Es gibt auch die DS9503: "an ESD protection device for 1-Wire® interfaces".
Stefan N. schrieb im Beitrag #6730670: > Es gibt auch die DS9503: "an ESD protection device for 1-Wire® > interfaces". Was zweifelsohne die Sauberste Lösung ist ;-)
Datenblätter von DS1820 und DS9503 lassen vermuten: 4 ist 4k7, 2 eine Z-Diode oder eine TVS. Von was ist dieser Sensor?
Walter T. schrieb im Beitrag #4860670: > Datenblätter von DS1820 und DS9503 lassen vermuten: 4 ist 4k7, 2 eine > Z-Diode oder eine TVS. > > Von was ist dieser Sensor? so habe ein wenig gegoggelt und 2 müsste eine Z-Dioade 6.2V sein. Ich melde mich wenn
Hallo, hab jetzt einen defekten geöffnet. Es ist der DS9503P verbaut. Hab schon mal im Netzt geschaut und nach ein Beschaltung geschaut. Beispiele konnte ich nicht finden. Wer kann mir hier weiterhelfen, vor allem wie setzt man die Adressen?
Mario K. schrieb im Beitrag #4605359: > Es ist der DS9503P verbaut. Da ist der Fühler, ein nackter Siliziumchip als Flip Chip direkt auf die Platine gelötet, ohne Bezeichnung.
USB Adapter inspiziert. Ergebniss - keine 4,7K für den PullUp. Der Data-Pin geht direkt auf einen DS9503P - Pin 1. Auch messtechnisch messe ich hier keine 4,7K. Sonder über 4 MOhm gegen +Ub, und auch gegen Masse. Ich betreibe diese Sensoren bisher nur über diese Denkovi USB Adapter. Entweder regelt der DS9503P das, aber auch Denkovi hat nichts zu den 4,7 K geschrieben. Aus dem Datenblatt habe ich damals nur das wegen Parasit-Power gelesen, und weil ich das auf 3-Draht gemacht habe, und dann diese Adapter
komische schreibweise! Also folgendes, bis vor 2 Wochen habe ich ein kleines 1-wire Netzwerk aus ca. 8 ds18b20 und einem 8/kanal IO ds2408 betrieben. Lief ueber externe stromversorgung, also an VDD +5V. Master ist ein DS2480b Nun wollte ich das nach den besagten 2 Wochen wieder in betrieb nehmen und was
etwas passiert kann es ja jederzeit wieder passieren. Habe jetzt aber die von MAXIM vorgesehenen DS9503P ins neue Layout eingepflegt und hoffe, dass jetzt nichts mehr passiert. Gruß, Ole
Hallo, ich habe einen 1wire Bus mit 10 Stck ds18s20 über einen ds2482 an einem raspberry pi. Entkoppelt über ds 9503. Buslänge etwa 10 m, Auf dem pi hab ich ein owfs installiert. Funktioniert soweit ganz gut, ich lese einmal pro Minute die Temperaturen
Beitrag, aber daran hab ich auch schon gedacht, weil im Parasitärmodus sind die DS18S20 ja ein bischen zickig. Der Bus ist 5V powered, also sollte es kein Problem sein. Zudem habe ich an den DS1820 jeweils ne Schottky Diode in Sperrichtung. Mir kommt es so vor als ob das owfs
DS9503P + BAT54S Siehe HW Design Example im Datenblatt zum DS2490.
para.maxim-ic.com/en/search.mvp?fam=1wire&tree=master 1-Wire Timing- und Leitungslängenprobleme adieu! Der DS2482-101 oder DS2482-100 sollten die richtigen für Dich sein... Grüße Michelle
Hallo, ich habe ein Thermometer (DS18B20U) und will es von ESD Schäden schützen. Wie schaut eine schaltung dafür aus? habe absolut keinen Ansatz dafür. wäre um jede Antwort dankbar! Vielen Dank!
Dann lässt er sich separat einschalten. Zum Schutz der Datenleitung einen ESD-Baustein vorsehen. DS9503 Speisespannung prüfen. https://datasheets.maximintegrated.com/en/ds/DS9490-DS9490R.pdf Damit der Stromverbrauch des ATMEGA328P minimiert werden kann, braucht er einen externen Taktgeber, von
Hi, ich habe in einer meiner Schaltungen eine DS9503 one wire ESD Diode eingebaut und messe an den Anodenpins 29Ohm, obwohl laut Datenblatt nur 5Ohm sein soll. Dadurch liegt bei mir beim Betrieb fast 1 Volt and den Anodenpins an! Hat jemand so etwas
On-Resistance Ω GS D 0.40 VGS = 4.5V,DI = 0.46A V Gate Threshold Voltage 1.0 V V = V , I = 250µA GS(th) DS GS D gfs Forward Transconductance 0.87 S VDS = 10V, D = 0.46A 1.0 V = 24V, V = 0V DSS Drain-to-Source Leakage Current µA DS GS 25 VDS = 24V, GS = 0V, J = 125°C Gate-to-Source Forward Leakage -100 V =
On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRLML6401 1200 10 I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C e 10us
On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3 IRLML6401 1200 10 I = VGS = 0V, f = 1 MHZ D -4.3A Ciss = gs+ Cgd C ds SHORTED ) V DS =-10V 1000 C = C ( rss gd e 8 Coss = Cds Cgd a F Ciss o ( 800 V c e 6 n r i 600 o a - a t 4 C t C 400 a Coss , Crss S 200 G 2 - 0 0 1 10 100 0 4 8 12 16 V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A t e )100 r ( u 10 n n TJ= 150 C e 10us
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02h Port P3 direction P3DIR 04h Port P3 pullup/pulldown enable P3REN 06h Port P3 drive strength P3DS 08h Port P3 selection P3SEL 0Ah Port P4 input P4IN 01h Port P4 output P4OUT 03h Port P4 direction P4DIR 05h Port P4 pullup/pulldown enable P4REN 07h Port P4 drive strength P4DS 09h Port P4 selection
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