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A100_MBR20100CT.pdf
MBR2060CT, MBR2080CT, MBR2090CT, MBR20100CT MBR2060CT and MBR20100CT are Preferred Devices SWITCHMODE Power Rectifiers This series uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These
in „SBRF 20100CT Alternative?“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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Schottky_crossreference.pdf
SS3H10 30BQ100 MBRB745 MBRB745 MBR1035 MBR1035 MBR1045 MBR1045 MBR1535CT MBR1535CT MBR1545CT MBR1545CT MBR1635 MBR1635 MBR1645 MBR1645 MBR20100CT MBR20100CT MBR2035CT MBR2035CT MBR2045CT MBR2045CT MBR2060CT MBR2060CT MBR2090CT MBR2090CT
in „Ersatztyp für Schottky Diode 11dq06“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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sg3525.pdf
1k5 R23 R20 C V4 1k B C6 R22 4k7 10 10µ 5 -VCC -OUT T U _ 1 V .tran 30mstartup 4 L D1 L5 L L2 L1 2 MBR20100CT 100µ 100µ 1 100µ L L3 1 VIN K 1m C5 C2 SYN D2 U1 2n2 2200µ R5 RT VC MBR20100CT 1000 M1 A R3 IRF1302 R16 CT OUA L4 R1 22 1m 220 R10 DCH OUB B D4 1k KDZ18B V2 47 M2 CMP OSC R4 IRF1302 15 C1 INV
in „DC/DC Wandler IC“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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rps1203_schematic.pdf
5 3 2 N Q 2 A 8 .tran 0 0.1 0 0 D1 X R1 1 T Out Q Z D4 MBR20100CT 100 V1 R2 1k R3 KDZ12B SINE(0 17 50 0) R4 R5 V2 5k1 27k 510 Q3 Regelung C1 C2 C4 BC337-25 D3 R11 SINE(0 17 50) D2 3300µ 3300µ 47µ R=10-(99*time) R6 R12 1N4148 MBR20100CT 200 5k1 Q4 Begrenzung
in „Netzteil Samlex RPS 1203 Reparatur“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Vishay_Diode_Marking.pdf
Week Week 21th 21th Year Note: MPG06 non-date code Year 2006 2006 POWER PACK MARKING Logo VTS40100CT VF40100C VB40100C VI40100C Part Number 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Document Number 88912 www.vishay.com 01-Dec-06 1 PDD Marking Vishay General Semiconductor Logo Part Number V20100S VF20100S VB20100S VI20100S 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code NC A Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Logo MBR1060 MBRF1060 MBRB1060
in „Unbekanntes Bauteil“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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marking.pdf
Week Week 21th 21th Year Note: MPG06 non-date code Year 2006 2006 POWER PACK MARKING Logo VTS40100CT VF40100C VB40100C VI40100C Part Number 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Document Number 88912 www.vishay.com 01-Dec-06 1 PDD Marking Vishay General Semiconductor Logo Part Number V20100S VF20100S VB20100S VI20100S 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code NC A Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Logo MBR1060 MBRF1060 MBRB1060
in „Suche Datenblatt zu S422“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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marking.pdf
Week Week 21th 21th Year Note: MPG06 non-date code Year 2006 2006 POWER PACK MARKING Logo VTS40100CT VF40100C VB40100C VI40100C Part Number 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Document Number 88912 www.vishay.com 01-Dec-06 1 PDD Marking Vishay General Semiconductor Logo Part Number V20100S VF20100S VB20100S VI20100S 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code NC A Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Logo MBR1060 MBRF1060 MBRB1060
in „Suche die Bezeichnung eines Bauteils“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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88912_Marking_Diodes_Vishay-061201.pdf
Week Week 21th 21th Year Note: MPG06 non-date code Year 2006 2006 POWER PACK MARKING Logo VTS40100CT VF40100C VB40100C VI40100C Part Number 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Document Number 88912 www.vishay.com 01-Dec-06 1 PDD Marking Vishay General Semiconductor Logo Part Number V20100S VF20100S VB20100S VI20100S 0621X 0621X 0621X 0621X Date Code NC A Circuit Diagram 06 21 X TO-220AB ITO-220AB TO-263AB TO-262AA Factory Designator Week 21st Year 2006 Logo MBR1060 MBRF1060 MBRB1060
in „Bauteil identifizieren diode, SMC, "G DE 47"“ · Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·
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PSpice_LibraryguideOrCAD.pdf
DIODE.OLB Diodes and Rectifiers MBR12035CT MBR12035CT DIODE.OLB Diodes and Rectifiers MBR12045CT MBR12045CT DIODE.OLB Diodes and Rectifiers MBR12050CT MBR12050CT DIODE.OLB Diodes and Rectifiers MBR12060CT MBR12060CT DIODE.OLB Diodes and
in „pSpice - Bauteil hinzufügen.“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Peavey_Semiconductors_Cross_Ref_2009.pdf
NUMBER NUMBER NUMBER NUMBER NOTES 7810 70407810 +10V REG. TO-220 7812 70407812 +12V REG. TO-220 MC-7905CT 70427905 -5V REG. 7915 70400320 -15V REG. 7815 70400340 +15V REG. MC-7824CT 70427824 +24V REG. MC-7924CT 70427924 -24V REG. MC-7815CK 70407815 +15V REG. TO-3 MC-7915 70407915 -15V REG. TO-3 MC-7824 CK
in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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Peavey_Semiconductors_CrossRef_2010.pdf
NUMBER NUMBER NUMBER NUMBER NOTES 7810 70407810 +10V REG. TO-220 7812 70407812 +12V REG. TO-220 MC-7905CT 70427905 -5V REG. 7915 70400320 -15V REG. 7815 70400340 +15V REG. MC-7824CT 70427824 +24V REG. MC-7924CT 70427924 -24V REG. MC-7815CK 70407815 +15V REG. TO-3 MC-7915 70407915 -15V REG. TO-3 MC-7824 CK
in „Transistor Ersatztypen“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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standard.dio.txt
45 mfg=GI type=Schottky) .model MBR20100CT D(Is=10u Rs=.005 N=1.5 Ikf=.3 Isr=10u Nr=3 Cjo=1e-11 Vj=.7 Iave=10 Vpk=100 mfg=OnSemi type=Schottky) .model 30BQ060 D(Is=10u Rs=.04 N=1.4 Cjo=180p Eg=.69 Xti=2 Iave=3 Vpk=60 mfg=International_Rectifier
in „Hilfe bei LTSpice nötig!“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ttester.pdf
Softwareversionen eines ATmega168-Prozessoren. Die Messung der Sperrschicht- kapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperrschichtkapazität nur im gekühlten
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ttester_ger109k.pdf
ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Dop- peldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperrschichtka- pazität nur im gekühlten
in „Sammelbestellung Transistortester III - schnelle Runde“ · Markt ·
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ttester_eng104k.pdf
AC128 B+E Diode, 272mV, 0pF Diode, 277mV, 0pF Diode, 273mV, 0pF AC128 B+E cooled Diode, 349mV, 140pF MBR20100CT 2xDi, 337mV, 337mV 2xDi, 341mV, 341mV 2xDi, 340mV, 338mV MBR20100CT Diode, 337mV, 345pF Diode, 341mV, 360pF Diode, 338mV, 354pF MBR4045PT Diode, 243mV, 1.80nF Diode, 239mV, 1.98nF Diode, 235mV
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datasheet.pdf
820 MF L1 820 MF +7.7 A 1 13,14 25 V 25 V 4 A RT1O C3 3.3 MH 5 7t R6 R4 4.7 nF 4.7 M7 2.0 M7 1 kV MBR20100CT 11 D1 12 BY V26C D3 RTN R7 2.0 -7 4 MBR20100CT 4.7 M7 VR1, VR3 9,10 P 6KE100A 7 C1 D4 22 MF 1N5148 R 18 C17 400 V R20 0.5 W 1 kVF 1.5 k7 T1 R8 R12 1.0 MF 2 W EI35 4.77 240 7 50 V 0.125 W 10 MF
in „Verzweifelt: Wie Widerstände und Kapazitäten eines Sperrwandler IC´s auslegen?“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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top247.pdf
≤ 50 mV pk-pk C14 R15 1 nF 150 Ω L3 12 V 3.3 µH @ 2.5 A C3 R3 4.7 nF 68 kΩ D8 C10 C11 C12 1 kV 2 W MBR1060 560 µF 560 µF 220 µF 35 V 35 V 35 V BR1 D1 600 V UF4005 RTN 2A R4 D2 L1 2 MΩ 1N4148 R6 20 mH 1/2 W 150 Ω R8 R1 T1 C6 150 Ω 4.7 MΩ 0.1 µF C1 1/2 W U2 CX1 68 µF D L TOPSwitch-GX LTV817A 100 nF 400
in „Hilfe bei Reparatur SNT Laderegler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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top247.pdf
≤ 50 mV pk-pk C14 R15 1 nF 150 Ω L3 12 V 3.3 µH @ 2.5 A C3 R3 4.7 nF 68 kΩ D8 C10 C11 C12 1 kV 2 W MBR1060 560 µF 560 µF 220 µF 35 V 35 V 35 V BR1 D1 600 V UF4005 RTN 2A R4 D2 L1 2 MΩ 1N4148 R6 20 mH 1/2 W 150 Ω R8 R1 T1 C6 150 Ω 4.7 MΩ 0.1 µF C1 1/2 W U2 CX1 68 µF D L TOPSwitch-GX LTV817A 100 nF 400
in „Hilfe bei Reparatur SNT Laderegler“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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tl431book.pdf
trpnsformer and the rest of the elements: the TL431 is alone, awaiting its compensation elements… D1 MBR20100CT L3 Vbulk 2.2uH Vout R1 C1 C2 C3 19 V/3 A 51 820uF 820uF 100uF R7 R2 4.7k 39k C4 10nF Np = 100 U1 Ns = 17 R8 NCP1271 N = 1:170m 27k D2 Lp = 700 uH 1 8 MUR160 2 D3 BAV21 10 RLED R9 3 6 66k C8 C10
in „Sperrwandler Dimensionierung“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik ·
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ttester.pdf
ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperr- schichtkapazität nur im gekühlten
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ttester.pdf
ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperr- schichtkapazität nur im gekühlten
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ttester.pdf
ATmega168 und eines ATmega328 Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A Diode. Ebenso kann für die Basis - Emitter Strecke des Germanium Transistors AC128 die Sperr- schichtkapazität nur im gekühlten
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ttester.pdf
ATmega8-, ATmega168- und ATmega328-Prozessors. Die Messung der Sperrschichtkapazität für die Doppeldiode MBR4045PT gelingt nur gekühlt. Die Ursache hierfür ist der hohe Reststrom der 40A-Diode. Ebenso kann für die Basis-Emitter-Strecke des Germanium-Transistors AC128 die Sperrschichtkapazität nur im gekühlten