Quelle fliessen
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Pick and Place Setup Tabelle
Comment Layer Footprint Center-X(mm) Center-Y(mm) E5 CT-22U/16 TopLayer CT-22U/16 45.0850 67.9450 V5 D2-BAV199 TopLayer D2-BAV199 17.4625 49.5300 R7 R-1K-8 TopLayer R-1K-8 20.3200 49.5300 V4 D2-BAV199 TopLayer D2-BAV199 11.4300 49.5300 R6 R-1K-8 TopLayer R-1K-8 14.2875 49.5300 R5 R-100K-8 TopLayer R-100K-
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GoldCap laden über "ideale Diode"
in der ich ein RAM und eine RTC via GoldCap stütze. Momentan habe ich den GoldCap mit einer halben BAV199 entkoppelt. Leister habe ich dank der Diode einen bleibenden "Ladungsverlust" von typisch 0.7V. Ich möchte nun diesen Part der Schaltung optimieren, um mehr Überbrückungszeit zu bekommen.
> Momentan habe ich den GoldCap mit einer halben BAV199 entkoppelt. Wozu denn Das? Nimm eine 3,6V Versorgung, eine 500mA Shottky dahinter und RAM, RTC und GoldCap laufen mit 3,2 -> 3,3V auf einen Potential ohne Probleme und unnötige Klimmzüge.
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Diodenauswahl Ladungspumpe
5V zu ca. 8V. Hierzu gehe ich mit 20kHz auf einen 10uF X5R Kondensator. Als Diodenpaar kommt eine BAV199 zum Einsatz. Geht alles super NUR die Dioden sind mit peak 500mA angegeben. Es sind aber ca. 1.1A. Nix wird warm aber ... um es an den Kunden zu geben und auf lange Sicht keine Ausfälle zu haben
Rechteck geschalten zu werden. Man koennte ja auch etwas langsamer schalten. Oder man koennte die BAV199 durch eine SS14L mit 1A cont. im subSMA gehaeuse
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Tabelle mit maximalen Kennwerten eines Bauteils
Maximum ratings 1) Grenzwerte 2) Power dissipation (per device) BAV99-C Ptot 225 mW 3) Verlustleistung (pro Bauteil) BAV99/-Q/-AQ, BAV199/-Q, BAV99L/-AQ 350 mW 2) Maximum average forward current single diode loaded - eine Diode belastet IFAV 215 mA 3) Dauergrenztrom
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Schutzschaltung für Analogeingang Mikrocontroller
an den 1k zu Messfehlern führt. Daher ist diese Beschaltung schlecht. Besser hochsperrende BAS40, BAV99 oder BAV199 und die Z-Diode an die Versorgungsspannung: [pre] +-|>|- +3.3V --+-- | | Eingang --10k--+----+--1k--| ADC BZX3V9 | | | 10nF +-|<|- GND ----+-- | BAV199 | GND GND [/pre] Warum das besser ist und wann die Z-Diode (die besser eine TL431 sein sollte) nötig ist müsste man noch erklären. Die Anordnung schützt genau
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RTC der MCU benutzen
3.6V-Tadiran-Batterie auch so lange halten. Bei der kann man nämlich statt der Schottkydiode eine BAV199 oder einen BC846 nehmen. Das ergibt dann immer noch das 10-fache der empfohlenen Lebensdauer von Mobiltelefonen ;)
Ansonsten könnte es knapp funktionieren, aber es ist ziemlich undefiniert. Der Spannungsabfall an der BAV199 kann schon mal 2V sein, wenn viel Ladestrom fließt, na gut, 0.3V über VDD sind an den RTC-Eingängen ja erlaubt. Wenn der Supercap richtig voll ist, fließen nur noch nA und der Spannungsabfall wird
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Schutzbeschaltung Analogeingang ADC
maximale Spannung mit VCC+0,3 V und einen maximalen Strom z.B. 10 mA. Mein Gedanke ist, die Diode BAV199 aufgrund des geringen Leckstromes zu verwenden, Vorwiderstand ca 10K Ohm zwischen Messsignal und Schutzdioden. Leider haben diese Dioden ca 0,8 V Spannungsabfall und sind somit höher als der Maximalwert
größeren Strompuls (z.B. ESD) auch schon mal mehr als 1 V am Widerstand abfallen, wenn die kleine BAV199 über 1 A abbekommt. Je nach µC muss dafür der 1. Widerstand etwas kleiner sein.
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Womit Gehäuseanschluß 2N4117A verbinden?
empfindlich gegen ESD. >Ebenso verwende ich die empfohlenen JFET 2N4117A. In der Regel reicht eine BAV199 vollauf. >Dieset besitzt einen 4. Anschluß für das Gehäuse. Bin mir etwas unsicher, >wo ich am besten diesen Anschließen soll: Normalerweise an Masse, damit der "case" als Abschirmung dienen
drang geweckt. >>Ebenso verwende ich die empfohlenen JFET 2N4117A. > In der Regel reicht eine BAV199 vollauf. Vermutlich hätte es sogar ne olle BAV45 getan, hatte aber keine zur Hand. >>Dieset besitzt einen 4. Anschluß für das Gehäuse. Bin mir etwas unsicher, >>wo ich am besten diesen Anschließen
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positive UND negative Spannung mit DAC messen
den Eingang zuverlässig > dagegen? Mit einer leckstromarmen Klemmdiode gegen GND am ADC-Eingang. BAV199 ist dein Freund. Da sind sogar 2 drin, da kann man auch gegen VCC klemmen.
Falk B. schrieb im Beitrag #7049898: > Mit einer leckstromarmen Klemmdiode gegen GND am ADC-Eingang. BAV199 ist > dein Freund. Da sind sogar 2 drin, da kann man auch gegen VCC klemmen. Super danke. Michael W. schrieb im Beitrag #7049975: > Eleven years later... ... und immer wieder findet sich
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Wo den Überpsannungsschutz einbauen?
dennoch könenn die Signale negativ werden, was den ADC schädigen würde. Habe mir überlegt mit einer BAV199 gegen über und unterspannung abzuleiten. Macht Position 1 oder 2 mehr Sinn ? Als Vorwiderstand habe ich mir 1k Ohm überlegt damit der Strom begrenz wird.
Btw. Machts überhaupt Sinn erst ab -0,6 V der BAV199 Diode einen -0.3V Eingang des ADC zuu schützen? Der Reagiert doch viel zu "spät". Gib es da Dioden die eher Schützen?
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Berechnung Lebensdauer Stützbatterie
ganz saubere und trockene Platine (Raucheruhr?) kann mehr Leckstrom haben als der ganze Rest. Die BAV199 ist trotzdem eine beliebte Diode.
> Die BAV199 ist trotzdem eine beliebte Diode. Ich koennte mir vorstellen das die forward voltage bei sehr kleinen Stroemen deutlich kleiner wird. Es waere mal interessant welchen Spannungsabfall man da beim
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Transimpedanzverstärker + Tiefpassfilter
außerdem zu überlegen, ob man nicht Schutzdioden vom "-" Eingang nach Masse schaltet. Eventuell eine BAV199. Diese bringen eine zusätzliche Streukapazität vom Eingang nach Masse ins Spiel, die eventuell in der Gegenkopplung berücksichtigt werden muß.
außerdem zu überlegen, ob man nicht Schutzdioden vom "-" Eingang > nach Masse schaltet. Eventuell eine BAV199. Hmmmm, versauen die Leckströme von ca. 3pA nicht den Messaufbau?
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Schutzbeschaltung Analog-Eingänge / Durchsicht Schaltplan
Quellen hast und auch noch hohe Betriebstemp. berücksichtigen mußt, empfehle ich statt der BAS40-04 eine BAV199. http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAV199.pdf So einen TP empfehle ich dir auch hinter den OPV. Sofern diese aber mit V_CC versorgt werden, ist ein Überspannungsschutz hinter den OPV aber
und auch noch hohe > Betriebstemp. berücksichtigen mußt, empfehle ich statt der BAS40-04 eine > BAV199. > http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BAV199.pdf Okay, die schaue ich mir mal an! :) > So einen TP empfehle ich dir auch hinter den OPV. Sofern diese aber mit > V_CC versorgt werden
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Schottky vs Silizium Diode (Überspannungsschutz)
OpAmps, weil Schottky erheliche Ströme in Rückwärtsrichtung zulassen. Also normale Siliziumdioden ie BAV199. Da damit die Spannung am geschützten Punkt zwar mit +/-1V vs. VCC/GND immer noch so hoch sein kann, so daß zu viel Strom über die Eingangsschutzdioden fliesst, braucht man einen zweiten Widerstand. [pre] OpAmp VCC --|<|--+ : +--|>|-- VCC BAV199 | : | Eingang --100k--+--1k--:--+- | : | interne Dioden GND --|>|--+ : +--|<|-- GND [/pre] Auch bei 1V über VCC am Knotenpunkt bleibt damit der Strom
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Diode mit kleinem, wirklich kleinem, Sperrstrom
Kenne jetzt nur die BAV199, < 3pA, SMD-Dual-Diode
BAV170, BAV45 Peter
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TL072 Single Supply
zuweit unter die negative Versorgungsspannung sinkt! Hier muß dann auf jeden Fall mit einer Diode (z.B. BAV99/BAV199) geklemmt werden. Noch kritischer als der TL072 ist in dieser Hinsicht der ältere LF351. Bei diesem wird in der Tat eine Art parasitärer Thyristor gezündet. Der LF351 läßt sich nicht mit
Eingangsspannung nicht negativer als die untere Rail werden dürfe. Wenn man bedenkt, daß bei der low-current-BAV199-Klemmdiode schon 1V Spannung abfallen können, geht das eigentlich nur noch mit zusätzlichem Spannungsteiler hinter der Klemmdiode. >ICs die damit umgehen können (ausser dadurch dass ESD-Dioden
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Eingangsschutz Messsystem
Beim AD8429 wird eine BAV199 empfohlen.
datasheet/calogic/2N4117.PDF Lies auch hier: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/opa627.pdf Die BAV199 bringt es schon auf maximal 5nA bei Raumtemperatur. Die FDH300 ist bei Raumtemperatur zwar noch unter 1nA, aber bei höheren Temperaturen wird es eng.
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ADC Reihenfolge Spannungen beim Einschalten
auch mit Dioden geschützt(ESD). OPV an +/-12V ==> 240 Ohm Serienwiderstand mit nachgeschalteter BAV199. > Und wieso sollten überhaupt SPI Signale anliegen, wenn nicht einmal AVDD > und DVDD mit Spannung versorgt sind?! Komische Fälle die du da > betrachtest..oder ich verstehe nicht was du
hast... Die Versorgungen des ADS werden erst nach CPU Start (Initialisierung) zugeschaltet. Die BAV199 sind an die +5V Analog angeschlossen. Wenn diese leitend werden bei >5,7 V wird zu +5V abgeleitet. Dann trat bisher das Problem auf, dass die Soannung +5V zu stark angestiegen ist, da zu wenig
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Spannungsmessung ohne Belastung der Quelle HV-schuetzen
Vorwiderstand. Wenn bei 20kV nur 100µA fließen dürfen, bedeutet das einen Schutzwiderstand von 200M. Eine BAV199 mit 0,003nA Leckstrom verursacht daran einen Spannungsabfall von 0,6mV. Könnte klappen.
: > Wenn bei 20kV nur 100µA fließen dürfen, bedeutet das einen > Schutzwiderstand von 200M. Eine BAV199 mit 0,003nA Leckstrom verursacht > daran einen Spannungsabfall von 0,6mV. Könnte klappen. Den Spannungsabfall kann man noch weiter reduzieren. Da er wahrscheinlich die 50V nicht direkt, sondern
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Welchen Nutzen hat Sch.
aber die hat ja lediglich 5uA anstatt 20, gut Faktor 4 weniger. Dann tendiere ich zu dieser hier: BAV199 https://www.mouser.ch/ProductDetail/Panjit/BAV199_R1_00001?qs=sPbYRqrBIVkTjtKeG%252B5Hxg%3D%3D Diese müsste mit 2pA gut genug sein dafür.
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Tabelle mit technischen Daten einer Diode
4. Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Per diode VR reverse voltage 75 V IR reverse current VR = 75 V; TJ = 150 °C 3 80 nA
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Kennlinie einer Diode
1 [A] 10⁻¹ 10⁻² 10⁻³ I_F 10⁻⁴ 0 V_F [V] 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 T_J = 125°C T_J = 25°C Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)
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Audio-IC Eingang schützen
nehmen können (schau nach der maximalen Eingangsimpedanz des ADC). Dioden gehen, man nimmt meist BAV199 [pre] V+ BAV199| +-|>|-+ | | Eingang --2.2uF--1k--+----+--+-1k-
