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13 Treffer für IRFP4468 Suchergebnisse für "IRFP4468"

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    Pulsbelastbarkeit von Power-MOSFET, noch in der SOA?

    es auch bei anderen MOSFETs, ist aber irreführend, da die SOA immernoch niedriger sein kann (bspl. IRFP4468).

    auch bei anderen MOSFETs, ist aber > irreführend, da die SOA immernoch niedriger sein kann (bspl. IRFP4468). Du vergleichst Apfel mit Birne.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Peter · ·57 Antworten

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    MOSFET.pdf

    PD -97134 IRFP4468PbF HEXFET Power MOSFET Applications D V DSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply R DS(on) typ. 2.0m : l High Speed Power Switching max. 2.6m :

    in „LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    LeistungsMosfet Kühlfläche als Drain-Anschluss nutzen

    Hi, ich will in meiner Anwendung einen IRFP4468PbF (datenblatt im Anhang) verwenden. Dabei fließen Ströme bis zu 180A. Es würde mir meine Konstruktion sehr vereinfachen, wenn ich meine Versorgungsspannung (60V) direkt an die Kühlanschlüsse

    Schalte lieber einige der IRFP4468 parallel. Dann könnte es klappen.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·jonz dump · ·7 Antworten

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    48V 17A mit Mosfet schalten -> Schaltung so korrekt?

    von 400 W) wird dabei im MOSFET verbraten. Warum? Die Verlustleistung beträgt nur 0,725W. Der IRFP4468PbF hat einen maximalen RDS(on) von 2.6mOhm. P = I *I *R P = 16,7A * 16,7A * 0,0026Ohm P = 0,725114 W

    Heizer schrieb im Beitrag #3734344: > Der IRFP4468PbF hat einen maximalen RDS(on) von 2.6mOhm. ...wenn er richtig angesteuert wird.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Heizer · ·46 Antworten

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    Frage zu Wechselrichter

    HF-Litze. 100 kHz Takt. Zu den Transistoren: Im Flusswandler habe ich auf der 12V-Seite 2 parallele IRFP4468 pro Kante in die H-Brücke verbaut. Die verkraften pro Stück 290A Dauerlast bei 100V (was natürlich das TO247-Gehäuse nicht mitmacht ^^). Für den hier diskutierten Wechselrichter-Teil plane ich,

    Hallo Martin, > 2 parallele IRFP4468 pro Kante mit > 100 kHz Takt. Ich bin sehr auf die Gate-Treiber gespannt :-) Vielleicht kann ich mir da noch was abgucken... Viele Grüße Silvio

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Martin B. · ·15 Antworten

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    Gate-Treiber passt das so?

    MosFet aktuell IRFP4468, die PWM liegt nur am LS an.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Stefan · ·24 Antworten

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    elektronischer Umschalter 100V

    Da brauch man schon einen recht fetten Kühlkörper für (8W pro Transistor im Dauerbetrieb ca.) IRFP4468PBF wäre eine Option, da reicht dann vermutlich schon ein sehr kleiner Kühlkörper (Leider nicht wirklich billig). TK2R9E10PL,S1X wäre deutlich günstiger und nicht viel schlechter (Ca. 3W bei 33A

    Fahrzeugelektronik ·Ralf Z. · ·16 Antworten

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    Welcher uC für meine Anwendung?

    nur eine kommutierung). Die Mosfets + Treiber sind bereits ausgewählt. Als mosfets werden N-FETS (IRFP4468PbF) in Brückenschaltung genutzt. Und zur Ansteuerung mehrere IR2110 von IR, wegen den möglichst hohen Gateströmen und der integrierten bootstrap funktion. Der Motor bewegt sich im bereich um die

    Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·jonz dump · ·21 Antworten

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    PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf

    IRFP141 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRFP142 IRFP142 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRFP143 IRFP143 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRFP150 IRFP150 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRFP151 IRFP151 PWRMOS.OLB Power MOSFET IRFP152 IRFP152

    in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    PWM-Schaltung verbessern?

    reicht, den dann gäbe es > schon bessere Typen die man auswählen kann bezügl. RDS(on) Wie wäre IRFP4468. Ja, ich weiss, N-Kanal, also braucht man +10V über VCC, aber es werden 3(4) Stück statt 3(4) x 8 Stück tun.

    Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·Thomas · ·52 Antworten

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    Transistor_Database.pdf

    IRFD9120 P-FET 100V 1A 1.3W <E6 IRFD9220 P-FET 200V 0.6A 1,00E+05 1W <9 IRFF120 N-FET 100V 6A 20W 0.3E IRFP054 N-FET 60V 70A 230W <0E014 IRFP064 N-FET 60V 70A 300W <E009 IRFP140 N-FET 100V 31A 180W OE77 IRFP150 N-FET 100V 40A 180W 0,00E+00 IRFP240 N-FET 200V 20A 150W 0,00E+00 IRFP250 N-FET 200V 33A 180W IRFP340 N-FET 400V 11A 150W <E55 IRFP350 N-FET 400V 18A 250W 0,00E+00 IRFP360 N-FET 400V 28A 410W 0.2E IRFP450 N-FET 500V 14A 180W 0,00E+00 IRFP460 N-FET 500V 25A 410W OE27 IRFP9140 P-FET 100V 19A 150W OE2 IRFP9240 P-FET 200V 12A 150W IRFPC40

    in „Bauteilebeschaffung !!“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·

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    Transistor_Database.pdf

    IRFD9120 P-FET 100V 1A 1.3W <E6 IRFD9220 P-FET 200V 0.6A 1,00E+05 1W <9 IRFF120 N-FET 100V 6A 20W 0.3E IRFP054 N-FET 60V 70A 230W <0E014 IRFP064 N-FET 60V 70A 300W <E009 IRFP140 N-FET 100V 31A 180W OE77 IRFP150 N-FET 100V 40A 180W 0,00E+00 IRFP240 N-FET 200V 20A 150W 0,00E+00 IRFP250 N-FET 200V 33A 180W IRFP340 N-FET 400V 11A 150W <E55 IRFP350 N-FET 400V 18A 250W 0,00E+00 IRFP360 N-FET 400V 28A 410W 0.2E IRFP450 N-FET 500V 14A 180W 0,00E+00 IRFP460 N-FET 500V 25A 410W OE27 IRFP9140 P-FET 100V 19A 150W OE2 IRFP9240 P-FET 200V 12A 150W IRFPC40

    in „Transistor-Datenbank“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·

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    Transistortester mit AVR Gesperrt

    die ich versucht habe wurden auch korrekt erkannt), darunter auch Leistungstypen wie 2N3773 oder IRFP450. Verarmungs-FETs werden aber noch nicht unterstützt. Mich würden mal eure Meinungen und eventuelle Verbesserungsvorschläge dazu interessieren.

    einen Reset auslöst. Die mögliche Zeit ist jetzt allerdingsrecht kurz. Für einen starken Mosfet (IRFP450) mit zusätzlich 6,8nF zwischen Gate und Source reicht es aber. Noch mehr Gate-Kapazität haben Mosfets eigentlich nicht. Außer extrem starke Typen, aber die hat man im Hobby-Bereich ja eher selten

    Projekte & Code ·Markus F. · ·944 Antworten