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Sinuswechselrichter 600W
Steuerung wird über einen ATmega88 realisiert. Eingang. Eingangsseitig wir als Brückentransistor der IRF1404 verwendet. Er ist mit einem R DS(on) vom 4mΩ und Maximalstrom von 202 A spezifiziert. Wobei die Beinchen des TO220 Gehäuses diesen Strom nicht lange aushalten dürften. Bei einer Nennleistung von
; sonst ist ein früher Tod der Leistungshalbleiter sehr wahrscheinlich. Ich habe mir selbst einige IRF1404 zerstört weil ein Gate unbemerkt offen war. Zum Messen habe ich die Schaltung mit einer ohmschen Last von 150 W betrieben (gut wenn man noch ein paar Glühbirnen in der Schublade hat :-)). Als Spannungsquelle
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MOSFET-Übersicht
3,0 50 0,17 0,35 10000 - - - PMV65XP SOT-23 Phi 1,4 20 3,9 ? 76 grosser ID für Bauform Spo, RS 0,10 IRF4905S D2Pack IRF 4,0 55 64 3,8 20 - Rei, Con 1,10 IRF4905 TO-220AB IRF 4,0 55 74 200 20 - Rei 0,93 IRF5210 TO-220AB IRF 10,0 100 40 200 60 - Rei 1,15 IRF5210S D2Pack IRF 10,0 100 40 ? 60 - Rei 1,25 IRF7205
22 4V LL, LIN CBo 0,49 IRLML2502 SOT-23 irf 1,2 20 4,2 1 45 2,5V LL csd Rei (neu) 0,17 IRF1404 TO-220AB irf 4,0 40 202 333 4 - Rei 1,10 IRL1004 TO-220 irf 2,7 40 130 200 6,5 - Rei 1,25 IRL530 TO220, D2Pack irf 2 100 15,0 88 160 Rei 0,57 IRF830
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Projekt Netzteiltester
keine SMD Parts Hardware. ATMega8 mit 16MHz Quarz RS-232 Schnittstelle für die Kommunikation mit PC IRF 1404 HEXFET als Leistungstransistor Bekannte Probleme. bisher sind keine Probleme bekannt :-) Kontakt und Diskussion. Natürlich freue ich mich auf jeden Kommentar und auf jede Anregung (Flames wandern
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Stromsenke
Spannungsstabilisierung Schaltplan Verpolschutz. Der Verpolschutz besteht aus den drei Bauteilen T1 (N-Kanal MOSFET, IRF530), Z-Diode D1 und Vorwiderstand R5. Bei richtiger Polung ist immer ein Stromfluss möglich. Dieses geschieht durch die immer vorhandene parasitäre Diode innerhalb des MOSFET, die für ca. 2A ausgelegt
Source-Drain-Strecke durchzuschalten. Je nach Typ liegt die Mindestspannung bei ca. 3,5V (BUK754R3) bzw. 4,5V (IRF1404). In entgegengesetzter Richtung ist Diode gesperrt und auch wird über die Gate-Spannung der MOSFET nicht durchgeschaltet. Bei Spannungen unter diesen Werten empfiehlt es sich, den Verpolschutz durch
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Standardbauelemente
sind wie alle BUZ Typen ziemlich veraltet. Bitte nicht listen; es gibt fast immer was besseres von IRF. Bezeichnung Preis [ ] Beschreibung Anwendungen Lieferant Daten- blatt IRF1010N 0,78 max 50V, max 85A, 11 mOhm On-Widerstand Alles, was mit POWER zu tun hat ... R PDF IRF1404 0,96 max 40V, max 162A,
On-Widerstand (bei VGS -4,5V) SOT-23 SMD FET, extrem niedrige V_GS_th, bei niedrigem R_DS_on R PDF Infineon IRF7220 0,50 max -14V, ca -10A (cont.), ca. 0,02Ω On-Widerstand Gehäuse SO-8, brauchbar in 3,3V Systemen R PDF IRF5305 0,56 max -55V, -31A (cont.), ca. 0,065Ω On-Widerstand Gehäuse D-Pak (SMD, TO-252AA)